JPH04213873A - 表示装置 - Google Patents
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- JPH04213873A JPH04213873A JP3035138A JP3513891A JPH04213873A JP H04213873 A JPH04213873 A JP H04213873A JP 3035138 A JP3035138 A JP 3035138A JP 3513891 A JP3513891 A JP 3513891A JP H04213873 A JPH04213873 A JP H04213873A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
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- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/367—Control of matrices with row and column drivers with a nonlinear element in series with the liquid crystal cell, e.g. a diode, or M.I.M. element
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、2つの支持板間の電気
光学表示媒体と、各画素が前記の支持板の対向面上に設
けられた画像電極により形成されて、行と列に配された
該画素のシステムと、電気光学表示媒体に依存する電圧
の範囲を画像表示の目的で画素の両端に与えることので
きる選択とデータ信号を支えるための行および列電極の
シスとを有し、更に、選択の前に、画素の両端に、画像
表示に使用される電圧範囲を越えたまたは縁にある補助
電圧を加える手段を有する表示装置に関するものである
。このタイプの表示装置は、英数字情報およびビデオ情
報の表示に適している。
光学表示媒体と、各画素が前記の支持板の対向面上に設
けられた画像電極により形成されて、行と列に配された
該画素のシステムと、電気光学表示媒体に依存する電圧
の範囲を画像表示の目的で画素の両端に与えることので
きる選択とデータ信号を支えるための行および列電極の
シスとを有し、更に、選択の前に、画素の両端に、画像
表示に使用される電圧範囲を越えたまたは縁にある補助
電圧を加える手段を有する表示装置に関するものである
。このタイプの表示装置は、英数字情報およびビデオ情
報の表示に適している。
【0002】
【従来の技術】冒頭に記載したタイプの表示装置は、本
願人の出願に係る出願公開されたオランダ国特許出願第
8701420号に記載されている。このオランダ国特
許出願に記載された表示装置では、画素の両端に電圧を
加えるのに非対称な非線形スイッチング素子が用いられ
ている。このオランダ国特許出願に示された一実施例で
は、画像表示用の電圧と前記の補助電圧の両方とも、補
助電圧を与えるためにブレークダウンモード (bre
akdown mode) で作動されるツエナーダイ
オードによって与えられる。
願人の出願に係る出願公開されたオランダ国特許出願第
8701420号に記載されている。このオランダ国特
許出願に記載された表示装置では、画素の両端に電圧を
加えるのに非対称な非線形スイッチング素子が用いられ
ている。このオランダ国特許出願に示された一実施例で
は、画像表示用の電圧と前記の補助電圧の両方とも、補
助電圧を与えるためにブレークダウンモード (bre
akdown mode) で作動されるツエナーダイ
オードによって与えられる。
【0003】けれども、液晶に対するイッチング素子の
能動マトリックスを与えるために用いられる技術(非晶
質珪素、多結晶珪素技術)は、一般的に、順方向での再
現性ある電流−電圧特性を有するツエナーダイオードを
得るのには余り適しない。その上、特に非晶質珪素の感
光度は有害であることがわかった。
能動マトリックスを与えるために用いられる技術(非晶
質珪素、多結晶珪素技術)は、一般的に、順方向での再
現性ある電流−電圧特性を有するツエナーダイオードを
得るのには余り適しない。その上、特に非晶質珪素の感
光度は有害であることがわかった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、画素
の両端の電圧を正確に調節することのできる表示装置を
得ることにある。
の両端の電圧を正確に調節することのできる表示装置を
得ることにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、冒頭記載のタイプの表示装置において
、前記の手段は、半導体材料の表面の少なくとも一部分
にわたる接続導体とショットキー接触を形成する半導体
材料の層をそなえた半導体素子を有し、前記の部分の外
側の接続導体は、絶縁材料の層によって半導体材料より
分離されたことを特徴とするものである。
めに、本発明は、冒頭記載のタイプの表示装置において
、前記の手段は、半導体材料の表面の少なくとも一部分
にわたる接続導体とショットキー接触を形成する半導体
材料の層をそなえた半導体素子を有し、前記の部分の外
側の接続導体は、絶縁材料の層によって半導体材料より
分離されたことを特徴とするものである。
【0006】本発明はとりわけ次のような認識に基いた
ものである。すなわち、有害とみなされる半導体材料の
感光度を、少なくとも使用範囲に対しツエナーダイオー
ドに匹敵する電流−電圧特性を有するスイッチング素子
を得るのに利用することができるという認識に基いたも
のである。ショットキー接触は、順方向において、満足
するに足る再現性ある電流−電圧特性を保証するので、
画素の両端の電圧を正確に調節することができる。同時
に、(かすめ)入射光によって、表示に用いられる範囲
を越えた電圧値の放電または充電のために比較的低い逆
バイアスにおいて十分な電流を供給するように電荷キャ
リヤが発生される。かくして得られたスイッチング素子
は、いわば、ショットキーダイオードとフォトダイオー
ドの逆並列回路とみなすことができる。
ものである。すなわち、有害とみなされる半導体材料の
感光度を、少なくとも使用範囲に対しツエナーダイオー
ドに匹敵する電流−電圧特性を有するスイッチング素子
を得るのに利用することができるという認識に基いたも
のである。ショットキー接触は、順方向において、満足
するに足る再現性ある電流−電圧特性を保証するので、
画素の両端の電圧を正確に調節することができる。同時
に、(かすめ)入射光によって、表示に用いられる範囲
を越えた電圧値の放電または充電のために比較的低い逆
バイアスにおいて十分な電流を供給するように電荷キャ
リヤが発生される。かくして得られたスイッチング素子
は、いわば、ショットキーダイオードとフォトダイオー
ドの逆並列回路とみなすことができる。
【0007】フォトダイオードの最適な動作のために、
接続導体を例えば、タングステン、モリブデン、プラチ
ナ、またはニッケルのような不透明金属でつくるのが好
ましい。本発明の表示装置は、前記のオランダ国特許出
願に記載されたのと同様な制御信号で駆動することがで
きる。
接続導体を例えば、タングステン、モリブデン、プラチ
ナ、またはニッケルのような不透明金属でつくるのが好
ましい。本発明の表示装置は、前記のオランダ国特許出
願に記載されたのと同様な制御信号で駆動することがで
きる。
【0008】
【実施例】以下本発明を図面の実施例により更に詳しく
説明する。図1は本発明の表示装置の等価回路を略図的
に示したものである。マトリックスに配された画素2は
行導体3と列導体4の交差領域に位置し、一方これ等の
画素2には、この実施例では列導体4を画素に接続する
スイッチッグ素子5を経て電圧を供給することができる
。スイッチッグ素子5はショットキーダイオードとして
示されているが、実際にはこのスイッチッグ素子はショ
ットキーダイオードとフォトダイオードの逆並列回路を
形成する。
説明する。図1は本発明の表示装置の等価回路を略図的
に示したものである。マトリックスに配された画素2は
行導体3と列導体4の交差領域に位置し、一方これ等の
画素2には、この実施例では列導体4を画素に接続する
スイッチッグ素子5を経て電圧を供給することができる
。スイッチッグ素子5はショットキーダイオードとして
示されているが、実際にはこのスイッチッグ素子はショ
ットキーダイオードとフォトダイオードの逆並列回路を
形成する。
【0009】図2は本発明の画像表示装置の一部を略断
面図で示したものである。スイッチッグ素子5は、その
下側で、例えばガラスまたは石英の支持体または基板6
を横切って延在する列導体4と接触される。例えば非晶
質珪素の現存の半導体7が、前記の基板を横切って導体
4の両側を延在することができる。
面図で示したものである。スイッチッグ素子5は、その
下側で、例えばガラスまたは石英の支持体または基板6
を横切って延在する列導体4と接触される。例えば非晶
質珪素の現存の半導体7が、前記の基板を横切って導体
4の両側を延在することができる。
【0010】この実施例では、導体4は250nm の
厚さのクロムのトラックで、これ等のトラックは、気相
堆積技術(vapour deposition te
chnique) またはスパッタリング技術によって
得ることができる。非晶質珪素の層8(略々500nm
)が通常の方法で前記のトラック上に設けられ、この
層は、十分な接触の目的のために高濃度にドープされた
n形である下側の薄い層(略々60nm)のほかは事実
上真性である。次いで、かくして得られた層をフォトエ
ッチング工程でパターン付け(patterning)
することにより、分離された半導体領域7が得られる。
厚さのクロムのトラックで、これ等のトラックは、気相
堆積技術(vapour deposition te
chnique) またはスパッタリング技術によって
得ることができる。非晶質珪素の層8(略々500nm
)が通常の方法で前記のトラック上に設けられ、この
層は、十分な接触の目的のために高濃度にドープされた
n形である下側の薄い層(略々60nm)のほかは事実
上真性である。次いで、かくして得られた層をフォトエ
ッチング工程でパターン付け(patterning)
することにより、分離された半導体領域7が得られる。
【0011】次いで、不活性層10、例えばプラズマ化
学気相堆積法(Plasma Enhanced Ch
emical Vapour Deposition
: PECVD)による 0.4μm の厚さのSiO
2の層或はポリイミドの層が設けられる。この層に、形
成されるべきショットキー接触の領域においてフォトエ
ッチング技術により接触孔11が設けられ、しかる後、
モリブデン、タングステンまたは他の適当な、好ましく
は不透明な金属が設けられ、パターン付けされる。
学気相堆積法(Plasma Enhanced Ch
emical Vapour Deposition
: PECVD)による 0.4μm の厚さのSiO
2の層或はポリイミドの層が設けられる。この層に、形
成されるべきショットキー接触の領域においてフォトエ
ッチング技術により接触孔11が設けられ、しかる後、
モリブデン、タングステンまたは他の適当な、好ましく
は不透明な金属が設けられ、パターン付けされる。
【0012】このようなスイッチッグ素子5が順方向に
駆動されると、電流−電圧特性(図3)は、半導体7と
(ショットキー)金属層12で形成されたショットキー
接触によってもっぱら決まる。このショットキー接触し
たがって順方向特性は、かすめ入射光(図2に矢印13
で示す)により殆んど影響されない。というのは、不活
性層10の厚さdは、不透明金属層12が半導体7を被
覆する全長lよりも遥かに小さいからである(d<<l
)。電荷キャリヤが入射光により半導体の周辺領域14
内に発生されるが、これ等の電荷キャリヤは、実際に電
流が流れる中央領域15には達しない。
駆動されると、電流−電圧特性(図3)は、半導体7と
(ショットキー)金属層12で形成されたショットキー
接触によってもっぱら決まる。このショットキー接触し
たがって順方向特性は、かすめ入射光(図2に矢印13
で示す)により殆んど影響されない。というのは、不活
性層10の厚さdは、不透明金属層12が半導体7を被
覆する全長lよりも遥かに小さいからである(d<<l
)。電荷キャリヤが入射光により半導体の周辺領域14
内に発生されるが、これ等の電荷キャリヤは、実際に電
流が流れる中央領域15には達しない。
【0013】十分に大きな逆バイアスが金属層12に加
えられると、ホールが不活性層10と金属層12の境界
に沿って非晶質珪素内に蓄積されることができる。その
結果、導電チャネル16が導入され、このチャネルによ
り、光によって発生された電荷キャリヤの有効な捕集が
可能である。このことは、図3に示した光電流および電
流−電圧特性で明らかになる。
えられると、ホールが不活性層10と金属層12の境界
に沿って非晶質珪素内に蓄積されることができる。その
結果、導電チャネル16が導入され、このチャネルによ
り、光によって発生された電荷キャリヤの有効な捕集が
可能である。このことは、図3に示した光電流および電
流−電圧特性で明らかになる。
【0014】かくして得られた電流−電圧特性は、ツエ
ナーダイオードの電流−電圧特性に匹敵するので、図2
のスイッチッグ素子を有する表示装置は、スイッチッグ
素子としてツエナーダイオードを有する表示装置に関し
て記載された前記のオランダ国特許出願と同じように説
明されることができる。
ナーダイオードの電流−電圧特性に匹敵するので、図2
のスイッチッグ素子を有する表示装置は、スイッチッグ
素子としてツエナーダイオードを有する表示装置に関し
て記載された前記のオランダ国特許出願と同じように説
明されることができる。
【図1】本発明の表示装置の等価回路である。
【図2】本発明の表示装置の一部の略断面図である。
【図3】電流−電圧特性を示す曲線図である。
2 スイッチング素子
3 行導体
4 列導体
6 基板
7 半導体
8 非晶質珪素層
9 高濃度ドープ層
10 不活性層
11 接触孔
12 ショットキー金属層
Claims (5)
- 【請求項1】 2つの支持板間の電気光学表示媒体と
、各画素が前記の支持板の対向面上に設けられた画像電
極により形成されて、行と列に配された該画素のシステ
ムと、電気光学表示媒体に依存する電圧の範囲を画像表
示の目的で画素の両端に与えることのできる選択と、デ
ータ信号を支えるための行および列電極のシステムとを
有し、更に、選択の前に、画素の両端に、画像表示に使
用される電圧範囲を越えたまたは縁にある補助電圧を加
える手段を有する表示装置において、前記の手段は、半
導体材料の表面の少なくとも一部分にわたる接続導体と
、ショットキー接触を形成する半導体材料の層をそなえ
た半導体素子を有し、前記の部分の外側の接続導体は、
絶縁材料の層によって半導体材料より分離されたことを
特徴とする表示装置。 - 【請求項2】 接続導体は不透明金属より成る請求項
1の表示装置。 - 【請求項3】 ショットキー接触と関連のない接続導
体は、略々半導体材料の縁迄延在する請求項1または2
の表示装置。 - 【請求項4】 半導体材料は非晶質珪素である請求項
1ないし3のいづれか1項記載の表示装置。 - 【請求項5】 電気光学媒体は液晶材料より成る請求
項1ないし4の何れか1項記載の表示装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL9000290A NL9000290A (nl) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | Weergeefinrichting. |
NL9000290 | 1990-02-07 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04213873A true JPH04213873A (ja) | 1992-08-04 |
Family
ID=19856549
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3035138A Pending JPH04213873A (ja) | 1990-02-07 | 1991-02-06 | 表示装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5301048A (ja) |
EP (1) | EP0442560B1 (ja) |
JP (1) | JPH04213873A (ja) |
DE (1) | DE69109332T2 (ja) |
NL (1) | NL9000290A (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU2002336341A1 (en) | 2002-02-20 | 2003-09-09 | Planar Systems, Inc. | Light sensitive display |
US7009663B2 (en) * | 2003-12-17 | 2006-03-07 | Planar Systems, Inc. | Integrated optical light sensitive active matrix liquid crystal display |
US7053967B2 (en) * | 2002-05-23 | 2006-05-30 | Planar Systems, Inc. | Light sensitive display |
WO2003075207A2 (en) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Planar Systems, Inc. | Reflection resistant touch screens |
US20080084374A1 (en) * | 2003-02-20 | 2008-04-10 | Planar Systems, Inc. | Light sensitive display |
US20080048995A1 (en) * | 2003-02-20 | 2008-02-28 | Planar Systems, Inc. | Light sensitive display |
US20050134749A1 (en) * | 2003-12-19 | 2005-06-23 | Adiel Abileah | Reflection resistant display |
US7773139B2 (en) * | 2004-04-16 | 2010-08-10 | Apple Inc. | Image sensor with photosensitive thin film transistors |
US20060045240A1 (en) * | 2004-08-31 | 2006-03-02 | Buchner Gregory C | Method and apparatus for delayed answering of telecommunications request |
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