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JPH04202056A - グラファイトの製造方法 - Google Patents

グラファイトの製造方法

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Publication number
JPH04202056A
JPH04202056A JP2330589A JP33058990A JPH04202056A JP H04202056 A JPH04202056 A JP H04202056A JP 2330589 A JP2330589 A JP 2330589A JP 33058990 A JP33058990 A JP 33058990A JP H04202056 A JPH04202056 A JP H04202056A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
graphite
thermal decomposition
polymer
decomposition temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2330589A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuhiro Watanabe
和廣 渡辺
Toshiharu Hoshi
星 敏春
Mutsuaki Murakami
睦明 村上
Naomi Nishiki
直巳 西木
Katsuyuki Nakamura
克之 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Science and Technology Agency
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronic Components Co Ltd
Research Development Corp of Japan
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronic Components Co Ltd, Research Development Corp of Japan, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electronic Components Co Ltd
Priority to JP2330589A priority Critical patent/JPH04202056A/ja
Priority to DE69124938T priority patent/DE69124938T2/de
Priority to EP91120496A priority patent/EP0488356B1/en
Publication of JPH04202056A publication Critical patent/JPH04202056A/ja
Priority to US08/108,213 priority patent/US5449507A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Ceramic Products (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は、グラファイトの製造方法、例えば、X光学
素子、X線モノクロメータ−1中性子線回析ミラー、中
性子線フィルター等の放射線光学素子として利用できる
グラファイトの製造方法に関する。
(従来の技術) グラファイトは抜群の耐熱性や耐薬品性、高電気伝導性
等を備えていることから、工業材料として重要な地位を
占め、電極、発熱体、構造材として広く使用されている
。なかでも、単結晶グラファイトは、X線や中性子線に
対する優れた分光・反射特性を有するために、X線や中
性子線のモノクロメータ−、フィルターあるいは分光結
晶として使われている。
この放射線光学素子用のグラファイトとして天然に産す
るものを使用するのも一案ではあるが、良質の天然グラ
ファイトは、生産量が非常に限られ、しかも、粉末状ま
たはリン片状で取扱難いため、人工的にグラファイトを
製造することが行なわれている。
従来、以下の二つの人工グラファイトの製造方法が良く
知られている。
第1の方法は、Fe、Ni/C系溶融体からの析出、8
1 % A 1等の炭化物の分解、あるいは、高温・高
圧の炭素溶融液の冷却によってグラファイトを製造する
方法がある。この方法により得られたグラファイトは、
キャッシュグラファイトと呼ばれ、天然のグラファイト
と同等の物性を示す。
しかし、得られるグラファイトは薄片状の微小物であり
、また、製造工程が極めて複雑でコスト的に引き合い難
くて、工業的には余り利用されていない。
第2の方法は、気相中での炭化水素ガスの高温分解沈積
と、その熱間加工による方法であり、圧力を印加しつつ
3400℃で長時間再焼鈍するという工程によってグラ
ファイトが製造される。得られたグラファイトは、高配
向性パイログラファイト(HOPG)と呼ばれ、比較的
大きなものも得られており、その特性は天然グラファイ
トと路間等の優れたものである。この方法により作成さ
れたグラファイトは配向性を表す値の一つであるロッキ
ング特性が良く、X線や中性子線の光学素子として使用
可能である。しかしながら、この製造方法は、工程が複
雑である上に歩留りが低(、そのため、非常に高価にな
るという欠点がある。
前記従来の方法の欠点を解決し、容易に低コストでグラ
ファイトが得られる方法が提案されている。すなわち、
高分子フィルムを焼成する方法である。この方法は、高
分子化合物を真空雰囲気中あるいは不活性ガス雰囲気中
で熱処理し、分解・重縮合反応を経て炭素質物に変え、
この炭素質物を更に高温で処理してグラファイト化する
というものである。良質なグラファイトに転化できる高
分子化合物としては、例えば1、芳香族ポリアミド、ポ
リオキサジアゾール、芳香族ポリイミド、ポリベンゾビ
スチアゾール、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾビ
スオキサゾール、ポリチアゾール等がある。
これらの知見に基づ〈発明が、既に特許出願されている
(特開昭61−275114号公報、特開昭61−27
5115号公報、特開昭61−275117号公報等参
照)。さらに、高分子フィルムを積層し加圧加熱しブロ
ック状グラファイトを作成するという発明も特許出願さ
れている(特願昭63−235219号参照)。
(発明が解決しようとする課題) 既に提案された高分子フィルムを積層し焼成するという
方法は、大きなブロック状物が得られるという点で非常
に優れた方法である。しかしながら、さらに検討を続け
た結果、大きなブロック状グラファイトは結晶全体にわ
たり十分に均一な特性を有してはいなかった。
本発明は、前記事情に鑑み、全体にわたり均一な特性を
有する大きなブロック状グラファイトを容易に得ること
のできる方法を提供することを目的とする。
(課題を解決するための手段) 前記目的を達成するため、請求項1〜5記載のグラファ
イトの製造方法では、複数枚の高分子フィルムを重ねて
おいて、高分子熱分解温度以下の温度域では20〜10
00g/cm2の範囲の圧力をかけ、高分子熱分解温度
を越える温度域では1000g/cm2を越す圧力をか
ける焼成によりグラファイト化するようにしている。
高分子熱分解温度以下の温度域の圧力は、20〜100
0g/cm2である。より好ましくは、500〜800
g/cm2である。高分子熱分解温度を越える温度域で
かける1000g/cm2を越す圧力は、通常、100
kg/cm2以下の範囲で選ばれる。高分子熱分解温度
は、通常、400〜600℃程度である。また、高分子
熱分解温度を越える温度域における1000g/cm2
を越す圧力は、通常、2000℃以上の温度でかけるよ
うにする。
焼成にあたっては、請求項2記載のように、高分子熱分
解温度以下の温度域においてまず真空雰囲気下で処理し
、その後は不活性ガス雰囲気下で処理することが好まし
い。
焼成において温度を上げる際には、請求項3記載のよう
に、10℃/min以下の昇温速度に抑えることが望ま
しい。
また、高分子フィルムの焼成においては、熱分解温度付
近の処理中に芳香族構造を主体とする構造ができ上がり
、熱分解温度を越える温度域では大きな構造変化はみら
れないので、熱分解温度付近の熱処理は重要である。す
なわち、請求項5記載のように、高分子熱分解温度ない
しその近傍の温度で一定時間保持するようにすることが
好ましい。
そして、本発明において用いられる高分子フィルムには
、ポリオキサジアゾール、芳香族ポリアミド、および、
芳香族ポリイミドのうちの少なくとも一つからなるフィ
ルムが挙げられるが、これに限らず、ポリベンゾビスチ
アゾール、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾビスオ
キサゾール、ポリチアゾール等のフィルムでもよい。
本発明で使われる芳香族ポリイミドには、下記の化合物
が例示される。
勿論、これらに限らず、高温での熱処理で良質のグラフ
ァイトに転化させられる高分子フィルムであれば出発原
料フィルムとして使えることは言うまでもない。
II     Il ここで、R1は、            0R2は、 本発明で使われる芳香族ポリアミドには、下記の化合物
が例示される。
ここで、R1,およびR2は、 本発明で使われるポリオキサジアゾールには下記の化合
物が例示される。
−ポリオキサジアゾールー −N 本発明で得られるグラファイトは、例えば、X線光学素
子、X線モノクロメータ−1中性子線回折ミラー、中性
子線フィルター等にも用いることができる。
本発明は、前記例示の化合物や処理条件に限らないこと
は言うまでもない。
(作用) 請求項1〜5記載のグラファイトの製造方法では、焼成
の際に、高分子熱分解温度以下の温度域では、20〜1
000g/cm2の低い圧力をかけるようにする。この
ため、高分子フィルムを熱分解前に破壊させることなく
きれいに配向させられると同時に熱分解に伴って発生す
るガスをうまく積層ブロック外に抜き出すことができ、
その結果、結晶欠陥が少なく表面や内部に皺や同皺に起
因する空洞が発生し難く、広い範囲にわたって良質な結
晶状態が現出し、全体的な特性の均一化が図れることに
なる。
そして、製造に際しても、高分子フィルムを積層し焼成
の温度と圧力に注意する程度で済むため、実施は何らの
困難もなく極めて容易である。
また、請求項2記載のように、高分子熱分解温度以下の
温度域での真空雰囲気下の処理により、高分子フィルム
間に封じられた空気や水分、それに熱分解に伴って発生
するガスも非常にうまく積層ブロックの外に抜け、欠陥
や皺等が一層生じ難(なる。
請求項3記載のように、焼成での昇温速度を10℃/m
in以下に抑えると、高分子フィルム間に封じ込められ
た空気や水分、あるいは、熱分解時のガスが抜ける際に
フィルムが膨れたすせず平らなままに保たれるのて、そ
の分、欠陥や皺がより生じ−10−、− 難くなる。
請求項4記載のように、高分子熱分解温度ないしその近
傍の温度で一定時間保持するようにすると、熱分解に伴
って発生するカスが非常にうまく抜けて、炭素質ブロッ
ク内に生じる欠陥を最小限に抑えることができる。
請求項5記載のように、ポリオキサジアゾール、芳香族
ポリアミド、および、芳香族ポリイミドのうちの少な(
とも一つからなる高分子フィルムを用いる場合、良質の
グラファイトを得やすい。
(実施例) 以下、本発明の詳細な説明する。
一実施例1− 厚み25μmの芳香族ポリイミドフィルム(Dupon
社製商品名カプトンフィルム) 1000枚を重ねてお
いて、以下のようにグラファイト化した。
まず、常温から300℃までは、真空雰囲気下(真空度
: =IX10−”Toor)、500g/cm2の圧
力、5℃/minの昇温速度で熱処理し、その後はアル
ゴン雰囲気中で熱処理した。熱分解温度(500°C)
を越える温度域である3000°Cの温度て200kg
/cm2の圧力をかけ1時間保持し、]、6cm四方で
厚み1cmのブロック状グラファイトを得た。
一比較例1− 焼成の際、常温から200kg/cm2の圧力をかけ、
アルゴン雰囲気中で処理するようにした他は、実施例1
と同様にして、1.6cm四方で厚み1cmのブロック
状グラファイトを得た。
一実施例2− 厚み25μmの芳香族ポリイミドフィルム(Dupon
社製商品名カプトンフィルム) 1.000枚を重ねて
おいて、以下のように、グラファイト化した。
まず、常温から300℃までは、真空雰囲気下(真空度
: =lX10−3Toor)、500g/cm2の圧
力、5℃/minの昇温速度で熱処理し、その後はアル
ゴン雰囲気中て熱処理した。熱分解温度(500°C)
で2時間保持した後、熱分解温度を越える温度域である
3000℃の温度で200kg/cm2の圧力をかけて
1時間保持し、1.6cm四方で厚み1cmのブロック
状グラファイトを得た。
−実施例3− 厚み50μmの芳香族ポリアミドフィルム500枚を重
ねておいて、以下のようにグラファイト化した。
まず、常温から300℃までは、真空雰囲気下(真空度
: =IX10−3Toor)、800g/cm2の圧
力、3℃/minの昇温速度で熱処理し、その後はアル
ゴン雰囲気中で熱処理した。熱分解温度(450°C)
で2時間保持した後、熱分解温度を越える温度域の30
00℃の温度で300kg/cm2の圧力をかけて1時
間保持し、16cm四方で厚み1cmのブロック状グラ
ファイトを得た。
一比較例2− 焼成の際、常温から300kg/cm2の圧力をかけ、
アルゴン雰囲気中で処理するようにした他は、実施例3
と同様にして、16cm四方で厚み1cmのブロック状
グラファイトを得た。
一実施例4− 厚み50μmのポリオキサジアゾールフィルム500枚
を重ねておいて、以下のようにグラファイト化した。
まず、常温から250℃までは、真空雰囲気下(真空度
: =IX10−3Toor)、600g/cm2の圧
力、2℃/minの昇温速度で熱処理し、その後はアル
ゴン雰囲気中で熱処理した。熱分解温度(450℃)を
越える温度域である3000°Cの温度で400kg/
cm2の圧力をかけ2時間保持し、16cm四方で厚み
1cmのブロック状グラファイトを得た。
一比較例3− 焼成の際、常温から400kg/cm2の圧力をかけ、
アルゴン雰囲気中で処理するようにした他は、実施例4
と同様にして、16cm四方で厚み1cmのブロック状
グラファイトを得た。
前記実施例1〜4および比較例1〜3のブロック状グラ
ファイトを2cm角に寸断し64個の分割片にし、それ
ぞれのロッキング特性を調べて分別した。その結果を第
1表〜第4表に示す。
第2表 第3表 第4表 一](i−一 実施例1の場合、ロッキング特性が0.9°〜1.1゜
の間に集中しているのに対し、比較例1の場合には、0
.9°〜1.4°まで拡がっている。平均でみても、実
施例1ては1.04°であるのに対し、比較例1ては1
.18°である。実施例1では均一で十分な特性が実現
されていることが良く分かる。
実施例2の場合、ロッキング特性が、0.8°付近に集
中し、平均でみても085°と実施例1よりも良好であ
り、高分子熱分解温度で一定時間保持することが、特性
向上に有効であることが良く分かる。
実施例3の場合、ロッキング特性が0.9°〜1.2゜
の間に集中しているのに対し、比較例2の場合には、0
.9°〜15°まで拡がっている。平均でみても、実施
例3では1.09°であるのに対し、比較例2では1.
34°である。実施例3でも均一で十分な特性が実現さ
れていることが良く分かる。
実施例4の場合、ロッキング特性が0.9°〜1.4゜
の間に集中しているのに対し、比較例3の場合には、0
.9°〜15°まで拡がっている。平均でみても、実施
例4ては、1.15°であるのに対し、比較例3では1
.26°である。実施例4でも、やはり均一で十分な特
性が実現されていることが良く分かる。
(発明の効果) 請求項1〜5記載のグラファイトの製造方法では、ブロ
ック体は欠陥が少なく表面や内部に皺や同皺に起因する
空洞がなく、広い範囲にわたって良好な結晶状態が現出
するものが得られ、全体的な特性の均一化が図れる上、
製造に際して格別の高度な技術を必要としないので、実
施も極めて容易である。
請求項2記載のグラファイトの製造方法では、加えて、
高分子熱分解温度以下の温度域においてまず真空雰囲気
下で処理するため、より良質のグラファイトを得ること
ができる。
請求項3記載のグラファイトの製造方法では、加えて、
昇温速度を10℃/min以下に抑えているので、−層
、良質のグラファイトを得ることができる。
請求項4記載のグラファイトの製造方法では、高分子熱
分解温度ないしその近傍の温度で一定時間保持するので
、欠陥の極く少ない良質のグラファイトを得ることがで
きる。
請求項5記載のグラファイトの製造方法では、ポリオキ
サジアゾール、芳香族ポリアミド、芳香族ポリイミドで
できた高分子フィルムを用いるため、良質のグラファイ
トを得やすい。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)複数枚の高分子フィルムを重ねておいて、高分子
    熱分解温度以下の温度域では20〜1000g/cm^
    2の範囲で圧力をかけ、高分子熱分解温度を越える温度
    域で1000g/cm^2を越す圧力をかける焼成によ
    りグラファイト化することを特徴とするグラファイトの
    製造方法。
  2. (2)高分子熱分解温度以下の温度域においてまず真空
    雰囲気下で処理し、その後は不活性ガス雰囲気下で処理
    することを特徴とする請求項1記載のグラファイトの製
    造方法。
  3. (3)焼成では、10℃/分以下の昇温速度で温度を上
    昇させることを特徴とする請求項1または2記載のグラ
    ファイトの製造方法。
  4. (4)高分子熱分解温度ないしその近傍の温度で一定時
    間保持することを特徴とする請求項1から3までのいず
    れかに記載のグラファイトの製造方法。
  5. (5)高分子フイルムが、ポリオキサジアゾール、芳香
    族ポリアミド、および、芳香族ポリイミドのうちの少な
    くとも一つからなる請求項1から4までのいずれかに記
    載のグラファイトの製造方法。
JP2330589A 1990-11-30 1990-11-30 グラファイトの製造方法 Pending JPH04202056A (ja)

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DE69124938T DE69124938T2 (de) 1990-11-30 1991-11-29 Verfahren zur Herstellung von Graphitblöcken aus graphitierbaren organischen Polymeren und Verfahren zur Karbonisierung graphitierbarer Polymerfilme
EP91120496A EP0488356B1 (en) 1990-11-30 1991-11-29 Processes for producing graphite blocks from graphitizable organic polymers and process for carbonizing graphitizable polymer films
US08/108,213 US5449507A (en) 1990-11-30 1993-08-18 Processes for producing graphite blocks from graphitizable organic polymers and process for carbonizing graphitizable polymer films

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2014046187A1 (ja) * 2012-09-19 2014-03-27 株式会社カネカ 炭素質フィルムの製造方法、及びグラファイトフィルムの製造方法
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