JPH04205814A

JPH04205814A - 磁気記憶体

Info

Publication number: JPH04205814A
Application number: JP2329680A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Yanagisawa; 雅広柳沢; Nobuaki Yoshioka; 伸晃吉岡
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1990-11-30
Filing date: 1990-11-30
Publication date: 1992-07-28
Also published as: US5521017A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野コ本発明は磁気的配憶装置、例えば磁気ディスク装置、磁
気ドラム装置等に用いられる磁気記憶体に関する。

［従来の技術］一般に記録再生磁気ヘッド（以下、ヘットと称する。）
と磁気記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録・再
生方法には次のような方法がある。

すなわち、操作開始時にヘットと磁気記憶体面とを接触
状態でセットした後、磁気記憶体に所要の回転を与える
ことによりヘッドと磁気記憶体面の間に空気腑分の審問
を作り、この状態で記録・再生をする方法である（コン
タクト・スタート・ストップ方式、以下Ｃ８Ｓと称する
。）。この方法では、操作終了時に磁気記憶体の回転が
止まり、この時、ヘッドと磁気記憶体面は操作開始時と
同様に接触摩擦状態になる。

これらの接触摩擦状態におけるヘッドと磁気記憶体の間
に生じる摩擦力は、ヘットおよび磁気記憶体を摩耗させ
、ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせしめるこ
とがある。また前記接触摩擦状態において、ヘッドのわ
ずかな姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせ
、金属、プラスチックまたはセラミックスを被覆したア
ルミ合金、チタン合金、ステンレスなどの積層合金基板
、あるいは金属またはセラミックスか被覆されたプラス
チック基板、あるいは金属またはプラスチックか被覆さ
れたセラミックス基板であるヘッドおよび磁気記憶体表
面に傷を作ることもある。さらにヘッドと磁気記憶体の
長時間の接触により、両者は互いに吸着し、離れにくく
なる。

このヘッドとの接触および摺動による磁気記憶体の破壊
および吸着を防止するために、従来は特開昭５２−４９
８０５号公報に見られるように、磁気記憶体表面にパー
フロロポリエーテルなどの潤滑剤を被覆していた。また
特開昭６４−９９６１号公報、特開昭６３−７７９９６
号公報または特開昭６２−４５５６２号公報に見られる
ように、アルキルパーフロロアルカンアミドまたはパー
フロロアルキルカルボンアミン塩またはパーフロロカル
ボン酸エステルを用いた潤滑剤が開示されている。

［発明が解決しようとする課題］しかしながらパーフロロポリエーテルのような□滑剤は
耐荷重性が悪く、ヘッドとの摺動または多数回のＣＳＳ
の繰り返しにおいて、磁気記憶体の傷の発生を防ぐこと
かできなかった。また除去された潤滑剤か磁気記憶体と
ヘットの接触摺動面に厚く局在して吸着し、離れなくな
るという欠点もあった。またアルキルパーフロロアルカ
ンアミドまたはパーフロロアルキルカルホンまたはパーフロロカルホン酸エステルを用いた潤滑剤は
、分子の配向性か悪く、潤滑剤分子か磁気記憶体表面に
保持されるために必要な吸着能か十分ではなく、またヘ
ットとの摺動により除去されてしまう等の欠点があった
。

本発明の目的は、以上述べたような従来の課題を解決し
た磁気記憶体を提供することにある。

［課題を解決するための手段］本発明は、下地体の上に磁性媒体が被覆され、該磁性媒
体上に直接、または保護膜を介して、−般式：％式％）［］（式中、Ｘは０．１または２の整数、ｎおよびｍは３以
上の整数、Ｇは二価の官能基である。）で表される化合
物からなる潤滑剤が被覆されてなる構造を有することを
特徴とする磁気記憶体である。

本発明の磁気記憶体の基本的構成は、第１図に示すよう
に、下地体１の上に磁性媒体２か被覆され、ざらに該媒
体上に上記一般式［Ｉ］で示される化合物からなる潤滑
剤４が被覆された構造を有するか、あるいは第２図に示
すように、磁性媒体２と上記潤滑剤４との間に保護膜３
が被覆された構造を有するものである。

本発明において、Ｈ（３−ｘ）　Ｆｘ　”　ｎ　Ｆ２ｎ
−は、一端に水素を含む弗素化炭化水素基であり、−Ｃ
ＩＴＩＨ（２Ｉｌｌ＋１）は炭化水素基である。Ｇは一
〇〇〇ＮＨ−，　−ＣＯＯ−　Ｎ　　Ｈ３−、−ＣＯＮ
ＨＣＯＮＨ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｃｏ−。

０　　、　　ＮＨ　　、　　Ｓｉ　　（ＯＨ＞２　　、
　　ＳｉＣＨ３　（ＯＨ）　　−　　ＣＱ　Ｈ２ＱＳ　
！　（ＯＨ）　２　−。

−鴨川ＱＳ　Ｉ　Ｃ　ｈ　３　（Ｏ　Ｈ　）　　（ただ
し、ｑは１、２または３）などの官能基である。これら
の官能基は、磁気記録体表面への保持能力か大きい。

下地体としては、アルミ合金，チタン合金またはステン
レス合金などの金属、またはポリエステル、ポリイミド
、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルフォン，ポリサ
ルフオン，芳香族ポリエーテル、エポキシ樹脂，尿素樹
脂，メラミン樹脂。

ポリカーボネート、ジアリルフタレート樹脂，アクリル
樹脂，フェノール樹脂，ポリフェニレンサルファイド、
ポリフェニレンエーテル、ポリアセタール樹脂，ポリブ
チレンテレフタレート、ビスマレイミドトリアジン樹脂
，ポリオキシベンジレン樹脂，ポリアミノビスマレイミ
ド樹脂，ポリフェニレンオキサイド、ポリフェニレンサ
ルファイドなどのプラスチック、ガラス、シリコン、ゲ
ルマニウム、アルミナ、シリカ、ダイアモンドなどのセ
ラミックス、または陽極酸化アルマイト被覆アルミ合金
，Ｎ＊−ｐメツキ膜，　Ｃｒ，　ＦｅＮｒ。

ステンレス、〜１０またはＷなどの金属か用いられる。

次にこの下地体１の上に被覆される磁性媒体２としては
、Ｆｅ：＋　０４　、Ｔ−Ｆｅ２０３　、バリウムフェ
ライト、ＣｒＯ２などの酸化物、Ｆｅ３Ｎ４などの窒化
物、Ｆｅ５Ｃ２などの炭化物、Ｃｏ、ＣｏＮ　ｉ　、Ｃ
ｏ＼ｉ　Ｐ、ＣｏＭｎＰ、Ｃ。

ＭｎＮｉ　Ｐ、ＣａＲｅ、　Ｃｏｐｔ、ＣＯＮ　ｉ　ｐ
↑。

ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＮ　ｉＲｅ、Ｃ。

ＭｎＲｅＰ、ＣｏＦｅＣｒ、ｃｏｖ、ＣｏＲｕ。

Ｃｏｏｓ、ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＰｔＶ、　ｃｏＲｈ。

ＣｏＣｒＲｈ、ＣｏＮ　ｉＭｏ、ＣｏＮ　ｉ　Ｃｒ。

ＣｏＮ　ｉＷ、Ｇｏ３ｍなどのコバルトを含む金属、Ｆ
ｅＮｄ、ＦｅＭＣＩ、ＦｅＮｄ、ＦｅＡＣ］、ＦｅＰｄ
、ＦｅＴｂなどの鉄を含む金属、またはＭｎＡｆ！、Ｍ
ｎＣｕＡＪ！などのマンガンを含む金属が用いられる。

あるいは上記の種々の磁性体の微粒子を混入、分散させ
た樹脂でもよい。

第２図における保護膜３としては、ＳｉＯ２゜３ｉ３ｔ
”ｓ、ＳｉＣ，珪酸重合物などの珪素化合物、Ａｊ！　
２０３　、　ｃｏｏ、　ＣＯ：３０４　、　ＣＯ２Ｏ３
，０ｊ−Ｆｅ２０３　、Ｃｒ２０３　、ＣｒＯ３。

Ｔ　ｉ　０２　、ＺｒＯ２、ｚｎｏ、ｐｂｏ、Ｎ　ｉ　
Ｏ。

ＭＯＯ２，５ｎ０２などの金属酸化物、Ｔ　：　Ｎ。

ＺｒＮ、ＣｒＮ、ＴａＮ、ＢＮなとの金属窒化物、ＭＯ
３２、ＷＳ２　、丁ａＳ２などの金属硫化物、Ｔ　ｉ　
Ｃ，ＺｒＣ，ＣｒＣ，ＴａＣなどの金属炭化物、ぶつ化
黒鉛などの金属ぶつ化物、Ｗ、Ｃｒ。

Ｉｒ、ＮｉＢ、ＮｉＰ、ＦｅＣｒ、ＮｉＣｒ、Ｓｎ、Ｐ
ｂ、Ｚｎ、ＴＣＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｇａ。

Ｒｕ、Ｒｈ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｔａまたはそれらの合
金などの金属または合金、ｓｒ、Ｇｅ、Ｂ。

Ｃ（非晶質、ダイアモンド状あるいはその混合物、また
はグラファイト状あるいはその混合物）などの半導体、
ポリテトラフルオロエチレン、フェノール樹脂、ポリイ
ミドなどのプラスチックなどが用いられる。

［作用］上記一般式ＨＥで表される化合物からなる潤滑剤は、第
３図に示すように、その分子中に含まれる官能基７が磁
気記憶体表面５（磁性媒体または保護膜表面）に吸着す
るので摺動により除去されかたく、また耐荷重機能か高
い。ざらに一端に水素１０を含む弗素化炭化水素９と炭
化水素８が表面方向に配向して、低い摩擦係数と高い耐
荷重能が得られる。ここで、弗素化炭化水素９と炭化水
素８は親和性が低いため、凝集力か弱く配向性能が悪い
。弗素化炭化水素の一端に水素１０が含まれることによ
り、炭化水素８との親和性が増して強い凝集力１１が働
くことにより配向性か改善され、結果的に優れた耐摩耗
性を有する。ここで弗素化炭化水素の末端に水素が含ま
れることが重要である。すなわち磁気ヘッドとの接触面
に近い分子が互いに凝集力により引き付は合うことによ
り、低い摩擦係数と高い耐荷重能が得られる。またこれ
により耐熱性も高く、ざらに表面張力が低くヘッドと磁
気記憶体との吸着を起こしにくいなどの特性が得られる
。

［実施例］以下、本発明の実施例について説明する。

実施例１アルミ合金基板の上にニッケルー燐めっき膜が被覆され
、表面粗さ０．０２μｓに鏡面仕上げされた下地体の上
に、磁性媒体としてコバルト−ニッケルー燐合金を０．
０５７ｆｆｉの厚さにめっきした。次にこの磁性媒体の
上に保護膜として特開昭５２−２０８０４号公報に示す
ようなポリ珪酸（珪酸重合物）を回転塗布法により５０
　ｎｍの厚さに被覆し、２５０°Ｃで焼成した。次にこ
の保護膜の上に潤滑剤として下記の構造（１）を有する
化合物のクロルセン溶液を回転塗布して２　ｎｍの厚さ
に被覆し、磁気ディスクを作った。

ＨＣＦ２Ｃ９Ｆ１８ＣＯＯ−Ｎ　Ｈ３Ｃ１７Ｈ３５・・
・（１）この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．１の変化はな
く、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は全
く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７０
時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、放
置しないときに比べ、１．０倍と全く変化しなかった。

また磁気ディスクを温度４０’Ｃ，湿度８０％の環境で
２０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万
回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認め
られなかった。

実施例２実施例１と同様にして、但しスパッタ法により被覆した
炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に実施例１と
同様の潤滑剤を同じ方法で被覆して、磁気ディスクを作
った。

この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０７の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に動く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比へ、１．２倍の増加にとどまった。

また磁気ディスクを温度４０°Ｃ２湿度８０％の環境で
２０日間放置した後においても摩擦係数の変化はなく、
１０万回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全
く認められなかった。

実施例３実施例１と同様にして、但し磁性媒体の上に保護膜とし
て無電解めっき法によりニッケルー燐を１０　ｎｍ被覆
し、３００　’Ｃて焼成、酸化してＮｉＯからなる保護
膜を形成し、その上に実施例１と同様の潤滑剤を同様な
方法で被覆して、磁気ディスクを作った。

この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０７の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。

また磁気ディスクを温度４０’Ｃ，湿度８０％の環境で
２０日間放置した後においても摩擦係数の変化はなく、
１０万回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全
く認められなかった。

実施例４実施例１と同様にして、但し磁性媒体の上に保護膜とし
て化学気相法によりダイヤモンド状カーボンを２０　ｎ
ｍ被覆した後、実施例１と同様の潤滑剤を同様な方法で
被覆して、磁気ディスクを作った。

この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．１５の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、吸着力の増加は全くなかった。

実施例５実施例１と同様にして、但しスパッタ法により形成した
γ−Ｆｅ２０３薄膜からなる磁性媒体の上に実施例１と
同様の潤滑剤を同様の方法で被覆して、磁気ディスクを
作った。

この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．１　　の変化
はなく、さらにヘットおよび磁気ディスクの表面には傷
は全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを
７０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ
、放置しないときに比へ、１．３倍の増加にとどまった
。また磁気ディスクを温度４０°Ｃ１湿度８０％の環境
で２０日間放置した後においても摩擦係数の変化はなく
、１０万回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は
全く認められなかった。

実施例６実施例１と同様にして、但し下地体としてＯｒをＮｉＰ
めっき層の上にスパッタ法により１卯の厚さに被覆し、
その上に磁性媒体としてＣＯＮ　ｉ合金をスパッタ法に
より０．０５庫の厚さに被覆し、その上に保護膜として
スパッタ法によりＳｉＯ２を２０　ｎｍ被覆した後、実
施例１と同様の潤滑剤を同様の方法で被覆して、磁気デ
ィスクを作った。

この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．１　　の変化
はなく、さらにヘットおよび磁気ディスクの表面には傷
は全く認められなかった。またヘットと磁気ディスクを
７０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ
、放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった
。また磁気ディスクを温度４０°Ｃ２湿度８０％の環境
で２０日間放置した後においても摩擦係数の変化はなく
、１０万回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は
全く認められなかった。

実施例７実施例１と同様にして、但しスパッタ法により被覆した
炭素膜を保護膜として用い、ざらにその上に潤滑剤とし
て、下記の構造（２）を有する化合物のクロルセン溶液
を回転塗布して２　ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディスク
を作った。

ＨＣＣＦ　　ＣＯＯ〜＼−”３　Ｃ２２Ｈ４、・・・（
２）この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０５の変化は
なく、さらにヘットおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。

実施例８実施例１と同様にして、但しスパッタ法により被覆した
炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤とし
て、下記の構造（３）を有する化合物のクロルセン溶液
を回転塗布して２　ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディスク
を作った。

Ｈ３ＣＣ１ｏＦ２ｏＯＣＯＮＨＣ２２Ｈ４５・・・（３
）この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０５の変化は
なく、ざらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０１間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。

また磁気ディスクを温度４０℃、湿度８０％の環境で２
０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万回
のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認めら
れなかった。

実施例９実施例１と同様にして、但しスパッタ法により被覆した
炭素膜を保護膜として用い、ざらにその上に潤滑剤とし
て、下記の構造（４）を有する化合物のクロルセン溶液
を回転塗布して２　ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディスク
を作った。

Ｈ２ＣＦＣ９Ｆ１８ＣＯＮＨＣＯＮＨｃ２２Ｈ４５・・
・（４）この磁気ディスクを１０万回のｃｓｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０６の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。

実施例１０実施例１と同様にして、但しスパッタ法により被覆した
炭素膜を保護膜として用い、ざらにその上に潤滑剤とし
て、下記の構造（５）を有する化合物のクロルセン溶液
を回転塗布して２　ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディスク
を作った。

Ｈ２Ｃ上Ｃ９Ｆ１８ＣＯＯＣ１８Ｈ３□　・・・（５）
この磁気ディスクを１０万回゛のＣ８Ｓ試験により耐摩
耗性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０６の変化
はなく、ざらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷
は全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを
７０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ
、放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった
。また磁気ディスクを温度４０’Ｃ，湿度８０％の環境
で２０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０
万回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認
められなかった。

実施例１１実施例１と同様にして、但しスパッタ法により被覆した
炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤とし
て、下記の構造（６）を有する化合物のクロルセン溶液
を回転塗布して２０…の厚さに被覆し、磁気ディスクを
作った。

ＨＣＦ２Ｃ９Ｆ１８０ＣＯＣ１８Ｈ３７・・・（６）こ
の磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗性
を評価したところ、初期の摩擦係数０、０７の変化はな
く、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は全
く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７０
時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、放
置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。ま
た磁気ディスクを温度４０°Ｃ２湿度８０％の環境で２
０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万回
のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認めら
れなかった。

実施例１２実施例１と同様にして、但しスパッタ法により被覆した
炭素膜を保護膜として用い、ざらにその上に潤滑剤とし
て、下記の構造（７）を有する化合物のクロルセン溶液
を回転塗布して２　ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディスク
を作った。

Ｈ８Ｆ２Ｃ９Ｆ１８０Ｃ１８Ｈ３□　　　・・・（７）
この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０、０７の変化は
なく、ざらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。

実施例１３実施例１と同様にして、但しスパッタ法により被覆した
炭素膜を保護膜として用い、ざらにその上に潤滑剤とし
て、下記の構造（８）を有する化合物のクロルセン溶液
を回転塗布して２　ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディスク
を作った。

Ｈ８ＣＦ２Ｃ９Ｆ１８０Ｃ１８Ｈ３□　　　・・・（８
）この磁気ディスクを１０万回のｃｓｓ試験により耐摩
耗性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０７の変化
はなく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷
は全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを
７０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ
、放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった
。また磁気ディスクを温度４０’Ｃ，湿度８０％の環境
で２０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０
万回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認
められなかった。

実施例１４実施例１と同様にして、但しスパッタ法により被覆した
炭素膜を保護膜として用い、ざらにその上に潤滑剤とし
て、下記の構造（９）を有する化合物のクロルセン）容
液を回転塗布して２　ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディス
クを作った。

ＨＣＦ？Ｃ９Ｆ１８＼ＨＣｌ８Ｈ３□　　　・・・（９
）この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩
耗性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０７の変化
はなく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷
は全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを
７０時間放置してその間に動く吸着力を測定したところ
、放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった
。また磁気ディスクを温度４０°Ｃ２湿度８０％の環境
で２０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０
万回のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認
められなかった。

実施例１５実施例１と同様にして、但しスパッタ法により被覆した
炭素膜を保護膜として用い、さらにその上に潤滑剤とし
て、下記の構造（１０）を有する化合物のクロルセン溶
液を回転塗布して２　ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディス
クを作った。

ＨＣＦ２Ｃ９Ｆ１８− Ｃ２Ｈ４Ｓ　：　（ＯＨ）２　ＣｌＢＨ３□・・・（１
０）この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０、０７の変化は
なく、さらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。

また磁気ディスクを温度４０℃、湿度８０％の環境で２
０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万回
のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は全く認めら
れなかったり実施例１６実施例１と同様にして、但しスパッタ法により被覆した
炭素膜を保護膜として用い、ざらにその上に潤滑剤とし
て、下記の構造（１１）を有する化合物のクロルセン溶
液を回転塗布して２　ｎｍの厚さに被覆し、磁気ディス
クを作った。

ＨＣＦ２Ｃ９Ｆ１８− Ｃ２Ｈ４Ｓ　！　ＣＨ３（ＯＨ）　ＣｌＢＨ３□・・・
（１１）この磁気ディスクを１０万回のＣ８Ｓ試験により耐摩耗
性を評価したところ、初期の摩擦係数０．０７の変化は
なく、ざらにヘッドおよび磁気ディスクの表面には傷は
全く認められなかった。またヘッドと磁気ディスクを７
０時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、
放置しないときに比べ、１．２倍の増加にとどまった。

また磁気ディスクを温度４０℃、湿度８０％の環境で２
０日間放置した後にも摩擦係数の変化はなく、１０万回
のＣ８Ｓ試験後も磁気ディスクの表面に傷は仝く認めら
れなかった。

比較例１実施例７と同様にして、但し潤滑剤として下記の横ｍ（
１２）を有するパーフロロポリエーテルを１ｎｍ被覆し
て、磁気ディスクを作った。

Ｆ（Ｃ２Ｆ４０）５（ＣＦ２Ｏ）１、ＣＦ３・・・（１
２）この磁気ディスクを２００００回のｃｓｓ試験により耐
摩耗性を評価したところ、摩擦係数は試験前の７倍に増
加し、ヘッドおよび磁気ディスクの表面に磁性媒体に達
する傷が発生した゛。またヘッドと磁気ディスクを７０
時間放置してその間に働く吸着力を測定したところ、放
置しないときに比へ、１０倍の増加が見られた。

比較例２実施例７と同様にして、但し潤滑剤として下記の構造（
１３）を有するアルキルパーフロロアルカンアミドを用
いた潤滑剤を１　　ｎｍ被覆して、磁気ディスクを作っ
た。

Ｃｌ８Ｈ３□ＮＨＣＯＣ７Ｆ１５　　　　　　・・・（
１３）この磁気ディスクを２００００回のＣ８Ｓ試験に
より耐摩耗性を評価したところ、摩擦係数は試験前の４
倍に増加し、ヘットおよび磁気ディスクの表面に磁性媒
体に達する傷か発生した。また磁気ディスクを温度４０
’Ｃ，湿度８０％の環境で２０日間放置した後の摩擦係
数は試験前の５倍に増加し、５０００回のＣ８Ｓ試験で
磁気ディスクの表面に傷か認められた。

比較例３実施例７と同様にして、但し潤滑剤として下記の構造（
１４）を有するパーフロロアルキルカルホン酸アミン塩
を用いた潤滑剤を’ｌ　　ｎｍ被覆して、磁気ディスク
を作った。

０１８Ｈ３□“ＮＨ３−００ＣＣ７Ｆ１５　　・・・（
１４）この磁気ディスクを２００００回のＣ８Ｓ試験ｔ
こより耐摩耗性を評価したところ、摩擦係数は試験前の
６倍に増加し、ヘットおよび磁気ディスクの表面に磁性
媒体に達する傷か発生した。また、磁気ディスクを温度
４０°Ｃ１湿度８０％の環境で？Ｏ日間放置した後の摩
擦係数は試験前の５倍に増加し、５０００回のＣ８Ｓ試
験で磁気ディスクの表面に傷か認められた。

比較例４実施例７と同様にして、但し潤滑剤として下記の構造（
１５）を有するパーフロロカルボン酸エステルを用いた
潤滑剤を１　　ｎｍ被覆して、磁気ディスクを作った。

Ｃｌ８Ｈ３□０ＯＣＣ７Ｆ１５　　　　　・・・（１５
）この磁気ディスクを２００００回のＣ８Ｓ試験により
耐摩耗性を評価したところ、摩擦係数は試験前の４倍に
増加し、ヘッドおよび磁気ディスクの表面に磁性媒体に
達する傷が発生した。また、磁気ディスクを温度４０°
Ｃ２湿度８０％の環境で２０日間放置した後の摩擦係数
は試験前の５倍に増加し、５０００回のＣ８Ｓ試験で磁
気ディスクの表面に傷か認められた。

このように、本発明の一端に水素を含む弗素化炭化水素
と炭化水素を官能基で結合した潤滑剤は、比較例の水素
を含まない弗素化炭化水素と炭化水素を官能基で結合し
た潤滑剤に比べ、上記のごとく極めて異なる優れた特性
が得られる。このことは、化学式の違いだけで考えると
驚くべきことであるが、実際の分子モデルを立体的に考
えると、両者の分子形態の違いは極めて大きく、これか
分子全体の配向性と下地体に対する吸着能に大きく影響
して上記特性の違いに反映しているものと考えられる。

［発明の効果］以上、詳細に述べたように、本発明の磁気記憶体は、ヘ
ッドとの摺動に対する摩擦係数が小さく、かつ耐摩耗性
に優れ、磁気ヘッドとの長時間の静的接触によっても吸
着力が発生せず、高湿度の条件においても化学的に安定
で、従来の磁気記憶体よりはるかに信頼性を向上させる
ことかできる。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図はそれぞれ本発明の磁気記憶体の一
例の断面図、第３図は本発明の潤滑剤の磁気記憶体表面
での分子構造を説明するための説明図である。１・・・下地体　　　　　２・・・磁性媒体３・・・保
護膜　　　　　４・・・潤滑剤５・・・磁気記憶体表面
　６・・・水素結合７・・・官能基　　　　　８・・・
炭化水素９・・・弗素化炭化水素　１０・・・水素１１
・・・凝集力

Claims

【特許請求の範囲】

（１）下地体の上に磁性媒体が被覆され、該磁性媒体上
に直接、または保護膜を介して、一般式：Ｈ＿（＿３＿
−＿ｘ＿）Ｆ＿ｘＣ−Ｃ＿ｎＦ＿２＿ｎ−Ｇ−Ｃ＿ｍＨ
＿（＿２＿ｍ＿＋＿１＿）（式中、ｘは０、１または２
の整数、ｎおよびｍは３以上の整数、Ｇは二価の官能基
である。）で表される化合物からなる潤滑剤が被覆され
てなる構造を有することを特徴とする磁気記憶体。