JPH04253348A - Ｌｓｉチップの接続方法 - Google Patents
Ｌｓｉチップの接続方法Info
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- JPH04253348A JPH04253348A JP2789191A JP2789191A JPH04253348A JP H04253348 A JPH04253348 A JP H04253348A JP 2789191 A JP2789191 A JP 2789191A JP 2789191 A JP2789191 A JP 2789191A JP H04253348 A JPH04253348 A JP H04253348A
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩチップ等の微細
な電極と実装基板上に設けた電極との接続実装に関する
ものである。
な電極と実装基板上に設けた電極との接続実装に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の電気接続用異方性導電材
料としては、高分子材料の表面に導電性を有する金属薄
層を形成した導電粒子を含んだ接着剤組成物が用いられ
ており、接続としては、１８０〜２００℃で２０〜３０
ｋｇ／ｃｍ２程度の熱圧着方法が用いられていた。
料としては、高分子材料の表面に導電性を有する金属薄
層を形成した導電粒子を含んだ接着剤組成物が用いられ
ており、接続としては、１８０〜２００℃で２０〜３０
ｋｇ／ｃｍ２程度の熱圧着方法が用いられていた。
【０００３】以下に従来の実装方法を説明する。図３は
、従来のＬＳＩチップの接続方法を工程順に示す基板の
断面図である。このＬＳＩチップの接続は、次のとおり
である。すなわち、図３（ａ）に示すように、電極パッ
ド２が形成されたＬＳＩチップ１と、電極パッド２に対
応して形成された電極端子４を有する基板３とを導電性
粒子９を分散させて含有している熱接着樹脂１１を介し
て向き合わせる。次に、図３（ｂ）に示すように、ＬＳ
Ｉチップ１を基板３とに押し付け、加熱することにより
、熱接着樹脂１１を軟化させ、電極パッド２と電極端子
４とを導電性粒子９により、接続することによって行わ
れる。
、従来のＬＳＩチップの接続方法を工程順に示す基板の
断面図である。このＬＳＩチップの接続は、次のとおり
である。すなわち、図３（ａ）に示すように、電極パッ
ド２が形成されたＬＳＩチップ１と、電極パッド２に対
応して形成された電極端子４を有する基板３とを導電性
粒子９を分散させて含有している熱接着樹脂１１を介し
て向き合わせる。次に、図３（ｂ）に示すように、ＬＳ
Ｉチップ１を基板３とに押し付け、加熱することにより
、熱接着樹脂１１を軟化させ、電極パッド２と電極端子
４とを導電性粒子９により、接続することによって行わ
れる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の接続実
装方法によれば、電極パッドと電極端子間を電気的に接
続している導電性粒子の数量が多くなると隣合う電極パ
ッド、あるいは電極端子間でショートあるいは電流リー
クが発生する。これを避けるために導電性粒子の数量を
少なくすると、接続抵抗が増大すると共にばらつくとい
う問題が発生していた。また甚だしい場合には電気的に
オープンになる接続箇所が発生していた。さらに、最近
の接続寸法の高精細化に伴って、この傾向はますます著
しくなっている。また、ＬＳＩチップと基板が厳密に平
行なまま押し付けることは極めて難しく、各々の電極端
子間のギャップにばらつきが発生し、各電極端子間の導
電粒子の数量にばらつきが生じ、結果として接続が不安
定になるという問題があった。これらの現象は、デバイ
スの動作不良を引き起こす重大な欠点となっている。
装方法によれば、電極パッドと電極端子間を電気的に接
続している導電性粒子の数量が多くなると隣合う電極パ
ッド、あるいは電極端子間でショートあるいは電流リー
クが発生する。これを避けるために導電性粒子の数量を
少なくすると、接続抵抗が増大すると共にばらつくとい
う問題が発生していた。また甚だしい場合には電気的に
オープンになる接続箇所が発生していた。さらに、最近
の接続寸法の高精細化に伴って、この傾向はますます著
しくなっている。また、ＬＳＩチップと基板が厳密に平
行なまま押し付けることは極めて難しく、各々の電極端
子間のギャップにばらつきが発生し、各電極端子間の導
電粒子の数量にばらつきが生じ、結果として接続が不安
定になるという問題があった。これらの現象は、デバイ
スの動作不良を引き起こす重大な欠点となっている。
【０００５】本発明の目的は、再現性が良く、安定で、
しかも高精細化が可能なＬＳＩチップの接続方法を提供
することにある。
しかも高精細化が可能なＬＳＩチップの接続方法を提供
することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
、本発明による接続実装方法においては、ＬＳＩチップ
に形成された電極パッドと、該電極パッドに対応して基
板に形成された電極端子とを接続するＬＳＩチップの接
続方法であって、前記ＬＳＩチップあるいは、基板表面
の一方に活性エネルギー線による硬化及び熱硬化性を有
する樹脂中に導電性粒子を分散させた溶液を塗布後、乾
燥する工程と、前記導電性粒子を分散させた溶液を塗布
していない基板表面あるいは、ＬＳＩチップの一方に活
性エネルギー線による硬化及び熱硬化性を有する樹脂を
塗布後、乾燥する工程と、前記ＬＳＩチップ及び、基板
表面の接着剤樹脂をリソグラフィー及び現像により除去
する工程と、前記電極パッドと電極端子とを向き合わせ
、半導体回路素子と基板間を密着後、熱圧着して硬化さ
せる工程とを含むものである。
、本発明による接続実装方法においては、ＬＳＩチップ
に形成された電極パッドと、該電極パッドに対応して基
板に形成された電極端子とを接続するＬＳＩチップの接
続方法であって、前記ＬＳＩチップあるいは、基板表面
の一方に活性エネルギー線による硬化及び熱硬化性を有
する樹脂中に導電性粒子を分散させた溶液を塗布後、乾
燥する工程と、前記導電性粒子を分散させた溶液を塗布
していない基板表面あるいは、ＬＳＩチップの一方に活
性エネルギー線による硬化及び熱硬化性を有する樹脂を
塗布後、乾燥する工程と、前記ＬＳＩチップ及び、基板
表面の接着剤樹脂をリソグラフィー及び現像により除去
する工程と、前記電極パッドと電極端子とを向き合わせ
、半導体回路素子と基板間を密着後、熱圧着して硬化さ
せる工程とを含むものである。
【０００７】
【作用】再現性が良く、安定で、接続信頼性が高く、し
かも高精細化が可能となる。
かも高精細化が可能となる。
【０００８】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１Ａ，図１Ｂは、本発明の一実施例としてＬＳＩ
チップの接続方法を工程順に示す断面図である。図２は
、本発明方法によって接続されたＬＳＩチップの断面図
である。まず図１Ａの（ａ）に示すように、ＬＳＩチッ
プ１の表面には、電極パッド２が形成され、一方基板３
には、電極パッド２に対応して電極端子４が形成されて
いる。
る。図１Ａ，図１Ｂは、本発明の一実施例としてＬＳＩ
チップの接続方法を工程順に示す断面図である。図２は
、本発明方法によって接続されたＬＳＩチップの断面図
である。まず図１Ａの（ａ）に示すように、ＬＳＩチッ
プ１の表面には、電極パッド２が形成され、一方基板３
には、電極パッド２に対応して電極端子４が形成されて
いる。
【０００９】本発明においては、図１Ａの（ｂ）に示す
ように、ＬＳＩチップ１上に、光硬化性と同時に熱硬化
性を有する樹脂をスピンナー等で均一に塗布後、乾燥す
る。次に、フォトリソグラフィーにより紫外線７露光を
行う。このとき、電極パッド２上の樹脂層を遮光して露
光を行う。図１Ａの（ｃ）に示すように、基板３上に、
光硬化性と同時に熱硬化性を有する樹脂中に導電性粒子
を分散させた溶液をスピンナー等で均一に塗布後、乾燥
する。次に、フォトリソグラフィーにより紫外線７露光
を行う。このとき、電極端子４の樹脂層の露光を行う。 実施例では、感光性基（ネガ型）を有したポリイミド前
駆体である旭化成工業株式会社製「パイメル」（商品名
）を用い、導電性粒子としては、積水ファインケミカル
株式会社製「ミクロパール」（商品名）を用いた。次に
、図１Ｂの（ｄ）に示すように、現像液１０にて現像を
行い、ＬＳＩチップ及び基板３上の樹脂層を除去しマス
クパターンを作成する。次に図１Ｂの（ｅ）に示すよう
に、電極パッド２と電極端子４とを向き合わせる。
ように、ＬＳＩチップ１上に、光硬化性と同時に熱硬化
性を有する樹脂をスピンナー等で均一に塗布後、乾燥す
る。次に、フォトリソグラフィーにより紫外線７露光を
行う。このとき、電極パッド２上の樹脂層を遮光して露
光を行う。図１Ａの（ｃ）に示すように、基板３上に、
光硬化性と同時に熱硬化性を有する樹脂中に導電性粒子
を分散させた溶液をスピンナー等で均一に塗布後、乾燥
する。次に、フォトリソグラフィーにより紫外線７露光
を行う。このとき、電極端子４の樹脂層の露光を行う。 実施例では、感光性基（ネガ型）を有したポリイミド前
駆体である旭化成工業株式会社製「パイメル」（商品名
）を用い、導電性粒子としては、積水ファインケミカル
株式会社製「ミクロパール」（商品名）を用いた。次に
、図１Ｂの（ｄ）に示すように、現像液１０にて現像を
行い、ＬＳＩチップ及び基板３上の樹脂層を除去しマス
クパターンを作成する。次に図１Ｂの（ｅ）に示すよう
に、電極パッド２と電極端子４とを向き合わせる。
【００１０】次に、電極パッド２と電極端子４とを向き
合わせＬＳＩチップ１を基板３上に乗せ、電極パッド２
と電極端子４とをよく密着させる。さらに、１０ｋｇ／
ｃｍ２程度荷重を加えてＬＳＩチップ１を圧下し、同時
に２５０℃程度に加熱することによって、ＬＳＩチップ
と基板３間に配した樹脂を硬化させ、図２のようにＬＳ
Ｉチップ１と基板３を接着固定する。
合わせＬＳＩチップ１を基板３上に乗せ、電極パッド２
と電極端子４とをよく密着させる。さらに、１０ｋｇ／
ｃｍ２程度荷重を加えてＬＳＩチップ１を圧下し、同時
に２５０℃程度に加熱することによって、ＬＳＩチップ
と基板３間に配した樹脂を硬化させ、図２のようにＬＳ
Ｉチップ１と基板３を接着固定する。
【００１１】なお、感光性と熱硬化性を有する樹脂を基
板３に、感光性と熱硬化性を有する樹脂中に導電性粒子
を分散させた溶液をＬＳＩチップ１に塗布し、以下、工
程順に従って接続を行ってもよい。
板３に、感光性と熱硬化性を有する樹脂中に導電性粒子
を分散させた溶液をＬＳＩチップ１に塗布し、以下、工
程順に従って接続を行ってもよい。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＬＳＩチ
ップの接続方法は、リソグラフィー技術により電極パッ
ドと電極端子間のみに導電性粒子を分散させた接着剤層
を配し、さらに絶縁部分はリソグラフィー技術により、
導電性粒子を含まない接着剤層を配して熱圧着接続され
ているので高精細化接続が確実に、容易に信頼性よく実
施できるという極めて顕著な効果が得られる。
ップの接続方法は、リソグラフィー技術により電極パッ
ドと電極端子間のみに導電性粒子を分散させた接着剤層
を配し、さらに絶縁部分はリソグラフィー技術により、
導電性粒子を含まない接着剤層を配して熱圧着接続され
ているので高精細化接続が確実に、容易に信頼性よく実
施できるという極めて顕著な効果が得られる。
【図１Ａ】本発明に係わるＬＳＩチップの接続方法の工
程の前段を工程順に示す断面図である。
程の前段を工程順に示す断面図である。
【図１Ｂ】本発明に係わるＬＳＩチップの接続方法の工
程の後段を工程順に示す断面図である。
程の後段を工程順に示す断面図である。
【図２】本発明方法により接続されたＬＳＩチップの断
面図である。
面図である。
【図３】従来のＬＳＩチップの接続方法を工程順に示す
断面図である。
断面図である。
１ ＬＳＩチップ
２ 電極パッド
３ 基板
４ 電極端子
５ 感光性と熱硬化性を有する樹脂
６ フォトマスク
７ 紫外線
８ 導電性粒子を分散させた光と熱硬化性を有する樹
脂９ 導電性粒子 １０ 現像液 １１ 熱接着樹脂
脂９ 導電性粒子 １０ 現像液 １１ 熱接着樹脂
Claims (1)
- 【請求項１】 ＬＳＩチップに形成された電極パッド
と、該電極パッドに対応して基板に形成された電極端子
とを接続するＬＳＩチップの接続方法であって、前記Ｌ
ＳＩチップあるいは、基板表面の一方に活性エネルギー
線による硬化及び熱硬化性を有する樹脂中に導電性粒子
を分散させた溶液を塗布後、乾燥する工程と、前記導電
性粒子を分散させた溶液を塗布していない基板表面ある
いは、ＬＳＩチップの一方に活性エネルギー線による硬
化及び熱硬化性を有する樹脂を塗布後、乾燥する工程と
、前記ＬＳＩチップ及び、基板表面の接着剤樹脂をリソ
グラフィー及び現像により除去する工程と、前記電極パ
ッドと電極端子とを向き合わせ、半導体回路素子と基板
間を密着後、熱圧着して硬化させる工程とを含むことを
特徴とするＬＳＩチップの接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2789191A JP2661382B2 (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | Ｌｓｉチップの接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2789191A JP2661382B2 (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | Ｌｓｉチップの接続方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04253348A true JPH04253348A (ja) | 1992-09-09 |
| JP2661382B2 JP2661382B2 (ja) | 1997-10-08 |
Family
ID=12233517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2789191A Expired - Lifetime JP2661382B2 (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | Ｌｓｉチップの接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2661382B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5381047A (en) * | 1992-05-27 | 1995-01-10 | Kanno; Kazumasa | Semiconductor integrated circuit having multiple silicon chips |
| US5838061A (en) * | 1996-03-11 | 1998-11-17 | Lg Semicon Co., Ltd. | Semiconductor package including a semiconductor chip adhesively bonded thereto |
| CN110098167A (zh) * | 2018-01-31 | 2019-08-06 | 三国电子有限会社 | 连接结构体及连接结构体的制作方法 |
| US11735556B2 (en) | 2018-01-31 | 2023-08-22 | Mikuni Electron Corporation | Connection structure |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3451987B2 (ja) | 1998-07-01 | 2003-09-29 | 日本電気株式会社 | 機能素子及び機能素子搭載用基板並びにそれらの接続方法 |
-
1991
- 1991-01-29 JP JP2789191A patent/JP2661382B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5381047A (en) * | 1992-05-27 | 1995-01-10 | Kanno; Kazumasa | Semiconductor integrated circuit having multiple silicon chips |
| US5838061A (en) * | 1996-03-11 | 1998-11-17 | Lg Semicon Co., Ltd. | Semiconductor package including a semiconductor chip adhesively bonded thereto |
| CN110098167A (zh) * | 2018-01-31 | 2019-08-06 | 三国电子有限会社 | 连接结构体及连接结构体的制作方法 |
| JP2019134085A (ja) * | 2018-01-31 | 2019-08-08 | 三国電子有限会社 | 接続構造体および接続構造体の作製方法 |
| US11735556B2 (en) | 2018-01-31 | 2023-08-22 | Mikuni Electron Corporation | Connection structure |
| CN110098167B (zh) * | 2018-01-31 | 2024-12-31 | 三国电子有限会社 | 连接结构体及连接结构体的制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2661382B2 (ja) | 1997-10-08 |
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