JPH04173988A - Dry etching method - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、シリコン（Ｓ ｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ
）化合物半導体等からなる各種基板の表面に形成した銅
（Ｃｕ）を含有する金属薄膜をエツチングして電極や配
線を形成する例えば、反応性イオンエツチング装置によ
るドライエッチッグ方法に関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] This invention is applicable to silicon (Si), germanium (Ge)
) This relates to a dry etching method using, for example, a reactive ion etching device, in which electrodes and wiring are formed by etching a metal thin film containing copper (Cu) formed on the surface of various substrates made of compound semiconductors or the like.
従来から、各種基板の表面または基板の表面に積層した
アルミニウム（／ｌ’）、銀（Ａｇ）等の各種金属のエ
ツチング方法として、反応性イオンエツチング装置によ
るドライエッチッグや各種酸性水溶液からなる反応性水
溶液によるウエットエッチッングが行われている。Traditionally, as a method for etching various metals such as aluminum (/l') and silver (Ag) laminated on the surface of various substrates or substrates, dry etching using a reactive ion etching device and reactive aqueous solutions consisting of various acidic aqueous solutions have been used. Wet etching is performed by
しかし、ドライ条件（気相）て銅（Ｃｕ）はエツチング
され難く、特に塩素ガス（ＣＺ２）等の反応性ガスを用
いる反応性イオンエツチング装置によるエツチング方法
では、反応性ガスと銅（Ｃｕ）か化学変化して銅（Ｃｕ
）を含有する金属薄膜の表面に蒸気圧の低い塩化銅（Ｃ
ｕＣβ８）等の銅化合物（ＣｕＸ）か生成し、金属薄膜
かほとんどエツチングされないので、基板の表面に形成
した銅（Ｃｕ）を含有する金属薄膜の所定部分をエツチ
ング除去し、電極や配線を形成するためには、各種酸性
水溶液等からなる反応性水溶液によるウェットエツチン
グ方法が行われている。However, copper (Cu) is difficult to be etched under dry conditions (gas phase), and in particular, when etching is performed using a reactive ion etching device that uses a reactive gas such as chlorine gas (CZ2), the reactive gas and copper (Cu) are not easily etched. Chemically changes to copper (Cu)
) with low vapor pressure on the surface of the metal thin film containing copper chloride (C
Since a copper compound (CuX) such as uCβ8) is generated and the metal thin film is hardly etched, a predetermined portion of the metal thin film containing copper (Cu) formed on the surface of the substrate is etched away to form electrodes and wiring. For this purpose, wet etching methods using reactive aqueous solutions such as various acidic aqueous solutions are used.
このウェットエツチング方法は、第２図に示すように、
表面に銅（Ｃｕ）を含有する金属薄膜と所定のパターン
薄膜とを積層形成した基板ｌを、容器２２の中に入れた
反応性水溶液２２に浸漬することにより、表面に露出し
た銅（Ｃｕ）を含有する金属薄膜を化学反応で反応性水
溶液２２に溶解させ、所定部分の銅（Ｃｕ）を含有する
金属薄膜のみを基板ｌの表面に残し、電極または配線を
形成するものである。This wet etching method, as shown in Figure 2,
By immersing a substrate l on which a metal thin film containing copper (Cu) and a predetermined pattern thin film are laminated in a reactive aqueous solution 22 placed in a container 22, the copper (Cu) exposed on the surface A metal thin film containing copper (Cu) is dissolved in a reactive aqueous solution 22 by a chemical reaction, and only a predetermined portion of the metal thin film containing copper (Cu) is left on the surface of the substrate l to form an electrode or wiring.
しかしながら、ウェットエツチング方法では、基板１の
浸漬時間による反応性水溶液２２の組成や反応性水溶液
２２の液温管理の制御性が悪く、エツチング量の均一性
に欠は集積度の高いＩＣには量産性に適さない。However, in the wet etching method, it is difficult to control the composition of the reactive aqueous solution 22 and the temperature of the reactive aqueous solution 22 depending on the immersion time of the substrate 1, and the uniformity of the etching amount is insufficient for mass production of highly integrated ICs. Not suitable for sex.
また、反応性水溶液２２ではエツチングか等方的に行わ
れるため、銅（Ｃｕ）または銅（Ｃｕ）を含有する金属
薄膜の横方向のエツチング（アンダーカット）が避けら
れない。Furthermore, since etching is performed isotropically in the reactive aqueous solution 22, lateral etching (undercut) of copper (Cu) or a metal thin film containing copper (Cu) is unavoidable.
この発明の目的は、ドライ条件で銅（Ｃｕ）または銅（
Ｃｕ）を含有する金属薄膜を制御性よくエツチングでき
るドライエッチッグ方法およびその装置を提供すること
である。The purpose of this invention is to use copper (Cu) or copper (copper) under dry conditions.
An object of the present invention is to provide a dry etching method and apparatus for etching a metal thin film containing Cu) with good controllability.
この発明のドライエッチッグ方法は、中性配位子を有す
る物質のガスとハロゲンまたはハロゲン化物のガスとか
らなる混合ガスを真空装置の内部に導入し、この混合ガ
スに高周波電圧を印加してプラズマ化し、このプラズマ
で銅または銅合金をエツチングするものである。In the dry etching method of the present invention, a mixed gas consisting of a gas of a substance having a neutral ligand and a halogen or halide gas is introduced into a vacuum device, and a high frequency voltage is applied to this mixed gas to turn it into plasma. This plasma is used to etch copper or copper alloys.
このドライエッチッグ方法に用いられる中性配位子を有
する物質てしは、アンモニア（ＮＨＩ）。The substance with neutral ligands used in this dry etching method is ammonia (NHI).
水（Ｈ，Ｏ）、カルボニル（Ｃｏ）、ニトロシル（ＮＯ
）、メチルアミン（ＮＨ２（ＣＨ３））、 ジメチル
アミン（Ｎ Ｈ２（ＣＨ２） ｔ ） 、トリメチルア
ミン（ＮＨ２（ＣＨＩ）３）、エチレンジアミン（ＮＨ
２（ＣＨ，）２ＮＨ，等の単座または多座配位子を有す
る物質であり、ハロゲンまたはハロゲン化物としては、
塩素（Ｃｌ ｇ）、 ヨウ化水素（Ｈｌ）、 ヨウ素
（Ｉ２）、臭化水素（ＨＢ ｒ）、フッ化炭素（ＣＦ４
）等のハロゲン元素を含む物質である。Water (H, O), carbonyl (Co), nitrosyl (NO
), methylamine (NH2(CH3)), dimethylamine (NH2(CH2) t ), trimethylamine (NH2(CHI)3), ethylenediamine (NH
It is a substance having monodentate or polydentate ligands such as 2(CH,)2NH, etc., and as a halogen or halide,
Chlorine (Cl g), hydrogen iodide (Hl), iodine (I2), hydrogen bromide (HB r), fluorocarbon (CF4
) is a substance containing halogen elements such as
この発明のドライエッチッグ方法およびその装置は、真
空装置の内部に導入した中性配位子を有する物質のガス
とハロゲンまたはハロゲン化物のガスとからなる混合ガ
スに高周波電圧を印加して混合ガスのプラズマとし、こ
の混合ガスのプラズマが銅または銅を含有する金属と反
応してハロゲン化銅を生成させ、ハロゲン化銅と中性配
位子とを反応させて銅金属錯体を生成させた後、蒸気圧
の低い銅金属錯体を除去するので、ドライ条件で所定部
分の銅または銅を含有する金属をエツチングすることが
できる。The dry etching method and apparatus of the present invention apply a high frequency voltage to a mixed gas consisting of a gas of a substance having a neutral ligand and a halogen or halide gas introduced into a vacuum apparatus to generate a plasma of the mixed gas. The plasma of this mixed gas reacts with copper or copper-containing metals to produce copper halides, and the copper halides and neutral ligands are reacted to produce copper metal complexes. Since the copper metal complex is removed at a low pressure, a predetermined portion of copper or copper-containing metal can be etched under dry conditions.
この発明のドライエッチッグ方法の一実施例を第１図に
基づいて説明する。An embodiment of the dry etching method of the present invention will be described with reference to FIG.
第１図は、このドライエッチッグ方法に用いるドライエ
ッチッグ装置の一例の縦断面概略図である。FIG. 1 is a schematic vertical cross-sectional view of an example of a dry etching apparatus used in this dry etching method.
このドライエッチッグ装置は、ガス導入部３がもうけら
れ、真空ポンプ４で内部を真空排気できる真空装置２の
内部に設けたホルダ７に基板１を保持し、この基板１に
高周波電源５を接続したもので、従来から使用されてい
る反応性イオンエチング装置（ＲＩＥ）である。This dry etching apparatus has a substrate 1 held in a holder 7 provided inside a vacuum device 2 which is provided with a gas introduction section 3 and whose interior can be evacuated by a vacuum pump 4, and a high frequency power source 5 is connected to this substrate 1. This is a conventionally used reactive ion etching apparatus (RIE).
なお、基板ｌの表面には、あらかじめ厚さ５０００ 〔
入〕の銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜と、所定のパターン
を形成したマスク薄膜とか積層形成されている。Note that the surface of the substrate l has a thickness of 5000 mm in advance.
A metal thin film made of copper (Cu) and a mask thin film formed with a predetermined pattern are laminated.
このような装置および基板１において、真空ポンプ４を
作動させて真空装置２の内部をｌＸｌ０−”［Ｔｏｒｒ
ｌ以下の真空状態に保持した後、前処理としてガス導入
部３からクリプトン（Ｋｒ ）ガスを９０ Ｃｓｃｃｍ
）の流量で真空ポンプ４の内部に設けた圧力調整パルプ
（図示せず）で真空装置２の内部に４０ （ｍｍＴｏｒ
ｒ）になるように導入し、基板１に高周波電源５で１３
．５６（Ｍ七）、５００（Ｗ）の電圧を６０〔秒〕の条
件で印加し、クリプトン（Ｋｒ ）ガスのプラズマ６′
を生成させ、このプラズマ６′で基板１０表面の酸化物
または有機汚染物質等の除去を行った後、以下に記載す
る各実施例の条件で銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜のドラ
イエッチッグを行った。In such a device and substrate 1, the vacuum pump 4 is operated to reduce the inside of the vacuum device 2 to lXl0-”[Torr
After maintaining the vacuum state at 90 Csccm or less, krypton (Kr) gas is introduced from the gas introduction part 3 at 90 Csccm as a pretreatment.
) at a flow rate of 40 mm Tor
r), and connect the board 1 with a high frequency power supply 5 to 13
．． A voltage of 56 (M7) and 500 (W) was applied for 60 [seconds] to generate krypton (Kr) gas plasma 6'.
After removing oxides or organic contaminants on the surface of the substrate 10 with this plasma 6', a thin metal film made of copper (Cu) was dry-etched under the conditions of each example described below. .
実施例１
ガス導入部３から塩素ガス（Ｃｚｚ）とアンモニアガス
（ＮＨｓ）とを各々２０ （ｓｃｃｍ〕の流量で混合ガ
スとして導入するとともに、エツチングを促進させる作
用のある三塩化ホウ素ガス（ＢＣｌ２．）を２５ （ｓ
ｅｅｍ）の流量で導入した後、基板１に高周波電源５で
１３．５６ （ＭＨｚ）、３００ （Ｗ）の電圧を１５
０〔秒〕の条件で印加して混合ガスをプラズマ化してプ
ラズマ６を生成させ、このプラズマ６で基板ｌの表面に
露出する銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜をエツチングした
。Example 1 Chlorine gas (Czz) and ammonia gas (NHs) are each introduced as a mixed gas from the gas inlet 3 at a flow rate of 20 (sccm), and boron trichloride gas (BCl2. ) to 25 (s
eem), a voltage of 13.56 (MHz) and 300 (W) is applied to the substrate 1 using a high frequency power source 5 for 15 minutes.
The mixed gas was applied for 0 [seconds] to generate plasma 6, and the thin metal film made of copper (Cu) exposed on the surface of the substrate 1 was etched with this plasma 6.
このとき、基板１の表面では、銅元素と塩素ガス（ＣＩ
！＊）とが反応してハロゲン化銅となる塩化銅が生成す
る反応
Ｃｕ＋ｘ／２ＣＡ’ｚ →Ｃｕ（ｌｘ
ハロゲン化銅となる塩化銅とアンモニアガス（ＮＨ，）
の中性配位子とが反応して銅の金属錯体を生成する反応
ＣｕＣｊ７ｘ＋ｙＮＨｓ →［ＣｕＣ１ｘ（ＮＨ２）Ｙ
ｌとにより、露出した銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜の表
面に［ＣｕＣＩ！ ｘ（Ｎ Ｈｓ）Ｙｌが堆積される。At this time, on the surface of the substrate 1, copper element and chlorine gas (CI
! *) reacts with copper chloride to form copper halide.Cu+x/2CA'z →Cu(lx) Copper chloride and ammonia gas (NH,) to form copper halide
The reaction CuCj7x+yNHs → [CuC1x(NH2)Y
[CuCI!] on the surface of the exposed copper (Cu) thin metal film. x(NHs)Yl is deposited.
そして、この金属錯体は、蒸気圧が低いので早く蒸発し
、所定部分の銅（Ｃｕ）かエツチングされる。この場合
、１５０〔秒〕で５０００ Ｃ人〕の銅（Ｃｕ）からな
る金属薄膜かエツチングされた。Since this metal complex has a low vapor pressure, it evaporates quickly, and a predetermined portion of the copper (Cu) is etched. In this case, a thin metal film made of copper (Cu) of 5000 Cu was etched in 150 seconds.
実施例２
混合ガスとして塩素ガス（Ｃｚｚ）と水（Ｈ，Ｏ）とを
各々２０ （ｓｅｅｍ）の流量で導入する以外は実施例
１と同様にして、基板ｌの表面に露出する銅（Ｃｕ）か
らなる金属薄膜をエツチングした。Example 2 The copper (Cu ) was etched.
このとき、基板１の表面では、下記に記載するハロゲン
化銅を生成する反応と、銅の金属錯体を生成する反応で
、露出した銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜の表面に［Ｃｕ
ＣＡ’ ｘ（ＯＨｚ）Ｙｌが堆積され、所定部分の銅（
Ｃｕ）かエツチングされる。At this time, on the surface of the substrate 1, the surface of the exposed metal thin film made of copper (Cu) is coated with [Cu
CA' x (OHz)Yl is deposited and copper (
Cu) is etched.
Ｃｕ＋ｘ／２Ｃ１ｗ −＋ＣｕＣｌ！ｘＣｕＣｊ７ｘ＋
ｙＨ＊Ｏ−［ＣｕＣ１（ＯＨｚ）ｙｌ実施例３
混合ガスとして塩素ガス（ＣＩ！Ｚ）とカルボニル（Ｃ
Ｏ）である−酸化炭素ガスとを各々２０（ｓｃＣｍ〕の
流量で導入する以外は実施例１と同様にして、基板１の
表面に露出する銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜をエツチン
グした。Cu+x/2C1w −+CuCl! xCuCj7x+
yH*O-[CuC1(OHz)yl Example 3 Chlorine gas (CI!Z) and carbonyl (C
A metal thin film made of copper (Cu) exposed on the surface of the substrate 1 was etched in the same manner as in Example 1 except that O) and carbon oxide gases were introduced at a flow rate of 20 (scCm).
このとき、基板１の表面では、下記に記載するハロゲン
化銅を生成する反応と、銅の金属錯体を生成する反応で
、露出した銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜の表面に［Ｃｕ
ＣＩ！ｘ（ＣＯ）Ｙｌが堆積され、所定部分の銅（Ｃｕ
）がエツチングされる。At this time, on the surface of the substrate 1, the surface of the exposed metal thin film made of copper (Cu) is coated with [Cu
CI! x(CO)Yl is deposited and copper (Cu
) is etched.
Ｃｕ＋ ｘ／ ２ Ｃ４７＊ −＋ＣｕＣｆ ｘＣｕＣ
ｆｘ＋ｙＣＯ→［ＣｕＣｆｘ（Ｃｏ）ｙ］実施例４
混合ガスとして塩素ガス（Ｃ１２）とニトロシル（ＮＯ
）である−酸化窒素ガスとを各々２０（ｓｃＣ（［１）
の流量で導入する以外は実施例１と同様にして、基板ｌ
の表面に露出する銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜をエツチ
ングした。Cu+ x/ 2 C47* −+CuCf xCuC
fx+yCO → [CuCfx(Co)y] Example 4 Chlorine gas (C12) and nitrosyl (NO
) and nitrogen oxide gas at 20 (scC([1)
The substrate l was introduced in the same manner as in Example 1 except that the flow rate was
A thin metal film made of copper (Cu) exposed on the surface of the substrate was etched.
このとき、基板１の表面では、下記に記載するハロゲン
化銅を生成する反応と、銅の金属錯体を生成する反応で
、露出した銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜の表面に［Ｃｕ
ＣＩ Ｘ（Ｎ Ｏ））’］が堆積され、所定部分の銅（
Ｃｕ）がエツチングされる。At this time, on the surface of the substrate 1, the surface of the exposed metal thin film made of copper (Cu) is coated with [Cu
CI X(N O))'] is deposited and copper (
Cu) is etched.
Ｃｕ＋ ｘ／ ２ Ｃｆ ｘ −ＣｕＣｌ！ ＸＣｕＣ
ｌ！ｘ＋ｙＮＯ→［ＣｕＣｊ７ｘ（Ｎｏ）Ｙ］実施例５
混合ガスとして塩素ガス（Ｃｊ！□）とメチルアミン（
ＮＨ，（ＣＨ２））ガスとを各／ｒ ２０ （ｓｃｃｍ
）の流量で導入する以外は実施例１と同様にして、基板
ｌの表面に露出する銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜をエツ
チングした。Cu+ x/ 2 Cf x −CuCl! XCuC
l! x+yNO→[CuCj7x(No)Y] Example 5 Chlorine gas (Cj!□) and methylamine (
NH, (CH2)) gas/r 20 (sccm
) A metal thin film made of copper (Cu) exposed on the surface of the substrate 1 was etched in the same manner as in Example 1 except that the amount of copper (Cu) was introduced at a flow rate of 1.
このとき、基板ｌの表面では、下記に記載するハロゲン
化銅を生成する反応と、銅の金属錯体を生成する反応で
、露出した銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜の表面に［Ｃｕ
ＣＩ ｘ （ＮＨ２（ＣＨ３）） Ｙｌが堆積され、所
定部分の銅（Ｃｕ）がエツチングされる。At this time, on the surface of the substrate l, the surface of the exposed metal thin film made of copper (Cu) is coated with [Cu
CI x (NH2(CH3)) Yl is deposited and copper (Cu) in predetermined portions is etched.
Ｃｕ＋ｘ／２Ｃ１ｘ −＋ＣｕＣｊ！ｘＣｕＣ１ｘ＋ｙ
ＮＨ２（ＣＨａ）
→［ＣｕＣｊ７Ｘ （ＮＨ２（ＣＨ３）） Ｙ）実施例
６
混合ガスとして塩素ガス（ＣＩ！りとエチレンジアミン
、（ＮＨ２（ＣＨ２）２ＮＨ，）ガスとを各々２０（ｓ
ｃｃｍ）の流量で導入する以外は実施例１と同様にして
、基板ｌの表面に露出する銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜
をエツチングした。Cu+x/2C1x −+CuCj! xCuC1x+y
NH2 (CHa) → [CuCj7
A thin metal film made of copper (Cu) exposed on the surface of the substrate 1 was etched in the same manner as in Example 1, except that the copper (Cu) was introduced at a flow rate of 1 ccm).
このとき、基板１の表面では、下記に記載するハロゲン
化銅を生成する反応と、銅の金属錯体を生成する反応で
、露出した銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜の表面に［Ｃｕ
（ｌｘ （ＮＨ２（ＣＨ２）２ＮＨ２１Ｙｌが堆積され
、所定部分の銅（Ｃｕ）かエツチングされる。At this time, on the surface of the substrate 1, the surface of the exposed metal thin film made of copper (Cu) is coated with [Cu
(lx (NH2(CH2)2NH21Yl) is deposited and a predetermined portion of copper (Cu) is etched.
Ｃｕ＋ ｘ／ ２ Ｃｌ ２−＋ＣｕＣＩ！ ｘＣＵＣ
ｊ’Ｘ＋）’ＮＨｚ（ＣＨ２）ｚＮＨ２＝［ＣｕＣＩ
ｘ （ＮＨ２（ＣＨ２）２ＮＨ２１Ｙ］実施例７
混合ガスとしてヨウ化水素ガス（ＨＩ）とアンモニアガ
ス（ＮＨ３）とを各々２０ （ｓｅｅｍ）の流量で導入
する以外は実施例１と同様にして、基板１の表面に露出
する銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜をエツチングした。Cu+ x/ 2 Cl 2-+CuCI! xCUC
j'X+)'NHz(CH2)zNH2=[CuCI
x (NH2(CH2)2NH21Y) Example 7 A substrate was prepared in the same manner as in Example 1 except that hydrogen iodide gas (HI) and ammonia gas (NH3) were each introduced as a mixed gas at a flow rate of 20 (seem). A thin metal film made of copper (Cu) exposed on the surface of the substrate 1 was etched.
このとき、基板ｌの表面では、下記に記載するハロゲン
化鋼を生成する反応と、銅の金属錯体を生成する反応で
、露出した銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜の表面に［Ｃｕ
Ｉ ｘ（Ｎ Ｈ＝）Ｙｌか堆積され、所定部分の銅（
Ｃｕ）がエツチングされる。At this time, on the surface of the substrate l, the surface of the exposed metal thin film made of copper (Cu) is coated with [Cu
I x (NH=) Yl is deposited, and a predetermined portion of copper (
Cu) is etched.
Ｃｕ＋ｘＨＩ−＋Ｃｕ１ｘ＋ｘＨ
Ｃｕｌｘ＋ｙＮＨｚ→［ｃｕｌｘ（ＮＨ３）ｙ］実施例
８
混合ガスとしてヨウ化水素ガス（ＨＩ）と水（Ｈ２Ｏ）
とを各々２０ （ｓｅｅｍ）の流量で導入する以外は実
施例１と同様にして、基板ｌの表面に露出する銅（Ｃｕ
）からなる金属薄膜をエツチングした。Cu+xHI-+Cu1x+xH Culx+yNHz→[culx(NH3)y] Example 8 Hydrogen iodide gas (HI) and water (H2O) as mixed gas
The copper (Cu) exposed on the surface of the substrate l was
) was etched.
このとき、基板ｌの表面では、下記に記載するハロゲン
化鋼を生成する反応と、銅の金属錯体を生成する反応で
、露出した銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜の表面に［Ｃｕ
Ｉ ｘ（ＯＨ２）Ｙｌか堆積され、所定部分の銅（Ｃ
ｕ）がエツチングされる。At this time, on the surface of the substrate l, the surface of the exposed metal thin film made of copper (Cu) is coated with [Cu
I x (OH2)Yl is deposited and copper (C
u) is etched.
Ｃｕ＋ｘＨＩ−＋Ｃｕ１ｘ＋ｘＨ
ＣｕＩｘ＋ｙＨ２０→［Ｃｕ１ｘ（ＯＨ２）ｙｌ実施例
９
混合ガスとしてヨウ化水素ガス（ＨＩ）とカルボニル（
Ｃｏ）である−酸化炭素ガスとを各々２０ （ｓｅｅｍ
）の流量で導入する以外は実施例１と同様にして、基板
１の表面に露出する銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜をエツ
チングした。Cu+xHI−+Cu1x+xH CuIx+yH20→[Cu1x(OH2)ylExample 9 Hydrogen iodide gas (HI) and carbonyl (
Co) - carbon oxide gas at 20% each (seem
) The metal thin film made of copper (Cu) exposed on the surface of the substrate 1 was etched in the same manner as in Example 1 except that the copper (Cu) was introduced at a flow rate of 1.
このとき、基板ｌの表面では、下記に記載するハロゲン
化銅を生成する反応と、銅の金属錯体を生成する反応で
、露出した銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜の表面に［Ｃｕ
Ｉ ｘ（ＣＯ）ｙ］が堆積され、所定部分の銅（Ｃｕ
）がエツチングされる。At this time, on the surface of the substrate l, the surface of the exposed metal thin film made of copper (Cu) is coated with [Cu
Ix(CO)y] is deposited, and a predetermined portion of copper (Cu
) is etched.
ＣＬＩ＋ＸＨｌ−１−ＣＬＩＩＸ＋ＸＨＣｕｌｘ＋ｙＣ
Ｏ−”［ＣｕＩｘ（Ｃｏ）ｙ］実施例１０
混合ガスとしてヨウ化水素ガス（ＨＩ）とニトロシル（
ＮＯ）である−酸化窒素ガスとを各々２０ （ｓｅｅｍ
）の流量で導入する以外は実施例１と同様にして、基板
１の表面に露出する銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜をエツ
チングした。CLI+XHl-1-CLIIX+XHCulx+yC
O-”[CuIx(Co)y] Example 10 Hydrogen iodide gas (HI) and nitrosyl (
NO) - nitrogen oxide gas at 20% each (seem
) The metal thin film made of copper (Cu) exposed on the surface of the substrate 1 was etched in the same manner as in Example 1 except that the copper (Cu) was introduced at a flow rate of 1.
このとき、基板１の表面では、下記に記載するハロゲン
化鋼を生成する反応と、銅の金属錯体を生成する反応で
、露出した銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜の表面に［Ｃｕ
Ｉ ｘ（Ｎ Ｏ）ｙ］が堆積され、所定部分の銅（Ｃ
ｕ）がエツチングされる。At this time, on the surface of the substrate 1, the surface of the exposed metal thin film made of copper (Cu) is coated with [Cu
I x (N O) y] is deposited and a predetermined portion of copper (C
u) is etched.
Ｃｕ＋ｘＨＩ−＋Ｃｕ１ｘ＋ｘＨ
ＣｕＩｘ＋ｙＮＯ→［ＣｕＴｘ（Ｎｏ）Ｙ］実施例１１
混合ガスとしてヨウ化水素ガス（ＨＩ）とメチルアミン
（ＮＨ，（ＣＨ，））ガスとを各々２０Ｅｓｃｃｍ）の
流量で導入する以外は実施例１と同様にして、基板１の
表面に露出する銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜をエツチン
グした。Cu+xHI-+Cu1x+xH CuIx+yNO→[CuTx(No)Y] Example 11 Implemented except that hydrogen iodide gas (HI) and methylamine (NH, (CH,)) gas were introduced as a mixed gas at a flow rate of 20Esccm each. In the same manner as in Example 1, the metal thin film made of copper (Cu) exposed on the surface of the substrate 1 was etched.
このとき、基板１の表面では、下記に記載するハロゲン
化銅を生成する反応と、銅の金属錯体を生成する反応で
、露出した銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜の表面に［Ｃｕ
Ｉｘ （ＮＨｚ（ＣＨａ））Ｙｌか堆積され、所定部分
の銅（Ｃｕ）がエツチングされる。At this time, on the surface of the substrate 1, the surface of the exposed metal thin film made of copper (Cu) is coated with [Cu
Ix (NHz(CHa))Yl is deposited, and copper (Cu) in a predetermined portion is etched.
Ｃｕ十ｘＨＩ−＋ＣｕＩｘ＋ｘＨ
Ｃｕ Ｉ ｘ＋ ｙ ＮＨ２（ＣＨｓ）＝［Ｃｕ１ｘ
（ＮＨｚ（ＣＨ−）） Ｙ］実施例１２
混合ガスとしてヨウ化水素ガス（ＨＥ）とエチレンジア
ミン（ＮＨ２（ＣＨ２）２ＮＨ２）ガスとを各々２０
［ｓｃｃｍ）の流量で導入する以外は実施例１と同様に
して、基板１の表面に露出する銅（Ｃｕ）からなる金属
薄膜をエツチングした。Cu×HI−+CuIx+xH Cu I x+ y NH2(CHs)=[Cu1x
(NHz(CH-)) Y] Example 12 Hydrogen iodide gas (HE) and ethylenediamine (NH2(CH2)2NH2) gas were each used as a mixed gas at 20%
A thin metal film made of copper (Cu) exposed on the surface of the substrate 1 was etched in the same manner as in Example 1 except that the flow rate was [sccm].
このとき、基板ｌの表面では、下記に記載するハロゲン
化銅を生成する反応と、銅の金属錯体を生成する反応で
、露出した銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜の表面に［Ｃｕ
１ｘ （ＮＨ，（ＣＨ，）２ＮＨ２） Ｙ］が堆積され
、所定部分の銅（Ｃｕ）がエツチングされる。At this time, on the surface of the substrate l, the surface of the exposed metal thin film made of copper (Cu) is coated with [Cu
1x (NH, (CH,)2NH2) Y] is deposited, and copper (Cu) in a predetermined portion is etched.
Ｃｕ十ｘＨｌ４ＣＵＩＸ＋ＸＨ
ＣｕＩＸ＋ｙＮＨｚ（ＣＨｚ）２ＮＨｚ−［Ｃｕ１ｘ
（ＮＨ２（ＣＨｉ）２ＮＨｄ ｙｌ実施例１３
混合ガスとしてヨウ素ガス（Ｉ２）とアンモニアガス（
ＮＨ，）とを各ｐｔ ２０ （ｓｅｅｍ）の流量で導入
する以外は実施例１と同様にして、基板１の表面に露出
する銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜をエツチングした。Cu1xHl4CUIX+XH CuIX+yNHz (CHz)2NHz-[Cu1x
(NH2(CHi)2NHd ylExample 13 Iodine gas (I2) and ammonia gas (
A thin metal film made of copper (Cu) exposed on the surface of the substrate 1 was etched in the same manner as in Example 1 except that NH,) was introduced at a flow rate of pt 20 (seem).
このとき、基板ｌの表面では、下記に記載するハロゲン
化銅を生成する反応と、銅の金属錯体を生成する反応で
、露出した銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜の表面に［Ｃｕ
Ｉ Ｘ（Ｎ Ｈ３）ｙｌか堆積され、所定部分の銅（
Ｃｕ）がエツチングされる。At this time, on the surface of the substrate l, the surface of the exposed metal thin film made of copper (Cu) is coated with [Cu
I
Cu) is etched.
Ｃｕ十ｘ／ ２１２−＊Ｃｕ Ｉ ｘ
Ｃｕｌｘ＋ｙＮＨ３→［ＣｕＩｘ（ＮＨ３）ｙ］実施例
１４
混合ガスとしてヨウ素ガス（Ｉ２）と水（Ｈ，○）とを
各々２０〔ｓｃｃｍ〕の流量で導入する以外は実施例１
と同様にして、基板ｌの表面に露出する銅（Ｃｕ）から
なる金属薄膜をエツチングした。Cux/212-*CuIxCulx+yNH3→[CuIx(NH3)y]Example 14 Except for introducing iodine gas (I2) and water (H, ○) as a mixed gas at a flow rate of 20 [sccm] each. is Example 1
In the same manner as above, the metal thin film made of copper (Cu) exposed on the surface of the substrate 1 was etched.
このとき、基板１の表面では、下記に記載するハロゲン
化銅を生成する反応と、銅の金属錯体を生成する反応で
、露出した銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜の表面に［Ｃｕ
Ｉ ｘ（ＯＨｘ）Ｙ］か堆積され、所定部分の銅（Ｃ
ｕ）がエツチングされる。At this time, on the surface of the substrate 1, the surface of the exposed metal thin film made of copper (Cu) is coated with [Cu
Ix(OHx)Y] is deposited, and copper (C
u) is etched.
Ｃｕ十ｘ／２ Ｉ ２ →ｃｕｌｘ
Ｃｕｌｘ＋ｙＨｚＯ→［Ｃｕ１ｘ（ＯＨ２）Ｙ］実施例
１５
混合ガスとしてヨウ素ガス（Ｉ２）とカルボニル（Ｃｏ
）である−酸化炭素ガスとを各々２０（ｓｃｃｍ）の流
量で導入する以外は実施例１と同様にして、基板１の表
面に露出する銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜をエツチング
した。Cu1x/2 I 2 → culx Culx + yHzO → [Cu1x(OH2)Y] Example 15 Iodine gas (I2) and carbonyl (Co
The metal thin film made of copper (Cu) exposed on the surface of the substrate 1 was etched in the same manner as in Example 1, except that the -carbon oxide gases were introduced at a flow rate of 20 (sccm).
このとき、基板ｌの表面では、下記に記載するハロゲン
化鋼を生成する反応と、銅の金属錯体を生成する反応で
、露出した銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜の表面に［Ｃｕ
Ｉ ｘ（ＣＯ）ｙｌが堆積され、所定部分の銅（Ｃｕ
）がエツチングされる。At this time, on the surface of the substrate l, the surface of the exposed metal thin film made of copper (Cu) is coated with [Cu
I x (CO) yl is deposited and a predetermined portion of copper (Cu
) is etched.
Ｃｕ十ｘ／２ ｌｘ −＋Ｃｕ１ｘ
Ｃｕｌｘ＋ｙＣＯ→［Ｃｕ１ｘ（Ｃｏ）Ｙ］実施例１６
混合ガスとしてヨウ素ガス（Ｉ２）とニトロシル（ＮＯ
）である−酸化窒素ガスとを各々２０（ｓｃｃｍ）の流
量で導入する以外は実施例１と同様にして、基板１の表
面に露出する銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜をエツチング
した。Cu1x/2 lx −+Cu1x Culx+yCO → [Cu1x(Co)Y] Example 16 Iodine gas (I2) and nitrosyl (NO) as a mixed gas
The metal thin film made of copper (Cu) exposed on the surface of the substrate 1 was etched in the same manner as in Example 1 except that the -nitrogen oxide gases were introduced at a flow rate of 20 (sccm).
このとき、基板１の表面では、下記に記載するハロゲン
化銅を生成する反応と、銅の金属錯体を生成する反応で
、露出した銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜の表面に［Ｃｕ
Ｉ ｘ（Ｎ Ｏ）ｙｌが堆積され、所定部分の銅（Ｃ
ｕ）がエツチングされる。At this time, on the surface of the substrate 1, the surface of the exposed metal thin film made of copper (Cu) is coated with [Cu
I x (N O) yl is deposited and a predetermined portion of copper (C
u) is etched.
Ｃｕ＋ｘ／２１２−＋ＣｕＩｘ
Ｃｕｌｘ＋ｙＮＯ−”［Ｃｕ１ｘ（Ｎｏ）ｙ］実施例１
７
混合ガスとしてヨウ素ガス（Ｉ２）とメチルアミン（Ｎ
Ｈ，（ＣＨ３））ガスとを各々２０ （ｓｅｅｍ）の流
量で導入する以外は実施例１と同様にして、基板ｌの表
面に露出する銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜をエツチング
した。Cu+x/212-+CuIx Culx+yNO-” [Cu1x(No)y] Example 1
7 Iodine gas (I2) and methylamine (N
A thin metal film made of copper (Cu) exposed on the surface of the substrate 1 was etched in the same manner as in Example 1 except that H, (CH3)) gases were each introduced at a flow rate of 20 (seem).
このとき、基板１の表面では、下記に記載するハロゲン
化銅を生成する反応と、銅の金属錯体を生成する反応で
、露出した銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜の表面に［Ｃｕ
Ｉｘ （ＮＨ２（ＣＨ，）ｌ ｙｌが堆積され、所定部
分の銅（Ｃｕ）がエツチングされる。At this time, on the surface of the substrate 1, the surface of the exposed metal thin film made of copper (Cu) is coated with [Cu
Ix (NH2(CH,)yl) is deposited and copper (Cu) in predetermined portions is etched.
Ｃｕ十ｘ／２ Ｉ ２−＋Ｃｕ１ｘ
Ｃｕｌｘ＋ｙＮＨｘ（ＣＨｓ）
−”［Ｃｕ１ｘ （ＮＨ２（ＣＨ３）ｌ ｙ］実施例１
８
混合ガスとしてヨウ素ガス（Ｉ２）とエチレンジアミン
（ＮＨｔ（ＣＨ２）ｔＮＨ２）ガスとを各々２０（ｓｅ
ｅｍ）の流量で導入する以外は実施例１と同様にして、
基板１の表面に露出する銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜を
エツチングした。Cu x/2 I 2−+Cu1x Culx+yNHx(CHs) −”[Cu1x (NH2(CH3)ly) Example 1
8 Iodine gas (I2) and ethylenediamine (NHt(CH2)tNH2) gas were each used as a mixed gas at 20 (se)
Em) In the same manner as in Example 1 except that it was introduced at a flow rate of
A thin metal film made of copper (Cu) exposed on the surface of the substrate 1 was etched.
このとき、基板１の表面では、下記に記載するハロゲン
化銅を生成する反応と、銅の金属錯体を生成する反応で
、露出した銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜の表面に［Ｃｕ
１ｘ （ＮＨ２（ＣＨ２）２ＮＨ，） ｙｌが堆積され
、所定部分の銅（Ｃｕ）がエツチングされる。At this time, on the surface of the substrate 1, the surface of the exposed metal thin film made of copper (Cu) is coated with [Cu
1x (NH2(CH2)2NH,)yl is deposited and copper (Cu) in predetermined portions is etched.
Ｃｕ十ｘ／ ２ Ｔ ｔ →Ｃｕ ＩｘＣｕＩｘ十ｙＮ
Ｈ２（ＣＨ２）２ＮＨ２→［ＣｕＩｘ （ＮＨ２（ＣＨ
ｚ）ｚＮＨｚ）ｙｌ実施例１９
混合ガスとして臭化水素ガス（ＨＢｒ）とアンモニアガ
ス（ＮＨ，）とを各々２０ （ｓｃｃｍ）の流量で導入
する以外は実施例１と同様にして、基板ｌの表面に露出
する銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜をエツチングした。Cu 10x/ 2 T t →Cu IxCuIx 10yN
H2(CH2)2NH2→[CuIx (NH2(CH
z)zNHz)yl Example 19 The substrate l was prepared in the same manner as in Example 1 except that hydrogen bromide gas (HBr) and ammonia gas (NH, ) were each introduced as a mixed gas at a flow rate of 20 (sccm). The metal thin film made of copper (Cu) exposed on the surface was etched.
このとき、基板１の表面では、下記に記載するハロゲン
化銅を生成する反応と、銅の金属錯体を生成する反応で
、露出した銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜の表面に［Ｃｕ
Ｂ ｒｘ（Ｎ Ｈ５）ｙｌが堆積され、所定部分の銅（
Ｃｕ）かエツチングされる。At this time, on the surface of the substrate 1, the surface of the exposed metal thin film made of copper (Cu) is coated with [Cu
B rx(N H5) yl is deposited and a predetermined portion of copper (
Cu) is etched.
Ｃｕ＋ｘＨＢｒ −＋ＣｕＢｒｘ＋ｘＨＣｕＢｒｘ＋ｙ
ＮＨ＊−”［ＣｕＢｒｘ（ＮＨａ）ｙ］実施例２０
混合ガスとして臭化水素ガス（ＨＢｒ）と水（Ｈ２Ｃ）
とを各々２０ （ｓｃｃｍ）の流量で導入する以外は実
施例１と同様にして、基板ｌの表面に露出する銅（Ｃｕ
）からなる金属薄膜をエツチングした。Cu+xHBr −+CuBrx+xHCuBrx+y
NH*-”[CuBrx(NHa)y] Example 20 Hydrogen bromide gas (HBr) and water (H2C) as mixed gas
The copper (Cu) exposed on the surface of the substrate l was
) was etched.
このとき、基板１０表面では、下記に記載するハロゲン
化銅を生成する反応と、銅の金属錯体を生成する反応で
、露出した銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜の表面に［Ｃｕ
Ｂ ｒｘ（ＯＨ２）Ｙ］が堆積され、所定部分の銅（Ｃ
ｕ）がエツチングされる。At this time, on the surface of the substrate 10, the surface of the exposed metal thin film made of copper (Cu) is coated with [Cu
B rx(OH2)Y] is deposited, and copper (C
u) is etched.
Ｃｕ＋ｘＨＢｒ −＋ＣｕＢｒｘ＋ｘＨＣｕＢｒｘ＋ｙ
ＨｚＯ−［ＣｕＢｒｘ（ＯＨ２）ｙ］実施例２１
混合ガスとして臭化水素ガス（ＨＢｒ）とカルボニル（
ＣＯ）である−酸化炭素ガスとを各々２０（ｓｅｅｍ）
の流量で導入する以外は実施例１と同様にして、基板ｌ
の表面に露出する銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜をエツチ
ングした。Cu+xHBr −+CuBrx+xHCuBrx+y
HzO-[CuBrx(OH2)y] Example 21 Hydrogen bromide gas (HBr) and carbonyl (
CO) - carbon oxide gas at 20 (seem) each
The substrate l was introduced in the same manner as in Example 1 except that the flow rate was
A thin metal film made of copper (Cu) exposed on the surface of the substrate was etched.
このとき、基板ｌの表面では、下記に記載するハロゲン
化鋼を生成する反応と、銅の金属錯体を生成する反応で
、露出した銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜の表面に［Ｃｕ
Ｂｒｘ（Ｃｏ）ｙｌが堆積され、所定部分の銅（Ｃｕ）
がエツチングされる。At this time, on the surface of the substrate l, the surface of the exposed metal thin film made of copper (Cu) is coated with [Cu
Brx(Co)yl is deposited and copper (Cu)
is etched.
Ｃｕ十ｘＨＢｒ −＋ＣｕＢｒｘ＋ｘＨＣｕＢｒｘ＋ｙ
ＣＯ−＋［ＣｕＢｒｘ（Ｃｏ）ｙｌ実施例２２
混合ガスとして臭化水素ガス（ＨＢｒ）とニトロシル（
Ｎｏ）である−酸化窒素ガスとを各々２０（ｓｅｅｍ）
の流量で導入する以外は実施例１と同様にして、基板ｌ
の表面に露出する銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜をエツチ
ングした。Cu×HBr −+CuBrx+xHCuBrx+y
CO-+ [CuBrx(Co)yl Example 22 Hydrogen bromide gas (HBr) and nitrosyl (
No) - nitrogen oxide gas, each at 20 (seem)
The substrate l was introduced in the same manner as in Example 1 except that the flow rate was
A thin metal film made of copper (Cu) exposed on the surface of the substrate was etched.
このとき、基板１の表面では、下記に記載するハロゲン
化銅を生成する反応と、銅の金属錯体を生成する反応で
、露出した銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜の表面に［Ｃｕ
Ｂ ｒｘ（Ｎ Ｏ）Ｙ］が堆積され、所定部分の銅（Ｃ
ｕ）かエツチングされる。At this time, on the surface of the substrate 1, the surface of the exposed metal thin film made of copper (Cu) is coated with [Cu
B rx(N O) Y] is deposited, and copper (C
u) is etched.
Ｃｕ＋ｘＨＢｒ −＋ＣｕＢｒｘ＋ｘＨＣｕＢｒｘ＋ｙ
ＮＯ→［ＣｕＢｒｘ（Ｎｏ）ｙ］実施例２３
混合ガスとして臭化水素ガス（ＨＢｒ）とメチルアミン
（ＮＨ２（ＣＨｓ））ガスとを各々２０〔ｓｃｃｍ〕の
流量で導入する以外は実施例１と同様にして、基板１の
表面に露出する銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜をエツチン
グした。Cu+xHBr −+CuBrx+xHCuBrx+y
NO→[CuBrx(No)y] Example 23 Same as Example 1 except that hydrogen bromide gas (HBr) and methylamine (NH2(CHs)) gas were each introduced as a mixed gas at a flow rate of 20 [sccm]. Similarly, the metal thin film made of copper (Cu) exposed on the surface of the substrate 1 was etched.
このとき、基板１の表面では、下記に記載するハロゲン
化銅を生成する反応と、銅の金属錯体を生成する反応で
、露出した銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜の表面に［Ｃｕ
Ｂｒｘ （ＮＨ２（ＣＨ，）） ｙｌか堆積され、所定
部分の銅（Ｃｕ）がエツチングされる。At this time, on the surface of the substrate 1, the surface of the exposed metal thin film made of copper (Cu) is coated with [Cu
Brx (NH2(CH,))yl is deposited, and copper (Cu) in a predetermined portion is etched.
Ｃｕ十ｘＨＢｒ −＋ＣｕＢｒｘ＋ｘＨＣｕＢｒｘ＋ｙ
ＮＨ２（ＣＨｓ）
＝［ＣｕＢｒｘ （ＮＨ２（ＣＨ３）ｌ Ｙ］
’実施例２４
混合ガスとして臭化水素ガス（ＨＢｒ）とエチレンジア
ミン（ＮＨ，（ＣＨ２）２ＮＨ２）ガスとを各々２０
（ｓｅｅｍ）の流量で導入する以外は実施例１と同様に
して、基板１の表面に露出する銅（Ｃｕ）からなる金属
薄膜をエツチングした。Cu×HBr −+CuBrx+xHCuBrx+y
NH2(CHs) = [CuBrx (NH2(CH3)l Y]
'Example 24 Hydrogen bromide gas (HBr) and ethylenediamine (NH, (CH2)2NH2) gas were each used as a mixed gas at 20%
The metal thin film made of copper (Cu) exposed on the surface of the substrate 1 was etched in the same manner as in Example 1 except that the copper (Cu) was introduced at a flow rate of (seem).
このとき、基板ｌの表面では、下記に記載するハロゲン
化銅を生成する反応と、銅の金属錯体を生成する反応で
、露出した銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜の表面に［Ｃｕ
Ｂｒｘ （ＮＨ２（ＣＨ２）２ＮＨ２１ｙｌが堆積され
、所定部分の銅（Ｃｕ）かエツチングされる。At this time, on the surface of the substrate l, the surface of the exposed metal thin film made of copper (Cu) is coated with [Cu
Brx (NH2(CH2)2NH21yl) is deposited, and copper (Cu) in predetermined portions is etched.
Ｃｕ＋ｘＨＢｒ −＋ＣｕＢｒｘ＋ｘＨＣｕＢｒｘ十ｙ
ＮＨ２（ＣＨ２）２ＮＨ２−＋［ＣｕＢｒｘ （ＮＨ２
（ＣＨ２）２ＮＨ２） ｙ）実施例２５
混合ガスとして四フッ化炭素（ＣＦ、）とアンモニアガ
ス（ＮＨ，）とを各々２０ （ｓｃｃｍ）の流量で導入
する以外は実施例１と同様にして、基板ｌの表面に露出
する銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜をエツチングした。Cu+xHBr −+CuBrx+xHCuBrx y
NH2(CH2)2NH2−+[CuBrx(NH2
(CH2)2NH2) y) Example 25 The same procedure as in Example 1 was carried out except that carbon tetrafluoride (CF, ) and ammonia gas (NH, ) were each introduced as a mixed gas at a flow rate of 20 (sccm). A thin metal film made of copper (Cu) exposed on the surface of the substrate 1 was etched.
このとき、基板１の表面では、下記に記載するハロゲン
化銅を生成する反応と、銅の金属錯体を生成する反応で
、露出した銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜の表面に［Ｃｕ
Ｆ ｘ（Ｎ Ｈｓ）ｙｌが堆積され、所定部分の銅（Ｃ
ｕ）かエツチングされる。At this time, on the surface of the substrate 1, the surface of the exposed metal thin film made of copper (Cu) is coated with [Cu
F x (NHs) yl is deposited and copper (C
u) is etched.
Ｃｕ十ｘ／４ ＣＦ４−ＣｕＦｘ＋ｘ／４ ＣＣｕＦｘ
＋ｙＮＨ３−＋［ＣｕＦｘ（ＮＨａ）ｙ］実施例２６
混合ガスとして四フッ化炭素（ＣＦ４）と水（Ｈ２Ｃ）
とを各々２０ （ｓｅｅｍ）の流量で導入する以外は実
施例１と同様にして、基板１の表面に露出する銅（Ｃｕ
）からなる金属薄膜をエツチングした。Cux/4 CF4-CuFx+x/4 CCuFx
+yNH3-+[CuFx(NHa)y] Example 26 Carbon tetrafluoride (CF4) and water (H2C) as mixed gas
The copper (Cu) exposed on the surface of the substrate 1 was introduced in the same manner as in Example 1 except that the
) was etched.
このとき、基板１の表面では、下記に記載するハロゲン
化銅を生成する反応と、銅の金属錯体を生成する反応で
、露出した銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜の表面に［Ｃｕ
Ｆ ｘ（ＯＨ、）Ｙ］が堆積され、所定部分の銅（Ｃｕ
）がエツチングされる。At this time, on the surface of the substrate 1, the surface of the exposed metal thin film made of copper (Cu) is coated with [Cu
F x (OH, )Y] is deposited, and copper (Cu
) is etched.
Ｃｕ十ｘ／４ＣＦａ −＋ＣｕＦｘ＋ｘ／４ＣＣｕＦｘ
十ｙＨ２０”［ＣｕＦｘ（ＯＨ２）ｙ］実施例２７
混合ガスとして四フッ化炭素（ＣＦ４）とカルボニル（
ＣＯ）である−酸化炭素ガスとを各々２０（ｓｅｅｍ）
の流量で導入する以外は実施例１と同様にして、基板ｌ
の表面に露出する銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜をエツチ
ングした。Cux/4CFa −+CuFx+x/4CCuFx
10yH20" [CuFx(OH2)y] Example 27 Carbon tetrafluoride (CF4) and carbonyl (
CO) - carbon oxide gas at 20 (seem) each
The substrate l was introduced in the same manner as in Example 1 except that the flow rate was
A thin metal film made of copper (Cu) exposed on the surface of the substrate was etched.
このとき、基板ｌの表面では、下記に記載するハロゲン
化銅を生成する反応と、銅の金属錯体を生成する反応で
、露出した銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜の表面に［Ｃｕ
Ｆｘ（Ｃｏ）ｙｌが堆積され、所定部分の銅（Ｃｕ）が
エツチングされる。At this time, on the surface of the substrate l, the surface of the exposed metal thin film made of copper (Cu) is coated with [Cu
Fx(Co)yl is deposited and copper (Cu) in predetermined portions is etched.
°Ｃｕ＋ｘ／４ＣＦ４−＊ＣｕＦｘ＋ｘ／４ＣＣｕＦｘ
＋ｙＣＯ→［ＣｕＦｘ（Ｃｏ）ｙ］実施例２８
混合ガスとして四フッ化炭素（ＣＦ、）とニトロシル（
Ｎｏ）である−酸化窒素ガスとを各々２０（ｓｃｃｍ）
の流量で導入する以外は実施例１と同様にして、基板１
の表面に露出する銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜をエツチ
ングした。°Cu+x/4CF4-*CuFx+x/4CCuFx
+yCO → [CuFx(Co)y] Example 28 Carbon tetrafluoride (CF, ) and nitrosyl (
No) - nitrogen oxide gas at 20 (sccm) each
The substrate 1 was prepared in the same manner as in Example 1 except that it was introduced at a flow rate of
A thin metal film made of copper (Cu) exposed on the surface of the substrate was etched.
このとき、基板１の表面では、下記に記載するハロゲン
化銅を生成する反応と、銅の金属錯体を生成する反応で
、露出した銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜の表面に［Ｃｕ
Ｆｘ（Ｎｏ）ｙｌが堆積され、所定部分の銅（Ｃｕ）が
エツチングされる。At this time, on the surface of the substrate 1, the surface of the exposed metal thin film made of copper (Cu) is coated with [Cu
Fx(No)yl is deposited and copper (Cu) in a predetermined portion is etched.
Ｃｕ＋ｘ／４ＣＦａ −＋ＣｕＦｘ＋ｘ／４ＣＣｕＦｘ
＋ｙＮＯ→［ＣｕＦｘ（Ｎｏ）ｙ］実施例２９
混合ガスとして四フッ化炭素（ＣＦ、）とメチルアミン
（ＮＨ２（ＣＨａ））ガスとを各々２０ （ｓｃｃ＋ｙ
＋）の流量で導入する以外は実施例１と同様にして、基
板１の表面に露出する銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜をエ
ツチングした。Cu+x/4CFa −+CuFx+x/4CCuFx
+yNO→[CuFx(No)y] Example 29 Carbon tetrafluoride (CF, ) and methylamine (NH2(CHa)) gas were each used as mixed gas at 20% (scc+y
The metal thin film made of copper (Cu) exposed on the surface of the substrate 1 was etched in the same manner as in Example 1 except that the copper (Cu) was introduced at a flow rate of +).
このとき、基板ｌの表面では、下記に記載するハロゲン
化銅を生成する反応と、銅の金属錯体を生成する反応で
、露出した銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜の表面に［Ｃｕ
Ｆ ｘ （Ｎ Ｈ２（ＣＨ−） ） Ｙ ］が堆積さ
れ、所定部分の銅（Ｃｕ）がエツチングされる。At this time, on the surface of the substrate l, the surface of the exposed metal thin film made of copper (Cu) is coated with [Cu
Fx(NH2(CH-))Y] is deposited, and copper (Cu) in a predetermined portion is etched.
Ｃｕ十ｘ／４ ＣＦ４−＋ＣｕＦｘ＋ｘ／４ ＣＣｕＦ
Ｘ ＋ ３’ Ｎ Ｈ２（ＣＨ３）−［ＣＵＦＸ （
ＮＨ２（ＣＨ２）ｌ Ｙ］実施例３０
混合ガスとして四フッ化炭素（ＣＦ、）とエチレンジア
ミン（ＭＨＩ（ＣＨＩ）、ＮＨ２）ガスとを各々２０
（ｓｅｅｍ）の流量で導入する以外は実施例１と同様に
して、基板ｌの表面に露出する銅（Ｃｕ）からなる金属
薄膜をエツチングした。Cux/4 CF4-+CuFx+x/4 CCuF
X + 3' N H2(CH3)-[CUFX (
NH2(CH2)l Y]Example 30 Carbon tetrafluoride (CF, ) and ethylenediamine (MHI(CHI), NH2) gas were each used as a mixed gas at 20%
A thin metal film made of copper (Cu) exposed on the surface of the substrate 1 was etched in the same manner as in Example 1 except that the copper (seem) was introduced at a flow rate of (seem).
このとき、基板１の表面では、下記に記載するハロゲン
化銅を生成する反応と、銅の金属錯体を生成する反応で
、露出した銅（Ｃｕ）からなる金属薄膜の表面に［Ｃｕ
Ｆｘ （ＮＨ２（ＣＨ２）２ＮＨ２） Ｙ］が堆積され
、所定部分の銅（Ｃｕ）かエツチングされる。At this time, on the surface of the substrate 1, the surface of the exposed metal thin film made of copper (Cu) is coated with [Cu
Fx (NH2(CH2)2NH2)Y] is deposited, and a predetermined portion of copper (Cu) is etched.
Ｃｕ＋ｘ／４ ＣＦ４−＋ＣｕＦｘ＋ｘ／４ Ｃ（：、
ＬＩＦ Ｘ十ｙ Ｎ Ｈｔ（ＣＨｔ）＊Ｎ Ｈ２→［
ＣｕＦｘ （ＮＨ２（ＣＨｚ）ｚＮＨｚｌ ｙ］なお、
各実施例においては、反応性イオンエッチラグ装置（Ｒ
ＩＥ）でドライエッチッグした例を説明したが、装置の
形態は特に限定することなく、電磁共鳴（ＥＣＲ）、光
励起管等による全てのドライエッチッグ方法に適用でき
る。Cu+x/4 CF4-+CuFx+x/4 C(:,
LIF
CuFx (NH2(CHz)zNHzl y]
In each example, a reactive ion etch lag apparatus (R
Although an example of dry etching using IE) has been described, the form of the apparatus is not particularly limited and can be applied to all dry etching methods using electromagnetic resonance (ECR), photoexcitation tube, etc.
この発明のドライエッチッグ方法およびその装置は、真
空装置の内部に導入した中性配位子を有する物質のガス
とハロゲンまたはハロゲン化物のガスとからなる混合ガ
スに高周波電圧を印加して混合ガスのプラズマとし、こ
の混合ガスのプラズマか銅または銅を含有する金属と反
応してハロゲン化鋼を生成し、ハロゲン化銅と中性配位
子とを反応させて銅金属錯体を生成させた後、蒸気圧の
低い銅金属錯体を除去することにより、所定部分の銅ま
たは銅を含有する金属を早い速度で加工形状（エツチン
グ形状）を制御しなからエツチングすることができる。The dry etching method and apparatus of the present invention apply a high frequency voltage to a mixed gas consisting of a gas of a substance having a neutral ligand and a halogen or halide gas introduced into a vacuum apparatus to generate a plasma of the mixed gas. Then, the plasma of this mixed gas reacts with copper or a metal containing copper to produce halogenated steel, and after reacting the copper halide with a neutral ligand to produce a copper metal complex, steam By removing the copper metal complex at low pressure, a predetermined portion of copper or copper-containing metal can be etched at a high speed without controlling the processed shape (etched shape).
第１図はこの発明のドライエッチッグ方法を行う装置の
一実施例の縦断面概略図、第２図は従来のウェットエツ
チング方法を説明する縦断面概略図である。
ｌ・・・基板、２・・・真空装置、３・・・ガス導入部
、６゜６′・・・プラズマ
・こ♀；−辷−
第 １ 図 ３ｙｒス祷入
蛭／
第２図
手続補正書輸鋤
平成 ２年１２月 ７日FIG. 1 is a schematic vertical cross-sectional view of an embodiment of an apparatus for carrying out the dry etching method of the present invention, and FIG. 2 is a schematic vertical cross-sectional view illustrating a conventional wet etching method. 1...Substrate, 2...Vacuum device, 3...Gas introduction part, 6゜6'...Plasma・Fig. Shoho Sho December 7, 1990
Claims (1)
ゲン化物のガスとからなる混合ガスを真空装置の内部に
導入し、この混合ガスに高周波電圧を印加してプラズマ
化し、このプラズマで銅または銅合金をエッチングする
ドライエッチッグ方法。A mixed gas consisting of a gas of a substance having a neutral ligand and a gas of a halogen or halide is introduced into a vacuum device, and a high frequency voltage is applied to this mixed gas to turn it into plasma. Dry etching method for etching alloys.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29789290A JPH04173988A (en) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | Dry etching method |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP29789290A JPH04173988A (en) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | Dry etching method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04173988A true JPH04173988A (en) | 1992-06-22 |
Family
ID=17852462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29789290A Pending JPH04173988A (en) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | Dry etching method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04173988A (en) |
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