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JPH0419894A - Elastic store circuit - Google Patents

Elastic store circuit

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Publication number
JPH0419894A
JPH0419894A JP2123750A JP12375090A JPH0419894A JP H0419894 A JPH0419894 A JP H0419894A JP 2123750 A JP2123750 A JP 2123750A JP 12375090 A JP12375090 A JP 12375090A JP H0419894 A JPH0419894 A JP H0419894A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
read
clock signal
write
output
address
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2123750A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2661326B2 (en
Inventor
Hitoshi Fujita
仁 藤田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP12375090A priority Critical patent/JP2661326B2/en
Publication of JPH0419894A publication Critical patent/JPH0419894A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2661326B2 publication Critical patent/JP2661326B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

PURPOSE:To suppress the energy consumption of a memory by executing a frequency dividing operation by a frequency dividing means according to a clock signal and outputting a memory clock signal by a memory clock output means when the output value becomes a specified value. CONSTITUTION:When a read control signal RC is turned to an 'H' level, the '1' level is supplied through an inverter 23 of an up-counter 21 and AND gates 24-26 to a data terminal D of a D flip-flop 27-29 and therefore, this level is latched by the next clock signal CK so as to reset the output of the up-counter 21 to '0'. The output of this up-counter 21 is successively stepped by the clock signal CK and returned to '0' after it becomes '7'. Accordingly, a RAM clock signal RCK is a pulse signal having eight-fold cycle as much as the clock signal CK. Thus, the operating rate of a RAM 8 is suppressed to 1/8, and the energy consumption is suppressed to about 1/8 as well.

Description

【発明の詳細な説明】 口産業上の利用分野コ 本発明は、非同期で発生する書込/読出要求に対処して
書込/読出動作を行なうと共に、読出要求があった場合
に即座にデータを出力するエラスティックストア回路に
関し、特にCMOS回路等の低消費電力回路に好適のエ
ラスティックストア回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Fields of Industrial Application The present invention performs write/read operations in response to write/read requests that occur asynchronously, and immediately reads data when a read request is made. The present invention relates to an elastic store circuit that outputs , and particularly relates to an elastic store circuit suitable for low power consumption circuits such as CMOS circuits.

[従来の技術] 従来、この種のエラスティックストア回路は、第5図に
示すように構成されている。
[Prior Art] Conventionally, this type of elastic store circuit is configured as shown in FIG.

即ち、クロック入力端子1を介して入力されるクロック
信号CKは、D型フリップフロップ4、読出アドレスカ
ウンタ5及び書込アドレスカウンタ6の各クロック入力
端子C,CLKに入力されている。また、読出制御信号
入力端子2がら入力される読出制御信号RCは、D型フ
リップフロップ4のデータ端子り及び読出アドレスカウ
ンタ5のカウント制御端子C0NTに入力され、書込制
御信号入力端子3から入力される書込制御信号WCは、
書込アドレスカウンタ6のカウント制御端子C0NTに
入力されている。
That is, the clock signal CK inputted via the clock input terminal 1 is inputted to each clock input terminal C, CLK of the D-type flip-flop 4, read address counter 5, and write address counter 6. Further, the read control signal RC input from the read control signal input terminal 2 is input to the data terminal of the D-type flip-flop 4 and the count control terminal C0NT of the read address counter 5, and is input from the write control signal input terminal 3. The write control signal WC to be
It is input to the count control terminal C0NT of the write address counter 6.

2つのアドレスカウンタ5.6から夫々出力される読出
アドレスRAD及び書込アドレスWADは、アドレスセ
レクタ7の選択入力端子A、Bに夫々入力されている。
The read address RAD and write address WAD respectively output from the two address counters 5.6 are input to selection input terminals A and B of the address selector 7, respectively.

一方、D型フリップフロップ4のQ出力であるライトイ
ネーブル信号WEがアドレスセレクタ7の選択制御端子
Sに供給されている。アートレスセレクタ7は、選択制
御端子Sのレベルが“H”のときに選択入力端子A1つ
まり読出アドレスRADを選択し、選択制御端子Sのレ
ベルが“L Itのときに選択入力端子B1つまり書込
アドレスWADを選択する。そして、選択されたアドレ
スは、アドレスセレクタ7の出力端子Yから出力され、
RAMアドレスADとしてRAM(ランダム・アクセス
・メモリ)8のアドレス入力端子ADRに与えられてい
る。
On the other hand, a write enable signal WE, which is the Q output of the D-type flip-flop 4, is supplied to the selection control terminal S of the address selector 7. The artless selector 7 selects the selection input terminal A1, that is, the read address RAD, when the level of the selection control terminal S is "H", and selects the selection input terminal B1, that is, the write address, when the level of the selection control terminal S is "L It". The selected address is output from the output terminal Y of the address selector 7.
It is applied to an address input terminal ADR of a RAM (random access memory) 8 as a RAM address AD.

このRAMのクロック入力端子CLKには、クロック信
号CKをインバータ9にて反転させたRAMクロック信
号(メモリクロック信号)RCKが供給されている。ま
た、RAM8の読出/書込制御端子R/Wには、D型フ
リップフロップ4からのライトイネーブル信号WEが入
力されている。
A RAM clock signal (memory clock signal) RCK obtained by inverting the clock signal CK by an inverter 9 is supplied to the clock input terminal CLK of this RAM. Further, the write enable signal WE from the D-type flip-flop 4 is input to the read/write control terminal R/W of the RAM 8 .

更に、RAM8のデータ入力端子INには、データ入力
端子10からの入力データDIが入力され、RAM8の
データ出力端子OUTからは、出力データDoがデータ
出力端子11に出力されるようになっている。
Furthermore, the input data DI from the data input terminal 10 is input to the data input terminal IN of the RAM 8, and the output data Do is output from the data output terminal OUT of the RAM 8 to the data output terminal 11. .

第6図は、この回路の動作を示すタイミング図である。FIG. 6 is a timing diagram showing the operation of this circuit.

RAM8は、通常、書込状態になっているが、読出制御
信号RCが“H”レベルになると、D型フリップフロッ
プ4は、次のクロック信号CKの立上がりで上記°“H
”レベルをラッチするので、ライトイネーブル信号WE
が立上がり、RAM8は読出状態になる。このとき、読
出アドレスカウンタ5がカウントアツプして読出アドレ
スRADが更新される。RAM8が読出状態になると、
アドレスセレクタ7で読出アドレスRADが選択され、
これがRAM8にRAMアドレスADとして与えられる
ので、RAM8から対応するアドレスの出力データDO
が読み出される。この読出は、RAMクロック信号RC
Kに従って行なわれる。
The RAM 8 is normally in the write state, but when the read control signal RC goes to the "H" level, the D-type flip-flop 4 goes to the "H" level at the next rise of the clock signal CK.
”Since the level is latched, the write enable signal WE
rises, and the RAM 8 enters the read state. At this time, the read address counter 5 counts up and the read address RAD is updated. When RAM8 enters the read state,
Read address RAD is selected by address selector 7,
This is given to RAM8 as the RAM address AD, so the output data DO of the corresponding address from RAM8
is read out. This reading is performed using the RAM clock signal RC.
It is done according to K.

次のクロック信号CKの立上がりで、D型フリップフロ
ップ4は読出制御信号RCとして“L”レベルをラッチ
するので、ライトイネーブル信号WEが立ち下がり、R
AM8が書込状態に戻る。
At the next rise of the clock signal CK, the D-type flip-flop 4 latches the "L" level as the read control signal RC, so the write enable signal WE falls and the R
AM8 returns to write state.

RAM8が書込状態に戻ると、アドレスセレクタ7で書
込アドレスWADが選択され、これがRAM8にRAM
アドレスADとして与えられる。これにより、RAM8
の書込アドレスWADで指定された記憶領域には、デー
タ入力端子10からの入力データDIが書き込まれる。
When RAM8 returns to the write state, write address WAD is selected by address selector 7, and this is written to RAM8.
It is given as address AD. As a result, RAM8
The input data DI from the data input terminal 10 is written into the storage area specified by the write address WAD.

この書込もRAMクロック信号RCKに従って行なわれ
る。
This writing is also performed according to RAM clock signal RCK.

書込制御信号WCが“H”レベルになると、次のクロッ
ク信号CKの立上がりで書込アドレスカウンタ6がカウ
ントアツプして、書込アドレスWADが更新される。
When write control signal WC goes to "H" level, write address counter 6 counts up at the next rise of clock signal CK, and write address WAD is updated.

[発明が解決しようとする課題] ところで、上述したエラスティックストア回路では、読
出/書込要求が非同期で発生し、しかも読出要求に対し
ては即座にデータを出力する必要がある。このため、従
来の回路では、メモリを動作させるためのメモリクロッ
ク信号RCKを、クロック信号CKと同一周期に設定し
、いつ読出要求があっても即座にデータを読み出すこと
ができるように、RAM8をクロック信号に同期させて
動作させている。このため、メモリの動作頻度が極めて
高く、余分な書込動作が頻繁に行なわれることにより、
消費電力を無駄に費やしてしまうという問題点があった
[Problems to be Solved by the Invention] In the elastic store circuit described above, read/write requests occur asynchronously, and data must be output immediately in response to the read requests. For this reason, in conventional circuits, the memory clock signal RCK for operating the memory is set to the same period as the clock signal CK, and the RAM 8 is set so that the data can be read out immediately no matter when there is a read request. It operates in synchronization with a clock signal. For this reason, the memory operation frequency is extremely high, and redundant write operations are frequently performed.
There was a problem that power consumption was wasted.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
非同期で発生する読出/書込要求に対して何ら支障がな
い動作を行ないつつ、大幅な低消費電力化を図ることが
できるエラスティックストア回路を提供することを目的
とする。
The present invention has been made in view of such problems, and includes:
It is an object of the present invention to provide an elastic store circuit that can significantly reduce power consumption while operating without any problem in response to read/write requests that occur asynchronously.

[課題を解決するための手段] 本発明に係るエラスティックストア回路は、読出制御信
号に基づきクロック信号に同期させて読出アドレスを更
新し出力する読出アドレスカウンタと、書込制御信号に
基づきクロック信号に同期させて書込アドレスを更新し
出力する書込アドレスカウンタと、前記読出制御信号に
従って前記読出アドレスカウンタから出力される読出ア
ドレスと前記書込アドレスカウンタから出力される書込
アドレスとを選択して出力するアドレスセレクタと、前
記読出制御信号によって読出状態又は書込状態に制御さ
れると共に前記アドレスセレクタで選択されたアドレス
を入力する読出書込メモリと、前記読出制御信号によっ
てその出力が特定の値にセットされ前記クロック信号に
よって分周動作を行なう分周手段と、この分周手段の出
力が前記特定の値のときに前記読出書込メモリを動作さ
せるメモリクロック信号を出力するメモリクロック出力
手段とを有することを特徴とする。
[Means for Solving the Problems] An elastic store circuit according to the present invention includes a read address counter that updates and outputs a read address in synchronization with a clock signal based on a read control signal, and a clock signal based on a write control signal. a write address counter that updates and outputs a write address in synchronization with the read address counter, and a read address output from the read address counter and a write address output from the write address counter in accordance with the read control signal. a read/write memory that is controlled to be in a read state or a write state by the read control signal and receives the address selected by the address selector; frequency dividing means that is set to a value and performs a frequency dividing operation according to the clock signal; and memory clock output means that outputs a memory clock signal that operates the read/write memory when the output of the frequency dividing means is the specific value. It is characterized by having the following.

[作用コ 本発明によれば、クロック信号によって分周手段が分周
動作を行ない、その出力値が特定の値になったときにメ
モリクロック出力手段がメモリクロック信号を出力する
。つまり、読出書込メモリを動作状態にするメモリクロ
ック信号は、クロック信号よりも長い周期で出力される
ので、読出書込メモリの動作率が制限され、メモリの消
費電力を大幅に抑制することができる。
[Operations] According to the present invention, the frequency dividing means performs a frequency dividing operation in response to a clock signal, and when the output value thereof reaches a specific value, the memory clock output means outputs a memory clock signal. In other words, the memory clock signal that puts the read/write memory into operation is output at a longer cycle than the clock signal, so the operating rate of the read/write memory is limited and the power consumption of the memory can be significantly reduced. can.

また、本発明によれば、読出要求があると前記読出制御
信号によって前記分周手段の出力が前記特定の値にセッ
トされるようになっているので、読出要求があった場合
には、前記読出書込メモリから即座にデータを読み出し
て出力することができる。従って、読出/書込要求に対
して支障がない動作を確保することができる。
Further, according to the present invention, when there is a read request, the output of the frequency dividing means is set to the specific value by the read control signal. Data can be immediately read and output from the read/write memory. Therefore, it is possible to ensure operation that does not interfere with read/write requests.

[実施例コ 以下、添付の図面に基づいて本発明の実施例について説
明する。
[Embodiments] Hereinafter, embodiments of the present invention will be described based on the accompanying drawings.

第1図は本発明の第1の実施例に係るエラスティックス
トア回路の構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of an elastic store circuit according to a first embodiment of the present invention.

なお、第1図において、第5図に示した従来の回路と同
一部分には同一符号を付し、重複する部分の説明は省略
する。
In FIG. 1, the same parts as those of the conventional circuit shown in FIG. 5 are given the same reference numerals, and the explanation of the overlapping parts will be omitted.

この回路が第5図に示した従来の回路と異なる点は、R
AM8を駆動するRAMクロック信号RCKを生成し出
力する手段にある。即ち、この実施例の回路では、クロ
ック信号CKがアップカウンタ21に入力されており、
このアップカウンタ21の出力と、クロック信号CKと
が4人力のNORゲート22に入力され、NORゲート
22の出力がRAMクロック信号RCKとしてRAM8
のクロック入力端子CLKに供給されている。
This circuit differs from the conventional circuit shown in FIG.
It is a means for generating and outputting the RAM clock signal RCK that drives AM8. That is, in the circuit of this embodiment, the clock signal CK is input to the up counter 21,
The output of this up counter 21 and the clock signal CK are input to the four-man NOR gate 22, and the output of the NOR gate 22 is input to the RAM 8 as the RAM clock signal RCK.
is supplied to the clock input terminal CLK of.

なお、ここで書込要求と読出要求とが、共に20クロッ
ク以上の間隔で出力されるものと仮定すると、アップカ
ウンタ21には3ビツトのアップカウンタを使用するこ
とができる。即ち、アップカウンタ21は、縦続接続さ
れた3段構成のD型フリップフロップ2フ、28.29
と、読出制御信号RCを反転させるインバータ23と、
このインバータ23の出力によって各り型フリップフロ
ップ27〜29を強制的にリセットするためのANDゲ
ート24,25.26と、上位ビットの桁上げタイミン
グを制御するANDゲート31及びEX−OR(排他的
論理和)ゲート30.32とから構成されている。
Here, assuming that both the write request and the read request are output at intervals of 20 clocks or more, a 3-bit up counter can be used as the up counter 21. That is, the up counter 21 includes two D-type flip-flops 28 and 29 connected in cascade in a three-stage configuration.
and an inverter 23 that inverts the read control signal RC.
AND gates 24, 25, 26 for forcibly resetting each flip-flop 27 to 29 by the output of this inverter 23, AND gate 31 and EX-OR (exclusive (OR) gates 30 and 32.

次にこのように構成された本実施例に係るエラスティッ
クストア回路の動作を説明する。
Next, the operation of the elastic store circuit according to this embodiment configured as described above will be explained.

第2図はこの回路の動作を示すタイミング図である。FIG. 2 is a timing diagram showing the operation of this circuit.

RAM8は、通常、書込状態になっているが、読出制御
信号RCが“H″レベルなると、D型フリップフロップ
4は、次のクロック信号CKの立上がりで上記“81ル
ベルをラッチするので、ライトイネーブル信号WEが立
上がり、RAM8は読出状態になる。このとき、読出ア
ドレスカウンタ5がカウントアツプして読出アドレスR
ADは更新される。
The RAM 8 is normally in the write state, but when the read control signal RC goes to "H" level, the D-type flip-flop 4 latches the "81 level" at the next rising edge of the clock signal CK, so that the write state is not performed. The enable signal WE rises and the RAM 8 enters the read state.At this time, the read address counter 5 counts up and the read address R
AD is updated.

また、読出制御信号RCが“H′”レベルになると、ア
ップカウンタ21のインバータ23及びANDNOゲー
ト226を介してD型フリップフロップ27〜29のデ
ータ端子りに“L″レベル供給されるので、これが次の
クロック信号CKでラッチされ、アップカウンタ21の
出力は“0”にリセットされる。このアップカウンタ2
1の出力は、クロック信号CKによって順次歩進され、
6′7″″になると再び′0″に戻る。そして、アップ
カウンタ21の出力が“OIIである期間だけ、クロッ
ク信号CKの“L IIレベルの期間に対応したRAM
クロック信号RCKが、NORゲート22からRAM8
に出力される。従って、RAMクロック信号RCKは、
クロック信号CKの8倍の周期のパルス信号となる。
Furthermore, when the read control signal RC goes to the "H'" level, it is supplied to the data terminals of the D-type flip-flops 27 to 29 at the "L" level via the inverter 23 of the up counter 21 and the ANDNO gate 226. It is latched by the next clock signal CK, and the output of the up counter 21 is reset to "0". This up counter 2
The output of 1 is sequentially stepped by the clock signal CK,
When it reaches 6'7'', it returns to '0' again. Then, only during the period when the output of the up counter 21 is at 'OII', the RAM corresponding to the period at which the clock signal CK is at the 'L II level' is
The clock signal RCK is sent from the NOR gate 22 to the RAM 8.
is output to. Therefore, the RAM clock signal RCK is
This becomes a pulse signal with a period eight times that of the clock signal CK.

このRAMクロック信号RCKがRAM8に与えられる
と、RAM8は、アドレスセレクタ7で選択された読出
アドレスRADで指定される記憶領域から出力データD
oを読み出し、これをデータ出力端子11に出力する。
When this RAM clock signal RCK is applied to the RAM 8, the RAM 8 outputs the output data D from the storage area specified by the read address RAD selected by the address selector 7.
o is read and outputted to the data output terminal 11.

次のクロック信号CKの立上がりで、D型フリップフロ
ップ4は読出制御信号RCとして“L”レベルをラッチ
するので、ライトイネーブル信号WEが立ち下がり、R
AM8が書込状態に戻る。
At the next rise of the clock signal CK, the D-type flip-flop 4 latches the "L" level as the read control signal RC, so the write enable signal WE falls and the R
AM8 returns to write state.

RAM8が書込状態に戻ると、アドレスセレクタ7で書
込アドレスWADが選択され、RAM8にRAMアドレ
スADとして与えられる。これにより、RAM8の書込
アドレスWADで指定された記憶領域に、データ入力端
子10からの入力データDIが書き込まれる。この書き
込みも、アップカウンタ21の出力が6“O”になる度
にNORゲート22から出力されるRAMクロック信号
RCKに従って行なわれる。
When the RAM 8 returns to the write state, the address selector 7 selects the write address WAD and provides it to the RAM 8 as the RAM address AD. As a result, the input data DI from the data input terminal 10 is written into the storage area specified by the write address WAD of the RAM 8. This writing is also performed in accordance with the RAM clock signal RCK output from the NOR gate 22 every time the output of the up counter 21 reaches 6 "O".

このように、本実施例の回路によれば、RAMクロック
信号RCKの出力周期を従来の8倍にしたので、RAM
8の動作率が1/8に抑制され、消費電力も約1/8に
抑制することになる。
In this way, according to the circuit of this embodiment, the output period of the RAM clock signal RCK is made eight times that of the conventional one.
8 is suppressed to 1/8, and power consumption is also suppressed to about 1/8.

なお、この実施例では、書込要求間隔及び読出要求間隔
を20クロック以上とし、RAMクロック信号RCKの
周期を8クロツクとしたが、RAMクロック信号RCK
の周期はこれに限定されるものではない。しかし、この
RAMクロック信号RCKの周期は、読出要求発生前後
に書き込みされないアドレスが発生するのを防止するう
えから、書込要求間隔及び読出要求間隔の1/2以下に
設定されていることが望ましい。
In this embodiment, the write request interval and the read request interval are set to 20 clocks or more, and the period of the RAM clock signal RCK is set to 8 clocks.
The period of is not limited to this. However, the cycle of this RAM clock signal RCK is desirably set to 1/2 or less of the write request interval and the read request interval in order to prevent addresses from being written to before and after the read request is generated. .

また、この第1の実施例では、分周手段として計数値が
“8”の3ビツトのアップカウンタを使用したが、この
ように計数値が2のべき乗であると、カウンタの最適化
を図ることができる。また、第1の実施例では、アップ
カウンタを使用したが、ダウンカウンタでも同様に実現
することができる。
In addition, in this first embodiment, a 3-bit up counter with a count value of "8" was used as the frequency dividing means, but if the count value is a power of 2 in this way, it is possible to optimize the counter. be able to. Further, in the first embodiment, an up counter is used, but a down counter can also be used.

第3図は、本発明の第2の実施例に係るエラスティック
ストア回路のブロック図である。なお、第3図において
、第1図に示した第1の実施例と同一部分には同一符号
を付し、重複する部分の説明は省略する。
FIG. 3 is a block diagram of an elastic store circuit according to a second embodiment of the present invention. In FIG. 3, the same parts as in the first embodiment shown in FIG. 1 are given the same reference numerals, and the explanation of the overlapping parts will be omitted.

この実施例では、分周手段として先の実施例で使用した
3ビツトのアップカウンタ21の代わりに、8ビツトの
リングカウンタ41を使用している。リングカウンタ4
1は、クロック信号CKによってラッチ動作を行なう縦
続接続された8段構成のD型フリップフロップ51〜5
8と、読出制御信号RCによってD型フリップフロップ
51〜58を強制的にリセットするためのNORゲート
43〜49及びORゲート50とから構成されている。
In this embodiment, an 8-bit ring counter 41 is used as the frequency dividing means in place of the 3-bit up counter 21 used in the previous embodiment. ring counter 4
1 is a cascade-connected eight-stage D-type flip-flop 51 to 5 that performs a latch operation in response to a clock signal CK.
8, NOR gates 43-49 and an OR gate 50 for forcibly resetting the D-type flip-flops 51-58 by a read control signal RC.

リングカウンタ41の出力はクロック信号CKと共に2
人力のNORゲート42に入力されている。そして、N
ORゲート42の出力がRAMクロック信号RCKとし
てRAM8に供給されている。
The output of the ring counter 41 is 2 along with the clock signal CK.
It is input to a human-powered NOR gate 42. And N
The output of OR gate 42 is supplied to RAM 8 as RAM clock signal RCK.

第4図は、この回路の動作を示すタイミング図である。FIG. 4 is a timing diagram showing the operation of this circuit.

この図に示すように、リングカウンタ41の最終段の出
力は、8クロツクに1度“L゛レベルなるが、この“L
”レベル期間で、且つクロック信号GKの°“l、 I
Iレベル期間にRAMクロック信号RCKがRAM8に
供給される。
As shown in this figure, the output of the final stage of the ring counter 41 reaches the "L" level once every eight clocks;
” level period and the clock signal GK °“l, I
RAM clock signal RCK is supplied to RAM8 during the I level period.

この実施例においても、先の実施例と同様、RAM8の
動作率を1/8に抑制して、消費電力の低減を図ること
ができる。
In this embodiment as well, as in the previous embodiment, the operation rate of the RAM 8 can be suppressed to ⅛, thereby reducing power consumption.

[発明の効果コ 以上説明したように、本発明によれば、読出書込メモリ
を動作状態にするメモリクロック信号は、クロック信号
を分周して得られるものであるから、書込読出メモリの
動作率が制限され、メモリの消費電力をその分周率に応
じた割合まで抑制することができる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, the memory clock signal that puts the read/write memory into operation is obtained by dividing the clock signal. The operation rate is limited, and the power consumption of the memory can be suppressed to a proportion corresponding to the frequency division ratio.

また、本発明によれば、前記分周手段の出力が前記読出
制御信号によって前記特定の値にセットされるようにな
っているので、読出要求があった場合には、前記読出書
込メモリから即座にデータを読み出して出力することが
できる。
Further, according to the present invention, the output of the frequency dividing means is set to the specific value by the read control signal, so that when there is a read request, the output from the read/write memory is set to the specific value. Data can be read and output immediately.

従って、本発明によれば、非同期で発生する読出/書込
要求に対して何ら支障がない動作を行いつつ、回路の大
幅な低消費電力化を図ることができる。
Therefore, according to the present invention, it is possible to significantly reduce the power consumption of the circuit while performing operations without any problem in response to read/write requests that occur asynchronously.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の第1の実施例に係るエラスティックス
トア回路のブロック図、第2図は同回路の動作を示すタ
イミング図、第3図は本発明の第2の実施例に係るエラ
スティックストア回路のブロック図、第4図は第3図の
回路の動作を示すタイミング図、第5図は従来のエラス
ティックストア回路のブロック図、第6図は第5図の回
路の動作を示すタイミング図である。 1;クロック入力端子、2;読出制御信号入力端子、3
;書込制御信号入力端子、4.27〜29.51〜58
;D型フリップフロップ、5;読出アドレスカウンタ、
6;書込アドレスカウンタ、7;アドレスセレクタ、8
 ;RAM、9,23 ;インバータ、10;データ入
力端子、11;データ出力端子、21;アップカウンタ
、22.42〜49;NORゲート、24〜2B、31
  ;ANDゲート、30,32;EX−ORゲート、
41;リングカウンタ、50;ORゲート
FIG. 1 is a block diagram of an elastic store circuit according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a timing diagram showing the operation of the circuit, and FIG. 3 is an error diagram of an elastic store circuit according to a second embodiment of the present invention. A block diagram of the stick store circuit, FIG. 4 is a timing diagram showing the operation of the circuit in FIG. 3, FIG. 5 is a block diagram of a conventional elastic store circuit, and FIG. 6 is a diagram showing the operation of the circuit in FIG. 5. FIG. 1; Clock input terminal, 2; Read control signal input terminal, 3
;Write control signal input terminal, 4.27-29.51-58
; D-type flip-flop; 5; read address counter;
6; Write address counter, 7; Address selector, 8
;RAM, 9, 23;Inverter, 10;Data input terminal, 11;Data output terminal, 21;Up counter, 22.42-49;NOR gate, 24-2B, 31
;AND gate, 30,32;EX-OR gate,
41; Ring counter, 50; OR gate

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)読出制御信号に基づきクロック信号に同期させて
読出アドレスを更新し出力する読出アドレスカウンタと
、書込制御信号に基づきクロック信号に同期させて書込
アドレスを更新し出力する書込アドレスカウンタと、前
記読出制御信号に従って前記読出アドレスカウンタから
出力される読出アドレスと前記書込アドレスカウンタか
ら出力される書込アドレスとを選択して出力するアドレ
スセレクタと、前記読出制御信号によって読出状態又は
書込状態に制御されると共に前記アドレスセレクタで選
択されたアドレスを入力する読出書込メモリと、前記読
出制御信号によってその出力が特定の値にセットされ前
記クロック信号によって分周動作を行なう分周手段と、
この分周手段の出力が前記特定の値のときに前記読出書
込メモリを動作させるメモリクロック信号を出力するメ
モリクロック出力手段とを有することを特徴とするエラ
スティックストア回路。
(1) A read address counter that updates and outputs a read address in synchronization with a clock signal based on a read control signal, and a write address counter that updates and outputs a write address in synchronization with a clock signal based on a write control signal. an address selector that selects and outputs a read address output from the read address counter and a write address output from the write address counter according to the read control signal; a read/write memory that is controlled to be in a read/write state and receives an address selected by the address selector; and a frequency divider whose output is set to a specific value by the read control signal and performs a frequency dividing operation by the clock signal. and,
An elastic store circuit comprising memory clock output means for outputting a memory clock signal for operating the read/write memory when the output of the frequency dividing means is the specific value.
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