JPH04167512A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPH04167512A JPH04167512A JP29613290A JP29613290A JPH04167512A JP H04167512 A JPH04167512 A JP H04167512A JP 29613290 A JP29613290 A JP 29613290A JP 29613290 A JP29613290 A JP 29613290A JP H04167512 A JPH04167512 A JP H04167512A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体電解コンデンサの製造方法に関し、特に陽
極体素子製造工程における加圧成形方法に関する。
極体素子製造工程における加圧成形方法に関する。
従来固体電解コンデンサの陽極体素子製造工程において
は、弁作用金属粉末に陽極リード線を植立しながら一定
の加圧条件で１回の加圧成形で製造していた。
は、弁作用金属粉末に陽極リード線を植立しながら一定
の加圧条件で１回の加圧成形で製造していた。
上述した従来の陽極体素子製造方法では、１回の加圧で
成形してしまうので、成形体強度を保つためある程度圧
縮比を大きくし成形密度を高くする必要がある。しかし
、成形密度が高いと後の陰極半導体層形成工程において
、成形体内部まで十分な半導体層を形成できない欠点を
もつ。また圧縮比を小さくし成形密度を低くすると成形
体強度が弱くなり、組み立て工程における陽極リード線
を外部陽極端子等に溶接する際の機械的ストレスや外装
樹脂の硬化・熱収縮等における機械的ストレスによりも
れ電流値が増大する。とくに陽極リード線植立部周辺が
陽極リード線が受ける応力を直接受けるためもれ電流値
劣化のポイントになるという欠点を有している。
成形してしまうので、成形体強度を保つためある程度圧
縮比を大きくし成形密度を高くする必要がある。しかし
、成形密度が高いと後の陰極半導体層形成工程において
、成形体内部まで十分な半導体層を形成できない欠点を
もつ。また圧縮比を小さくし成形密度を低くすると成形
体強度が弱くなり、組み立て工程における陽極リード線
を外部陽極端子等に溶接する際の機械的ストレスや外装
樹脂の硬化・熱収縮等における機械的ストレスによりも
れ電流値が増大する。とくに陽極リード線植立部周辺が
陽極リード線が受ける応力を直接受けるためもれ電流値
劣化のポイントになるという欠点を有している。
本発明の目的は、成形体強度を高く保ちながら半導体層
形成における成形体内部への浸透性を向上させることが
でき、固体電解コンデンサ素子自身がもつ内部抵抗値を
低下させることができ、さらに製造工程中の外部ストレ
スや製品化後の外部からの熱ストレスに強く、もれ電流
値を劣化させにくい固体電解コンデンサの製造方法を提
供することにある。
形成における成形体内部への浸透性を向上させることが
でき、固体電解コンデンサ素子自身がもつ内部抵抗値を
低下させることができ、さらに製造工程中の外部ストレ
スや製品化後の外部からの熱ストレスに強く、もれ電流
値を劣化させにくい固体電解コンデンサの製造方法を提
供することにある。
本発明の固体電解コンデンサの製造方法は、陽極体素子
製造工程において、弁作用金属粉末を加圧成形する際に
、多数回に分割して、弁作用金属粉末を投入し圧縮比率
を変えて成形する工程を有することを特徴として構成さ
れる。
製造工程において、弁作用金属粉末を加圧成形する際に
、多数回に分割して、弁作用金属粉末を投入し圧縮比率
を変えて成形する工程を有することを特徴として構成さ
れる。
本発明は上述のように、多数回に分けて材料の金属粉末
を投入し、圧縮比率を変えて成形することにより成形密
度の高い成形体強度を保つリード植立部分と、成形密度
の低い半導体層を形成しやすい部分を持つ陽極体素子を
製造することができる。
を投入し、圧縮比率を変えて成形することにより成形密
度の高い成形体強度を保つリード植立部分と、成形密度
の低い半導体層を形成しやすい部分を持つ陽極体素子を
製造することができる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
タンタル、アルミニウム、ニオブ等の弁作用金属粉末を
、タンタルの場合約６．０〜１０．０ ｇ／ｃｃ。
、タンタルの場合約６．０〜１０．０ ｇ／ｃｃ。
高密度でプレス成形して高密度成形部１を形成し、つづ
いてタンタル粉末を投入して約２０〜６．０ｇ／ ｃｃ
の低密度でプレス成形して低密度成形部２を形成した。
いてタンタル粉末を投入して約２０〜６．０ｇ／ ｃｃ
の低密度でプレス成形して低密度成形部２を形成した。
つぎに、第２図により成形方法について説明する。まず
、第２図（ａ）に示すように陽極リード線導入孔７を通
して陽極リード線３を導入しである成形用下パンチ５を
ダイス６内に配置し、タンタル等の弁作用金属粉末をダ
イス６内に投入し、成形用上バンチ４を約８Ｏｆ）ｋｇ
／ａｔ！の加圧力で第１段加圧成形し高密度成形部ｌを
形成する。つづいて、成形用上パンチ４を一担ダイス６
よりとり出し、弁作用金属粉末を高密度成形部１の上に
投入し、再び成形用上パンチ４で約６００ｋｇ／ｃｎｉ
の加圧力で第２段加圧成形し、低密度成形部２を得た。
、第２図（ａ）に示すように陽極リード線導入孔７を通
して陽極リード線３を導入しである成形用下パンチ５を
ダイス６内に配置し、タンタル等の弁作用金属粉末をダ
イス６内に投入し、成形用上バンチ４を約８Ｏｆ）ｋｇ
／ａｔ！の加圧力で第１段加圧成形し高密度成形部ｌを
形成する。つづいて、成形用上パンチ４を一担ダイス６
よりとり出し、弁作用金属粉末を高密度成形部１の上に
投入し、再び成形用上パンチ４で約６００ｋｇ／ｃｎｉ
の加圧力で第２段加圧成形し、低密度成形部２を得た。
陽極リード線３切断後ダイス６より成形体を取り比し直
径約４．５ ｍ／ｍ高さ約６ｍ／ｍ（高密度部約２ｍ／
ｎ低密度部約４ω／ｍ）の円筒形の成形体を得た。
径約４．５ ｍ／ｍ高さ約６ｍ／ｍ（高密度部約２ｍ／
ｎ低密度部約４ω／ｍ）の円筒形の成形体を得た。
以降は、公知の技術により、高温真空焼結し、陽極酸イ
虐極層形成１組み立て、樹脂外装等の工程をへて、定格
電圧１０Ｖ％’［容量１００μＦの自立型樹脂外装固体
電解コンデンサを得た。
虐極層形成１組み立て、樹脂外装等の工程をへて、定格
電圧１０Ｖ％’［容量１００μＦの自立型樹脂外装固体
電解コンデンサを得た。
比較のため１回成形による従来方法により直径約４．５
ｍ／ｍ高さ約５．５ｍ／ｍの成形密度のやや低いものと
、直径約４．５ｍ／ｍ高さ約５．２ｍ／ｍの成形密度の
やや高いものとを作成した。本発明の実施例による製品
と従来方法による製品とのもれ電流値不良率を比較した
ところ以下の通りの改善がみられた。
ｍ／ｍ高さ約５．５ｍ／ｍの成形密度のやや低いものと
、直径約４．５ｍ／ｍ高さ約５．２ｍ／ｍの成形密度の
やや高いものとを作成した。本発明の実施例による製品
と従来方法による製品とのもれ電流値不良率を比較した
ところ以下の通りの改善がみられた。
なお、半導体形成工程での成形体内部までの形成状況の
１つの指標となる電気的特性値ｔａｎδは第３図（ａ）
、 （ｂ）、 （ｃ）のヒストグラムに示す通り、改善
が見ら九た。
１つの指標となる電気的特性値ｔａｎδは第３図（ａ）
、 （ｂ）、 （ｃ）のヒストグラムに示す通り、改善
が見ら九た。
以上により本発明の方法は、従来工法の利点を生かし欠
点を補うものである。陽極リード線を下側の成形用下パ
ンチ５より供給することにより陽極リート線植立部周辺
を高密度成形化することを可能とした。
点を補うものである。陽極リード線を下側の成形用下パ
ンチ５より供給することにより陽極リート線植立部周辺
を高密度成形化することを可能とした。
次に、本発明による実施例２につ（・てタンタル固体電
解コンデンサで説明する。
解コンデンサで説明する。
タンタル金属粉末はその製造方法により粒形や表面積の
異なるものが作り分けられている。本発明においては、
加圧成形を多数回に分割し、各々供給する粉末の種類を
変えて成形することができる。
異なるものが作り分けられている。本発明においては、
加圧成形を多数回に分割し、各々供給する粉末の種類を
変えて成形することができる。
例えば、第１の実施例で上げた第１段加圧成形時には粒
形でおよそ１０〜４０μｍ１表面積でおよそ３，０ＯＯ
ＣＶ程度のものを使用し、約１００ｇ／ ｃｃの高密度
で成形し、第２段加圧成形時には、粒形でおよそ２〜８
μｍ２表面積でおよそ２３．００００ｖ程度のものを使
用し、約３、Ｏｇ ／ ｃｃの低密度で成形し、直径約
４．５φ、高さ６．５ｍｍ（高密度部約２ｇ低密度部約
４．５ｍｍ）の円筒形の成形体を得た。以降公知の技術
により高温真空焼結し、陽極酸化、陰極層形成２組み立
て、樹脂外装等の工程をへて定格電圧１０Ｖ静電容量１
００μＦの自立型樹脂外装固体電解コンデンサを得た。
形でおよそ１０〜４０μｍ１表面積でおよそ３，０ＯＯ
ＣＶ程度のものを使用し、約１００ｇ／ ｃｃの高密度
で成形し、第２段加圧成形時には、粒形でおよそ２〜８
μｍ２表面積でおよそ２３．００００ｖ程度のものを使
用し、約３、Ｏｇ ／ ｃｃの低密度で成形し、直径約
４．５φ、高さ６．５ｍｍ（高密度部約２ｇ低密度部約
４．５ｍｍ）の円筒形の成形体を得た。以降公知の技術
により高温真空焼結し、陽極酸化、陰極層形成２組み立
て、樹脂外装等の工程をへて定格電圧１０Ｖ静電容量１
００μＦの自立型樹脂外装固体電解コンデンサを得た。
第１の実施例による試作品ともれ電流値不良率を比較し
たところ以下の通りの改善がみられた。
たところ以下の通りの改善がみられた。
なお、半導体形成工程での成形体内部までの形成状況の
１つの指標となる電気的特性値ｔａｎδのヒストグラム
を第３図（ｄ）に示す通り、低下しており改善効果が見
られた。
１つの指標となる電気的特性値ｔａｎδのヒストグラム
を第３図（ｄ）に示す通り、低下しており改善効果が見
られた。
以上によりタンタル粉末の特性を生かした、本発明の成
形体製造方法によれば、陽極リード植立部にあたる第１
段加圧成形時に、高密度に成形しやすい成形体強度の高
い粉末を使用し、第２段加圧成形時には陰極層形成工程
で内部への浸透性を確保するために低密度で成形を行う
ことにより第１の実施例の効果をさらに改善することが
できる。
形体製造方法によれば、陽極リード植立部にあたる第１
段加圧成形時に、高密度に成形しやすい成形体強度の高
い粉末を使用し、第２段加圧成形時には陰極層形成工程
で内部への浸透性を確保するために低密度で成形を行う
ことにより第１の実施例の効果をさらに改善することが
できる。
以上説明したように本発明は、弁作用金属粉末を加圧成
形する際に多数回に分けて、弁作用金属粉末を投入し圧
縮比率を変えて成形することにより、成形体強度を高く
保ちながら半導体層形成における成形体内部への浸透性
を向上させることができ、固体電解コンデンサの電気的
特性としてコンデンサ素子自身がもつ内部抵抗値を低下
させる効果がある。
形する際に多数回に分けて、弁作用金属粉末を投入し圧
縮比率を変えて成形することにより、成形体強度を高く
保ちながら半導体層形成における成形体内部への浸透性
を向上させることができ、固体電解コンデンサの電気的
特性としてコンデンサ素子自身がもつ内部抵抗値を低下
させる効果がある。
また、さらに成形体の陽極リード植立部周辺の成形体強
度が高いため固体電解コンデンサの製造工程中の外的ス
トレスつまり外部端子との溶接工程や外装樹脂等の内部
応力等、また製品化後の外部からの熱ストレス（はんだ
付は等）に強く、もれ電流値を劣化させにくい効果があ
る。
度が高いため固体電解コンデンサの製造工程中の外的ス
トレスつまり外部端子との溶接工程や外装樹脂等の内部
応力等、また製品化後の外部からの熱ストレス（はんだ
付は等）に強く、もれ電流値を劣化させにくい効果があ
る。
第１図は本発明の一実施例により製造された陽極体素子
の縦断面図、第２図（ａ）、 （ｂ）は本発明の一実施
例の成形方法を説明するための概略図、第３図（ａ）〜
（ｄ）は本発明の実施例による試作品及び従来例による
製品とのｔａｎδ値の分布のヒストグラムであり、第３
図（ａ）は従来品（１）（低密度）、第３図（ｂ）は従
来品（■）（高密度）、第３図（ｃ）は本発明実施例１
、第３図（ｄ）は本発明実施例２のヒストグラムである
。 １・・・・・・高密度成形部、２・・・・・・低密度成
形部、３・・・・・・陽極リード線、４・・・・・・成
形用上パンチ、５・・・・・・成形用下パンチ、６・・
・・・・ダイス、７・・・・・・陽極リード線導入孔。 代理人 弁理士 内 原 音 千１図 ｔｔ−Ｊ ［１（ｉ １ｋＨｚ ）（％）ｔａＪｆＭｒ
ｄ ｔｋＪ４ｚＸ’ｌ）（α）
（ｂ）−（ｏｉｌｌＨｚ ）（％）
し値（ａｔｍｈ）（％ ）（’Ｃ） −一←
（ｄ） −一一一一一一第３図
の縦断面図、第２図（ａ）、 （ｂ）は本発明の一実施
例の成形方法を説明するための概略図、第３図（ａ）〜
（ｄ）は本発明の実施例による試作品及び従来例による
製品とのｔａｎδ値の分布のヒストグラムであり、第３
図（ａ）は従来品（１）（低密度）、第３図（ｂ）は従
来品（■）（高密度）、第３図（ｃ）は本発明実施例１
、第３図（ｄ）は本発明実施例２のヒストグラムである
。 １・・・・・・高密度成形部、２・・・・・・低密度成
形部、３・・・・・・陽極リード線、４・・・・・・成
形用上パンチ、５・・・・・・成形用下パンチ、６・・
・・・・ダイス、７・・・・・・陽極リード線導入孔。 代理人 弁理士 内 原 音 千１図 ｔｔ−Ｊ ［１（ｉ １ｋＨｚ ）（％）ｔａＪｆＭｒ
ｄ ｔｋＪ４ｚＸ’ｌ）（α）
（ｂ）−（ｏｉｌｌＨｚ ）（％）
し値（ａｔｍｈ）（％ ）（’Ｃ） −一←
（ｄ） −一一一一一一第３図
Claims (1)
- 弁作用金属を加圧成形して陽極体とする固体電解コンデ
ンサの陽極体素子製造工程において、弁作用金属粉末を
加圧成形する際に弁作用金属粉末の投入，成型を多数回
に分割し圧縮比率を変えて成形することを特徴とする固
体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29613290A JPH04167512A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29613290A JPH04167512A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04167512A true JPH04167512A (ja) | 1992-06-15 |
Family
ID=17829561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29613290A Pending JPH04167512A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04167512A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08162373A (ja) * | 1994-11-30 | 1996-06-21 | Seiken:Kk | リード線埋没部に高嵩密度を有するタンタルコンデンサ素子 |
| US5667536A (en) * | 1992-12-08 | 1997-09-16 | Rohm Co., Ltd. | Process for making a tantalum capacitor chip |
| US6139593A (en) * | 1997-11-06 | 2000-10-31 | Nec Corporation | Manufacturing method of anode body of solid electrolytic capacitor |
| JP2006080266A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Nichicon Corp | 固体電解コンデンサ素子およびその製造方法 |
| JP2008094716A (ja) * | 1998-05-06 | 2008-04-24 | Hc Starck Inc | 気体状マグネシウムを用いる酸化物の還元により製造される金属粉末 |
| JP2013081965A (ja) * | 2011-10-06 | 2013-05-09 | Oppc Co Ltd | 電子部品の粉末成型方法及び粉末成型装置 |
-
1990
- 1990-10-31 JP JP29613290A patent/JPH04167512A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5667536A (en) * | 1992-12-08 | 1997-09-16 | Rohm Co., Ltd. | Process for making a tantalum capacitor chip |
| JPH08162373A (ja) * | 1994-11-30 | 1996-06-21 | Seiken:Kk | リード線埋没部に高嵩密度を有するタンタルコンデンサ素子 |
| US6139593A (en) * | 1997-11-06 | 2000-10-31 | Nec Corporation | Manufacturing method of anode body of solid electrolytic capacitor |
| JP2008094716A (ja) * | 1998-05-06 | 2008-04-24 | Hc Starck Inc | 気体状マグネシウムを用いる酸化物の還元により製造される金属粉末 |
| JP2008106364A (ja) * | 1998-05-06 | 2008-05-08 | Hc Starck Inc | 気体状マグネシウムを用いる酸化物の還元により製造される金属粉末 |
| JP2006080266A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Nichicon Corp | 固体電解コンデンサ素子およびその製造方法 |
| JP2013081965A (ja) * | 2011-10-06 | 2013-05-09 | Oppc Co Ltd | 電子部品の粉末成型方法及び粉末成型装置 |
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