JPH04208900A - エネルギ線の照射角設定方法 - Google Patents
エネルギ線の照射角設定方法Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
ステージ上に置かれた試料にエネルギ線を所定の角度で
照射するエネルギ線の照射角設定方法に関する。 [0002] 【従来の技術】エネルギ線の照射角度設定技術は、X線
などのエネルギ線を試料の光学的に平滑な面上で全反射
させ、その時に試料から放射される蛍光を検出する全反
射蛍光X線分析法において特に重要である。 [0003]従来は、いわゆる機械的位置決め法、レー
ザビームを使用する方法、視射角を連続的に変化させる
方法により、エネルギ線を所定の角度で照射するように
試料および照射方向を調整していた。 [0004]機械的位置決め法では、エネルギ線の照射
方向に対して所定の角度で傾斜させた面を有する複数の
Siブロック材を配置しておき、これらの面に試料の光
学的に平滑な面を押し当てることにより、角度を設定し
ていた。 [0005]また、レーザビームを使用する方法では直
接試料にレーザビームを照射し、その反射光により試料
までの距離を測定していた。 [0006]さらに、視射角を連続的に変化させる方法
では励起源から試料を見たときの角度である視射角を連
続的に変化させたときのSt−にαの強度を検出し、そ
のときの臨界角を求めるものであった。 [0007]
ると、そのメカニズムが簡単であることから使いやすい
という点では好ましいが、Siブロック材の表面にゴミ
が付着したり、温度変化による寸法誤差のために、ミク
ロンオーダの精度が要求される角度設定方法としては使
用できなかった。 [0008]また、レーザビームを使用する方法にょる
と、レーザビームの反射光を測定する検出器を設置しな
ければならないので、レーザ装置を試料の真上に配置す
ることができない。そのため、実際の測定位置とは異な
る場所で位置を調整し、その後で本来の測定位置まで試
料を移動しなければならない。この場合、移動精度とし
ては高さおよび測定位置ともに必要であるが、これらの
移動精度をミクロンオーダにするのはかなり困難であっ
た。 [0009]さらに、視射角を連続的に変化させる方法
によると、測定値の統計変動、試料表面の平滑度など、
他の影響要因により臨界角を正確に決定することはかな
り困難であった。 [00101そこで本発明は、簡単に精度良くミクロン
オーダの角度を設定できる照射角設定方法を提供するこ
とを目的とする。 [00111
するために、回動および移動可能なステージ上に置かれ
、光学的に平滑な面を有する試料にエネルギ線を所定の
角度で照射するエネルギ線の照射角設定方法において、
あらかじめ上記エネルギ線をエネルギ強度検出器に照射
してエネルギ強度を検出する工程と、上記ステージを移
動させることにより上記エネルギ線を上記試料の光学的
に平滑な面で遮断する工程と、上記試料の光学的に平滑
な面による遮断前後のエネルギ強度を比較しながら上記
ステージを回動または/および移動させることにより、
上記エネルギ線の照射方向を前記試料の光学的に平滑な
面に合致させる工程と、上記エネルギ線の照射方向とほ
ぼ直交し、かつ、試料の光学的に平滑な面に平行な回転
軸を中心として上記ステージを上記所定の角度だけ回動
する工程とを含んで構成される。 [0012] 【作用】本発明は以上のように構成されているので、試
料の光学的に平滑な面で遮断されたときのエネルギ強度
は遮断されないときのエネルギ強度よりも低くなる。そ
こで、ステージをエネルギ強度が増加するように回動ま
たは/および移動させる。このように、ステージの回動
または/および移動を繰り返し、これをエネルギ強度が
最大、すなわち、遮断前のエネルギ強度に到達するまで
繰り返す。エネルギ強度が最大になると、試料の光学的
に平滑な面はエネルギ線と平行になっているので、エネ
ルギ線の照射方向に対して直交する回転軸を中心として
所定角度回転させることにより、エネルギ線の照射方向
は所定角度に設定される。 [0013]
て説明する。なお、説明において同一要素には同一符号
を用い、重複する説明は省略する。 [0014]図1乃至図4は実施例に係るエネルギ線の
照射角度設定方法を示す工程図である。まず、X線源と
しては回転対陰極型ターゲット1を用いてX線を放射さ
せ、これを分光結晶2に照射して単色化させる。この単
色X線を直接シンチレーションカウンタ(エネルギ強度
検出器)3に入射する。ここで、X線が遮断される前の
初期のエネルギ強度が検出される(図1)。 [0015]次に、表面が光学的に平滑な面の試料4を
、紙面に対して直交する軸を中心として回動あるいは昇
降動が可能なステージ5上に固定し、単色X線の照射方
向に対してあらかじめ傾斜させた状態で保持する。その
後、このステージ5を上昇させて、単色X線を試料4の
光学的に平滑な面で遮断する(図2)。この状態におい
ては、単色X線が試料4上で全反射していなくてもよい
ので、比較的簡単に設定することができる。 [0016]次に、シンチレーションカウンタ3を監視
しながら、ステージ5を回動、移動させることにより、
単色X線に対する試料4の光学的に平滑な面の傾斜角度
を0度、すなわち、単色X線が試料4の光学的に平滑な
面と平行になるように調整する(図3)。この状態はシ
ンチレーションカウンタ3のエネルギ強度が試料4によ
る遮断前のエネルギ強度に一致することにより表示され
るので簡単に確認できる。具体的には、まずステージ5
を所定の角度で揺動させ、シンチレーションカウンタ3
におけるエネルギ強度の変化具合を監視する。例えばス
テージ5を左側に傾けた状態(図2)で単色X線を遮断
させた後で右廻りに回動させると、エネルギ強度は最初
は徐々に増加し、最大値に到達した後で再び減少する。 この最大値が試料4の光学的に平滑な面で遮断される前
のエネルギ強度と等しく、かつ、ステージ5を回動させ
ている間連続して示す場合には、試料4と単色X線が離
れすぎていると考えられるので、ステージ5を上昇させ
る。そして、同様にステージ5を所定の角度で揺動させ
、最大値が遮断前のエネルギ値を示し、かつ、更なる上
昇あるいは回動によりエネルギ強度が減少する臨界点を
見つける。このときの状態が、試料4の光学的に平滑な
面に単色X線が面合せされた状態と考えられる。 (0017]最後に、ステージ5を紙面に対し直交する
軸、すなわち、単色X線の照射方向と直交し、かつ、試
料4の光学的に平滑な面に平行な軸を中心として、所望
の角度である0、06度だけ反時計回りに回転させ、照
射角度の設定を終了する(図4)。この照射角度として
は、効率良く全反射する臨界角を選択する。 [0018]このように、本実施例によれば試料4の光
学的に平滑な面と単色X線の照射方向を平行にした後で
、ステージ5を回転させているので、精度良く、確実に
所望の角度で単色X線を試料4の光学的に平滑な面に照
射することができる。 [0019]図5は本実施例を応用した全反射蛍光X線
分析装置を示すブロック図である。全反射蛍光X線分析
装置ではX線源としてX線発生管を用いている。このX
線発生管6から放射されたX線は、スリット7で細い平
行X線束にされた後、X線分光手段8により分光される
。X線分光手段8としては、弗化リチウムLiFの分光
結晶を用いることができ、その(20,0)面にてX線
発生管6から放射されたX線を反射(回折)させること
によりX線を分光することができる。このようにして分
光されたX線は、試料支持体9上に付着した試料10の
光学的に平滑な面に照射され、その反射X線はスリット
11を介してシンチレーションカウンタ12に入射する
。試料支持体9は位置決めテーブル13に固定された微
動ステージ13aに固定されているので、紙面に対して
直交する方向を軸とじて回転することができ、上下左右
に移動が可能である。この位置決めテーブル13は位置
決めコントローラ14に接続され、この位置決めコント
ローラ14は中央処理制御部15に接続されている。 また、この中央処理制御部15には前述したシンチレー
ションカウンタ12が接続されており、シンチレーショ
ンカウンタ12により計測された散乱X線強度は中央処
理制御部15に入力される。この入力値に基づき、位置
決めコントローラ14に制御指令が出力され、試料支持
体9の位置制御がなされる。 [00201一方、試料支持体9の上方には半導体X線
検出器16が配置されており、この半導体X線検出器1
6はプリアンプ17、リニアアンプ18、マルチチャン
ネルアナライザ19を介して中央処理制御部15に接続
されている。そのため、試料支持体9上に載せられた試
料10から放射される蛍光X線の検出出力は増幅されて
蛍光X線エネルギの大きさに比例した波高のパルス出力
として取り出され、デジタル出力に変換された後で中央
処理制御部15でデータ処理される。 [00211この全反射蛍光X線分析装置を用いてX線
の照射角度を設定する場合、まず、X線分光手段8から
放射されたX線を直接にシンチレーションカウンタ12
に入射させ、その強度を測定する。次に、微動ステージ
1’3aを位置決めコントローラ14で制御することに
より、試料支持体9を当該X線に対して傾斜させ、その
状態を維持したまま、X線に近付けていき、ついにはX
線を遮断する。その後で、微動ステージ13aを回動あ
るいは上下に微動させ、遮断前後でX線の強度を中央処
理制御部15で比較する。これらのX線強度を一致させ
ることにより、X線に対して試料支持体9の上面に付着
した試料10の光学的に平滑な面を平行にすることがで
きる。次に、微動ステージ13aを例えばSiに対する
入射角である0、06度だけ反時計回りに回動する。 [0022]このように、本実施例を用いた全反射蛍光
X線装置によれば、簡単に照射角度をミクロンオーダで
設定することができる。この装置を用いれば、重元素あ
るいは軽元素の分析をすることができる。 [00231次に、図6に基づき、本実施例を適用した
他の応用例について説明する。図6は、本実施例をデュ
アルビーム法に適用した概略図を示すものである。この
装置では、分析できる元素が励起源によって一義的に決
定されることに着目し、2本のX線ビームを用いて分析
可能な範囲を拡大している。そのため、この装置では重
元素の分析を可能にするMo−にαなどの第1励起源2
0、そのX線を単色化する第1モノクロメ」り21、お
よび、軽元素の分析を可能にするW−Lβ1などの第2
励起源22、そのX線を単色化する第2モノクロメータ
23を使用している。この場合、重元素ばかりか軽元素
に対して最適な感度を有する分析装置を構成することが
できる。この場合、エネルギ強度検出装置は共通に使用
できるので、最初に、重元素(ca−Zr)を分析する
ためにX線励起源20および第1モノクロメータ21を
用いて前述した方法で照射角度を設定し、次に、軽元素
(S −Z n)を分析するためにX線励起源22およ
び第2モノクロメータ23を用いて前述した方法で照射
角度を設定すればよい。 [0024]なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、多種多様の変形が可能である。例えば、第
2励起源22としてW−Lβ1の代わりにTi−にαを
用いれば、NaからCaまでの元素に対し高感度を保つ
ことができる。 [00’25]
ているので、簡単にサブミクロン単位の精度でエネルギ
線の照射角度を設定することができる。また、特に全反
射蛍光X線分析装置に使用する場合、分析に不可欠な装
置を用いて照射角度を設定できるので効率的である。
設定方法を示す工程図である。
設定方法を示す工程図である。
設定方法を示す工程図である。
設定方法を示す工程図である。
全反射蛍光X線分析装置の概要を示すブロック図である
。
他の装置を示す概要図である。
3.12・・・シンチレーションカウンタ、4.10・
・・試料、5・・・ステージ、6・・・X線発生管、7
.11・・・スリット、8・・・X線分光手段、9・・
・試料支持体、13・・・位置決めテーブル、14・・
・位置決めコントローラ、15・・・中央処理制御部、
16・・・半導体X線検出器、17・・・プリアンプ、
18・・・リニアアンプ、19・・・マルチチャンネル
アナライザ、21・・・第1モノクロメータ、22・・
・第2励起源、23・・・第2モノクロメータ :図5】
Claims (1)
- 【請求項1】回動および移動可能なステージ上に置かれ
、光学的に平滑な面を有する試料にエネルギ線を所定の
角度で照射するエネルギ線の照射角度設定方法において
、あらかじめ前記エネルギ線をエネルギ強度検出器に照
射してエネルギ強度を検出する工程と、前記ステージを
移動させることにより前記エネルギ線を前記試料の光学
的に平滑な面で遮断する工程と、前記試料の光学的に平
滑な面による遮断前後のエネルギ強度を比較しながら前
記ステージを回動または/および移動させることにより
、前記エネルギ線の照射方向を前記試料の光学的に平滑
な面に合致させる工程と、前記エネルギ線の照射方向と
ほぼ直交し、かつ、前記試料の光学的に平滑な面に平行
な回転軸を中心として前記ステージを前記所定の角度だ
け回動する工程とを含んで構成されるエネルギ線の照射
角度設定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP40023190A JP2891780B2 (ja) | 1990-12-03 | 1990-12-03 | エネルギ線の照射角設定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP40023190A JP2891780B2 (ja) | 1990-12-03 | 1990-12-03 | エネルギ線の照射角設定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04208900A true JPH04208900A (ja) | 1992-07-30 |
JP2891780B2 JP2891780B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=18510142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP40023190A Expired - Fee Related JP2891780B2 (ja) | 1990-12-03 | 1990-12-03 | エネルギ線の照射角設定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2891780B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10253554A (ja) * | 1997-03-06 | 1998-09-25 | Rigaku Ind Co | 全反射蛍光x線分析装置 |
US5949847A (en) * | 1996-10-25 | 1999-09-07 | Technos Institute Co., Ltd. | X-ray analyzing apparatus and x-ray irradiation angle setting method |
JP2006053012A (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Technos Kenkyusho:Kk | 蛍光x線分析装置 |
-
1990
- 1990-12-03 JP JP40023190A patent/JP2891780B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5949847A (en) * | 1996-10-25 | 1999-09-07 | Technos Institute Co., Ltd. | X-ray analyzing apparatus and x-ray irradiation angle setting method |
JPH10253554A (ja) * | 1997-03-06 | 1998-09-25 | Rigaku Ind Co | 全反射蛍光x線分析装置 |
JP2006053012A (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Technos Kenkyusho:Kk | 蛍光x線分析装置 |
JP4537149B2 (ja) * | 2004-08-11 | 2010-09-01 | 株式会社リガク | 蛍光x線分析方法 |
Also Published As
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---|---|
JP2891780B2 (ja) | 1999-05-17 |
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