JPH04234733A - Directional coupler type optical function element - Google Patents
Directional coupler type optical function elementInfo
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
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Abstract
Description
【0001】0001
【産業上の利用分野】本発明は新規構造の方向性結合器
型光機能素子に関し、更に詳しくは、極めて高い消光比
特性を有し、光スイッチ,光偏波スプリッタ,光変調器
,光合分波器などに用いて好適な方向性結合器型光機能
素子に関する。[Field of Industrial Application] The present invention relates to a directional coupler type optical functional element with a new structure, and more specifically, it has an extremely high extinction ratio characteristic and is used for optical switches, optical polarization splitters, optical modulators, and optical multiplexers. The present invention relates to a directional coupler type optical functional device suitable for use in wave devices and the like.
【0002】0002
【従来の技術】最近、導波路型の方向性結合器構造を有
する各種の光機能素子が開発され、それを用いた光スイ
ッチ,光偏波スプリッタ,光変調器,光合分波器などが
提案されている。従来の方向性結合器型の光機能素子例
の平面パターンを図12,図13にそれぞれ示す。図1
2で示した素子は2入力・2出力の素子であり、図13
で示した素子は1入力・2出力の素子である。[Background Art] Recently, various optical functional devices having a waveguide-type directional coupler structure have been developed, and optical switches, optical polarization splitters, optical modulators, optical multiplexers/demultiplexers, etc. using them have been proposed. has been done. Planar patterns of examples of conventional directional coupler type optical functional elements are shown in FIGS. 12 and 13, respectively. Figure 1
The element indicated by 2 is a 2-input/2-output element, and is shown in Figure 13.
The element shown is a one-input/two-output element.
【0003】図12において、互いに等しい路幅Wを有
する2本の光導波路A,Bがエバネッセント結合可能な
間隔Gを置いて互いに近接して平行配置されることによ
り、長さLの結合部Co が構成されている。結合部C
0 における光導波路A,Bのそれぞれ入射端A1 ,
B1 および出射端A2,B2 には、路幅がWで曲率
半径Rの曲線光導波路D1,D2,D3,D4 がそれ
ぞれ光接続されて入射側リード部C1 ,出射側リード
部C2 を形成している。
更に、曲線光導波路D1,D2,D3,D4 には、そ
れぞれ、路幅がWの直線光導波路E1,E2,E3,E
4 が互いの路幅中心間の距離G0の間隔で光接続され
ている。そして、結合部Co における光導波路A,B
の上には、電極F1,F2,F3,F4が装荷されて、
ここから光導波路へ電気信号を導入できるようになって
いる。なお、電極F1 と電極F3,電極F2 と電極
F4 の間隔はほとんどゼロになっている。In FIG. 12, two optical waveguides A and B having the same path width W are arranged close to each other in parallel with an interval G that allows evanescent coupling, thereby forming a coupling portion Co of length L. is configured. Joint part C
0 of the optical waveguides A and B, respectively, at the input ends A1,
Curved optical waveguides D1, D2, D3, and D4 having a path width of W and a radius of curvature R are optically connected to B1 and the output ends A2 and B2, respectively, to form an input side lead portion C1 and an output side lead portion C2. There is. Furthermore, the curved optical waveguides D1, D2, D3, and D4 are replaced with straight optical waveguides E1, E2, E3, and E, each having a path width of W.
4 are optically connected at a distance G0 between the centers of their respective path widths. Then, the optical waveguides A and B at the coupling part Co
Electrodes F1, F2, F3, F4 are loaded on top of
From here, electrical signals can be introduced into the optical waveguide. Note that the distance between the electrode F1 and the electrode F3, and between the electrode F2 and the electrode F4 is almost zero.
【0004】ここで、直線光導波路E1 を入射ポート
にすると、直線光導波路E3,E4 はそれぞれスルー
ポート,クロスポートになる。図13の1入力・2出力
の素子の場合は、図12の2入力・2出力の素子におい
て、光導波路Aの入射端A1 にのみ、直接、1本の直
線光導波路E0 を光接続した構造になっている。この
素子では、直線光導波路E0 が入射ポートであり、直
線光導波路E3,E4 がそれぞれスルーポート,クロ
スポートになっている。[0004] If the straight optical waveguide E1 is used as an input port, the straight optical waveguides E3 and E4 become a through port and a cross port, respectively. In the case of the 1-input, 2-output device shown in FIG. 13, in the 2-input, 2-output device shown in FIG. 12, one linear optical waveguide E0 is directly optically connected only to the input end A1 of the optical waveguide A. It has become. In this device, the straight optical waveguide E0 is an input port, and the straight optical waveguides E3 and E4 are a through port and a cross port, respectively.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記したこ
れらの素子を現在実施段階に入りつつあるファイバ通信
システムに組込むためには、漏話による誤り発生を防止
することが必要になる。したがって、低漏話、すなわち
高消光比特性を有する素子が必要になる。しかしながら
、図12で示した素子の場合、電極F1,F2,F3,
F4 からの電気信号の導入によって完全結合を実現し
てクロス状態における消光比を無限に高めることはでき
るが、しかしスルー状態の場合、消光比は理論値で高々
20〜30dB程度である。また図13で示した素子の
場合はスルー状態における消光比を図12の素子より1
0dB程度高くすることはできるが、しかしクロス状態
においては10〜20dB程度の消光比しか得られない
。By the way, in order to incorporate these above-mentioned elements into the fiber communication system which is currently in the stage of implementation, it is necessary to prevent the occurrence of errors due to crosstalk. Therefore, a device with low crosstalk, ie, high extinction ratio characteristics, is required. However, in the case of the element shown in FIG. 12, the electrodes F1, F2, F3,
By introducing an electrical signal from F4, complete coupling can be realized and the extinction ratio in the cross state can be increased infinitely, but in the through state, the extinction ratio is theoretically about 20 to 30 dB at most. In addition, in the case of the device shown in FIG. 13, the extinction ratio in the through state is 1
Although it is possible to increase the extinction ratio by about 0 dB, in the cross state, an extinction ratio of only about 10 to 20 dB can be obtained.
【0006】このように、従来の素子は、スルー状態ま
たはクロス状態のいずれかの状態で消光比が低くなり、
両方の状態で高い消光比特性を示すということはない。
そして、光機能素子における消光比特性は、スルー状態
またはクロス状態の消光比のうち低い消光比で規定され
るので、結局、素子全体の消光比としては低い値しか得
られないことになる。[0006] As described above, the extinction ratio of the conventional element is low in either the through state or the cross state,
It is not the case that high extinction ratio characteristics are exhibited in both states. Since the extinction ratio characteristic of an optical functional element is defined by the lower extinction ratio of the through state or cross state extinction ratio, only a low value can be obtained as the extinction ratio of the entire element.
【0007】なお、ここでいう消光比とは、スルーポー
トの出力パワーを|r|2 とし、クロスポートの出力
パワーを|s|2 としたとき、次式:
10log10(|r|2 /|s|2 )で算出され
る値をいう。なお、上記した構造の光機能素子において
も、比較的高い消光比特性を有するものとしては、例え
ば、P.Granestrand らがTech Di
g. IGWO ’86で発表した消光比27dB程度
の光スイッチや、H.M.Makらが電子情報通信学会
1990秋季全国大会C−216で発表した消光比28
dB程度の光偏波スプリッタなどが知られている。[0007] The extinction ratio referred to here is expressed by the following formula: 10log10(|r|2 /| s|2). Among the optical functional elements having the above-mentioned structure, examples of those having relatively high extinction ratio characteristics include P. Granestrand et al.
g. The optical switch with an extinction ratio of about 27 dB announced at IGWO '86, and the H. M. The extinction ratio of 28 was presented by Mak et al. at the 1990 Fall National Conference of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers C-216.
Optical polarization splitters of about dB are known.
【0008】一方、光通信システムで実用されている光
機能素子としては、その消光比は15dB以上であるも
のが要求される。そのため、方向性結合器型光機能素子
が低消光比を示すことの原因に関する研究が盛んに行な
われている。それらの研究のなかで、例えば、Jean
− Pierre Weber らは、IEEE.
J. of Quantum Electronics
(Vol 24. March. 1988) で、
この低消光比の原因は必要なスイッチング状態を生ずる
ための屈折率制御が方向性結合器においては困難である
ということに基づくものであるとの発表を行なっている
。On the other hand, optical functional elements used in optical communication systems are required to have an extinction ratio of 15 dB or more. Therefore, research into the cause of the low extinction ratio of directional coupler type optical functional devices is being actively conducted. Among these studies, for example, Jean
- Pierre Weber et al., IEEE.
J. of Quantum Electronics
(Vol 24. March. 1988)
It has been announced that the reason for this low extinction ratio is that it is difficult to control the refractive index to produce the necessary switching state in a directional coupler.
【0009】また、L. McCanghanらは、同
じくIEEE. J. of Quantum Ele
ctromics (Vol .QE−22. No.
6. June. 1986)で、光導波路の延在方向
(光の伝搬方向)に沿って導波路の屈折率が不均一にな
ることが原因であると発表している。更に、T. K.
Findaklyらは、J. of Lightwa
ve Technology (Vol 6. No.
1. January. 1988) で、これら素子
を光ファイバを接続するための入射側および出射側のリ
ード部において、僅かながら結合が存在し、そのことに
よって、スルー状態におけるスイッチング状態が得られ
ないので、そのことに起因する消光比の低下は不可避に
なると指摘している。[0009] Also, L. McCanghan et al. also published IEEE. J. of Quantum Ele
ctromics (Vol. QE-22. No.
6. June. (1986) announced that the cause is that the refractive index of the waveguide becomes non-uniform along the extending direction of the optical waveguide (light propagation direction). Furthermore, T. K.
Findakly et al. of light
ve Technology (Vol 6. No.
1. January. 1988), there is a slight amount of coupling at the input and output side leads for connecting these elements with optical fibers, and this makes it impossible to obtain a switching state in the through state. It is pointed out that a decrease in the extinction ratio is inevitable.
【0010】ところで、これらの発表されている3つの
原因のうち、Jean − Pierre Weber
らが発表した原因に関しては、電極の駆動方法や光導
波路の構成材料を適切に選択することによって解消する
ことは不可能ではない。また、L. McCangha
nらが発表した原因に関しては、光導波路の形成時にお
ける膜成長の制御を改善して解決することができる。し
かしながら、T. K. Findaklyらが指摘し
た原因は、接続すべき光ファイバの外径が数μm程度に
まで細径化して素子のリード部が不要になるまでは解決
不能の問題として残らざるを得ない。By the way, among these three announced causes, Jean-Pierre Weber
It is not impossible to eliminate the causes announced by et al. by appropriately selecting the electrode driving method and the constituent material of the optical waveguide. Also, L. McCangha
The cause announced by N et al. can be solved by improving control of film growth during the formation of the optical waveguide. However, T. K. The cause pointed out by Findakly et al. will remain an unsolvable problem until the outer diameter of the optical fiber to be connected is reduced to about several μm and the lead portion of the element becomes unnecessary.
【0011】本発明は、方向性結合器型光機能素子が低
消光比であることの上記した原因を解消し、新たにその
構成を設計し直すことにより、消光比特性が30dB以
上である新規構造の方向性結合器型光機能素子の提供を
目的とする。The present invention solves the above-mentioned causes of the low extinction ratio of the directional coupler type optical functional element and redesigns its configuration, thereby creating a novel device with an extinction ratio characteristic of 30 dB or more. The purpose of the present invention is to provide a directional coupler type optical functional device having a structure.
【0012】0012
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明においては、電気光学効果を発現する材
料または電気信号の導入により屈折率制御が可能な構造
を有する材料から成る等幅の2本の光導波路を平行配置
した長さLの結合部を有し、前記結合部の2本の光導波
路のうち1本の光導波路のみがその入射端で1本の直線
光導波路を光接続し、前記結合部の2本の光導波路の出
射端はそれぞれ曲線または直線の光導波路と光接続して
出射側リード部を形成している1入力・2出力の方向性
結合器において、p1,p2,p3,がp1 +p2
+p3 <1(ただしp1≠0)を満足する小数または
ゼロとしたとき、前記接合部は、長さp1×Lの前段部
分結合部、長さ(1−p1 −p2 −p3 )×L/
2の前段電極付き部分結合部、長さp2 ×Lの中央部
分結合部、前記前段電極付き部分結合部と同じ長さの後
段電極付き部分結合部、および長さp3 ×Lの後段部
分結合部をこの順序で光接続して成ることを特徴とする
方向性結合器型光機能素子が提供される。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a uniform width material made of a material that exhibits an electro-optical effect or a material that has a structure that allows control of the refractive index by introducing an electric signal. It has a coupling part of length L in which two optical waveguides are arranged in parallel, and only one of the two optical waveguides of the coupling part connects one straight optical waveguide with light at its input end. In a 1-input/2-output directional coupler in which the output ends of the two optical waveguides of the coupling part are optically connected to curved or straight optical waveguides to form an output side lead part, p1 , p2, p3, are p1 + p2
+p3 < 1 (however, p1≠0) When it is a decimal or zero that satisfies, the above-mentioned joint part is a front part joint part of length p1 × L, length (1-p1 - p2 - p3 ) × L/
2, a central partial joint portion with length p2×L, a partial joint portion with rear electrodes having the same length as the front electrode partial joint portion, and a rear partial joint portion with length p3×L. There is provided a directional coupler type optical functional device characterized by optically connecting the following in this order.
【0013】本発明の光機能素子の基本構成を平面パタ
ーン図として図1に示す。図から明らかなように、本発
明の光機能素子の平面パターンは、結合部C0 が後述
するような構成をとることを除いては、図13で示した
従来の1入力・2出力方向性結合器型光機能素子と変わ
ることはない。まず、結合部C0 においては、等幅(
路幅W)の2本の光導波路A,Bが微小間隔Gで平行配
置され、そのうちの1本の光導波路Aの入射端A1 に
は路幅Wの直線光導波路E0 が光接続されて入射ポー
トを構成している。光導波路A,光導波路Bのそれぞれ
の出射端A2 ,B2 には曲率半径がRで路幅Wの曲
線光導波路D3,D4 が光接続されて出射側リード部
C2 を構成し、更にこれら曲線光導波路D3,D4
には、路幅Wの直線光導波路E3,E4 が路幅中心間
の距離G0 でそれぞれ光接続されて、スルーポート(
E3)とクロスポート(E4)を構成している。The basic configuration of the optical functional element of the present invention is shown in FIG. 1 as a plan pattern diagram. As is clear from the figure, the planar pattern of the optical functional element of the present invention is similar to the conventional one-input/two-output directional coupling shown in FIG. It is no different from a container-type optical functional device. First, at the joint C0, the width is equal (
Two optical waveguides A and B with a path width W) are arranged in parallel with a minute interval G, and a straight optical waveguide E0 with a path width W is optically connected to the input end A1 of one of the optical waveguides A. Configuring ports. Curved optical waveguides D3 and D4 having a radius of curvature R and a path width W are optically connected to the output ends A2 and B2 of the optical waveguides A and B, respectively, to form an output side lead part C2, and these curved optical waveguides Wave paths D3, D4
In this case, straight optical waveguides E3 and E4 with a path width W are optically connected with a distance G0 between the centers of the path widths, and a through port (
E3) and cross port (E4).
【0014】なお本発明においては、出射側リード部C
2 は図のような曲線光導波路で構成することに限定さ
れることなく、例えば、出射端A2,B2 から直線光
導波路E3,E4 までを微小テーパ角θから成る直線
光導波路を介装して構成してもよい。これら各光導波路
は、いずれも電気光学効果を発現する材料や電気信号を
導入してその屈折率制御が可能な構造の材料で構成され
ている。例えば、GaAs/AlGaAsのような半導
体材料をMOCVD法で多層に積層して形成することが
できる。Note that in the present invention, the output side lead portion C
2 is not limited to being constructed with a curved optical waveguide as shown in the figure, for example, a straight optical waveguide having a minute taper angle θ may be interposed from the output ends A2, B2 to the straight optical waveguides E3, E4. may be configured. Each of these optical waveguides is made of a material that exhibits an electro-optic effect or a material that has a structure that allows its refractive index to be controlled by introducing an electric signal. For example, it can be formed by laminating multiple layers of semiconductor materials such as GaAs/AlGaAs using the MOCVD method.
【0015】結合部C0 はその入射端A1 から出射
端A2,B2 にかけて、前段部結合部C3,前段電極
付き部分結合部C4,中央部分結合部C5,後段電極付
き部分結合部C6,および後段部分結合部C7 をこの
順序で光接続して構成されている。各部分結合部の長さ
は、今、結合部C0 の全体の長さをL,p1,p2,
p3 を次式:p1 +p2 +p3 <1(ただしp
1 ≠0)を満足する小数または0としたとき、前段部
分結合部C3 はp1 ×L、前段電極付き部分結合部
C4 は(1−p1 −p2 −p3 )×L/2、中
央部分結合部C5 はp2×L、後段電極付き部分結合
部C6 は(1−p1 −p2 −p3 )×L/2、
後段部分結合部C7 はp3 ×Lになっている。The coupling portion C0 extends from its incident end A1 to its output ends A2 and B2, and includes a front coupling portion C3, a partial coupling portion C4 with a front electrode, a central coupling portion C5, a partial coupling portion C6 with a rear electrode, and a rear portion. The coupling portion C7 is optically connected in this order. The length of each partial joint is now the total length of the joint C0 as L, p1, p2,
p3 is expressed as: p1 +p2 +p3 <1 (however, p
1 ≠ 0), the front partial joint C3 is p1 × L, the front electrode partial joint C4 is (1 - p1 - p2 - p3 ) × L/2, the central partial joint C5 is p2×L, partial coupling part C6 with rear electrode is (1-p1-p2-p3)×L/2,
The latter part connecting portion C7 has p3×L.
【0016】この場合、係数p1 とp3 は、長さp
1×Lの前段部分結合部C3 における結合を長さp3
×Lの後段部分結合部C7 から出射側リード部C2
を含めた部分の結合と一致させ、この素子全体として
は完全対称な入射側リード部と出射側リード部を有する
場合と等価になるように選定される。また係数p2 は
、中央部分結合部C5 の長さを変えてスルー状態にお
ける消光比を測定したときに、その値が極大値を示すと
きの長さを実現するような係数として選定される。In this case, coefficients p1 and p3 have length p
The length of the connection at the front partial connection part C3 of 1×L is p3.
×L rear part connecting part C7 to output side lead part C2
The element is selected so that it matches the coupling of the parts including the elements, and the element as a whole is equivalent to having a completely symmetrical entrance side lead part and output side lead part. Further, the coefficient p2 is selected as a coefficient that achieves the maximum value when the extinction ratio in the through state is measured by varying the length of the central partial coupling portion C5.
【0017】また、部分結合部C4,C6 における電
極F1,F2,F3,F4 の相互の接続状態は用いた
光導波路の材料によって異なってくるが、例えば光導波
路材料が半導体である場合には、図2で示したように、
電極F1 と電極F4 、電極F1 と電極F4 をリ
ードf1,f2 でそれぞれ接続して成る反転Δβ構造
にすればよく、また光導波路材料がLiNbO3 のよ
うな誘電体である場合には、図3で示したように接続す
ればよい。Furthermore, the mutual connection state of the electrodes F1, F2, F3, and F4 in the partial coupling portions C4 and C6 varies depending on the material of the optical waveguide used. For example, when the optical waveguide material is a semiconductor, As shown in Figure 2,
An inverted Δβ structure in which electrodes F1 and F4 and electrodes F1 and F4 are connected by leads f1 and f2, respectively, may be used. If the optical waveguide material is a dielectric such as LiNbO3, the structure shown in FIG. Just connect as shown.
【0018】[0018]
【作用】本発明の方向性結合器型光機能素子の場合、前
段部分結合部C3 における結合状態と、後段部分結合
部C7 および出射側リード部C2 を合わせた部分に
おける結合状態が一致するので、この方向性結合器全体
としては、前段電極付き部分結合部C4,中央部分結合
部C5 および後段電極付き部分結合部C6 とで、完
全対称な入射リード部と出射リード部を有する場合と等
価な状態が発現し、その結果、クロス状態における消光
比劣化が除去される。[Operation] In the case of the directional coupler type optical functional device of the present invention, the coupling state in the front-stage partial coupling portion C3 and the coupling state in the combined portion of the rear-stage partial coupling portion C7 and the output side lead portion C2 match, so that This directional coupler as a whole is in a state equivalent to having a completely symmetrical input lead part and output lead part, with the front-stage electrode-equipped partial coupling part C4, the central part-coupling part C5, and the rear-stage electrode-equipped partial coupling part C6. is expressed, and as a result, extinction ratio deterioration in the cross state is eliminated.
【0019】また、中央部分結合部C5 の長さはスル
ー状態における消光比が極大となるような長さに設定さ
れている。したがって、この光機能素子は、クロス状態
,スルー状態のいずれの場合においても、従来の構造の
ものに比べて、消光比が大幅に向上するようになる。Further, the length of the central partial coupling portion C5 is set to such a length that the extinction ratio in the through state is maximized. Therefore, in both the cross state and the through state, this optical functional element has a significantly improved extinction ratio compared to the conventional structure.
【0020】[0020]
【実施例】図4の平面パターン図で示したような光機能
素子を製造した。この光機能素子は、図1に示した素子
においてp3 =0としたもの、すなわち、光導波路A
,Bの各出射端A2,B2 は直接曲線光導波路D3,
D4 に光接続して、後段部分結合部が存在しない構造
のものである。EXAMPLE An optical functional device as shown in the plane pattern diagram of FIG. 4 was manufactured. This optical functional element is the element shown in FIG. 1 with p3 = 0, that is, the optical waveguide A
, B are directly connected to the curved optical waveguide D3,
It has a structure in which it is optically connected to D4 and does not have a subsequent partial coupling part.
【0021】図において、結合部C0 の長さは7.5
mm 、光導波路A,Bの間隔Gは3.5 μm、スル
ーポートE3 とクロスポートE4 の路幅中心間の間
隔G0 は250μm、出射側リード部C2 を構成す
る曲線光導波路D3,D4 の曲率半径Rはいずれも3
0μm、路幅Wは7μmである。そして、前段部分結合
部C3 の長さ:p1 ×Lは267μm(p1 =0
.0356),中央部分結合部C5 の長さ:p2 ×
Lは540μm(p2 =0.072),前段電極付き
部分結合部C4,後段電極付き部分結合部C6 の長さ
はいずれも3.3465mmになっている。In the figure, the length of the joint C0 is 7.5
mm, the distance G between the optical waveguides A and B is 3.5 μm, the distance G0 between the path width centers of the through port E3 and the cross port E4 is 250 μm, and the curvature of the curved optical waveguides D3 and D4 that constitute the output side lead portion C2. The radius R is 3 in both cases.
0 μm, and the road width W is 7 μm. The length of the front-stage partial joint C3: p1 ×L is 267 μm (p1 = 0
.. 0356), length of central partial joint C5: p2 ×
L is 540 μm (p2 = 0.072), and the lengths of the front-stage electrode-attached partial coupling portion C4 and the rear-stage electrode-attached partial coupling portion C6 are both 3.3465 mm.
【0022】この結合部C0 における前・後段電極付
き部分結合部C4,C6 、および中央部分結合部C5
は、それぞれ図4のV−V線に沿う断面図である図5
、VI−VI線に沿う断面図である図6で示したような
構成になっている。すなわち、AuGeNi/Auから
成る下部電極1の上に、MOCVD法によって、n+
GaAsから成る基板2,n+ GaAsから成る厚み
0.5 μmのバッファ層3,n+ GaAlAsから
成る厚み3.0 μmの下部クラッド層4,n− Ga
Asから成る厚み1.0 μmのコア層5がこの順序で
積層されている。更にこのコア層5の上には、n− G
aAlAsから成るクラッド6a,p− GaAlAs
から成るクラッド6b,p+ GaAsから成るキャッ
プ6cが順次MOCVD法で積層されて上部クラッド層
6をを形成し、その上面はSiO2 膜のような絶縁膜
7で被覆されることにより、路幅がWである2本の光導
波路A,Bが間隔Gでリッジ状に形成されている。[0022] In this joint C0, partial joint parts C4 and C6 with front and rear stage electrodes, and a central partial joint part C5
FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line V-V in FIG. 4, respectively.
, the configuration is as shown in FIG. 6, which is a cross-sectional view taken along line VI-VI. That is, on the lower electrode 1 made of AuGeNi/Au, an n+
A substrate 2 made of GaAs, a 0.5 μm thick buffer layer 3 made of n+ GaAs, a 3.0 μm thick lower cladding layer 4 made of n+ GaAlAs, and a 0.5 μm thick buffer layer 3 made of n+ GaAlAs.
A core layer 5 made of As and having a thickness of 1.0 μm is laminated in this order. Furthermore, on this core layer 5, n-G
Cladding consisting of aAlAs 6a, p- GaAlAs
A cladding 6b made of p+ GaAs and a cap 6c made of p+ GaAs are sequentially laminated by MOCVD to form an upper cladding layer 6, whose upper surface is covered with an insulating film 7 such as a SiO2 film, so that the path width is reduced to W. Two optical waveguides A and B are formed in a ridge shape with a distance G between them.
【0023】電極F1,F2,F3,F4 が装荷され
る個所は、図5で示したように、絶縁膜7の一部をスリ
ット状に除去して窓7aを形成し、ここからキャップ6
cの上面にTi/Pt/Auを例えば蒸着して電極F2
,F4 を形成する。図6においては、電極F1 と電
極F4 を接続するリードf2 が絶縁膜7の上に形成
されている。As shown in FIG. 5, at the location where the electrodes F1, F2, F3, and F4 are loaded, a part of the insulating film 7 is removed in the form of a slit to form a window 7a, from which the cap 6 is inserted.
For example, Ti/Pt/Au is deposited on the upper surface of electrode F2.
, F4. In FIG. 6, a lead f2 connecting the electrode F1 and the electrode F4 is formed on the insulating film 7. In FIG.
【0024】このようにして形成された光導波路A,B
においては、クラッド6aとクラッド6bの界面がpn
接合界面6dになっている。したがって、電極F1,F
2,F3,F4 から所定の電気信号を導入すると、p
n接合界面では電気光学効果、プラズマ効果やバンドフ
ィリング効果などが発現して電極直下に位置するコア層
5の屈折率が変化して、光導波路A,B間における光の
結合状態が変化する。Optical waveguides A and B thus formed
, the interface between cladding 6a and cladding 6b is pn
A bonding interface 6d is formed. Therefore, electrodes F1, F
When a predetermined electrical signal is introduced from 2, F3, and F4, p
At the n-junction interface, an electro-optic effect, a plasma effect, a band filling effect, etc. occur, and the refractive index of the core layer 5 located directly under the electrode changes, and the coupling state of light between the optical waveguides A and B changes.
【0025】この素子において、入射ポートE0 に波
長1.3 μmのTEモード光を励起し、電極に逆バイ
アス電圧を印加して電気光学効果のみを発現せしめた場
合のスイッチング特性の理論特性図を図7に示す。実際
にこの素子を逆バイアス電圧で駆動したとき、測定系の
都合により、クロス状態における印加電圧が−8.5
Vであると消光比は30dB以上で、またスルー状態に
おける印加電圧が−19Vで消光比はやはり30dB以
上になるものと評価することができる。In this device, a theoretical characteristic diagram of switching characteristics is shown when TE mode light with a wavelength of 1.3 μm is excited at the input port E0 and a reverse bias voltage is applied to the electrodes to express only the electro-optic effect. It is shown in FIG. When this element was actually driven with a reverse bias voltage, the applied voltage in the cross state was -8.5 due to the measurement system.
When the voltage is V, the extinction ratio is 30 dB or more, and when the applied voltage in the through state is -19 V, it can be evaluated that the extinction ratio is also 30 dB or more.
【0026】次に、この素子において係数p2 を変化
させて中央部分結合部C5 の長さp2 ×Lを変えた
ときの消光比の変動をp2 との関係として図8に示す
。図中、●印はスルー状態,黒四角印はクロス状態を表
す。図8から明らかなように、p2 が多少変動したと
しても、すなわち中央部分結合部C5 の長さが多少変
化しても、この素子はスルー状態,クロス状態のいずれ
の場合においても40dB以上の消光比を得ることが可
能である。Next, FIG. 8 shows the variation of the extinction ratio in relation to p2 when the length p2×L of the central partial coupling portion C5 is changed by changing the coefficient p2 in this element. In the figure, the ● mark represents a through state, and the black square mark represents a cross state. As is clear from FIG. 8, even if p2 changes a little, that is, even if the length of the central partial coupling part C5 changes a little, this element still exhibits an extinction of 40 dB or more in both the through state and the cross state. It is possible to obtain the ratio.
【0027】また、図8と後述の図9とを総合して考え
ると、この素子が最大消光比を示すためには、係数p1
,p2,p3 をある値に選定すべきであることがわか
る。まず、図9は、p2 =p3 =0で、p1 を変
動させたときのスルーポートE3 およびクロスポート
E4 における消光比の変化を示す理論特性図である。
図中、●印はスルーポートの消光比,黒四角印はクロス
ポートの消光比を表す。この図から明らかなように、p
1 が0.032 〜0.039 のときにクロスポー
トの消光比は40dB以上になり、p1 が0.035
616付近の値で前段部分結合部C3 が形成されてい
るときにクロスポートは最大の消光比を示すことがわか
る。Furthermore, considering FIG. 8 and FIG. 9 which will be described later, in order for this element to exhibit the maximum extinction ratio, the coefficient p1 must be
, p2, p3 should be selected to certain values. First, FIG. 9 is a theoretical characteristic diagram showing changes in the extinction ratio at the through port E3 and the cross port E4 when p2 = p3 = 0 and p1 is varied. In the figure, the ● mark represents the extinction ratio of the through port, and the black square mark represents the extinction ratio of the cross port. As is clear from this figure, p
When p1 is 0.032 to 0.039, the extinction ratio of the cross port is 40 dB or more, and p1 is 0.035.
It can be seen that the cross port exhibits the maximum extinction ratio when the front partial coupling portion C3 is formed with a value near 616.
【0028】したがって、例えば、G0,R,G,Wな
どが上記した値の素子の場合、p1 を0.03561
6, p3 を0に設定しないと、クロス状態における
消光比の劣化は避けられない。また、p2 が0.07
2 からずれた値になると、スルー状態における最大の
消光比は図7のような63.06 dBを示さない。し
かし、この素子は、図8から明らかなように、p2 が
0.066 〜0.076 の範囲にあるときは、少な
くとも40dBの消光比を示す。Therefore, for example, in the case of an element in which G0, R, G, W, etc. have the above values, p1 is set to 0.03561.
6, unless p3 is set to 0, deterioration of the extinction ratio in the cross state is unavoidable. Also, p2 is 0.07
When the value deviates from 2, the maximum extinction ratio in the through state does not show 63.06 dB as shown in FIG. However, this device exhibits an extinction ratio of at least 40 dB when p2 is in the range of 0.066 to 0.076, as is clear from FIG.
【0029】次に図4の構造において、結合部C0 の
長さ:6mm,W:6μm,G0:250μm,G:3
.0μm,R:50mm,前段部分結合部C3 の長さ
:249μm(p1 =0.0415),中央部分結合
部C5 の長さ:498μm(p2 =0.083 )
,p3 =0として光機能素子を製造した。入射ポート
E0 に波長1.3 μmのTEモード光を励起し、電
極に逆バイアス電圧を印加して電気光学効果のみを発現
せしめた場合のこの素子のスイッチング特性の理論特性
図を図10に示す。Next, in the structure of FIG. 4, the length of the joint C0: 6 mm, W: 6 μm, G0: 250 μm, G: 3
.. 0μm, R: 50mm, Length of front part joint part C3: 249μm (p1 = 0.0415), Length of central part joint part C5: 498μm (p2 = 0.083)
, p3 = 0, and an optical functional element was manufactured. Figure 10 shows a theoretical diagram of the switching characteristics of this device when TE mode light with a wavelength of 1.3 μm is excited at the input port E0 and a reverse bias voltage is applied to the electrodes to produce only the electro-optic effect. .
【0030】実際にこの素子を逆バイアス電圧で駆動し
たとき、測定系の都合により、クロス状態における印加
電圧が−8.0Vであると消光比は30dB以上で、ま
たスルー状態における印加電圧が−20.0Vで消光比
はやはり30dB以上になるものと評価することができ
る。
次にこの素子において、係数p2 を変化させて中央部
分結合部C5 の長さp2 ×Lを変えたときの消光比
の変動をp2 との関係として図11に示す。図中、●
印はスルー状態,黒四角印はクロス状態を表す。When this element is actually driven with a reverse bias voltage, due to the circumstances of the measurement system, when the applied voltage in the cross state is -8.0 V, the extinction ratio is 30 dB or more, and when the applied voltage in the through state is -8.0 V, the extinction ratio is -8.0 V. At 20.0V, the extinction ratio can be evaluated to be 30dB or more. Next, in this element, when the length p2×L of the central partial coupling portion C5 is changed by changing the coefficient p2, the variation in extinction ratio is shown in FIG. 11 as a relationship with p2. In the figure,●
The mark represents a through state, and the black square mark represents a cross state.
【0031】この実施例素子もまた、スルー状態、クロ
ス状態のいずれの状態においても30dB以上の消光比
が得られている。The device of this example also has an extinction ratio of 30 dB or more in both the through state and the cross state.
【0032】[0032]
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
方向性結合器型光機能素子は、電気光学効果を発現する
材料または電気信号の導入により屈折率制御が可能な構
造を有する材料から成る等幅の2本の光導波路を平行配
置した長さLの結合部を有し、前記結合部の2本の光導
波路のうち1本の光導波路のみがその入射端で1本の直
線光導波路と光接続し、前記結合部の2本の光導波路の
出射端はそれぞれ曲線または直線の光導波路と光接続し
て出射側リード部を形成している1入力・2出力の方向
性結合器において、p1,p2,p3 がp1 +p2
+p3 <1(ただしp1 ≠0)を満足する小数ま
たはゼロとしたとき、前記接合部は、長さp1 ×Lの
前段部分結合部、長さ(1−p1 −p2 −p3 )
×L/2の前段電極付き部分結合部、長さp2 ×Lの
中央部分結合部、前記前段電極付き部分結合部と同じ長
さの後段電極付き部分結合部、および長さp3 ×Lの
後段部分結合部をこの順序で光接続して成ることを特徴
とするので、前記前段部分結合部と前記後段部分結合部
の長さを適切に設計することにより、従来の方向性結合
器における入射側リード部と出射側リード部の結合の非
対称性を消去することができ、その結果、クロス状態に
おける消光比の劣化を除去することができる。また、中
央部分結合部はスルー状態における消光比を極大にする
ような長さで形成されているので、スルー状態の消光比
も高水準を実現することができる。すなわち、本発明の
光機能素子は、スルー状態,クロス状態のいずれにおい
ても高消光比を示す。Effects of the Invention As is clear from the above description, the directional coupler type optical functional element of the present invention is made of a material that exhibits an electro-optic effect or a material that has a structure that allows the refractive index to be controlled by introducing an electric signal. It has a coupling part of length L in which two optical waveguides of equal width are arranged in parallel, and only one of the two optical waveguides of the coupling part has a straight line at its input end. A 1-input/2-output directional coupling that is optically connected to an optical waveguide, and the output ends of the two optical waveguides of the coupling part are optically connected to a curved or straight optical waveguide to form an output side lead part. In the container, p1, p2, p3 are p1 + p2
+ p3 < 1 (however, p1 ≠ 0) When it is a decimal or zero that satisfies, the above-mentioned joint part is a front part joint part of length p1 ×L, length (1-p1 - p2 - p3 )
×L/2 front-stage electrode-attached partial joint part, length p2 ×L central partial joint part, rear-stage electrode-equipped partial joint part of the same length as the front-stage electrode partial joint part, and length p3 ×L rear stage Since the partial coupling portions are optically connected in this order, by appropriately designing the lengths of the front partial coupling portion and the rear partial coupling portion, the input side of the conventional directional coupler can be It is possible to eliminate the asymmetry in the coupling between the lead part and the output side lead part, and as a result, it is possible to eliminate the deterioration of the extinction ratio in the crossed state. Further, since the central partial coupling portion is formed with a length that maximizes the extinction ratio in the through state, a high level of extinction ratio in the through state can also be achieved. That is, the optical functional device of the present invention exhibits a high extinction ratio in both the through state and the cross state.
【0033】したがって、光通信システムにおいて本発
明の素子を組込むと低漏話を実現することができ、光信
号の伝達を一層正確に行なうことができる。なお、実施
例では光スイッチとして駆動させる場合を説明したが、
本発明の光機能素子は、例えば電極から順方向電流の注
入と逆電圧の印加を同時に行なってTEモード光とTM
モード光の分離を行なう光偏波スプリッタとして使用す
ることもできる。更に、光変調器や光合分波器として使
用したときに、高消光比特性を得ることができる。Therefore, when the element of the present invention is incorporated into an optical communication system, low crosstalk can be achieved and optical signals can be transmitted more accurately. In addition, in the example, the case where it was driven as an optical switch was explained, but
The optical functional element of the present invention can produce TE mode light and TM light by simultaneously injecting a forward current and applying a reverse voltage from an electrode, for example.
It can also be used as an optical polarization splitter that separates mode light. Furthermore, when used as an optical modulator or optical multiplexer/demultiplexer, high extinction ratio characteristics can be obtained.
【図1】本発明の光機能素子の基本構成を示す平面パタ
ーン図である。FIG. 1 is a plan pattern diagram showing the basic configuration of an optical functional element of the present invention.
【図2】電極の接続例を示す平面パターン図である。FIG. 2 is a plan pattern diagram showing an example of electrode connection.
【図3】電極の他の接続例を示す平面パターン図である
。FIG. 3 is a plan pattern diagram showing another example of electrode connection.
【図4】実施例の光機能素子を示す平面パターン図であ
る。FIG. 4 is a plan pattern diagram showing an optical functional element of an example.
【図5】図4のV−V線に沿う断面図である。FIG. 5 is a sectional view taken along line V-V in FIG. 4;
【図6】図4のVI−VI線に沿う断面図である。6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI in FIG. 4. FIG.
【図7】実施例素子のスイッチング特性の理論特性図で
ある。FIG. 7 is a theoretical characteristic diagram of switching characteristics of the example element.
【図8】p3 =0のときの係数p2 と消光比との関
係を示すグラフである。FIG. 8 is a graph showing the relationship between coefficient p2 and extinction ratio when p3=0.
【図9】p2 =p3 =0のときの係数p1 と消光
比との関係を示すグラフである。FIG. 9 is a graph showing the relationship between coefficient p1 and extinction ratio when p2 = p3 =0.
【図10】他の実施例素子のスイッチング特性の理論特
性図である。FIG. 10 is a theoretical characteristic diagram of switching characteristics of another example element.
【図11】他の実施例素子におけるp2 と消光比との
関係を示すグラフである。FIG. 11 is a graph showing the relationship between p2 and extinction ratio in other example elements.
【図12】従来の2入力・2出力方向性結合器の平面パ
ターン図である。FIG. 12 is a plan pattern diagram of a conventional two-input/two-output directional coupler.
【図13】従来の1入力・2出力方向性結合器の平面パ
ターン図である。FIG. 13 is a plan pattern diagram of a conventional 1-input/2-output directional coupler.
【符号の説明】
1 下部電極
2 基盤
3 バッファ層
4 下部クラッド層
5 コア層
6 上部クラッド層
6a,6b クラッド
6c キャップ
6d pn接合界面
7 絶縁膜
7a 窓
A 光導波路
A1 結合部C0 の入射端
A2 光導波路Aの出射端
B 光導波路
B2 光導波路Bの出射端
D3,D4 曲線光導波路
E0 直線光導波路(入射ポート)
E3 直線光導波路(スルーポート)
E4 直線光導波路(クロスポート)
C0 結合部
C2 出射側リード部
C3 前段部分結合部
C4 前段電極付き部分結合部
C5 中央部分結合部
C6 後段電極付き部分結合部
C7 後段部分結合部
F1,F2,F3,F4 電極
f1,f2 リード
L 結合部C0 の長さ
p1,p2,p3, p1 +p2 +p3 <1(
ただしp1 ≠0)を満足する小数またはゼロ
W 光導波路の路幅
G 光導波路A,Bの間隔[Explanation of symbols] 1 Lower electrode 2 Base 3 Buffer layer 4 Lower cladding layer 5 Core layer 6 Upper cladding layer 6a, 6b Cladding 6c Cap 6d PN junction interface 7 Insulating film 7a Window A Optical waveguide A1 Coupling part C0 Incident end A2 Output end B of optical waveguide A Optical waveguide B2 Output end D3, D4 of optical waveguide B Curved optical waveguide E0 Straight optical waveguide (input port) E3 Straight optical waveguide (through port) E4 Straight optical waveguide (cross port) C0 Coupling part C2 Output side lead part C3 Front stage partial joint part C4 Front stage partial joint part with electrode C5 Central partial joint part C6 Rear stage partial joint part with electrode C7 Rear stage partial joint part F1, F2, F3, F4 Electrode f1, f2 Lead L Joint part C0 Length p1, p2, p3, p1 +p2 +p3 <1(
However, p1 ≠ 0) is a decimal or zero W Path width of the optical waveguide G Distance between optical waveguides A and B
Claims (1)
気信号の導入により屈折率制御が可能な構造を有する材
料から成る等幅の2本の光導波路を平行配置した長さL
の結合部を有し、前記結合部の2本の光導波路のうち1
本の光導波路のみがその入射端で1本の直線光導波路と
光接続し、前記結合部の2本の光導波路の出射端はそれ
ぞれ曲線または直線の光導波路と光接続して出射側リー
ド部を形成している1入力・2出力の方向性結合器にお
いて、p1,p2,p3 がp1 +p2 +p3 <
1(ただしp1 ≠0)を満足する小数またはゼロとし
たとき、前記接合部は、長さp1 ×Lの前段部分結合
部、長さ(1−p1 −p2 −p3 )×L/2の前
段電極付き部分結合部、長さp2×Lの中央部分結合部
、前記前段電極付き部分結合部と同じ長さの後段電極付
き部分結合部、および長さp3 ×Lの後段部分結合部
をこの順序で光接続して成ることを特徴とする方向性結
合器型光機能素子。Claim 1: A length L in which two optical waveguides of equal width are arranged in parallel and are made of a material that exhibits an electro-optical effect or a material that has a structure in which the refractive index can be controlled by introducing an electric signal.
one of the two optical waveguides of the coupling part.
Only the main optical waveguide is optically connected to one straight optical waveguide at its input end, and the output ends of the two optical waveguides of the coupling part are optically connected to a curved or straight optical waveguide, respectively, and the output side lead part In a directional coupler with 1 input and 2 outputs, p1, p2, p3 are p1 + p2 + p3
1 (however, p1 ≠ 0) is a decimal or zero, the joint part is a front part joint part of length p1 × L, a front part joint part of length (1 - p1 - p2 - p3 ) × L/2 A partial joint with electrodes, a central partial joint with length p2×L, a rear partial joint with electrodes having the same length as the front partial joint with electrode, and a rear partial joint with length p3×L in this order. A directional coupler type optical functional device characterized by being formed by optically connecting.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26791A JPH04234733A (en) | 1991-01-07 | 1991-01-07 | Directional coupler type optical function element |
CA 2058777 CA2058777A1 (en) | 1991-01-07 | 1992-01-06 | Directional coupler type optical function element |
DE1992623072 DE69223072T2 (en) | 1991-01-07 | 1992-01-07 | Directional coupler optical functional element |
EP19920300107 EP0494751B1 (en) | 1991-01-07 | 1992-01-07 | Directional coupler type optical function element |
US08/082,055 US5321782A (en) | 1991-01-07 | 1993-06-22 | Directional coupler type optical function element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP26791A JPH04234733A (en) | 1991-01-07 | 1991-01-07 | Directional coupler type optical function element |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04234733A true JPH04234733A (en) | 1992-08-24 |
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ID=11469138
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JP26791A Pending JPH04234733A (en) | 1991-01-07 | 1991-01-07 | Directional coupler type optical function element |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPH04234733A (en) |
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1991
- 1991-01-07 JP JP26791A patent/JPH04234733A/en active Pending
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