JPH04212443A - Lead frame - Google Patents
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【0001】0001
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームに係り
、特にパラジウムめっきの施された高密度リード配置の
リードフレームの信頼性の向上に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to lead frames, and more particularly to improving the reliability of palladium-plated lead frames with high-density lead arrangements.
【0002】0002
【従来の技術】IC,LSIなどの半導体装置用リ−ド
フレ−ムは、フォトエッチング法またはプレス加工のい
ずれかの方法によって、0.25mmあるいは0.15
mmの板厚の金属条材の不要部分を除去することによっ
て形状加工したのち、所定部分にめっきを行うめっき工
程、テープを貼着しインナーリード相互間を固定するテ
ーピング工程等を経て形成される。2. Description of the Related Art Lead frames for semiconductor devices such as ICs and LSIs are manufactured to a thickness of 0.25 mm or 0.15 mm by either photo-etching or press processing.
After shaping a metal strip with a thickness of mm by removing unnecessary parts, it is formed through a plating process in which predetermined parts are plated, a taping process in which tape is attached and the inner leads are fixed between each other, etc. .
【0003】ところで、近年、アウターリードの先端を
実装基板表面に形成された配線パターン上に接続する面
実装技術が盛んになってきているが、この面実装技術に
よれば、アウターリードにもパラジウムめっきを施すこ
とによって、半田付着性が良好であるうえ、インナーリ
ード先端のボンディングエリアについてもパラジウムめ
っきを施すことによってボンディング性の向上をはかる
ことができるという利点を有している。Incidentally, in recent years, surface mount technology in which the tips of the outer leads are connected to wiring patterns formed on the surface of the mounting board has become popular. Plating has the advantage that solder adhesion is good, and bonding properties can be improved by applying palladium plating to the bonding area at the tip of the inner lead.
【0004】また、従来の半田めっきに比較して融点が
高いため高温処理が可能であるという利点を有している
上、パラジウムめっき層は硬いため、薄いリードフレー
ムに対しても、十分な強度を与えることができ、下地材
料に限定されることがない。しかしながら、ピンホール
が形成され易く、リードフレーム素材が露出すると錆等
の原因となるため、錆を防止しようとすると厚く形成し
なければならず、厚くすると高密度リードフレームでは
リード間隔が狭くなり、短絡等の原因となる。 そこ
で、従来は、図3に断面図を示すように42アロイと指
称されている鉄−ニッケル合金からなるリードフレーム
素材20をニッケル(Ni)層21からなる下地層で一
旦被覆し、この上層をパラジウムめっき層22で覆うよ
うにしている。[0004] In addition, it has the advantage of being able to be processed at high temperatures due to its higher melting point than conventional solder plating, and since the palladium plating layer is hard, it has sufficient strength even for thin lead frames. can be given, and is not limited to the base material. However, pinholes are easily formed, and exposed lead frame material can cause rust, etc., so if you want to prevent rust, it must be made thicker. This may cause short circuits, etc. Conventionally, a lead frame material 20 made of an iron-nickel alloy called 42 alloy is coated with a base layer made of a nickel (Ni) layer 21, as shown in the cross-sectional view of FIG. It is covered with a palladium plating layer 22.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】このように、半導体装
置の高集積化に伴い、リ−ド間隔およびリード幅は小さ
くなる一方であり、加工精度の向上が大きな問題となっ
ており、パラジウムめっきを施したリードフレームが注
目されているが、下地めっき層にピンホールが形成され
ると、リードフレームの素地が露出し、これが錆発生の
原因となるという問題があった。[Problems to be Solved by the Invention] As described above, with the increasing integration of semiconductor devices, the lead spacing and lead width are becoming smaller and smaller, and improving processing accuracy has become a major issue. Lead frames that have undergone this process have been attracting attention, but when pinholes are formed in the base plating layer, the base of the lead frame is exposed, which causes rust.
【0006】また、アウターリードの成形を行う際に、
折り曲げ部にクラックが発生しやすいという問題がある
。[0006] Furthermore, when forming the outer lead,
There is a problem in that cracks are likely to occur at the bent portion.
【0007】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、素材とパラジウムめっき層との密着性が良好で錆発
生がなく、製造が容易で高精度でかつ信頼性の高いリー
ドフレームを提供することを目的とする。The present invention was made in view of the above circumstances, and provides a lead frame that has good adhesion between the material and the palladium plating layer, does not cause rust, is easy to manufacture, is highly accurate, and is highly reliable. The purpose is to
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】そこで本発明の第1のリ
ードフレームでは、リードフレームの少なくともインナ
ーリード先端あるいはアウターリードの表面に形成され
るパラジウム(Pd)またはパラジウム合金めっき層を
、亜鉛(Zn)−錫(Sn)合金めっきまたは錫(Sn
)−ニッケル(Ni)合金めっきからなる下地層を介し
て形成するようにしている。[Means for Solving the Problems] Therefore, in the first lead frame of the present invention, the palladium (Pd) or palladium alloy plating layer formed on at least the tips of the inner leads or the surfaces of the outer leads of the lead frame is replaced with zinc (Zn). )-tin (Sn) alloy plating or tin (Sn)
)-Nickel (Ni) alloy plating is interposed therebetween.
【0009】本発明の第2のリードフレームでは、前記
第1の構成における下地層とパラジウムめっき層との間
にニッケルを主成分とする中間層を介在させるようにし
ている。In the second lead frame of the present invention, an intermediate layer containing nickel as a main component is interposed between the base layer and the palladium plating layer in the first structure.
【0010】0010
【作用】上記構成によれば、下地層が極めて密着性よく
形成されておりかつ展性が良好であるため、アウターリ
ードの成形を行う際に、折り曲げ部にクラックが発生し
たりすることなく、素材被覆状態を良好に維持すること
ができる。[Function] According to the above structure, the base layer is formed with extremely good adhesion and has good malleability, so when forming the outer lead, no cracks occur at the bent part. The state of material coverage can be maintained well.
【0011】また、素地の露出による錆発生のおそれも
なく、実装に際しても半田付着性が良好で、ボンディン
グ性の高いリードフレームを得ることが可能となる。[0011] Furthermore, there is no fear of rust occurring due to exposure of the base material, and it is possible to obtain a lead frame with good solder adhesion and high bonding properties during mounting.
【0012】また、インナーリード相互間あるいはアウ
ターリード相互間の位置を維持するために絶縁性テープ
の貼着時に、180℃以上に昇温しなければならないが
、半田めっきの場合180℃以上になると溶けてしまい
、流れて隣接リードとの短絡等の不良を生じ易いが、パ
ラジウム(Pd)またはパラジウム合金めっきを用いた
場合、絶縁性テープを用いても、溶融することもなく良
好に維持される。[0012] Furthermore, in order to maintain the position between the inner leads or between the outer leads, the temperature must be raised to 180°C or higher when attaching the insulating tape, but in the case of solder plating, the temperature must rise to 180°C or higher. It tends to melt and flow, causing defects such as short circuits with adjacent leads, but when palladium (Pd) or palladium alloy plating is used, it does not melt and is maintained well even when insulating tape is used. .
【0013】さらに、本発明の第2によれば、下地層と
パラジウムめっき層との間にニッケルを主成分とする中
間層を介在させるようにしているため、下地層とパラジ
ウムめっき層との間の密着性がさらに向上する。Furthermore, according to the second aspect of the present invention, since the intermediate layer containing nickel as a main component is interposed between the base layer and the palladium plating layer, the interlayer between the base layer and the palladium plating layer is The adhesion is further improved.
【0014】[0014]
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しつつ詳細に説明する。Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
【0015】本発明実施例のリ―ドフレ―ムは、図1(
a) に平面図、図1(b) にそのA−A断面図を示
す如く、パラジウムめっきの下地層1として亜鉛−錫(
Zn30%−Sn70%)合金を用いたことを特徴とす
るものである。The lead frame of the embodiment of the present invention is shown in FIG.
As shown in the plan view in a) and the A-A cross-sectional view in FIG. 1(b), zinc-tin (
It is characterized by using a 30% Zn-70% Sn alloy.
【0016】すなわち、リードフレーム素材10表面全
体に亜鉛(Zn)−錫(Sn)合金からなる下地めっき
層1が形成され、さらにダイパッド11、インナーリー
ド12先端およびアウターリード14にはこの上層にパ
ラジウムめっき層2が形成されている。That is, a base plating layer 1 made of a zinc (Zn)-tin (Sn) alloy is formed on the entire surface of the lead frame material 10, and palladium is further applied to the die pad 11, the tips of the inner leads 12, and the outer leads 14 on this upper layer. A plating layer 2 is formed.
【0017】すなわち、ダイパッド11のまわりにイン
ナーリード12が放射状に配列され、タイバー13で一
体的に連結されると共に、各インナーリードにアウター
リード14が連設されて、サイドバー15,16によっ
て先端を支持せしめられている。ここで17はサポート
バーである。That is, inner leads 12 are arranged radially around the die pad 11 and are integrally connected by tie bars 13, and an outer lead 14 is connected to each inner lead. is supported. Here, 17 is a support bar.
【0018】次に、このリ−ドフレ−ムの製造方法につ
いて説明する。Next, a method of manufacturing this lead frame will be explained.
【0019】まず、アロイ42と指称されている金属条
材10を順送り金型に装着してプレス加工により、所望
の形状のインナーリード12、アウターリード14など
をパタ―ニングする。First, a metal strip 10 referred to as an alloy 42 is placed in a progressive die and press-worked to pattern the inner leads 12, outer leads 14, etc. in desired shapes.
【0020】続いて、膜厚1μm の亜鉛−錫めっき層
1および膜厚0.1μm のパラジウムめっき層2を形
成する。Subsequently, a zinc-tin plating layer 1 with a thickness of 1 μm and a palladium plating layer 2 with a thickness of 0.1 μm are formed.
【0021】そして、必要に応じて、ピンホールに酸化
防止剤を充填する。例えば酸化防止剤に浸漬したのち、
ピンホール領域以外の酸化防止剤を剥離除去しニッケル
めっき層でできたピンホール領域内にのみ酸化防止剤を
充填する。[0021] Then, if necessary, the pinhole is filled with an antioxidant. For example, after soaking in an antioxidant,
The antioxidant outside the pinhole area is peeled off and the antioxidant is filled only into the pinhole area made of the nickel plating layer.
【0022】このようにして形成されたリ―ドフレ―ム
は、ダイパッド11上に半導体チップを接続し、ワイヤ
ボンディング工程を経て樹脂封止を行い、サイドバー1
5,16を切除し、面実装用にアウターリードを折り曲
げ、実装用基板の配線パターン上に位置決めを行い、実
装用基板側を加熱することにより固着される。The lead frame formed in this way connects the semiconductor chip on the die pad 11, undergoes a wire bonding process and is sealed with resin, and then the side bar 1 is sealed.
5 and 16, bend the outer leads for surface mounting, position them on the wiring pattern of the mounting board, and fix by heating the mounting board side.
【0023】このリードフレームによれば、アウターリ
ードの成形を行う際に、折り曲げを行っても亜鉛−錫下
地層が極めて密着性よく形成され、展性が良好であり、
クラックが発生したりすることもなく、素材被覆状態を
良好に維持することができる。 また、下地層が密着
性よく形成されているためパラジウムめっき層をより薄
く形成することができ、さらなる高密度化をはかること
ができる。According to this lead frame, the zinc-tin base layer is formed with extremely good adhesion even when bent when forming the outer lead, and has good malleability.
Cracks do not occur, and the state of covering the material can be maintained in good condition. In addition, since the base layer is formed with good adhesion, the palladium plating layer can be formed thinner, and even higher density can be achieved.
【0024】また、素地の露出による錆発生のおそれも
なく、実装に際しても半田付着性が良好で、ボンディン
グ性の高いリードフレームを得ることが可能となる。Furthermore, there is no fear of rust occurring due to exposure of the base material, and it is possible to obtain a lead frame with good solder adhesion and high bonding properties during mounting.
【0025】また、このようにして形成されたリ―ドフ
レ―ムは、硬いパラジウムめっきで補強されるため、プ
レス工程の出発材料を肉薄とすることができ、これによ
り歪の少ないリードフレームを得ることができる。従っ
て、後続工程における加熱工程を経ても変形の少ないリ
ードフレームを得ることが可能となる。Furthermore, since the lead frame formed in this manner is reinforced with hard palladium plating, the starting material for the pressing process can be made thinner, thereby obtaining a lead frame with less distortion. be able to. Therefore, it is possible to obtain a lead frame that is less deformed even after the subsequent heating step.
【0026】このようにして、高密度にアウターリード
が形成された半導体装置も、極めて容易に信頼性よく実
装することが可能である。[0026] In this way, even a semiconductor device in which outer leads are formed at high density can be mounted extremely easily and reliably.
【0027】なお、前記実施例では、下地層として亜鉛
:錫比が3:7の亜鉛−錫めっき層を用いた場合につい
て説明したが、この成分比については適宜変更可能であ
り、また他の成分を含むものでもよく、また錫(Sn)
−ニッケル(Ni)合金層を用いても同様の効果を得る
ことができる。[0027] In the above embodiment, a case was explained in which a zinc-tin plating layer with a zinc:tin ratio of 3:7 was used as the base layer, but this component ratio can be changed as appropriate, and other It may also contain tin (Sn).
- Similar effects can be obtained by using a nickel (Ni) alloy layer.
【0028】また、これら下地層とパラジウムめっき層
との間に中間層を形成するようにしてもよい。この例に
ついて説明する。[0028] Furthermore, an intermediate layer may be formed between the base layer and the palladium plating layer. This example will be explained.
【0029】本発明の第2の実施例のリードフレームは
、図2に要部断面図を示すように、実施例1のリードフ
レームの、亜鉛−錫めっき層1とパラジウムめっき層2
との間に中間層としてニッケルめっき層3を介在させた
ことを特徴とするものである。 他の部分については
実施例1のリードフレームと全く同様に形成されている
。 このリードフレームによれば、下地層である亜鉛
−錫めっき層1と表面層であるパラジウムめっき層2と
の間にニッケルめっき層3を介在させているため、下地
層とパラジウムめっき層との間の密着性がさらに向上す
る。The lead frame of the second embodiment of the present invention has a zinc-tin plating layer 1 and a palladium plating layer 2 of the lead frame of the first embodiment, as shown in a sectional view of the main part in FIG.
It is characterized in that a nickel plating layer 3 is interposed as an intermediate layer between the two. The other parts are formed exactly the same as the lead frame of the first embodiment. According to this lead frame, since the nickel plating layer 3 is interposed between the zinc-tin plating layer 1 which is the base layer and the palladium plating layer 2 which is the surface layer, the nickel plating layer 3 is interposed between the base layer and the palladium plating layer. The adhesion is further improved.
【0030】なお、前記実施例では、中間層としてニッ
ケル層を用いたが、ニッケルを主成分とする層であれば
良い。In the above embodiment, a nickel layer was used as the intermediate layer, but any layer containing nickel as a main component may be used.
【0031】また、金属条材10と下地層との間にさら
に他の層を介在させても良く、前記実施例のように素材
が42アロイ(鉄−ニッケル合金)の場合は銅めっき層
を介在させることにより、さらに密着性が向上する。Further, another layer may be interposed between the metal strip 10 and the base layer, and when the material is 42 alloy (iron-nickel alloy) as in the above embodiment, a copper plating layer may be interposed between the metal strip 10 and the base layer. By interposing it, the adhesion is further improved.
【0032】また、前記実施例では、パラジウムめっき
工程後に酸化防止剤を塗布するようにしたが、亜鉛−錫
めっき工程後パラジウムめっき工程に先立ち、酸化防止
剤に浸漬し、ピンホール領域以外の酸化防止剤を剥離除
去しニッケルめっき層でできたピンホール領域内にのみ
酸化防止剤を充填し、その後パラジウムめっき層を形成
するようにしてもよい。In the above embodiment, an antioxidant was applied after the palladium plating process, but after the zinc-tin plating process and before the palladium plating process, the area other than the pinhole area was dipped in the antioxidant to prevent oxidation in areas other than the pinhole area. Alternatively, the antioxidant may be peeled off and removed, the antioxidant may be filled only into the pinhole region formed by the nickel plating layer, and then the palladium plating layer may be formed.
【0033】さらにめっき領域としては、実施例に限定
されることなく適宜変更可能であり、また素材表面全体
をめっき層で被覆するようにしてもよい。Furthermore, the plating area is not limited to the examples and can be changed as appropriate, and the entire surface of the material may be covered with a plating layer.
【0034】加えて、リードフレーム素材としては、ア
ロイ42に限定されることなく、銅等他の材料を用いる
ようにしてもよい。In addition, the lead frame material is not limited to the alloy 42, and other materials such as copper may be used.
【0035】[0035]
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、リードフレームの少なくともインナーリードまたは
アウターリード表面をパラジウム(Pd)またはパラジ
ウム合金めっき層で被覆するに際し、下地層として、亜
鉛−錫合金または錫−ニッケル合金層を介在させるよう
にしているため、曲げ加工の際にも剥離したりすること
なく、また錆の発生もなく信頼性の高いリードフレーム
を提供することが可能となる。As described above, according to the present invention, when coating at least the inner lead or outer lead surface of a lead frame with a palladium (Pd) or palladium alloy plating layer, zinc-tin is used as a base layer. Since the alloy or tin-nickel alloy layer is interposed, it is possible to provide a highly reliable lead frame without peeling during bending or rusting.
【図1】本発明実施例のリードフレームを示す図[Fig. 1] A diagram showing a lead frame according to an embodiment of the present invention.
【図2
】本発明の第2の実施例のリードフレームの要部を示す
図[Figure 2
]A diagram showing the main parts of a lead frame according to a second embodiment of the present invention.
【図3】従来例のリードフレームの断面図[Figure 3] Cross-sectional view of a conventional lead frame
1 亜鉛−錫合金層 2 パラジウムめっき層 3 ニッケル層 10 リードフレーム素材 11 ダイパッド、 12 インナ−リ―ド 13 タイバ― 14 アウタ−リ―ド 15 サイドバー、 16 サイドバー、 17 サポ―トバ― 20 リードフレーム素材 21 ニッケルめっき層 22 パラジウムめっき層 1 Zinc-tin alloy layer 2 Palladium plating layer 3 Nickel layer 10 Lead frame material 11 Die pad, 12 Inner lead 13 Tie bar 14 Outer lead 15 Sidebar, 16 Sidebar, 17 Support bar 20 Lead frame material 21 Nickel plating layer 22 Palladium plating layer
Claims (2)
ーリードに連設され半導体素子搭載部分近傍に向かって
伸長する複数のインナーリードとを具備したリードフレ
ームにおいて、少なくともインナーリード先端あるいは
アウターリードの表面が、亜鉛(Zn)−錫(Sn)合
金めっきまたは錫(Sn)−ニッケル(Ni)合金めっ
きからなる下地層と、この下地層の上層に形成されたパ
ラジウム(Pd)またはパラジウム合金めっき層とで被
覆されていることを特徴とするリードフレーム。1. A lead frame comprising a plurality of outer leads and a plurality of inner leads connected to the outer leads and extending toward the vicinity of a semiconductor element mounting portion, wherein at least the tip of the inner lead or the surface of the outer lead is , a base layer made of zinc (Zn)-tin (Sn) alloy plating or tin (Sn)-nickel (Ni) alloy plating, and a palladium (Pd) or palladium alloy plating layer formed on the base layer. A lead frame characterized by being coated.
ーリードに連設され半導体素子搭載部分近傍に向かって
伸長する複数のインナーリードとを具備したリードフレ
ームにおいて、少なくともインナーリード先端あるいは
アウターリードの表面が、亜鉛(Zn)−錫(Sn)合
金めっきまたは錫(Sn)−ニッケル(Ni)合金めっ
きからなる下地層と、この下地層の上層に形成されたニ
ッケルを主成分とする中間層と、前記中間層の上層に形
成されたパラジウム(Pd)またはパラジウム合金めっ
き層とで被覆されていることを特徴とするリードフレー
ム。2. A lead frame comprising a plurality of outer leads and a plurality of inner leads connected to the outer leads and extending toward the vicinity of a semiconductor element mounting portion, wherein at least the tip of the inner lead or the surface of the outer lead is , a base layer made of zinc (Zn)-tin (Sn) alloy plating or tin (Sn)-nickel (Ni) alloy plating, and an intermediate layer mainly composed of nickel formed on the base layer; A lead frame characterized by being coated with a palladium (Pd) or palladium alloy plating layer formed on the intermediate layer.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4678891A JPH04212443A (en) | 1990-11-13 | 1991-03-12 | Lead frame |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2-306534 | 1990-11-13 | ||
JP30653490 | 1990-11-13 | ||
JP4678891A JPH04212443A (en) | 1990-11-13 | 1991-03-12 | Lead frame |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04212443A true JPH04212443A (en) | 1992-08-04 |
Family
ID=26386905
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4678891A Pending JPH04212443A (en) | 1990-11-13 | 1991-03-12 | Lead frame |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04212443A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6593643B1 (en) * | 1999-04-08 | 2003-07-15 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device lead frame |
US8003444B2 (en) | 2005-08-10 | 2011-08-23 | Mitsui High-Tec, Inc. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
1991
- 1991-03-12 JP JP4678891A patent/JPH04212443A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6593643B1 (en) * | 1999-04-08 | 2003-07-15 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device lead frame |
US8003444B2 (en) | 2005-08-10 | 2011-08-23 | Mitsui High-Tec, Inc. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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