JPH04229939A - 電子ビーム装置 - Google Patents
電子ビーム装置Info
- Publication number
- JPH04229939A JPH04229939A JP3185831A JP18583191A JPH04229939A JP H04229939 A JPH04229939 A JP H04229939A JP 3185831 A JP3185831 A JP 3185831A JP 18583191 A JP18583191 A JP 18583191A JP H04229939 A JPH04229939 A JP H04229939A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- subject
- signal
- detector
- bse
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2443—Scintillation detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2445—Photon detectors for X-rays, light, e.g. photomultipliers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/24475—Scattered electron detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2448—Secondary particle detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2449—Detector devices with moving charges in electric or magnetic fields
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、被検体室内に収納した
被検体ホルダと、一次電子ビームを発生する電子源と、
一次電子ビームと被検体との相互作用により発生した二
次電子(SE)及び後方散乱電子(BSE)を検出し二
次電子信号及び散乱電子信号を処理して地形像を形成す
る検出システムとを具える電子ビーム装置に関するもの
である。本発明は二次電子(SE)信号及び後方散乱電
子(BSE)信号を検出し処理して被検体の地形情報を
得る方法にも関するものである。本発明は二次電子(S
E)信号及び後方散乱電子(BSE)信号を検出し処理
して被検体の地形情報を得る方法にも関するものである
。このような電子ビーム装置は例えば電子ビーム書込装
置又は電子顕微鏡とすることができ、これら装置に地形
検出システムを組み込んでSE及びBSE信号から地形
像を形成することができる。
被検体ホルダと、一次電子ビームを発生する電子源と、
一次電子ビームと被検体との相互作用により発生した二
次電子(SE)及び後方散乱電子(BSE)を検出し二
次電子信号及び散乱電子信号を処理して地形像を形成す
る検出システムとを具える電子ビーム装置に関するもの
である。本発明は二次電子(SE)信号及び後方散乱電
子(BSE)信号を検出し処理して被検体の地形情報を
得る方法にも関するものである。本発明は二次電子(S
E)信号及び後方散乱電子(BSE)信号を検出し処理
して被検体の地形情報を得る方法にも関するものである
。このような電子ビーム装置は例えば電子ビーム書込装
置又は電子顕微鏡とすることができ、これら装置に地形
検出システムを組み込んでSE及びBSE信号から地形
像を形成することができる。
【0002】
【従来の技術】このような電子顕微鏡は「Philip
s ElectronOptics Bulletin
121 (1980) 」pp.29 − 35に開
示されている(この場合には走査形電子顕微鏡である)
。 この電子顕微鏡ではBSE中間像を発生するマルチファ
ンクション検出器により検出されたBSE信号の一部分
を側方に配置されたSE中間像を発生するエバーハート
−ソーンレイ検出器により検出されたSE信号から差し
引く。この差信号SE−a・BSEは良好なコントラス
トの地形像を提供する。
s ElectronOptics Bulletin
121 (1980) 」pp.29 − 35に開
示されている(この場合には走査形電子顕微鏡である)
。 この電子顕微鏡ではBSE中間像を発生するマルチファ
ンクション検出器により検出されたBSE信号の一部分
を側方に配置されたSE中間像を発生するエバーハート
−ソーンレイ検出器により検出されたSE信号から差し
引く。この差信号SE−a・BSEは良好なコントラス
トの地形像を提供する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この方法はS
E中間像とBSE中間像の双方を一時的に記憶する必要
がある欠点を有する。更に、その後で地形像の向上に有
効に寄与するBSE信号の部分を決定する必要がある。 即ち、BSE信号は地形像を妨害する多量の深さ情報を
含んでおり、全BSE信号をSE信号から差し引くと、
不所望な陰影効果が生ずる。従ってこの方法は複雑且つ
時間のかかる方法である。更に、信号処理中に2つの検
出器の相対位置の誤差により像の歪みが発生し得る。
E中間像とBSE中間像の双方を一時的に記憶する必要
がある欠点を有する。更に、その後で地形像の向上に有
効に寄与するBSE信号の部分を決定する必要がある。 即ち、BSE信号は地形像を妨害する多量の深さ情報を
含んでおり、全BSE信号をSE信号から差し引くと、
不所望な陰影効果が生ずる。従ってこの方法は複雑且つ
時間のかかる方法である。更に、信号処理中に2つの検
出器の相対位置の誤差により像の歪みが発生し得る。
【0004】本発明の目的は、少くとも質的に等価な地
形像が得られるもっと簡単な信号の検出及び処理システ
ムを提供することにある。
形像が得られるもっと簡単な信号の検出及び処理システ
ムを提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、この目的のた
めに、検出システムを同一の検出器を用いてSE信号と
BSE信号を同時に検出するよう構成する。この場合に
は全ての情報が1つの検出器から供給されるので、2つ
の検出器の相対位置による像歪みは除去される。
めに、検出システムを同一の検出器を用いてSE信号と
BSE信号を同時に検出するよう構成する。この場合に
は全ての情報が1つの検出器から供給されるので、2つ
の検出器の相対位置による像歪みは除去される。
【0006】本発明電子ビーム装置の好適実施例では、
検出システムをSE信号とBSE信号とを実時間処理す
るよう構成する。従って、像記憶手段の必要がなく、2
つの信号を直接処理して最小の時間損失で最終像を得る
ことができる。
検出システムをSE信号とBSE信号とを実時間処理す
るよう構成する。従って、像記憶手段の必要がなく、2
つの信号を直接処理して最小の時間損失で最終像を得る
ことができる。
【0007】本発明電子ビーム装置の他の好適実施例で
は、SE信号及びBSE信号の両信号を検出する検出器
をBSE検出位置に位置させる。SEはBSEよりも一
層容易に検出のために制御し得る。他方、BSEのエネ
ルギーは一次電子のエネルギーと同程度であり、従って
自動的に検出される。
は、SE信号及びBSE信号の両信号を検出する検出器
をBSE検出位置に位置させる。SEはBSEよりも一
層容易に検出のために制御し得る。他方、BSEのエネ
ルギーは一次電子のエネルギーと同程度であり、従って
自動的に検出される。
【0008】本発明電子ビーム装置の更に他の好適例で
は、検出器をSEの検出のために高電位に調整すること
ができる。通常、SEは側方に配置された検出器に偏向
してBSEから分離している。SEは低いエネルギーを
有するため、これら電子は被検体から出た後に容易に偏
向し得る。本発明では検出器を高電位電圧に増大させる
ことによりSEを検出器の方向に加速させる。これに対
し、高速BSEはこれにより僅かに影響されるだけであ
る。
は、検出器をSEの検出のために高電位に調整すること
ができる。通常、SEは側方に配置された検出器に偏向
してBSEから分離している。SEは低いエネルギーを
有するため、これら電子は被検体から出た後に容易に偏
向し得る。本発明では検出器を高電位電圧に増大させる
ことによりSEを検出器の方向に加速させる。これに対
し、高速BSEはこれにより僅かに影響されるだけであ
る。
【0009】本発明電子ビーム装置の好適実施例では、
検出器の被検体に対向する第1の側に2つのけい光層を
設け、その第1けい光層は第1波長の光を発生し、その
第2けい光層は第2波長の光を発生するものとする。検
出器の電圧を、SEが被検体から離れる方向において第
1けい光層に衝突してこの層を励起するに十分であるが
第2けい光層内に侵入してこの層を励起するには不十分
なエネルギーを有するように制御する。BSEは本質的
に高いエネルギーを有するために被検体から遠い側にあ
る第2けい光層内に侵入し、この層も励起する。従って
2つの異なる波長の光が発生する。異なるエネルギーを
有する電子の検出のために2つのけい光層を用いること
自体は米国特許明細書第3517243号から既知であ
る。
検出器の被検体に対向する第1の側に2つのけい光層を
設け、その第1けい光層は第1波長の光を発生し、その
第2けい光層は第2波長の光を発生するものとする。検
出器の電圧を、SEが被検体から離れる方向において第
1けい光層に衝突してこの層を励起するに十分であるが
第2けい光層内に侵入してこの層を励起するには不十分
なエネルギーを有するように制御する。BSEは本質的
に高いエネルギーを有するために被検体から遠い側にあ
る第2けい光層内に侵入し、この層も励起する。従って
2つの異なる波長の光が発生する。異なるエネルギーを
有する電子の検出のために2つのけい光層を用いること
自体は米国特許明細書第3517243号から既知であ
る。
【0010】本発明電子ビーム装置の他の好適例では、
検出器の被検体と反対側の第2の側に検出すべき異なる
波長(色)の光を分離する光分離素子を設け、異なる色
の光を異なる光感応素子に入射させるようにする。両け
い光層からの光は例えばフレキシブル光導体により光分
離素子に伝送して異なる波長を空間的に分離させること
ができる。この場合には各波長の光量を検出し得るよう
に光感応素子を光分離素子の異なる射出方向に配置すれ
ば十分である。このタイプの検出器に対しフレキシブル
光導体を用いること自体は欧州特許第0018031号
から既知である。
検出器の被検体と反対側の第2の側に検出すべき異なる
波長(色)の光を分離する光分離素子を設け、異なる色
の光を異なる光感応素子に入射させるようにする。両け
い光層からの光は例えばフレキシブル光導体により光分
離素子に伝送して異なる波長を空間的に分離させること
ができる。この場合には各波長の光量を検出し得るよう
に光感応素子を光分離素子の異なる射出方向に配置すれ
ば十分である。このタイプの検出器に対しフレキシブル
光導体を用いること自体は欧州特許第0018031号
から既知である。
【0011】本発明電子ビーム装置の更に他の好適例で
は、検出システムは光軸に対し対称に配置した複数個の
検出器を具えるものとする。原理的にはSE及びBSE
の両信号を検出する1つの検出器で十分である。検出器
の電圧をSEを検出し得るように高い電圧に増大させる
と、被検体と検出器との間の電界が不均一になって検出
すべき電子ビーム及び一次電子ビームに悪影響を与え得
る。複数の検出器を光軸に対し対称に配置することによ
ってこの悪影響が阻止され、良好な質の信号を得ること
ができる。本発明の方法では両信号を1つの同一の検出
器で同時に検出し、互に分離し、実時間で処理する。両
信号の検出には1つの検出器で十分であるため、各信号
を別々の検出器で検出する際に発生し得る検出器の位置
誤差を考慮する必要がない。更に、両信号を実時間で処
理し得るため、中間像の記憶が不要になり、従って殆ん
ど記憶容量を必要とせず動作速度が速くなる。
は、検出システムは光軸に対し対称に配置した複数個の
検出器を具えるものとする。原理的にはSE及びBSE
の両信号を検出する1つの検出器で十分である。検出器
の電圧をSEを検出し得るように高い電圧に増大させる
と、被検体と検出器との間の電界が不均一になって検出
すべき電子ビーム及び一次電子ビームに悪影響を与え得
る。複数の検出器を光軸に対し対称に配置することによ
ってこの悪影響が阻止され、良好な質の信号を得ること
ができる。本発明の方法では両信号を1つの同一の検出
器で同時に検出し、互に分離し、実時間で処理する。両
信号の検出には1つの検出器で十分であるため、各信号
を別々の検出器で検出する際に発生し得る検出器の位置
誤差を考慮する必要がない。更に、両信号を実時間で処
理し得るため、中間像の記憶が不要になり、従って殆ん
ど記憶容量を必要とせず動作速度が速くなる。
【0012】以下、図面を参照して本発明を実施例につ
き詳細に説明する。図1は本発明電子ビーム装置の一実
施例の概略図である。本例電子ビーム装置1は被検体室
3内に組み込まれた被検体ホルダ5を含み、このホルダ
は例えばアーム7により被検体室3の外側から操作する
ことができる。被検体ホルダ5は電気的に制御すること
もできる。被検体9は被検体ホルダ5内に位置させる。 更に、電子ビーム装置1は一次電子ビーム13を発生す
る電子源11を含んでいる。一次電子ビーム13はレン
ズ系15により被検体9上に集束される。一次電子ビー
ム13と被検体9との相互作用中に二次電子(SE)と
後方散乱電子(BSE)が発生し、これら電子を矢印1
9で示してある。電子ビーム装置1は、更に、各々SE
信号とBSE信号の両方を同時に検出し得る複数の検出
器21を含んでいる。
き詳細に説明する。図1は本発明電子ビーム装置の一実
施例の概略図である。本例電子ビーム装置1は被検体室
3内に組み込まれた被検体ホルダ5を含み、このホルダ
は例えばアーム7により被検体室3の外側から操作する
ことができる。被検体ホルダ5は電気的に制御すること
もできる。被検体9は被検体ホルダ5内に位置させる。 更に、電子ビーム装置1は一次電子ビーム13を発生す
る電子源11を含んでいる。一次電子ビーム13はレン
ズ系15により被検体9上に集束される。一次電子ビー
ム13と被検体9との相互作用中に二次電子(SE)と
後方散乱電子(BSE)が発生し、これら電子を矢印1
9で示してある。電子ビーム装置1は、更に、各々SE
信号とBSE信号の両方を同時に検出し得る複数の検出
器21を含んでいる。
【0013】被検体9に対向する各検出器21の第1の
側にそれぞれ異なるエネルギーを有する電子で励起され
る2つのけい光層25,27を設ける。検出器21を高
電圧レベルに附勢すると、SEが加速されて第1けい光
層25に衝突してこの層を励起し第1の波長の光を発生
する。これに対し、BSEは本質的に高いエネルギーを
有しているため、これら電子は第2けい光層27まで侵
入してこの層27も励起する。これにより第2の波長の
光が発生する。BSE及びSE検出用2つの異なるけい
光層から成る検出媒体を選択する代りに、外皮が第1け
い光体から成り、心が第2けい光体から成る粒子層を用
いることもできる。このように発生された光をフレキシ
ブル光導体29により光分離素子31に伝送し、これに
より異なる波長の光を空間的分離する。本例では光分離
素子31は被検体室3の外部に配置したプリズムである
。検出システム20の全体を被検体室3内に組み込むこ
ともできる。このように分離した2つの異なる色の光は
別々の光電子増倍管33により検出することができ、こ
れによりBSEにより決まる電気信号とBSEとSEに
より決まる電気信号を得ることができる。斯る後に、信
号処理システム35において各検出器21の2つの信号
を互に引き算して地形情報を得る。複数の検出器からの
情報を互に加え合わせることによって、検出器21の電
圧増大により同時に生ずる電界の不均一性の影響を阻止
して改善された画質を得ることができるため、数個の検
出器21からの信号を最后に画像処理システム37内で
合成し処理して地形像を発生させる。必要に応じ、他の
タイプの処理をこれら信号に実施することもできる。 検出器21は例えばレンズ系15のホルダ内に組み込む
こともできる。
側にそれぞれ異なるエネルギーを有する電子で励起され
る2つのけい光層25,27を設ける。検出器21を高
電圧レベルに附勢すると、SEが加速されて第1けい光
層25に衝突してこの層を励起し第1の波長の光を発生
する。これに対し、BSEは本質的に高いエネルギーを
有しているため、これら電子は第2けい光層27まで侵
入してこの層27も励起する。これにより第2の波長の
光が発生する。BSE及びSE検出用2つの異なるけい
光層から成る検出媒体を選択する代りに、外皮が第1け
い光体から成り、心が第2けい光体から成る粒子層を用
いることもできる。このように発生された光をフレキシ
ブル光導体29により光分離素子31に伝送し、これに
より異なる波長の光を空間的分離する。本例では光分離
素子31は被検体室3の外部に配置したプリズムである
。検出システム20の全体を被検体室3内に組み込むこ
ともできる。このように分離した2つの異なる色の光は
別々の光電子増倍管33により検出することができ、こ
れによりBSEにより決まる電気信号とBSEとSEに
より決まる電気信号を得ることができる。斯る後に、信
号処理システム35において各検出器21の2つの信号
を互に引き算して地形情報を得る。複数の検出器からの
情報を互に加え合わせることによって、検出器21の電
圧増大により同時に生ずる電界の不均一性の影響を阻止
して改善された画質を得ることができるため、数個の検
出器21からの信号を最后に画像処理システム37内で
合成し処理して地形像を発生させる。必要に応じ、他の
タイプの処理をこれら信号に実施することもできる。 検出器21は例えばレンズ系15のホルダ内に組み込む
こともできる。
【図1】本発明電子ビーム装置の一実施例の概略構成図
である。
である。
1 電子ビーム装置
3 被検体室
5 被検体ホルダ
7 アーム
9 被検体
11 電子源
13 一次電子ビーム
15 レンズ系
19 二次電子及び後方散乱電子
20 検出システム
21 検出器
25, 27 けい光層
29 フレキシブル光導体
31 光分離素子
33 光電子増倍管
35 信号処理システム
37 画像処理システム
Claims (8)
- 【請求項1】 被検体室内に収納した被検体ホルダと
、一次電子ビームを発生する電子源と、一次電子ビーム
と被検体との相互作用により発生した二次電子(SE)
及び後方散乱電子(BSE)を検出し二次電子信号及び
散乱電子信号を処理して地形像を形成する検出システム
とを具える電子ビーム装置において、前記検出システム
は同一の検出器を用いてSE信号とBSE信号とを同時
に検出するよう構成してあることを特徴とする電子ビー
ム装置。 - 【請求項2】 前記検出システムはSE信号及びBS
E信号を実時間処理するよう構成してあることを特徴と
する請求項1記載の装置。 - 【請求項3】 SE信号及びBSE信号の両方を検出
する検出器をBSE検出位置に位置させてあることを特
徴とする請求項1又は2記載の装置。 - 【請求項4】 前記検出器はSEの検出のために高電
位に調整し得るようにしてあることを特徴とする請求項
1〜3の何れかに記載の装置。 - 【請求項5】 前記検出器の、被検体に対向する第1
の側に2つのけい光層を設け、その第1けい光層が第1
波長の光を発生し、その第2けい光層が第2波長の光を
発生するようにしてあることを特徴とする請求項1〜4
の何れかに記載の装置。 - 【請求項6】 前記検出器の、被検体と反対側の第2
の側に検出すべき異なる波長を分離する光分離素子を設
け、分離した異なる波長の光ビームが異なる光感応素子
に入射するようにしてあることを特徴とする請求項5記
載の装置。 - 【請求項7】 前記検出システムは光軸に対し対称に
配置した複数個の検出器を含んでいることを特徴とする
請求項1〜6の何れかに記載の装置。 - 【請求項8】 SE信号及びBSE信号を検出し処理
して被検体の地形情報を得る方法において、前記両信号
を1つの同一の検出器で同時に検出し、互に光学的に分
離し、実時間で処理することを特徴とする被検体の地形
情報を得る方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL9001512A NL9001512A (nl) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | Elektronenbundelapparaat voor topografische detectie. |
NL9001512 | 1990-07-03 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04229939A true JPH04229939A (ja) | 1992-08-19 |
Family
ID=19857352
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3185831A Pending JPH04229939A (ja) | 1990-07-03 | 1991-07-01 | 電子ビーム装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0464917A1 (ja) |
JP (1) | JPH04229939A (ja) |
NL (1) | NL9001512A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014119350A1 (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-07 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 複合荷電粒子線検出器および荷電粒子線装置ならびに荷電粒子線検出器 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2285169A (en) * | 1993-12-21 | 1995-06-28 | Secretary Trade Ind Brit | Scanning electron microscope grain imaging |
US5644132A (en) * | 1994-06-20 | 1997-07-01 | Opan Technologies Ltd. | System for high resolution imaging and measurement of topographic and material features on a specimen |
DE69504294T2 (de) * | 1994-12-19 | 1999-04-08 | Opal Technologies Ltd., Nes Ziona | System zur Hochauflösungsbildgebung und Messung von topographischen Characteristiken und Materialcharakteristiken einer Probe |
DE102008041070A1 (de) * | 2008-08-07 | 2010-02-11 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Bestimmung der Partikelhöhe |
FR2961010A1 (fr) * | 2010-06-03 | 2011-12-09 | Ion Beam Services | Dispositif de mesure de dose pour l'implantation ionique en mode immersion plasma |
JP5865676B2 (ja) * | 2011-11-25 | 2016-02-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1447983A (en) * | 1973-01-10 | 1976-09-02 | Nat Res Dev | Detector for electron microscopes |
NL7902963A (nl) * | 1979-04-13 | 1980-10-15 | Philips Nv | Detektor voor elektronenmikroskoop. |
-
1990
- 1990-07-03 NL NL9001512A patent/NL9001512A/nl not_active Application Discontinuation
-
1991
- 1991-06-25 EP EP91201613A patent/EP0464917A1/en not_active Withdrawn
- 1991-07-01 JP JP3185831A patent/JPH04229939A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014119350A1 (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-07 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 複合荷電粒子線検出器および荷電粒子線装置ならびに荷電粒子線検出器 |
CN104956461A (zh) * | 2013-01-31 | 2015-09-30 | 株式会社日立高新技术 | 复合带电粒子束检测器、带电粒子束装置以及带电粒子束检测器 |
US9761409B2 (en) | 2013-01-31 | 2017-09-12 | Hitachi High-Technologies Corporation | Composite charged particle detector, charged particle beam device, and charged particle detector |
US10128081B2 (en) | 2013-01-31 | 2018-11-13 | Hitachi High-Technologies Corporation | Composite charged particle beam detector, charged particle beam device, and charged particle beam detector |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0464917A1 (en) | 1992-01-08 |
NL9001512A (nl) | 1992-02-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10896800B2 (en) | Charged particle beam system and method | |
US4211924A (en) | Transmission-type scanning charged-particle beam microscope | |
JP3434165B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
JP2004301863A (ja) | 電気的に絶縁された標本表面の分析装置 | |
US6365897B1 (en) | Electron beam type inspection device and method of making same | |
JPS6334588B2 (ja) | ||
JPH04229939A (ja) | 電子ビーム装置 | |
US3872305A (en) | Convertible scanning electron microscope | |
US12165828B2 (en) | Electron gun and electron beam application apparatus | |
JP3244620B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
US7645988B2 (en) | Substrate inspection method, method of manufacturing semiconductor device, and substrate inspection apparatus | |
JP2002025492A (ja) | 静電ミラーを含む荷電粒子ビーム画像化装置用低プロフィル電子検出器を使用して試料を画像化するための方法および装置 | |
JP3266718B2 (ja) | 複合荷電粒子ビーム装置 | |
JP3014369B2 (ja) | 試料の高さ計測手段を備えた電子ビーム装置 | |
JPS6293848A (ja) | 電界放射形走査電子顕微鏡及びその類似装置 | |
JP2000208089A (ja) | 電子顕微鏡装置 | |
JP2001006605A (ja) | 集束イオンビーム加工装置及び集束イオンビームを用いる試料の加工方法 | |
JP2004247321A (ja) | 走査形電子顕微鏡 | |
JPH082603Y2 (ja) | X線分析装置 | |
JPH01149354A (ja) | 電子顕微鏡 | |
JP2001243904A (ja) | 走査形電子顕微鏡 | |
JP2000057987A (ja) | 形状観察用検出装置及び形状観察方法 | |
JPH06150869A (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
JPS586267B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
JPH1186770A (ja) | 走査電子顕微鏡 |