JPH041706A - 光ファイバの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

［０００１］

【産業上の利用分野】

本発明は、光ファイバの分野に関する。 ［０００２］

【従来の技術】

長距離通信用の光ファイバは、完成度の優れた段階に達
している。例えば、約０．２０ｄｂ／ｋｍの損失の単一
モード光ファイバカミ慣例的に生産されている。それに
もかかわらず、いまだに、信号の損失をさらに軽減する
ことに大きな重要性があるが、これは、わずか０．０１
ｄｂ／ｋｍ程度の小さな減少が、中継器の間に許される
距離の増大に変わり得るからである。そして、これが、
システムの費用のかなりの差となるが、この差は、必要
によって極めて複雑な（そして、それ故に高価な）中継
器を使用しなければならない大洋横断海底ケーブル光シ
ステムなどの伝送システムの場合、特に大きい。 ［０００３］ 関連する局面として、ファイバの費用を下げることによ
ってシステムの費用を下げる必要がある。例えば、プリ
フォーム（母材）を引き伸ばして得られるファイバの長
さは、そのプリフォームの製造費用を比例的に増加させ
ることなく、かなり伸ばすことができるが、このように
すれば、普通は、ファイバ費用の実質的な減少となる。 ［０００４］ 周知のように、光ファイバ（即ち、コアとそれを囲んで
いる「堆積」クラッド層）の光学的に活性な部分は、一
般に、ガラス形成反応において合成され、基板上に堆積
されたガラスから成る。例えば、米国特許第４．６９１
．９９０号参照。 ［０００５］ 商業用の光ファイバの光学的に活性な部分を製造するた
めの方法には現在２つの種類がある。１つは、いわゆる
外付は部処理（ＯＶＤおよびＶＡＤ）からなり、他方は
、いわゆる「内骨は処理Ｊ　　（ＭＣＶＤおよびＰＣＶ
Ｄ）からなる。本出願は、主に後者の処理によって製造
されたファイバに関するが、本発明は、外付は処理の少
なくともいくつかの変形についても実施することが可能
である。 ［０００６］ 周知のように、内部処理では、　（一般に、「基礎」チ
ューブと称する）シリカ・ベースのチューブの内側でガ
ラス形成反応が起こるようにし、その結果生じるガラス
状の反応生成物を、その基礎チューブの内壁に堆積させ
る。 ［０００７］ 光ファイバめ製造費用の主な要素は、コアを堆積させる
費用および堆積クラッド材料め費用である。尚、コアと
クラッド材料を一括して「堆積」ガラスと称する。従っ
て、所与のプリフォームを引き伸ばしてより長いファイ
バを得るとともに、堆積時間を比例的に増やさないこと
が、できれば望ましい。 ［０００８］ 当業者であれば、実質的な損失という不利益を被ること
なく、ファイバにおける堆積ガラスの割合を減らすため
に用い得る何らかの方法を心得ている。以下には、図１
に図式的に示され、広く使用され、市販により入手可能
な、単一モードファイバの設計について説明する。 ［０００９］ ファイバの内側部分（所定の位置に生成堆積されたシリ
カ・ベースのガラスから成る）は、第１のクラッド領域
１１（有効屈折率ｎ１、有効外径Ｄ）によって囲まれた
コア１０（有効屈折率ｎ、有効直径ｄ）から成る。一般
に、ｎｏを名目上純粋なガラス質シリカの屈折率とした
場合、ｎｏ＞ｎｏ、力りｎｌくｎｏである。 容易に分かるとおり、屈折率は、例えば、そのファイバ
に予定される動作波長のような、所与の波長において比
較される。 ［００１０］ また、図１には、一般に基礎チューブから得たガラスか
ら成り、ファイバの内側部分を囲んでいる第２のクラッ
ド領域１２（外径Ｄｏ、屈折率ｎ２＝ｎｏ）も示されて
いる。一般に、低損失ファイバ用として、Ｄ／ｄは少な
くとも約５でなければならない。これは、一つには、利
用可能なシリカ・ガラス・チューブが比較的高損失であ
ることによるが、一般に、さらに重要なのは、Ｄ／ｄ≦
５．０の場合に（相対的に屈折率の差を大きく設計した
場合に）　許容できないほど高いマクロベンド（ｍａｃ
ｒｏｂｅｎｄ　ｉ　ｎｇ　）損失が起こり得ることによ
る。マクロベンド損失は第１および第２のクラッド領域
の間に屈折率の不連続が存在することによって起こるこ
ともあり、また第２のクラッド領域の材料が非常に低損
失の場合でも起こることがあり、この点は注意を要する
。ファイバの直径（Ｄ　）は、ＤＯ／ａが約１５となる
ような大きさであり、Ｄ／ｄは、約５．５と約６．５と
の間であるため、この結果として、一般的に、ファイバ
の全体積の約１９％が堆積ガラスとなる。 ［００１１］ より多くのガラスを堆積させ、さらに厚い基礎チューブ
を使用すれば、プリフォームごとにより多くのファイバ
を得ることができる。しかし、内部堆積処理を用いる場
合、これは一般に不可能である。なぜなら、一般に、基
礎チューブが厚いと、熱インピーダンスが大き過ぎて、
通常の外部熱源ではチューブ内部のガラス形成反応を維
持することが困難となり、結果的に、そのチューブを棒
にコラップスして（高温加熱により押しつぶして）しま
うからである。さらに、堆積に要する時間が増え、経済
面での改善の可能性を制限することになる。 ［００１２］ この制限を克服するために、標準のシリカ・チューブの
内側に適切な割合で増量した堆積ガラスを合成し、シリ
カ・チューブを押しつぶし、このようにして生成した棒
状のガラス体の周囲に新たなシリカ・チューブを配置し
、収縮させることにより外部クラッドを設ける技術が、
提案されている。例えば、５．５のＤ／ｄおよび約１５
のＤｏ／ｄに対し、いわゆる「ロッド・イン・チューブ
」処理においては、ファイバ全体の約１３％が、堆積ガ
ラスであり、４０％が、基礎チューブから得られ、約４
７％が、外部クラッド・チューブからのものである。基
礎チューブに堆積される材料の量−を増やすことによっ
てＤ／ｄが一定の値に維持されれば、（ロッド・イン・
チューブ処理の場合のように、または他の何らかの外部
クラッド法によって生成されるような）外部クラッドを
使用することは、一般に、ファイバにおける堆積ガラス
の割合を実質的に減少させることにはならない。しかし
、□どの技術には、ファイバの単位長さ当たりの製造時
間の短縮により、ファイバ製造費用をある程度減少させ
る可能性があり、また、より速い引き伸ばし速度の使用
の可能性を含む、さらに大きなプリフォームからのさら
に長いファイバの実現に関連する利点もある。 ［００１３］ 前記の米国特許第４．６９１．９９０号には、シリカ・
ベースのファイバにおける堆積ガラスの割合を減らすた
めに利用できる方法が開示されている。図２は、特許第
４、６９１．９９０号に従うファイバの典型的な屈折率
分布を図式的に表すが、ここで、ｎｕｎ（一般に、ｎ　
２”Ｆ　ｎ　ｔ　）である。このようなファイバの設計
の有利なマクロペンド特性のため、重大な損失の不利益
を被ることな（Ｄ／ｄを５．５〜６゜５の範囲未満の値
は下げることができる。第２のクラッド領域（１２）の
材料が比較的低損失の場合、Ｄ／ｄを約３にまで下げる
ことが可能である。現在は、ダラン・ドープされた（屈
折率が低下するようにドープされた）低損失のシリカ・
チューブが利用できるようになった。例えば、Ｄ／ｄ＝
３でＤｏ／ｄ＝１５の場合、ファイバのわずか４％のみ
が堆積ガラスで、残りは、チューブから得られたガラス
である。しかし、この設計は、図１の低速気味のクラッ
ド設計の伝播上の利点をすべて有するわけではなく、コ
アにおける応力を最小にするために引き伸ばし速度を低
くする必要がある。 ［００１４］

【発明が解決しようとする課題】

光ファイバの製造方法の改良における商業的意義の観点
から、プリフォームから引き伸ばしによって得ることの
可能なファイバの長さを増やすことを可能とする方法、
または、低損失のファイバを製造可能な方法、あるいは
、それらの両方を実現可能な方法が、大いに切望されて
いる。本出願により、そのような方法の発明と、この発
明の方法によって生産される新規な光ファイバとを開示
する。 ［００１５］

【課題を解決するための手段】

広い観点から、本発明は、特許請求の範囲において明示
されているように、改善されたファイバ（低価格のファ
イバを含む）を提供し得る光ファイバの製造方法であり
、この方法によって新奇なファイバが製造される。 ［００１６］ さらに詳細には、本発明の方法は、棒状のシリカ・ベー
ス（一般に、約８０％のす、　ｗ、シリカ）の本体を作
ること、その本体を既存のシリカ・ベースのガラスで被
覆し、外部クラッドを設けること、そしてこのようにし
て形成されたプリフォームを引き伸ばしてファイバを得
ることからなる。 ［００１７］ 棒状の本体は、ガラス形成反応によって所定の位置に生
成されたシリカ・ベースのガラスからなる内側部分を備
えている。この内側部分は、比較的（ｎ　１に比較して
）大きい有効屈折率ｎ　と有効直径ｄとを有するコア領
域を備えている。 コアの屈折率は、一般に、ｎにほぼ等しいかそれより大
きい（ｎｏ≧ｎｏ）。ここで、「はぼ等しい」としたの
は、コアのダウン・ドープのためにｎ。がｎｏより僅か
に小さくなる場合を含めるためである。原則として、こ
こでは、第１の屈折率と第２の屈折率との間の正規化し
た差が、約０．０４％未満の場合、２つの屈折率は、は
ぼ（または実質的に）、等しいこととする。 ［００１８］ 内側部分はさらに、前記のコア領域に接してこれを取り
囲み、有効屈折率ｎ１（ｎ　１　＜　ｎ　ｏ　）と有効
外径りとを有する第１のクラッド領域を備えている。 ［００１９］ 棒状の本体はさらに、ｎ　＜ｎなる屈折率ｎ　　（ｎは
、都合良くｎｌに等しいか、またはほぼ等しく、絶対値
（ｎｚ　　ｎｌ）／ｎ２は、都合良く約０．０４以下で
ある）と、外径Ｄ′を有する第２のクラッド領域を備え
ている。第２のクラッド領域は、内側部分に接してこれ
を取り囲んでおり、フッ素ドープされたシリカ基礎チュ
ーブから一般に得られる既存のシリカ・ベースのガラス
から本質的に構成されている。この場合、シリカ基礎チ
ューブは、都合良＜　（ｎ　−ｎ　）　／ｎ。 ５０．０３％となるようにされている。外部クラツド材
は、棒状の本体に接してこれを囲んでおり、外径ＤＯお
よび屈折率ｎ３（ｎ２≦ｎ３≦ｎｏ）を有する第３のク
ラッド領域を構成している。一般に、ｎ２．＜ｎ３であ
る。 ［００２０］ 一般に、外部クラッドの少なくとも一部は、棒状の本体
の表面にコラップスされた１つ以上のシリカ・ベースの
外部クラッド・チューブから得られる。また、外部クラ
ツド材の全部または一部は、高密度のガラス層が得られ
るように、棒状の本体に対して、または本体の周りに予
めコラップスされた外部クラツド材に対して、既存のガ
ラス粒子を付着させることによって形成することもでき
る。 ［００２１］ 従って、本発明による光ファイバは、ダウン・ドープさ
れた基礎チューブから得られるクラッド領域（第２のク
ラッド領域）を備え、さらに第２のクラッド領域を取り
囲み、例えばシリカ・ガラス・チューブなどの既存のガ
ラスから得られる外部クラツド材を備えている。外部ク
ラツド材の少なくとも一部は、純粋なシリカ・ガラスの
屈折率より小さいか、または本質的に等しい屈折率を有
する。このようなファイバは、周知のロッド・イン・チ
ューブ処理によって作られた従来技術のファイバを含め
た従来技術のファイバと比較して、かなり低価格である
ことを含め、著しい利点を提供することができる。一般
に、本発明によるファイバにおいては、Ｄ／ｄは５未満
で、典型的には２〜４の範囲であり、Ｄ’／ｄは一般に
４〜１０の範囲である（なお、Ｄ’　　＞Ｄである）。 ［００２２］

【実施例】

本発明の詳細な説明は、概して、ＭＣＶＤによって従来
どおり作られたシリカ・ベースの棒状のガラス本体につ
いて行うが、本発明の方法は、それに限られるわけでは
ない。例えば、ガラス本体として、ダウン・ドープされ
た既存のガラスによって囲まれた堆積ガラスから成るガ
ラス本体を提供できる限り、他の内部堆積処理（例えば
、ＰＣＶＤ）または外部堆積処理（例えば、ＶＡＤまた
は○ＶＤ）を含む方法によって製造された本体に付いて
も、本方法を容易に実施することができる。 ［００２３］ 図３は、本発明による典型的なファイバの屈折率分布を
図式的に表す。コア１０および第１のクラッド１１は、
シリカ・ベースの堆積ガラスから成り、第２のクラッド
１２によって囲まれている。そして、第２のクラッドは
、第３のクラッド１３（外径Ｄ　屈折率ｎ３、尚、ｎ３
は、一般にｎｏに等しいが、必ずしも等し０ゝ い必要はない）によって接触状態で囲まれている。大き
なマクロベンド損失を避けるために、Ｄ’　／ｄは、一
般に約５．０以上である。例えば、Ｄ／ｄ＝２．７かつ
Ｄｏ／ｄ＝１５である場合には、ファイバのわずか３％
が堆積ガラスで、約８％がダウン・ドープされた第２の
クラツド材であり、残りが外部クラツド材である。 ［００２４］ 例えば、本発明は、一定の構造を有する光ファイバ、す
なわち、そのコアおよび第１のクラツド材が内部堆積処
理（例えば、ＭＣＶＤ）によって作られ、その第２のク
ラッドが基礎チューブから得られ、且つ、その外部クラ
ッドが、第２のクラッドの屈折率ｎ２と複数の外部クラ
ッド・チューブのうちの少なくとも１つの屈折率との間
の正規化した屈折率の差が少なくとも約０．０４％の大
きさであるような１つ以上の外部クラッド・チューブか
ら得られるような光ファイバとして実現される。このフ
ァイバのＤ／ｄは、５未満である。典型的なファイバの
外部クラッドは、一般に、屈折率ｎ３を有する第３のク
ラッド領域を備えているが各屈折率は、ｎ　＞ｎおよび
ｎ２、ｎｏ≧ｎ　ｏ、　ｎ　□＞　ｎ　１およびｎ２、
ｎ１≠ｎ２、そしてｎｕｎ　　となるように選択される
。さらに、（ｎ３−ｎ２）／ｎ２〉０．０３−〇 ４％である。一般に、基礎チューブは、フッ素ドープさ
れた合成シリカ・チューブである。外部クラッドが単一
の外部クラッド・チューブから得られる場合、その外部
クラッド・チューブは、一般に、ドープされていないシ
リカ・チューブである。一方、外部クラッドが複数の外
部クラッド・チューブから得られる場合、外部クラッド
・チューブの少なくとも１つは、一般に、フッ素ドープ
されたシリカ・チューブである。 ［００２５］ 本発明によるファイバは、図３のファイバによって例示
されるが、次のようにして作ることができる。まず、コ
ア、第１のクラッド領域、および第２のクラッド領域か
ら成る棒状のガラス本体を従来のように生成する。この
場合、第２のクラツド材は、一般にダウン・ドープされ
たシリカ・チューブ、好ましくはフッ素ドープされた合
成シリカ（「合成」シリカとは、例えば５ｉＣ１および
０２のような先駆化合物を反応させることによって作ら
れるガラス質のシリカを意味する。この反応は、例えば
、高温ガス相反応またはゾル／ゲル形の反応である。）
から成るチューブから得る。この後、棒状のガラス本体
には、（例えば、概略、米国特許第４．７６７、４２９
号に開示されているような）シリカ粒子の高温堆積によ
る外部クラッドの形成も考えられるが、シリカ・ベース
の外部クラツド材、一般にはシリカ・チューブによって
外部クラッドを形成する。このようにして作ったプリフ
ォームを従来の要領により引き伸ばすことで、ファイバ
を得ることができる。 ［００２６］ 本発明の方法（典型例としては、Ｄ’／ｄが、例えば５
のような所定の値を越えることを求められるようなファ
イバの設計に応用される）を使用すれば、従来技術の外
部クラッド用のプリフォームを含む、従来技術のプリフ
ォームより実質的に長いファイバを得られるような、比
較的大きなプリフォームを容易に生成することかできる
。例えば、従来のＭＣＶＤ堆積レイズ（ｌａｔｈｅ）を
用いた場合でも、類似の従来技術の外部クラッド・プリ
フォームによって一般に得られるファイバの長さの３倍
以上、さらには５倍もの長さのファイバを得ることので
きるようなプリフォームを生成することが可能である。 ［００２７］ 本発明は、種々のファイバの設計において実施すること
ができる。典型的な屈折率分布を図４に示す。この図４
において、領域４０は、米国特許第４．８５２．９６８
号に開示されている種類の屈折率の「溝」である。この
特許に開示されているように、このような溝を有利に利
用することによって、ファイバの特性の幾つかを調節す
ることができる。図４に示した種類のプリフォームは、
基本的な本発明の方法の適切な変形によって生成するこ
とができる。例えば、棒状の本体を、まず（例えば、薄
い壁状に形成され、高濃度にフッ素ドープされたシリカ
・チューブを本体の周囲に配置し、収縮させるか、また
はフッ素ドープされたシリカを本体表面に堆積させるこ
とによって）「溝」用の材料で被覆し、続いて、第３の
クラッド領域１３の材料で本体の周囲に外部クラッドを
生成することができる。 ［００２８］ また、屈折率の溝は、さらに高濃度にダウン・ドープさ
れた領域から成るダウン・ドープされた基礎チューブを
使用することによって作ることも可能である。 放射状に一様でない屈折率分布を有するシリカ・ベース
のチューブを生成するには、放射状に一様でない分布を
有する合成の環状シリンダを形成し、このシリンダを周
知の要領で引き伸ばしてチューブを得るか、さらに好ま
しくは、−様な屈折率を有するダウン・ドープされたシ
リカの中間的な環状シリンダを形成し、さらに高濃度に
ダウン・ドープされたシリカの環状シリンダを中間的な
環状シリンダ上に配置し、収縮させればよい。 ［００２９］ 勿論、溝は、第２のクラッド領域１２と第３のクラッド
領域１３との間に配置する必要はなく、代わりに所望の
任意の位置に配置することができる。例えば、ガラスの
堆積を、高濃度にフッ素ドープされた材料で開始し、続
いて、それほど高濃度でなくフッ素ドープされた第１の
クラツド材で行うことにより、溝を第１のクラッド領域
１１と第２のクラッド領域１２の間に置くことができる
。溝を第１のクラッド領域１１と第２のクラッド領域１
２との間に置くことにより、コアおよび第１のクラッド
領域への誘導放射を一層良好に制限することができ、結
果的にファイバの損失を減らすことができる。 ［００３０］ 周知のように、低濃度にドープされたコアはど光学的減
衰が小さいので、比較的低濃度にドープされた（または
、ドープされていない）コアを与えることには利点があ
る。しかし、そのようなコアを有するファイバを従来技
術によって作ることは、引き伸ばし温度におけるコア領
域の比較的高い粘性および高濃度にダウン・ドープされ
たクラツド材の一般に低い粘性のために、困難である。 このように、コアとクラツド材との間に引き伸ばし温度
における粘性の差があるために、引き伸ばし負荷の大部
分を非常に細いコア領域によって支える必要があり、比
較的高い引き伸ばし温度、或いは低い引き伸ばし速度、
またはそれらの両方を用いる必要がある。また、少なく
ともゲルマニウムがドープされたシリカを高温で処理す
る場合には、低温で処理する場合と比較して、高温処理
の段階でさらに何らかの損失を伴うらしいことが知られ
ている。 ［００３１］ 前屈の問題は、本発明によるファイバによって克服する
ことが可能であり、これを成し遂げ得る典型的なファイ
バの屈折率分布を図５に図式的に示す。コアの有効屈折
率ｎは、ｎｏにほぼ等しい。第２のクラッド領域１２は
、ダウン・ドープされた追加的なりラッド領域５０によ
って囲まれ、さらにこのクラッド領域５０が、ドープさ
れていない領域５１によって囲まれている。例えば、Ｄ
／ｄが２７、Ｄ’　／ｄが５．′５、Ｄ″／ｄが１１、
そしてＤｏ／ｄが１５であるならば、ガラスの約３％が
堆積ガラスであるファイバとなるが、ここで、ガラスの
約４７％は、本質的にドープされていないシリカである
。全体積の□この実質的な部分（コア材の体積の約′５
倍以上が望ま゛しい）が、ファイバの引き伸ばしの際の
負荷支持領域として作用上、低温或いは高速の引き伸ば
し、または低温且つ高速の引き伸ばしを可能とする。 図６に、本発明のさらに典型的な実施例を示す。同図に
おいて、（ドープされていない）クラッド領域５１は、
ドープされたクラッド領域６０によってさらに囲まれて
おり、領域６０は、ｎｏ以上の屈折率とシリカより低い
粘性とを有する。例えば、領域６０には、リンまたはホ
ウ素がドープされている。領域５０の存在は任意である
。ドープされた最も外側のクラッド層があることから、
このクラッド層を構成するシリカ、すなわち、比較的低
い粘性にドープされたシリカの亀裂回復能力によって、
耐久検査結果を向上させることができる。 ［００３３］ 実例１：図３に示した型の屈折率分布を有する光ファイ
バを次のように製造した。フッ素ドープされたシリカ・
チューブ（屈折率ｎ　　　（ｎ　−ｎ　）　／ｎｏ＝０
２゛０２ １％、外径２５ｍｍ、内径２１ｍｍ）を標準のＭＣＶＤ
堆積装置に取り付け、フッ素ドープされたシリカ層を多
数層堆積させ、続いて、低濃度にゲルマニウムドープさ
れたシリカ層をさらに多数層堆積させた。フッ素ドープ
のレベルは、屈折率（ｎ　）が基礎チューブの屈折率（
ｎ２）とほぼ等しくなるように選択し、フッ素ドープさ
れたシリカ層とゲルマニウム・ドープされたシリカ層と
の数は、Ｄ／ｄが約３．３となるように選択した。堆積
が完了した後、そのチューブを直径的１５ｍｍの棒にコ
ラップスした。堆積およびコラップスは、共に光フアイ
バ技術の分野で周知の従来技術によるものである。引き
続き、棒の外側を焼成仕上げし、その棒を外径４０ｍｍ
、内径１７ｍｍの（意図的にドープしていない）シリカ
・チューブに挿入し、従来技術によってシリカ・チュー
ブを棒上に収縮させた。このようにして作った光ファイ
バのプリフォームが、５ｍ／ｓを越える速さで引き伸ば
され、はぼ５０ｋｍ以上の単一モード光ファイバが得ら
れた。このファイバは、直径が１２５　ｐ　ｒｎ、、　
Ｄｏ／　ｄが１５、Ｄ’／ｄが６、Ｄ／ｄが３，３であ
り、さらに、市販のファイバ、すなわち、約５．５のＤ
／ｄを有し、本発明のファイバと本質的に同じ値のΔｎ
を有する市販のファイバと大差ないマクロベンド損失を
有していた。 ［００３４］ 実例２：図５に示したような屈折率分布を実質的に有す
る光ファイバは、はぼ実例１において説明した通りに作
られるカミ異なる点は、基礎チューブをコラツプスした
後、その棒の表面にダウン・ドープされたシリカ・チュ
ーブ（このチューブは、領域５０に相当し、ｎにほぼ等
しい屈折率ｎ２′を有し、外径３６ｍｍ、内径１９ｍｍ
である）を収縮させ、さらにその表面にシリカ・チュー
ブ（意図的にドープせず、外径４９ｍｍ、内径３７ｍｍ
）を収縮させることである。このようにして作ったプリ
フォームからは、ｎ３＝ｎ２′と言う点のみで即席のプ
リフォームとは異なるようなプリフォームからファイバ
を引き伸ばすときの速さより速い速度で、約２２００℃
の引き伸ばし温度で、ファイバを引き伸ばす。このよう
にして得られたファイバは、Ｄ／ｄが２．７、Ｄ’／ｄ
が５．５、Ｄ″／ｄが１１、そしてＤｏ／ａが１５であ
った。 ［００３５］ 実例３：図６に示したような屈折率分布を実質的に有す
る光ファイバは１、はぼ実例２において説明した通りに
作られるが、異なる点は、リンをドープされたシリカ・
チューブ（領域６０に相当）が純粋なシリカ領域５１の
上に収縮されることである。この結果得られるファイバ
は、ドープ領域６０の亀裂回復能力を少なくとも一因と
して、高い耐久テスト結果を有する。 ［００３６］ 以上の説明は、本発明の一実施例に関するもので、この
技術分野の当業者であれば、本発明の種々の変形例が考
えられるが、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包
含される。 ［００３７］ 尚、特許請求の範囲に記載した参照番号は、発明の容易
なる理解のためで、その技術的範囲を制限するよう゛に
解釈されるべきではない。 ［００３８］

【発明の効果】

以上述べたように、本発明によれば、プリフォームから
得ることの可能な光ファイバの長さを増大すること、お
よび低損失の光ファイバを安価に得ることが可能となる
。

【図面の簡単な説明】

【図１】 従来の技術の光ファイバの屈折率分布の一例を図式的に
示す図である。

【図２】 従来の技術の光ファイバの屈折率分布の一例を図式的に
示す図である。

【図３】 本発明によるファイバの典型的な屈折率分布の一例を図
式的に示す図である。

【図４】 本発明によるファイバの典型的な屈折率分布の一例を図
式的に示す図である。

【図５】 本発明によるファイバの典型的な屈折率分布の一例を図
式的に示す図である。

【図６】 本発明によるファイバの典型的な屈折率分布の一例を図
式的に示す図である。

【符号の説明】

１０　コア １１　第１のクラッド １２　第２のクラッド １３　第３のクラッド ４０　屈折率の溝 ５０　ダウン・ドープされた追加的なりラッド領域５１
　ドープされていないクラッド領域６０　さらにドープ
されたクラッド領域

【書類基】

【図１】

【図２】 図面

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光ファイバの製造方法において、ａ）ｉ）
   ガラス形成反応によって所定の位置に生成したシリカ・
   ベースのガラスから本質的に構成された直径Ｄの内側部
   分、すなわち比較的大きな有効屈折率（ｎ＿ｃ）と有効
   直径ｄを有するコア領域（１０）を備え、前記コア領域
   に接してこれを取り囲み、かつ純粋なガラス質のシリカ
   の屈折率ｎ＿０に比較して小さい屈折率ｎ＿１を有する
   第１のクラッド領域（１１）をさらに備えた、直径Ｄの
   内側部分と、 ｉｉ）外径Ｄ′と、ｎ＿２＜ｎ＿０であるような屈折率
   ｎ＿２を有し、前記内側部分に接してこれを取り囲み、
   既存のシリカ・ベースのガラスから成る第２のクラッド
   領域（１２）と を備えた棒状のシリカ・ベースの本体を作るステップと
   、ｂ）前記本体を引き伸ばして光ファイバを得るステッ
   プと、ｃ）前記ステップｂ）に先立ち、既存のシリカ・
   ベースのガラスで前記本体に外部クラッドを形成し、こ
   の外部クラッド（例、１３）が、前記本体に接してこれ
   を取り囲み、外径Ｄ＿０を有し、さらにこの外部クラッ
   ドが、ｎ＿２≦ｎ＿３≦ｎ＿０なる屈折率ｎ＿３を有す
   る第３のクラッド領域を含むようにするステップとを備
   えたことを特徴とする光ファイバの製造方法。
2. 【請求項２】Ｄ／ｄが５未満である ことを特徴とする請求項１記載の製造方法。
3. 【請求項３】ｎ＿３が、ほぼｎ＿０に等しく、第３のク
   ラッド領域の断面積が、コア領域の少なくとも５倍であ
   り、かつｎ＿ｃが、ほぼｎ＿０に等しい ことを特徴とする請求項２記載の製造方法。
4. 【請求項４】前記外部クラッドが、純粋なシリカの粘性
   より小さい粘性を有するドープされたシリカからなる第
   ４のクラッド領域（６０）を備え、かつ前記第４のクラ
   ッド領域が、前記本体の最も外側の領域であることを特
   徴とする請求項３記載の製造方法。
5. 【請求項５】前記製造方法が、さらに、ｎ＿ｔ＜ｎ＿１
   であるような屈折率ｎ＿ｔとｄ以上の内径とを有する屈
   折率の溝（４０）を形成するステップを備えたことを特
   徴とする請求項１記載の製造方法。
6. 【請求項６】前記外部クラッドが、１つ以上の外部クラ
   ッド・チューブから得られ、 この１つ以上の外部クラッド・チューブのうちの少なく
   とも１つの屈折率とｎとの間の正規化した屈折率の差が
   、大きさにして少なくとも約０．０４％はあるようにさ
   れ、 かつ、Ｄ／ｄが、５未満である ことを特徴とする請求項１乃至５記載の製造方法。
7. 【請求項７】ｎ＿０をガラス質のシリカの屈折率とした
   場合、各屈折率をｎ＿ｃ＞ｎ＿１およびｎ＿２、ｎ＿ｃ
   ≧ｎ＿０、ｎ＿０＞ｎ＿１およびｎ＿２、ｎ＿１≒ｎ＿
   ２、ｎ＿３≦ｎ＿０、（ｎ＿３−ｎ＿２）／ｎ＿２＞０
   ．０４％となるように選択するステップをさらに備えた
   ことを特徴とする請求項６記載の製造方法。
8. 【請求項８】前記第２のクラッド領域の既存のシリカ・
   ベースのガラスが、フッ素をドープされた基礎チューブ
   （ｓｕｂｓｔｒａｔｅｔｕｂｅ）から得られることを特
   徴とする請求項１乃至５記載の製造方法。