JPH04188105A - 液晶デバイスの製造方法 - Google Patents
液晶デバイスの製造方法Info
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- JPH04188105A JPH04188105A JP31602390A JP31602390A JPH04188105A JP H04188105 A JPH04188105 A JP H04188105A JP 31602390 A JP31602390 A JP 31602390A JP 31602390 A JP31602390 A JP 31602390A JP H04188105 A JPH04188105 A JP H04188105A
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- Japan
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- liquid crystal
- crystal device
- ultraviolet
- ultraviolet rays
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、大面積になし得る液晶デバイスの製造方法に
関するもので、更に詳しくは、視野の遮断、開放及び明
りもしくは照明光の透過制限、遮断、透過を電気的又は
熱的に操作し得るものであって、建物の窓やショーウィ
ンドウなどで視野遮断のスクリーンや、採光コントロー
ルのカーテンに利用されると共に、文字や図形を表示し
、高速応答性を以って電気的に表示を切り換えることに
よって、OA機器のデイスプレィ等のハイインフォーメ
ーション表示体や広告板、案内板、装飾表足板等として
利用される液晶デバイスの製造方法に関する。
関するもので、更に詳しくは、視野の遮断、開放及び明
りもしくは照明光の透過制限、遮断、透過を電気的又は
熱的に操作し得るものであって、建物の窓やショーウィ
ンドウなどで視野遮断のスクリーンや、採光コントロー
ルのカーテンに利用されると共に、文字や図形を表示し
、高速応答性を以って電気的に表示を切り換えることに
よって、OA機器のデイスプレィ等のハイインフォーメ
ーション表示体や広告板、案内板、装飾表足板等として
利用される液晶デバイスの製造方法に関する。
[従来の技術]
電極層を有していてもよい透明な2枚の基板の間に支持
された調光層を有し、前記液晶材料が連続相を形成し前
記透明性固体物質が前記液晶材料の連続相中に3次元ネ
ットワーク状に存在している液晶デバイス(以下、液晶
デバイスという。)の製造方法において、液晶材料、光
重合性組成物、光重合開始剤及びその他任意成分よりな
る調光層構成材料に紫外線を照射する場合、紫外線を直
接、調光層構成材料に照射する方法が用いられていた。
された調光層を有し、前記液晶材料が連続相を形成し前
記透明性固体物質が前記液晶材料の連続相中に3次元ネ
ットワーク状に存在している液晶デバイス(以下、液晶
デバイスという。)の製造方法において、液晶材料、光
重合性組成物、光重合開始剤及びその他任意成分よりな
る調光層構成材料に紫外線を照射する場合、紫外線を直
接、調光層構成材料に照射する方法が用いられていた。
[発明が解決しようとする課題]
このようにして作成された液晶デバイスは、低電圧駆動
性、高コントラスト、時分割駆動性及び明るい画質等に
優れているが、得られた液晶デバイスの抵抗が低く、消
費電力の増大、寿命の低下、そして電圧保持率の低下に
よる表示画面にちらつきを起こすという問題点を有して
いた。
性、高コントラスト、時分割駆動性及び明るい画質等に
優れているが、得られた液晶デバイスの抵抗が低く、消
費電力の増大、寿命の低下、そして電圧保持率の低下に
よる表示画面にちらつきを起こすという問題点を有して
いた。
本発明が解決しようとする課題は、低電圧駆動性、高フ
ントラスト、時分割駆動性及び明るい画質等に優れ、し
かも抵抗が大きく、電圧保持率か高い液晶デバイスの製
造方法を提供することにある。
ントラスト、時分割駆動性及び明るい画質等に優れ、し
かも抵抗が大きく、電圧保持率か高い液晶デバイスの製
造方法を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
本発明者らは、液晶デバイスの作製時における紫外線が
、予想以上に液晶材料の光劣化の原因となり、液晶デバ
イスの抵抗及び電圧保持率の低下につながっている見い
出し、上記課題を解決するに至った。
、予想以上に液晶材料の光劣化の原因となり、液晶デバ
イスの抵抗及び電圧保持率の低下につながっている見い
出し、上記課題を解決するに至った。
即ち、本発明は、上記課題を解決するために、電極層を
有していてもよい少なくとも一方か透明な2枚の基板間
に液晶材料、光重合性組成物及び光重合開始剤を含有す
る調光層構成材料を介在させた後、紫外線を照射し、光
重合性組成物を重合させることにより液晶連続相中に3
次元ネットワーク状の透明性高分子物質を形成させる液
晶デバイスの製造方法において、紫外線として短波長紫
外領域を遮断した紫外線を用いることを特徴とする液晶
デバイスの製造方法を提供する。
有していてもよい少なくとも一方か透明な2枚の基板間
に液晶材料、光重合性組成物及び光重合開始剤を含有す
る調光層構成材料を介在させた後、紫外線を照射し、光
重合性組成物を重合させることにより液晶連続相中に3
次元ネットワーク状の透明性高分子物質を形成させる液
晶デバイスの製造方法において、紫外線として短波長紫
外領域を遮断した紫外線を用いることを特徴とする液晶
デバイスの製造方法を提供する。
本発明で使用する基板は、堅固な材料、例えば、ガラス
、金属等であっても良く、柔軟性を有する材料、例えば
、プラスチックフィルムの如きものであっても良い。そ
して、基板は、2枚が対向して適当な間隔を隔て得るも
のである。また、その少なくとも一方は、透明性を有し
、その2枚の間に挟持される調光層を外界から視覚させ
るものでなければならない。但し、完全な透明性を必須
とするものではない。もし、この液晶デバイスが、デバ
イスの一方の側から他方の側へ通過する光に対して作用
させるために使用される場合は、2枚の基板は、共に適
宜な透明性が与えられる。この基板には、目的に応じて
透明、不透明の適宜な電極が、その全面又は部分的に配
置されても良い。
、金属等であっても良く、柔軟性を有する材料、例えば
、プラスチックフィルムの如きものであっても良い。そ
して、基板は、2枚が対向して適当な間隔を隔て得るも
のである。また、その少なくとも一方は、透明性を有し
、その2枚の間に挟持される調光層を外界から視覚させ
るものでなければならない。但し、完全な透明性を必須
とするものではない。もし、この液晶デバイスが、デバ
イスの一方の側から他方の側へ通過する光に対して作用
させるために使用される場合は、2枚の基板は、共に適
宜な透明性が与えられる。この基板には、目的に応じて
透明、不透明の適宜な電極が、その全面又は部分的に配
置されても良い。
但し、プラスチックフィルムの如き柔軟性を有する材料
の場合は、堅固な材料、例えば、ガラス、金属等に固定
したうえで、本発明の製造方法に用いることができる。
の場合は、堅固な材料、例えば、ガラス、金属等に固定
したうえで、本発明の製造方法に用いることができる。
、2枚の基板間には、液晶材料及び透明性高分子物質か
ら成る調光層が介在される。尚、2枚の基板間には、通
常、周知の液晶デバイスと同様、間隔保持用のスペーサ
ーを介在させるのが望ましい。
ら成る調光層が介在される。尚、2枚の基板間には、通
常、周知の液晶デバイスと同様、間隔保持用のスペーサ
ーを介在させるのが望ましい。
スペーサーとしては、例えば、マイラー、アルミナ、ポ
リマービーズ等種々の液晶セル用のものを用いることが
できる。
リマービーズ等種々の液晶セル用のものを用いることが
できる。
基板間隔の均一性を得るためにはスペーサーが基板面に
均一に分布させることが重要であり、そのために■スペ
ーサーを前記調光層構成材料中に懸濁、分散させ、スペ
ーサーが分離又は沈降しない間に、その懸濁又は分散液
を基板の全面に押し広げる方法、又は■あらかじめスペ
ーサーを基板上に均一に散布又は基板上にスペーサー用
突起物を設けておく方法がある。あらかじめ散布してお
く方法としては、例えば、スペーサーを低沸点溶媒に懸
濁させ、その懸濁液を基板上に塗布した後、溶媒を乾燥
させる方法があり、印刷等の方法で基板面にスペーサー
用突起物を設ける方法も効果的である。
均一に分布させることが重要であり、そのために■スペ
ーサーを前記調光層構成材料中に懸濁、分散させ、スペ
ーサーが分離又は沈降しない間に、その懸濁又は分散液
を基板の全面に押し広げる方法、又は■あらかじめスペ
ーサーを基板上に均一に散布又は基板上にスペーサー用
突起物を設けておく方法がある。あらかじめ散布してお
く方法としては、例えば、スペーサーを低沸点溶媒に懸
濁させ、その懸濁液を基板上に塗布した後、溶媒を乾燥
させる方法があり、印刷等の方法で基板面にスペーサー
用突起物を設ける方法も効果的である。
本発明で使用する液晶材料は、単一の液晶性化合物であ
ることを要しないのは勿論で、2種以上の液晶化合物や
液晶化合物以外の物質も含んだ混合物であっても良く、
通常この技術分野で液晶材料として認識されるものであ
れば良く、そのうちの正の誘電率異方性を有するものが
好ましい。用いられる液晶としては、ネマチック液晶、
スメクチック液晶、コレステリック液晶が好ましく、ネ
マチック液晶が特に好ましい。その性能を改善するため
に、コレステリック液晶、カイラルネマチック液晶、カ
イラルスメクチック液晶等、カイラル化合物や2色性染
料等が適宜含まれていてもよい。
ることを要しないのは勿論で、2種以上の液晶化合物や
液晶化合物以外の物質も含んだ混合物であっても良く、
通常この技術分野で液晶材料として認識されるものであ
れば良く、そのうちの正の誘電率異方性を有するものが
好ましい。用いられる液晶としては、ネマチック液晶、
スメクチック液晶、コレステリック液晶が好ましく、ネ
マチック液晶が特に好ましい。その性能を改善するため
に、コレステリック液晶、カイラルネマチック液晶、カ
イラルスメクチック液晶等、カイラル化合物や2色性染
料等が適宜含まれていてもよい。
ネマチック液晶としては、正の誘電率異方性(Δε)を
示し、△εが8以上であり、複屈折率(△n)の大きさ
が0.1以上であればよい。
示し、△εが8以上であり、複屈折率(△n)の大きさ
が0.1以上であればよい。
液晶分散型の液晶デバイスにおいて問題となる液晶とポ
リマーの屈折率の差に関しては、本発明においては液晶
成分が多量であるため、あまり気にすることなく広範囲
の液晶及び重合体の組合せが可能となる。
リマーの屈折率の差に関しては、本発明においては液晶
成分が多量であるため、あまり気にすることなく広範囲
の液晶及び重合体の組合せが可能となる。
本発明で使用できる液晶材料は、下記一般式で示した化
合物群より構成される配合組成物であり、液晶材料の特
性、即ち、等方性液体と液晶の相転移温度、融点、粘度
、Δn、Δε及び光重合性組成物等との溶解性等を改善
することを目的として適宜選択、配合して用いることが
できる。
合物群より構成される配合組成物であり、液晶材料の特
性、即ち、等方性液体と液晶の相転移温度、融点、粘度
、Δn、Δε及び光重合性組成物等との溶解性等を改善
することを目的として適宜選択、配合して用いることが
できる。
を表わし、−Q−は、−C=C−又は−COO−を表わ
し、Xは、CN、R’ 、R’ O又はNCSを表わし
、Yは、HS F又はC1を表わし、R及びR′は、各
々独立的に炭素原子数1〜6のアルキル基を表わし、m
は、1又は2を表わし、nは、0又はlを表わす。
し、Xは、CN、R’ 、R’ O又はNCSを表わし
、Yは、HS F又はC1を表わし、R及びR′は、各
々独立的に炭素原子数1〜6のアルキル基を表わし、m
は、1又は2を表わし、nは、0又はlを表わす。
調光層中に占める液晶材料の比率は、60〜95重量%
の範囲が好ましく、70〜90重量%の範囲が特に好ま
しい。(以下、「%」は、「重量%」を意味する。) 光重合性組成物としては、高分子形成性モノマー若しく
はオリゴマーが挙げられ、硬化によって液晶材料の連続
相中に3次元ネットワーク構造を形成するものであれば
、堅固なものに限らず、目的に応じ得る限り可撓性、柔
軟性、弾性を有するものであっても良い。
の範囲が好ましく、70〜90重量%の範囲が特に好ま
しい。(以下、「%」は、「重量%」を意味する。) 光重合性組成物としては、高分子形成性モノマー若しく
はオリゴマーが挙げられ、硬化によって液晶材料の連続
相中に3次元ネットワーク構造を形成するものであれば
、堅固なものに限らず、目的に応じ得る限り可撓性、柔
軟性、弾性を有するものであっても良い。
そのような高分子形成性モノマーとしては、例えば、ス
チレン、クロロスチレン、α−メチルスチレン、ジビニ
ルベンゼン;置換基として、メチル、エチル、プロピル
、ブチル、アミル、2−エチルヘキシル、オクチル、ノ
ニル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、シクロ
ヘキシル、ベンジル、メトキシエチル、ブト牛ジエチル
、フェノキシエチル、アルリル、メタリル、グリシジル
、2−ヒドロキシエチル、2−ヒドロキシプロピル、3
−クロロ−2−ヒドロキシプロピル、ジメチルアミ/エ
チル、ジエチルアミンエチルの如き基を有するアクリレ
ート、メタクリレート又はフマレート;エチレングリコ
ール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール
、ポリプロピレングリコール、1.3−ブチレンゲリコ
ール、テトラメチレングリコール、ヘキサメチレングリ
コール、ネオペンチルグリコール、トリメチロールプロ
パン、グリセリン及びペンタエリスリトール等のポリ(
メタ)アクリレート又はポリ (メタ)アクリレート;
酢酸ビニル、酢酸ビニル又は安息香酸ビニル、アクリロ
ニトリル、七チルビニルエーテル、リモネン、シクロヘ
キセン、ジアリルフタレート、2−13−又は4−ビニ
ルピリジン、アクリル酸、メタクリル酸、アクリルアミ
ド、メタクリルアミド、N−ヒドロキシメチルアクリル
アミド又はN−ヒドロキシエチルメタクリルアミド及び
それらのア/l/ 4 ルエーテル化lf;)ダメチロ
ールプロ821モルに3モル以上のエチレンオ牛すイド
若しくはプロピレンオキサイドを付加して得たトリオー
ルノシ又はトリ(メタ)アクリレート;ネオペンチルグ
リコール1モルに2モル以上のエチレンオ牛すイド若し
くはプロピレンオキサイドを付加して得たジオールのジ
(メタ)アクリレート;2−ヒドロ牛ジエチル(メタ)
アクリレート1モルとフェニルイソシアネート若しくは
n−ブチルイソシフ* −) 1 %ル、!:の反応生
成物;ジペンタエリスリトールのポリ(メタ)アクリレ
ート;トリス−(ヒドロキシエチル)−イソシアヌル酸
のポリ(メタ)アクリレート;トリス−(ヒドロキシエ
チル)−リン酸のポリ (メタ)アクリレート;ジー(
ヒドロキシエチル)−ジシクロペンタジェンのモノ(メ
タ)アクリレート又はジ(メタ)アクリレート;ピバリ
ン酸エステルネオペンチルグリコールジアクリレート;
カプロラクトン変性ヒドロ牛シピパリン酸エステルネオ
ペンチルグリコールシアクリレート;直鎖脂肪族ジアク
リレート;ポリオレフィン変性ネオペンチルグリコール
ジアクリレート等を挙げることができる。
チレン、クロロスチレン、α−メチルスチレン、ジビニ
ルベンゼン;置換基として、メチル、エチル、プロピル
、ブチル、アミル、2−エチルヘキシル、オクチル、ノ
ニル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、シクロ
ヘキシル、ベンジル、メトキシエチル、ブト牛ジエチル
、フェノキシエチル、アルリル、メタリル、グリシジル
、2−ヒドロキシエチル、2−ヒドロキシプロピル、3
−クロロ−2−ヒドロキシプロピル、ジメチルアミ/エ
チル、ジエチルアミンエチルの如き基を有するアクリレ
ート、メタクリレート又はフマレート;エチレングリコ
ール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール
、ポリプロピレングリコール、1.3−ブチレンゲリコ
ール、テトラメチレングリコール、ヘキサメチレングリ
コール、ネオペンチルグリコール、トリメチロールプロ
パン、グリセリン及びペンタエリスリトール等のポリ(
メタ)アクリレート又はポリ (メタ)アクリレート;
酢酸ビニル、酢酸ビニル又は安息香酸ビニル、アクリロ
ニトリル、七チルビニルエーテル、リモネン、シクロヘ
キセン、ジアリルフタレート、2−13−又は4−ビニ
ルピリジン、アクリル酸、メタクリル酸、アクリルアミ
ド、メタクリルアミド、N−ヒドロキシメチルアクリル
アミド又はN−ヒドロキシエチルメタクリルアミド及び
それらのア/l/ 4 ルエーテル化lf;)ダメチロ
ールプロ821モルに3モル以上のエチレンオ牛すイド
若しくはプロピレンオキサイドを付加して得たトリオー
ルノシ又はトリ(メタ)アクリレート;ネオペンチルグ
リコール1モルに2モル以上のエチレンオ牛すイド若し
くはプロピレンオキサイドを付加して得たジオールのジ
(メタ)アクリレート;2−ヒドロ牛ジエチル(メタ)
アクリレート1モルとフェニルイソシアネート若しくは
n−ブチルイソシフ* −) 1 %ル、!:の反応生
成物;ジペンタエリスリトールのポリ(メタ)アクリレ
ート;トリス−(ヒドロキシエチル)−イソシアヌル酸
のポリ(メタ)アクリレート;トリス−(ヒドロキシエ
チル)−リン酸のポリ (メタ)アクリレート;ジー(
ヒドロキシエチル)−ジシクロペンタジェンのモノ(メ
タ)アクリレート又はジ(メタ)アクリレート;ピバリ
ン酸エステルネオペンチルグリコールジアクリレート;
カプロラクトン変性ヒドロ牛シピパリン酸エステルネオ
ペンチルグリコールシアクリレート;直鎖脂肪族ジアク
リレート;ポリオレフィン変性ネオペンチルグリコール
ジアクリレート等を挙げることができる。
高分子形成性オリゴマーとしては、例えば、(1) ビ
スフェノールA型エポキシ樹脂に(メタ)アクリル酸、
更に場合によりヤシ油脂肪酸等の長鎖脂肪酸をエステル
化させて得たエポキシ(メタ)アクリレートあるいはそ
の長鎖脂肪酸変性物、水酸基を有するエポキシ(メタ)
アクリレートに二塩基酸無水物、四塩基酸ジ無水物、無
水トリメリット酸を付加して得たカルボ牛シル基を有す
るエポキシ(メタ)アクリレートの如きエポキシ(メタ
)アクリレート及びその変性物。
スフェノールA型エポキシ樹脂に(メタ)アクリル酸、
更に場合によりヤシ油脂肪酸等の長鎖脂肪酸をエステル
化させて得たエポキシ(メタ)アクリレートあるいはそ
の長鎖脂肪酸変性物、水酸基を有するエポキシ(メタ)
アクリレートに二塩基酸無水物、四塩基酸ジ無水物、無
水トリメリット酸を付加して得たカルボ牛シル基を有す
るエポキシ(メタ)アクリレートの如きエポキシ(メタ
)アクリレート及びその変性物。
(2)英国特許第1.147.732号明細書(特開昭
51−37193号公報及び特開昭51−138797
号公報)に記載されているようなジイソシアナート化合
物とポリオールとを予め反応させて得られる末端インシ
アナート化合物に更にβ−ヒドロキシアルキルアクリレ
ート及び/又はメタクリレートを反応せしめることによ
って得られる分子内に2個以上のアクリロイロキシ基及
び/又はメタクリロイロキシ基をもった付加重合性化合
物。
51−37193号公報及び特開昭51−138797
号公報)に記載されているようなジイソシアナート化合
物とポリオールとを予め反応させて得られる末端インシ
アナート化合物に更にβ−ヒドロキシアルキルアクリレ
ート及び/又はメタクリレートを反応せしめることによ
って得られる分子内に2個以上のアクリロイロキシ基及
び/又はメタクリロイロキシ基をもった付加重合性化合
物。
(3)特公昭47−3262号公報に記載されているよ
うな無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、へ牛す
ヒドロ無水フタル酸、テトラクロロ無水フタル酸、ある
いは無水ヘッド酸のような二塩基酸無水物とグリシジル
アクリレート及び/又はグリシジルメタクリレートを開
環重合して得られるアクリロイロキシ基及び/又はメタ
クリロイロキシ基を多数ペンダントにもった直線状ポリ
エステル化合物。
うな無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、へ牛す
ヒドロ無水フタル酸、テトラクロロ無水フタル酸、ある
いは無水ヘッド酸のような二塩基酸無水物とグリシジル
アクリレート及び/又はグリシジルメタクリレートを開
環重合して得られるアクリロイロキシ基及び/又はメタ
クリロイロキシ基を多数ペンダントにもった直線状ポリ
エステル化合物。
(4)特公昭47−23661号公報に記載されている
ような隣接炭素原子に少なくとも3個のエステル化可能
なヒドロキシル基を有する多価アルコールと、アクリル
酸及び/又はメタクリル酸と、ジカルボン酸及びその無
水物からなる群から選択されたジカルボン酸類との共エ
ステル化によって製造された重合可能なエステル類。
ような隣接炭素原子に少なくとも3個のエステル化可能
なヒドロキシル基を有する多価アルコールと、アクリル
酸及び/又はメタクリル酸と、ジカルボン酸及びその無
水物からなる群から選択されたジカルボン酸類との共エ
ステル化によって製造された重合可能なエステル類。
(5)英国特許第628.150号明細書、米国特許第
3、020.255号明細書及び月刊誌「マクロモレ牛
二−ルズ」第4巻、第5号、第630〜632頁(19
71年)に記載されている如きメラミン又はベンゾグア
ナミンにホルムアルデヒド、メチルアルコール及びβ−
ヒドロキシアルキルアクリレート(又はメタクリレート
)等を反応せしめて得られるポリアクリル(又はポリメ
タクリル)変性トリアジン系樹脂。
3、020.255号明細書及び月刊誌「マクロモレ牛
二−ルズ」第4巻、第5号、第630〜632頁(19
71年)に記載されている如きメラミン又はベンゾグア
ナミンにホルムアルデヒド、メチルアルコール及びβ−
ヒドロキシアルキルアクリレート(又はメタクリレート
)等を反応せしめて得られるポリアクリル(又はポリメ
タクリル)変性トリアジン系樹脂。
(6)米国特許第3.377、406号明細書に記載さ
れているようなポリヒドロ牛シ化合物のグリシジルエー
テル化物にアクリル酸又はメタクリル酸ヲ反応させて得
られる不飽和ポリエステル樹脂。
れているようなポリヒドロ牛シ化合物のグリシジルエー
テル化物にアクリル酸又はメタクリル酸ヲ反応させて得
られる不飽和ポリエステル樹脂。
(7)米国特許第3.455.801号明細書及び米国
特許第3.455.802号明細書に記載されている一
般式(式中、Rは炭素原子数2〜lOの2価の飽和又は
不飽和脂肪族炭化水素基を表わし、R′は炭素原子数2
〜lOの2価の飽和脂肪族炭化水素基を表わし、R”は
水素原子又はメチル基を表わし、nは1〜14の整数を
表わす。) で表わされる両末端にアクリロイロキシ基又はメタクリ
ロイロキシ基を有するポリエステル化合物。
特許第3.455.802号明細書に記載されている一
般式(式中、Rは炭素原子数2〜lOの2価の飽和又は
不飽和脂肪族炭化水素基を表わし、R′は炭素原子数2
〜lOの2価の飽和脂肪族炭化水素基を表わし、R”は
水素原子又はメチル基を表わし、nは1〜14の整数を
表わす。) で表わされる両末端にアクリロイロキシ基又はメタクリ
ロイロキシ基を有するポリエステル化合物。
(8)米国特許第3.483.104号明細書及び米国
特許第3.470.079号明細書に記載されている一
般式%式% (式中、Aは一〇−又は−NH−を表わし、1分子中に
少なくとも2個は−NH−であるものとし、Rは二価の
飽和脂肪族又は不飽和脂肪族炭化水素基を示し、R”は
二価の飽和又は不飽和の脂肪族あるいは環状炭化水素を
表わし、R′は水素原子又はアルキル基を表わし、nは
1〜14の整数を表わす。) テ表ワサレるジアクリル変性(又はジメタクリル変性)
ポリアミド化合物。
特許第3.470.079号明細書に記載されている一
般式%式% (式中、Aは一〇−又は−NH−を表わし、1分子中に
少なくとも2個は−NH−であるものとし、Rは二価の
飽和脂肪族又は不飽和脂肪族炭化水素基を示し、R”は
二価の飽和又は不飽和の脂肪族あるいは環状炭化水素を
表わし、R′は水素原子又はアルキル基を表わし、nは
1〜14の整数を表わす。) テ表ワサレるジアクリル変性(又はジメタクリル変性)
ポリアミド化合物。
(9)4tr公昭48−37246号明細書に記載され
ている一般式 (式中、Xは水素原子又はアシル基を示し、Rは二価の
飽和又は不飽和の脂肪族又は環状炭化水素基を表わし、
R1は二価の脂肪族炭化水素基を表わし、R3は水素原
子又はアルキル基を表わし、Aは一〇−又は−NH−を
表わし、1分子中で少なくとも2個は−NH−であるも
のとし、nは1〜14の整数を表わす。) で表わされるジアクリル変性(又はジメタクリル変性)
ポリアミド化合物。
ている一般式 (式中、Xは水素原子又はアシル基を示し、Rは二価の
飽和又は不飽和の脂肪族又は環状炭化水素基を表わし、
R1は二価の脂肪族炭化水素基を表わし、R3は水素原
子又はアルキル基を表わし、Aは一〇−又は−NH−を
表わし、1分子中で少なくとも2個は−NH−であるも
のとし、nは1〜14の整数を表わす。) で表わされるジアクリル変性(又はジメタクリル変性)
ポリアミド化合物。
(10)米国特許第3.485.732号明細書に記載
されているような飽和又は不飽和の二塩基酸又はその無
水物、あるいは必要に応じてそれらとジオールとを反応
させて得られる両末端にカルボキシル基を有する化合物
に更にグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリ
レートを反応せしめることにより得られるジアクリル変
性(又はジメタクリ変性)ポリエステル化合物。
されているような飽和又は不飽和の二塩基酸又はその無
水物、あるいは必要に応じてそれらとジオールとを反応
させて得られる両末端にカルボキシル基を有する化合物
に更にグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリ
レートを反応せしめることにより得られるジアクリル変
性(又はジメタクリ変性)ポリエステル化合物。
(11)特公昭48−12075号明細書に記載されて
いるごとき分子中に一般式、 −CH,−C−R COOCH,CHCH,0COC=CH。
いるごとき分子中に一般式、 −CH,−C−R COOCH,CHCH,0COC=CH。
(式中、Xはアシル基又はウレタン基を表わし、Rは、
水素原子、塩素原子、メチル基又はシアン基を表わす。
水素原子、塩素原子、メチル基又はシアン基を表わす。
)
で表わされるくり返し単位を有する側鎖に不飽和酸エス
テル結合を有する(メタ)アクリル共重合体に基づく化
合物等を挙げることができる。
テル結合を有する(メタ)アクリル共重合体に基づく化
合物等を挙げることができる。
光重合開始剤としては、例えば、2.4.6− トリメ
チルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド(BAS
F社製[ルシツンTPOJ )、2−ヒドロキシ−2−
メチル−1−フェニルプロパン−1−オン(メルク社製
[ダロ牛ニアl173J)、1−ヒドロキシシクロへキ
シルフェニルケトン(チバ・カイギー社製「イルガキュ
ア184j )、1−(4−イソプロピルフェニル)−
2−ヒドロキン−2−メチルプロパン−1−オン(メル
ク社製「タロキ、 71116J ”) 、ベンジルジ
メチルケタール(チバ・ガイギー社製「イルガキュア6
51J )、2−メチル−1−(4−(メチルチオ)フ
ェニル〕−2−モルホリノプロパ/ン−1(チバ・ガイ
ギー社製「イルガキュア907J ) 、2.4−ジエ
チルチオキサントン(日本化薬社製[カヤキーアDET
XJ )とp−ジメチルアミノ安息香酸エチル(日本化
薬社製[カヤキュアEPAJ )との混合物、イソプロ
ピルチオキサントン(ワードプレキンソツプ社製「カン
タ牛ニアー夏丁X」)とp−ジメチルアミノ安息香酸エ
チルとの混合物等が挙げられるが、より長波長領域で吸
収域を持つ2,4.6− トリメチルベンゾイルジフェ
ニルホスフィンオキシドが広い短波長紫外線領域を遮断
し得るため、特に好ましい。
チルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド(BAS
F社製[ルシツンTPOJ )、2−ヒドロキシ−2−
メチル−1−フェニルプロパン−1−オン(メルク社製
[ダロ牛ニアl173J)、1−ヒドロキシシクロへキ
シルフェニルケトン(チバ・カイギー社製「イルガキュ
ア184j )、1−(4−イソプロピルフェニル)−
2−ヒドロキン−2−メチルプロパン−1−オン(メル
ク社製「タロキ、 71116J ”) 、ベンジルジ
メチルケタール(チバ・ガイギー社製「イルガキュア6
51J )、2−メチル−1−(4−(メチルチオ)フ
ェニル〕−2−モルホリノプロパ/ン−1(チバ・ガイ
ギー社製「イルガキュア907J ) 、2.4−ジエ
チルチオキサントン(日本化薬社製[カヤキーアDET
XJ )とp−ジメチルアミノ安息香酸エチル(日本化
薬社製[カヤキュアEPAJ )との混合物、イソプロ
ピルチオキサントン(ワードプレキンソツプ社製「カン
タ牛ニアー夏丁X」)とp−ジメチルアミノ安息香酸エ
チルとの混合物等が挙げられるが、より長波長領域で吸
収域を持つ2,4.6− トリメチルベンゾイルジフェ
ニルホスフィンオキシドが広い短波長紫外線領域を遮断
し得るため、特に好ましい。
光重合開始剤の使用割合は、光重合性組成物の0.1〜
5.0%の範囲が好ましい。
5.0%の範囲が好ましい。
調光層構成材料に、任意成分として、連鎖移動剤、光増
感剤、染料、架橋剤等を前記モノマー、オリゴマー等の
種類や所望の液晶デバイスの性能に合わせて適宜併用す
ることができる。
感剤、染料、架橋剤等を前記モノマー、オリゴマー等の
種類や所望の液晶デバイスの性能に合わせて適宜併用す
ることができる。
特に、連鎖移動剤の併用は、モノマー又はオリゴマーの
種類によっては極めて効果的で、樹脂の架橋度が高くな
り過ぎるのを防止し、それによって、液晶材料が電界に
応じて応答し易くされ、低電圧駆動性が発揮される。連
鎖移動剤の好例は、ブタンジオールテトラキス(β−チ
オプロピオネート)、トリエチレングリコールジメルカ
プタン等である。連鎖移動剤の添加量は、使用するモノ
マー又はオリゴマ〜の種類によっても異なるが、あまり
に少ないと効果が薄く、多過ぎるとデバイスの不透明度
が低下して表示のコントラストが悪くなる傾向にあるの
で好ましくない。その有効量は、モノマー又はオリゴマ
ーに対して0.05〜30重量%と考えられるが、0.
1〜20重置%が好適である。
種類によっては極めて効果的で、樹脂の架橋度が高くな
り過ぎるのを防止し、それによって、液晶材料が電界に
応じて応答し易くされ、低電圧駆動性が発揮される。連
鎖移動剤の好例は、ブタンジオールテトラキス(β−チ
オプロピオネート)、トリエチレングリコールジメルカ
プタン等である。連鎖移動剤の添加量は、使用するモノ
マー又はオリゴマ〜の種類によっても異なるが、あまり
に少ないと効果が薄く、多過ぎるとデバイスの不透明度
が低下して表示のコントラストが悪くなる傾向にあるの
で好ましくない。その有効量は、モノマー又はオリゴマ
ーに対して0.05〜30重量%と考えられるが、0.
1〜20重置%が好適である。
紫外線硬化方法において、■硬化温度を前記調光層構成
材料の液晶相−等方性液体相の相転移温度より高温に設
定し、■前ffc!調光層構成材料中の液晶材料の紫外
線吸収波長領域を遮断する紫外線カットフィルター等を
間に介して、基板間隔の厚みにより重合性に差が生じな
い程度の強さの紫外線を照射することにより、基板間に
挟持され液晶材料の連続相中に生成する透明性高分子物
質の3次元ネットワークの網目の大きさを均−化及び大
−きざのコントロールをし、もって、明瞭なしきい値電
圧、急峻性そして高抵抗値を有する液晶表示素子、即ち
、時分割駆動表示が可能な液晶デバイスを製造すること
ができる。
材料の液晶相−等方性液体相の相転移温度より高温に設
定し、■前ffc!調光層構成材料中の液晶材料の紫外
線吸収波長領域を遮断する紫外線カットフィルター等を
間に介して、基板間隔の厚みにより重合性に差が生じな
い程度の強さの紫外線を照射することにより、基板間に
挟持され液晶材料の連続相中に生成する透明性高分子物
質の3次元ネットワークの網目の大きさを均−化及び大
−きざのコントロールをし、もって、明瞭なしきい値電
圧、急峻性そして高抵抗値を有する液晶表示素子、即ち
、時分割駆動表示が可能な液晶デバイスを製造すること
ができる。
直接紫外線を照射する場合、その短波長領域の紫外線は
予想以上に液晶材料の光劣化、若しくは光反応を引き起
こし、液晶デバイスの抵抗値の低下の原因となってくる
。
予想以上に液晶材料の光劣化、若しくは光反応を引き起
こし、液晶デバイスの抵抗値の低下の原因となってくる
。
この点より、紫外線カットフィルター等を用いて液晶材
料の紫外線吸収領域を遮断し、紫外線硬化を行なうこと
で液晶材料の抵抗値の低下を抑え、その結果として、駆
動電圧が低く、急峻性に優れ、コントラストの高い液晶
デバイス、即ち、時分割駆動特性の優れた液晶デバイス
を製造することができる。
料の紫外線吸収領域を遮断し、紫外線硬化を行なうこと
で液晶材料の抵抗値の低下を抑え、その結果として、駆
動電圧が低く、急峻性に優れ、コントラストの高い液晶
デバイス、即ち、時分割駆動特性の優れた液晶デバイス
を製造することができる。
ここで用いる紫外線カットフィルターは、ガラスの如き
堅固な材料であってもよく、プラスチックフィルムの如
き柔軟性を有する材料であってもい。また、液体状のも
のを容器に封入したものや透明性の板に塗布したもので
もよい。
堅固な材料であってもよく、プラスチックフィルムの如
き柔軟性を有する材料であってもい。また、液体状のも
のを容器に封入したものや透明性の板に塗布したもので
もよい。
多くの液晶材料は、1BOn+n〜360nmに吸収帯
を持つため、この領域の紫外線を遮断することが好まし
い。しかし、光重合開始剤の吸収領域の紫外線が遮断さ
れると重合が進行しないため、市販の光重合開始剤の吸
収領域を勘案すると390%m以下の紫外線を遮断する
紫外線カットフィルターが特に好ましい。
を持つため、この領域の紫外線を遮断することが好まし
い。しかし、光重合開始剤の吸収領域の紫外線が遮断さ
れると重合が進行しないため、市販の光重合開始剤の吸
収領域を勘案すると390%m以下の紫外線を遮断する
紫外線カットフィルターが特に好ましい。
紫外線カットフィルターの市販品としては、r UV−
35J、rUV−37J、r 5L−IAJ、rL−3
9J、rL−42J (東芝社製)等のガラス製フィ
ルター;r LLCI−82J、rSC−39J (
富士写真フィルム社製)r ZR−350−NEJ
(住友セメント社製)、 「ハイニスAフィルムヨ (
日本カーノイイド社製)、r NR2525SMJ
(サンンエード社製)等のフィルム製フィルターなどが
挙げられる。
35J、rUV−37J、r 5L−IAJ、rL−3
9J、rL−42J (東芝社製)等のガラス製フィ
ルター;r LLCI−82J、rSC−39J (
富士写真フィルム社製)r ZR−350−NEJ
(住友セメント社製)、 「ハイニスAフィルムヨ (
日本カーノイイド社製)、r NR2525SMJ
(サンンエード社製)等のフィルム製フィルターなどが
挙げられる。
[実施例]
以下、本発明の実施例を示し、本発明を更に具体的に説
明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例に限定
されるものではない。
明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例に限定
されるものではない。
以下、実施例において「%」は「重量%」を表わし、評
価特性の各々は以下の記号及び内容を意味する。
価特性の各々は以下の記号及び内容を意味する。
To :白濁度;印加電圧0の時の光透過率(%)TI
Oo:透明度;印加電圧を増加させていき光透過率がほ
とんど増加しなくなった時 の光透過率(%) V+o:L、きい値;Toを0%、T、。。を100%
としたとき光透過率が10%となる印加電圧(Vr+n
s) ■、。:飽和電圧;同上光透過率が90%となる印加電
圧(Vrms) CR:コントラスト=TIG。/T0 又、紫外線の照度はウシオII機社製の受光器UVD−
365PD付きユニメータを用いて測定した。
Oo:透明度;印加電圧を増加させていき光透過率がほ
とんど増加しなくなった時 の光透過率(%) V+o:L、きい値;Toを0%、T、。。を100%
としたとき光透過率が10%となる印加電圧(Vr+n
s) ■、。:飽和電圧;同上光透過率が90%となる印加電
圧(Vrms) CR:コントラスト=TIG。/T0 又、紫外線の照度はウシオII機社製の受光器UVD−
365PD付きユニメータを用いて測定した。
実施例1
液晶材料としてrPN−001J (ロブイック社製
)80.0%、重合性オリゴマーとしテr KAYAR
AD−HX−620J (日本化薬社製カプロラクト
ン変性ヒドロキシピバリン酸エステルネオペンチルグリ
コールシアクリレート) 19.8%及び「ルシリンT
PO,J(BASF社製光重合開始剤2,4.6−1!
、lメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド’
) 0.2%から成る調光層構成材料をO,Oミクロ
ンのガラスファイバー製スペーサーが塗布された2枚の
ITO電極ガラス基板にはさみ込み、基板全体を38.
。
)80.0%、重合性オリゴマーとしテr KAYAR
AD−HX−620J (日本化薬社製カプロラクト
ン変性ヒドロキシピバリン酸エステルネオペンチルグリ
コールシアクリレート) 19.8%及び「ルシリンT
PO,J(BASF社製光重合開始剤2,4.6−1!
、lメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド’
) 0.2%から成る調光層構成材料をO,Oミクロ
ンのガラスファイバー製スペーサーが塗布された2枚の
ITO電極ガラス基板にはさみ込み、基板全体を38.
。
°Cに保ちながら、基板と紫外線照射ランプの間にガラ
ス製紫外線カットフィルターrL−39J (東芝社
製)を介して、25mW/cm”の強度の紫外線を60
秒間照射し、基板全面に均一に白濁した液晶デバイスを
得た。
ス製紫外線カットフィルターrL−39J (東芝社
製)を介して、25mW/cm”の強度の紫外線を60
秒間照射し、基板全面に均一に白濁した液晶デバイスを
得た。
rPN−001Jの物性
転移温度 68.5℃
<−25℃
屈折率 n、・1.7137
n、= 1.533
Δn= 0.254
しきい値電圧(V th) 1.15V誘電率異方性
Δε= 26.9 得られた液晶デバイスの印加電圧と光透過率の関係を測
定すると、T、=2.4%、T、。。= 88.4%、
CR=36.8、V ro= 5.6V r−1V e
o= 14.6V r−。
Δε= 26.9 得られた液晶デバイスの印加電圧と光透過率の関係を測
定すると、T、=2.4%、T、。。= 88.4%、
CR=36.8、V ro= 5.6V r−1V e
o= 14.6V r−。
であった。
また、比抵抗値は、1. OX 10”Ω・CI++で
あった。
あった。
比較例1
実施例1で使用した調光層構成材料に対し、紫外線カッ
トフィルターrL−39Jを使用せずに紫外線照射を行
った以外は実施例1と同様にして液晶デバイスを作製し
た。
トフィルターrL−39Jを使用せずに紫外線照射を行
った以外は実施例1と同様にして液晶デバイスを作製し
た。
得られた液晶デバイスの印加電圧と光透過率の関係を測
定すると、T、=5.2%、T1゜。= 88.3%、
CR=17.0、V +o= 9. IV 、、、、V
eo= 20. IV 、、。
定すると、T、=5.2%、T1゜。= 88.3%、
CR=17.0、V +o= 9. IV 、、、、V
eo= 20. IV 、、。
であり、比抵抗値は、2.0X10’Ω・cmと、かな
り低いものであった。
り低いものであった。
実施例2
液晶材料としてr PN−008J (ロブイック社
製)80.0%、重合性モノマーとしT rKAYAR
AD−HX620Jとステアリルアクリレートの7:3
の混合物19.9%及び「ルシリンTPOJ O,1%
から成る調光層構成材料ヲ11.0ミクロンのガラスフ
ァイバー製スペーサーが塗布された2枚のITO1li
極ガラス基板ガラス基板み、基板全体を38.3°Cに
保ちながら、基板と紫外線照射ランプの間にフィルム製
紫外線カットフィルターrSC−39J (富士写真
フィルム社製)を介して、25mW/cm’の紫外線を
60秒間照射し、基板全面に均一に白濁した液晶デバイ
スを得た。
製)80.0%、重合性モノマーとしT rKAYAR
AD−HX620Jとステアリルアクリレートの7:3
の混合物19.9%及び「ルシリンTPOJ O,1%
から成る調光層構成材料ヲ11.0ミクロンのガラスフ
ァイバー製スペーサーが塗布された2枚のITO1li
極ガラス基板ガラス基板み、基板全体を38.3°Cに
保ちながら、基板と紫外線照射ランプの間にフィルム製
紫外線カットフィルターrSC−39J (富士写真
フィルム社製)を介して、25mW/cm’の紫外線を
60秒間照射し、基板全面に均一に白濁した液晶デバイ
スを得た。
r PN−0083の物性
転移温度 70.2℃
〈−25℃
屈折率 n、 =1.721
n、 = 1.512
Δn= 0.209
しきい値電圧(Vth) 1.32V誘電率異方性
Δε= 18.0 得られた液晶デバイスの印加電圧と光透過率の関係を測
定すると、”ro=4.o%、T1゜。= 90.5%
、CR= 22.6、V lo= 3.8V rma、
V 、。= g、 sv 、、、であり、比抵抗値は、
2.5XIO”Ω・cmであった。
Δε= 18.0 得られた液晶デバイスの印加電圧と光透過率の関係を測
定すると、”ro=4.o%、T1゜。= 90.5%
、CR= 22.6、V lo= 3.8V rma、
V 、。= g、 sv 、、、であり、比抵抗値は、
2.5XIO”Ω・cmであった。
比較例2
実施例2で使用した調光層構成材料に対して、紫外線カ
ットフィルターrSC−39Jを使用せずに、紫外線照
射を行った以外は実施例2と同様にして液晶デバイスを
作製した。
ットフィルターrSC−39Jを使用せずに、紫外線照
射を行った以外は実施例2と同様にして液晶デバイスを
作製した。
得られた液晶デバイスの印加電圧と光透過率の関係を測
定すると、T、=4.4%、T、、。= 90.6%、
CR=20.8、V ro= 4.4V 、、、、、V
−o= 9.9V 、、、であり、比抵抗値は、3.
0X10’Ω・cmと低いものであった。
定すると、T、=4.4%、T、、。= 90.6%、
CR=20.8、V ro= 4.4V 、、、、、V
−o= 9.9V 、、、であり、比抵抗値は、3.
0X10’Ω・cmと低いものであった。
[発明の効果]
本発明の液晶デバイスの製造方法によれば、従来の光散
乱型液晶デバイスにおいて問題となったデバイス作製時
における調光層の抵抗値を大きく改良することができ、
このことにより、電圧保持率を向上させ、画面のちらつ
きをなくした高コントラストな液晶デバイスを提供する
ことができる。
乱型液晶デバイスにおいて問題となったデバイス作製時
における調光層の抵抗値を大きく改良することができ、
このことにより、電圧保持率を向上させ、画面のちらつ
きをなくした高コントラストな液晶デバイスを提供する
ことができる。
従って、本発明の液晶デバイスの製造方法は、コンピュ
ータ一端末の表示素子、プロジェクション表示装置等の
製造方法として有用である。
ータ一端末の表示素子、プロジェクション表示装置等の
製造方法として有用である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、電極層を有していてもよい少なくとも一方が透明な
2枚の基板間に液晶材料、光重合性組成物及び光重合開
始剤を含有する調光層構成材料を介在させた後、紫外線
を照射し、光重合性組成物を重合させることにより液晶
連続相中に3次元ネットワーク状の透明性高分子物質を
形成させる液晶デバイスの製造方法において、紫外線と
して短波長紫外領域を遮断した紫外線を用いることを特
徴とする液晶デバイスの製造方法。 2、紫外線カットフィルターを用いて短波長紫外領域を
遮断した紫外線を用いることを特徴とする請求項1記載
の液晶デバイスの製造方法。 3、液晶材料の吸収領域の紫外線を遮断した紫外線を用
いることを特徴とする請求項1又は2記載の液晶デバイ
スの製造方法。 4、遮断する紫外線領域以外に吸収域を持つ光重合開始
剤を用いることを特徴とする請求項1、2又は3記載の
液晶デバイスの製造方法。 5、正の誘電異方性を示す液晶材料を用いることを特徴
とする請求項1、2、3又は4記載の液晶デバイスの製
造方法。 6、液晶材料が調光層構成材料の60重量%以上を占め
る請求項1、2、3、4又は5記載の液晶デバイスの製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31602390A JPH04188105A (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 液晶デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31602390A JPH04188105A (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 液晶デバイスの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04188105A true JPH04188105A (ja) | 1992-07-06 |
Family
ID=18072391
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31602390A Pending JPH04188105A (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 液晶デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04188105A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05181118A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-07-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 分散型液晶電気光学装置作製方法 |
JPH06118391A (ja) * | 1992-10-01 | 1994-04-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
US5627665A (en) * | 1993-07-15 | 1997-05-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for producing the same |
US5668651A (en) * | 1994-03-18 | 1997-09-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Polymer-wall LCD having liquid crystal molecules having a plane-symmetrical bend orientation |
US6122021A (en) * | 1988-10-04 | 2000-09-19 | Asahi Glass Company, Ltd. | Liquid crystal display element and a projection type liquid crystal display apparatus |
-
1990
- 1990-11-22 JP JP31602390A patent/JPH04188105A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6122021A (en) * | 1988-10-04 | 2000-09-19 | Asahi Glass Company, Ltd. | Liquid crystal display element and a projection type liquid crystal display apparatus |
JPH05181118A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-07-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 分散型液晶電気光学装置作製方法 |
JPH06118391A (ja) * | 1992-10-01 | 1994-04-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
US5706109A (en) * | 1993-04-27 | 1998-01-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display with polymeric support |
USRE38288E1 (en) * | 1993-04-27 | 2003-10-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display with polymeric support |
US5627665A (en) * | 1993-07-15 | 1997-05-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for producing the same |
US5668651A (en) * | 1994-03-18 | 1997-09-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Polymer-wall LCD having liquid crystal molecules having a plane-symmetrical bend orientation |
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