JPH04167039A - データ書き込み方式 - Google Patents
データ書き込み方式Info
- Publication number
- JPH04167039A JPH04167039A JP2291749A JP29174990A JPH04167039A JP H04167039 A JPH04167039 A JP H04167039A JP 2291749 A JP2291749 A JP 2291749A JP 29174990 A JP29174990 A JP 29174990A JP H04167039 A JPH04167039 A JP H04167039A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- address
- memory
- data
- backup
- address space
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Hardware Redundancy (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の構成]
(産業上の利用分野)
この発明はデータ書き込み方式に関し、特に信頼性の向
上のために同一データをバックアップ用メモリに書き込
むためのデータ書き込み方式に関する。
上のために同一データをバックアップ用メモリに書き込
むためのデータ書き込み方式に関する。
(従来の技術) −
一般に、データ処理装置の内部では、主記憶装置として
半導体ファイル装置が使用されている。
半導体ファイル装置が使用されている。
この半導体ファイル装置は複数の半導体メモリから構成
されるものであるが、これら半導体メモリとしては、そ
の記憶容量やコストの点からダイナミックRAM等の揮
発性メモリが使用されている。
されるものであるが、これら半導体メモリとしては、そ
の記憶容量やコストの点からダイナミックRAM等の揮
発性メモリが使用されている。
このため、電源断となった場合、その半導体ファイル装
置内のデータは消滅する。従って、電源断となった場合
でもデータを失わないように、磁気デ゛イスク装置等の
記憶装置にデータをバックアップしておく必要がある。
置内のデータは消滅する。従って、電源断となった場合
でもデータを失わないように、磁気デ゛イスク装置等の
記憶装置にデータをバックアップしておく必要がある。
しかし、半導体メモリにデータを書き込む毎に磁気ディ
スク装置にデータをバックアップしていたのでは、書き
込み速度が向上されない。このため、通常は、不揮発性
の半導体メモリに一旦バツクアップし、その後に、磁気
ディスク装置にデータを書き込んでいた。
スク装置にデータをバックアップしていたのでは、書き
込み速度が向上されない。このため、通常は、不揮発性
の半導体メモリに一旦バツクアップし、その後に、磁気
ディスク装置にデータを書き込んでいた。
すなわち、この場合には、第4図のタイミングチャート
に示されているように、まず、データが半導体メモリに
書き込まれ、次いで、その半導体メモリからデータが読
み出されて不揮発性の半導体メモリ(バックアップメモ
リ)に書き込まれ、そこで−時的にバックアップされる
。
に示されているように、まず、データが半導体メモリに
書き込まれ、次いで、その半導体メモリからデータが読
み出されて不揮発性の半導体メモリ(バックアップメモ
リ)に書き込まれ、そこで−時的にバックアップされる
。
この時点で、半導体ファイル装置からCPUに対して書
き込み処理の終了が報告される。この後、バックアップ
用の不揮発性半導体メモリのデータが磁気ディスク装置
(バックアップディスク)に転送される。不揮発性半導
体メモリ上のデータは磁気ディスク装置でのバックアッ
プが完了するまで保持され、磁気ディスク装置でバック
アップされた後は、その不揮発性半導体メモリ上のエリ
アは次のデータの一時的なバックアップのために開放さ
れる。
き込み処理の終了が報告される。この後、バックアップ
用の不揮発性半導体メモリのデータが磁気ディスク装置
(バックアップディスク)に転送される。不揮発性半導
体メモリ上のデータは磁気ディスク装置でのバックアッ
プが完了するまで保持され、磁気ディスク装置でバック
アップされた後は、その不揮発性半導体メモリ上のエリ
アは次のデータの一時的なバックアップのために開放さ
れる。
このように、不揮発性半導体メモリを一時的なバックア
ップメモリとして使用した場合には、磁気ディスク装置
に直接データを書き込む場合よりもCPUに対する書き
込み終了の通知か早くなるので、CPUの待ち状態を削
減でき、結果的に書き込み速度の向上を図ることができ
る。
ップメモリとして使用した場合には、磁気ディスク装置
に直接データを書き込む場合よりもCPUに対する書き
込み終了の通知か早くなるので、CPUの待ち状態を削
減でき、結果的に書き込み速度の向上を図ることができ
る。
ところが、データ記憶用の半導体メモリとそのバックア
ップ用の不揮発性半導体メモリとでは、割り当てられて
いるアドレス空間が異なるので、半導体メモリとそのバ
ックアップ用不揮発性半導体メモリに対するアクセスは
別個に行われることになる。
ップ用の不揮発性半導体メモリとでは、割り当てられて
いるアドレス空間が異なるので、半導体メモリとそのバ
ックアップ用不揮発性半導体メモリに対するアクセスは
別個に行われることになる。
このため、実際には、1回の書き込み毎に、半導体メモ
リに対するアドレスの発生、半導体メモリに対するデー
タ書き込み、不揮発性半導体メモリに対するアドレスの
発生、不揮発性半導体メモリに対するデータ書き込みと
いう一連の処理が必要となるので、実際上充分なデータ
書き込み速度を得ることは困難であった。
リに対するアドレスの発生、半導体メモリに対するデー
タ書き込み、不揮発性半導体メモリに対するアドレスの
発生、不揮発性半導体メモリに対するデータ書き込みと
いう一連の処理が必要となるので、実際上充分なデータ
書き込み速度を得ることは困難であった。
(発明が解決しようとする課題)
従来では、アドレス空間の異なるデータ記憶用メモリと
そのバックアップ用のメモリに対してそれぞれ別個に書
き込み処理を行なっていたため、充分な書き込み速度が
得られない欠点があった。
そのバックアップ用のメモリに対してそれぞれ別個に書
き込み処理を行なっていたため、充分な書き込み速度が
得られない欠点があった。
この発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、
データ記憶用メモリとそのバックアップ用のメモリに対
して同時にデータを書き込めるようにして、書き込み速
度の高速化を実現することができるデータ書き込み方式
を提供することを目的とする。
データ記憶用メモリとそのバックアップ用のメモリに対
して同時にデータを書き込めるようにして、書き込み速
度の高速化を実現することができるデータ書き込み方式
を提供することを目的とする。
[発明の構成コ
帽1を解決するための手段および作用)この発明による
データ書き込み方式は、第1のアドレス空間を有するデ
ータ記憶用の第1メモリと、前記第1のアドレス空間と
異なる第2のアドレス空間を有するバックアップ用の第
2メモリとを有するデータ処理装置において、前記第1
メモリの第1アドレス空間のアドレス値に対応した前記
第2メモリの第2アドレス空間のアドレス値が定義され
るアドレス変換テーブルを具備し、前記第1メモリへの
データ書き込み時に前記アドレス変換テーブルによって
第1アドレス空間のアドレスから第2アドレス空間のア
ドレスを発生することによって、前記第1および第2の
異なるアドレス空間に同一データを同時に書き込むこと
を特徴とする。
データ書き込み方式は、第1のアドレス空間を有するデ
ータ記憶用の第1メモリと、前記第1のアドレス空間と
異なる第2のアドレス空間を有するバックアップ用の第
2メモリとを有するデータ処理装置において、前記第1
メモリの第1アドレス空間のアドレス値に対応した前記
第2メモリの第2アドレス空間のアドレス値が定義され
るアドレス変換テーブルを具備し、前記第1メモリへの
データ書き込み時に前記アドレス変換テーブルによって
第1アドレス空間のアドレスから第2アドレス空間のア
ドレスを発生することによって、前記第1および第2の
異なるアドレス空間に同一データを同時に書き込むこと
を特徴とする。
このデータ書き込み方式においては、データ記憶用の第
1メモリに割り当てられた第1アドレス空間のアドレス
からバックアップ用の第2メモリの第2アドレス空間の
アドレスを求めることができるので、第1メモリに対す
る書き込みアドレスを発生するだけで、第1および第2
の双方のメモリに対して同一データを同時に書き込むこ
とができる。したがって、アドレス空間の異なる2つの
メモリに対してそれぞれ別個に書き込み処理を行うこと
なく、データのバックアップが可能となり、書き込み速
度の高速化を実現できる。
1メモリに割り当てられた第1アドレス空間のアドレス
からバックアップ用の第2メモリの第2アドレス空間の
アドレスを求めることができるので、第1メモリに対す
る書き込みアドレスを発生するだけで、第1および第2
の双方のメモリに対して同一データを同時に書き込むこ
とができる。したがって、アドレス空間の異なる2つの
メモリに対してそれぞれ別個に書き込み処理を行うこと
なく、データのバックアップが可能となり、書き込み速
度の高速化を実現できる。
(実施例)
以下、図面を参照してこの発明の詳細な説明する。
第1図にはこの発明の一実施例に係わるデータ書き込み
方式を実現するためのデータ処理装置のシステム構成か
示されている。
方式を実現するためのデータ処理装置のシステム構成か
示されている。
このデータ処理装置は、CPUII、データラインll
a 、アドレスライン11b1コントロールライン11
c5複数のメモリモジニール12a 、 L2b 、・
・・によって構成されている。
a 、アドレスライン11b1コントロールライン11
c5複数のメモリモジニール12a 、 L2b 、・
・・によって構成されている。
ここでは、第1のアドレス空間が割り当てられたメモリ
モジュール12bが半導体ファイル装置のデータ記憶部
として用いられ、第2のアドレス空間が割り当てられた
メモリモジュール12aがそのバックアップ用メモリと
して使用される場合を説明する。
モジュール12bが半導体ファイル装置のデータ記憶部
として用いられ、第2のアドレス空間が割り当てられた
メモリモジュール12aがそのバックアップ用メモリと
して使用される場合を説明する。
メモリモジュール12bは、ダイナミックRAM等の揮
発性半導体メモリを有している。
発性半導体メモリを有している。
メモリモジュール12aは、バックアップ電源を備えた
スタティックRAM、またはEPROMやEEFROM
等の不揮発性半導体メモリをバックアップ用のデータ記
憶部123として有している。
スタティックRAM、またはEPROMやEEFROM
等の不揮発性半導体メモリをバックアップ用のデータ記
憶部123として有している。
このメモリモジュール12aには、メモリアクセス制御
部1211アドレス変換テーブル122 、 第1のス
イッチ回路124、セレクタ125、第2のスイッチ回
路12Bを備えている。
部1211アドレス変換テーブル122 、 第1のス
イッチ回路124、セレクタ125、第2のスイッチ回
路12Bを備えている。
メモリアクセス制御部121は、CPUIIの指示に従
ってデータ記憶部123に対するアクセス制御を行うと
共に、アドレス変換テーブル122へのアドレス変換の
ための対応情報の書き込みを制御する。
ってデータ記憶部123に対するアクセス制御を行うと
共に、アドレス変換テーブル122へのアドレス変換の
ための対応情報の書き込みを制御する。
アドレス変換テーブル122は、メモリモジュール12
bに対応する第1アドレス空間のアドレスをメモリモジ
ュール12aに対応する第2アドレス空間のアドレスに
変換するためのものであり、その変換のための第1アド
レス空間と第2アドレス空間との対応情報は、CPU1
1によって与えられ、メモリアクセス制御部121によ
って予め登録される。
bに対応する第1アドレス空間のアドレスをメモリモジ
ュール12aに対応する第2アドレス空間のアドレスに
変換するためのものであり、その変換のための第1アド
レス空間と第2アドレス空間との対応情報は、CPU1
1によって与えられ、メモリアクセス制御部121によ
って予め登録される。
スイッチ回路124は、制御信号Slに応じてデータラ
インIlaとアドレス変換テーブル122との接続を制
御するものであり、第1アドレス空間と第2アドレス空
間との対応情報をアドレス変換テーブル122に登録す
る時には、オン状態に制御されデータラインllaをア
ドレス変換テーブル122に接続し、対応情報の登録時
以外は、オフ状態に制御されてデータラインllaとア
ドレス変換テーブル122とを遮断する。
インIlaとアドレス変換テーブル122との接続を制
御するものであり、第1アドレス空間と第2アドレス空
間との対応情報をアドレス変換テーブル122に登録す
る時には、オン状態に制御されデータラインllaをア
ドレス変換テーブル122に接続し、対応情報の登録時
以外は、オフ状態に制御されてデータラインllaとア
ドレス変換テーブル122とを遮断する。
セレクタ125は、制御信号S1に応じてアドレスライ
ンllbのアドレスADDRとアドレス変換テーブル1
22からの出力アドレスADDR’の一方を選択してデ
ータ記憶部123に供給する′ものであり、メモリアク
セス制御部121に供給されるアドレスがアドレス変換
テーブル122に登録した対応情報に関係する場合には
、アドレス変換テーブル122の出力アドレスADDR
’を選択し、それ以外の場合は、アドレスラインllb
のアドレスADDRを選択する。
ンllbのアドレスADDRとアドレス変換テーブル1
22からの出力アドレスADDR’の一方を選択してデ
ータ記憶部123に供給する′ものであり、メモリアク
セス制御部121に供給されるアドレスがアドレス変換
テーブル122に登録した対応情報に関係する場合には
、アドレス変換テーブル122の出力アドレスADDR
’を選択し、それ以外の場合は、アドレスラインllb
のアドレスADDRを選択する。
スイッチ回路126は、制御信号S3に応じてデータラ
インllaとデータ記憶部123との接続を制御するも
のであり、データ記憶部123をアクセスする場合にオ
ン状態に制御され、データライン11aをデータ記憶部
123に接続する。
インllaとデータ記憶部123との接続を制御するも
のであり、データ記憶部123をアクセスする場合にオ
ン状態に制御され、データライン11aをデータ記憶部
123に接続する。
次に、メモリモジュール12a 、 12bにデータを
書き込む時の動作を説明する。
書き込む時の動作を説明する。
まず、CPU11は、メモリモジュール12aのアドレ
ス変換テーブル122に対して、書き込み対象のメモリ
モジニール12bのアドレスからメモリモジュール12
aのデータ記憶部123のアドレスを発生するための対
応情報を登録する。
ス変換テーブル122に対して、書き込み対象のメモリ
モジニール12bのアドレスからメモリモジュール12
aのデータ記憶部123のアドレスを発生するための対
応情報を登録する。
次に、CPUIIからメモリモジニール12aのメモリ
アクセス制御部121に対して、メモリモジュール12
bへの書き込みアドレスの範囲、つまりメモリモジュー
ル12bのアドレス空間が指示される。
アクセス制御部121に対して、メモリモジュール12
bへの書き込みアドレスの範囲、つまりメモリモジュー
ル12bのアドレス空間が指示される。
この指示されたアドレス空間内に属すアドレスがCPU
IIから供給された場合には、メモリアクセス制御部1
21は、アドレス変換テーブル122にアドレスライン
Lfb上のアドレスを渡すと共に、セレクタ125を制
御してアドレス変換テーブル122の出力アドレスAD
DR’を選択させる。また、スイッチ回路12Bがオン
状態に制御されて、データラインllaがデータ記憶部
123に接続される。
IIから供給された場合には、メモリアクセス制御部1
21は、アドレス変換テーブル122にアドレスライン
Lfb上のアドレスを渡すと共に、セレクタ125を制
御してアドレス変換テーブル122の出力アドレスAD
DR’を選択させる。また、スイッチ回路12Bがオン
状態に制御されて、データラインllaがデータ記憶部
123に接続される。
そして、メモリアクセス制御部121は、メモリコント
ロール信号MCによってデータ記憶部123をライトモ
ードに設定して、メモリモジュールL2bへのデータ書
き込みと同じタイミングで、同一のデータをデータ記憶
部123に書き込む。
ロール信号MCによってデータ記憶部123をライトモ
ードに設定して、メモリモジュールL2bへのデータ書
き込みと同じタイミングで、同一のデータをデータ記憶
部123に書き込む。
以上のようにして、互いにアドレス空間の異なる2つの
メモリモジュール12.12bに同一データが同時に書
き込まれる。
メモリモジュール12.12bに同一データが同時に書
き込まれる。
第2図には、半導体ファイル装置の全体の構成が示され
ている。
ている。
この半導体ファイル装置30は、入出力制御装置31、
半導体メモリ32、バックアップメモリ33、バックア
ップ制御部34、ディスク入出力制御装置35、バック
アップディスク36を備えている。
半導体メモリ32、バックアップメモリ33、バックア
ップ制御部34、ディスク入出力制御装置35、バック
アップディスク36を備えている。
入出力制御装置31は、ホスト装置40の主記憶装置と
入出力制御装置31およびバックアップメモリ33との
間のデータ転送を制御する。
入出力制御装置31およびバックアップメモリ33との
間のデータ転送を制御する。
半導体メモリ32は、第1図に示したメモリモジュール
12bに対応するものであり、ホスト装置40によるデ
ータ入出力の対象となるものである。
12bに対応するものであり、ホスト装置40によるデ
ータ入出力の対象となるものである。
バックアップメモリ33は、第1図に示したメモリモジ
ュール12aに対応するものであり、半導体メモリ32
のデータがバックアップディスク36に書き込まれるま
での間、データを一時的にバックアップするものである
。
ュール12aに対応するものであり、半導体メモリ32
のデータがバックアップディスク36に書き込まれるま
での間、データを一時的にバックアップするものである
。
バックアップ制御部34は、バックアップメモリ33に
一時的にバックアップされたデータをバックアップディ
スク3Bにバックアップする動作を制御する。
一時的にバックアップされたデータをバックアップディ
スク3Bにバックアップする動作を制御する。
ディスク入出力制御装置35は、バックアップ制御部3
4の指示により、バックアップメモリ33とバックアッ
プディスク36に対するデータ転送を制御する。
4の指示により、バックアップメモリ33とバックアッ
プディスク36に対するデータ転送を制御する。
バックアップディスク36は、半導体メモリ32のデー
タをバックアップするハードディスク装置である。
タをバックアップするハードディスク装置である。
次に、第3図のタイミングチャートを参照して、半導体
ファイル装置30におけるデータ書き込み動作を説明す
る。
ファイル装置30におけるデータ書き込み動作を説明す
る。
入出力制御装置31は、ホスト装置40のCPUから書
き込みの指示が合った場合、書き込みのサイズなどから
バックアップメモリ33上のどの位置からバックアップ
を開始するかを判断し、これに基づいて作成した対応情
報を、バックアップメモリ33のアドレス変換テーブル
122に登録する。次いで、入出力制御装置3■は、バ
ックアップメモリ33のメモリアクセス制御部121に
ライトモードの設定指示を行い、書き込み動作を開始す
る。
き込みの指示が合った場合、書き込みのサイズなどから
バックアップメモリ33上のどの位置からバックアップ
を開始するかを判断し、これに基づいて作成した対応情
報を、バックアップメモリ33のアドレス変換テーブル
122に登録する。次いで、入出力制御装置3■は、バ
ックアップメモリ33のメモリアクセス制御部121に
ライトモードの設定指示を行い、書き込み動作を開始す
る。
この書き込み動作においては、半導体メモリ32とバッ
クアップメモリ33に同一データが同時に書き込まれる
。
クアップメモリ33に同一データが同時に書き込まれる
。
バックアップメモリ33へのデータ書き込みが終了する
と、ホスト装置40のCPUに対して終了報告がなされ
る。
と、ホスト装置40のCPUに対して終了報告がなされ
る。
この後、バックアップ制御部34は、バックアップ処理
が可能な時、ディスク入出力制御装置35に指示を出し
、バックアップメモリ33に書き込まれた部分のデータ
をバックアップディスク36にバックアップする。そし
て、バックアップディスク36にバックアップされたデ
ータを持っていたバックアップメモリ33上のエリアは
、開放され、次の書き込み動作に備える。
が可能な時、ディスク入出力制御装置35に指示を出し
、バックアップメモリ33に書き込まれた部分のデータ
をバックアップディスク36にバックアップする。そし
て、バックアップディスク36にバックアップされたデ
ータを持っていたバックアップメモリ33上のエリアは
、開放され、次の書き込み動作に備える。
以上のように、この実施例においては、データ記憶用の
半導体メモリ32に割り当てられたアドレス空間からバ
ックアップメモリ33のアドレスを求めることができる
ので、半導体メモリ32に対する書き込みアドレスを発
生するだけで、半導体メモリ32およびバックアップメ
モリ33に対して同一データを同時に書き込むこ、とが
でき−る。
半導体メモリ32に割り当てられたアドレス空間からバ
ックアップメモリ33のアドレスを求めることができる
ので、半導体メモリ32に対する書き込みアドレスを発
生するだけで、半導体メモリ32およびバックアップメ
モリ33に対して同一データを同時に書き込むこ、とが
でき−る。
したがって、アドレス空間の異なる2つのメモリに対し
てそれぞれ別個に書き込み処理を行うことなく、データ
のバックアップが可能となり、書き込み速度の高速化を
実現できる。
てそれぞれ別個に書き込み処理を行うことなく、データ
のバックアップが可能となり、書き込み速度の高速化を
実現できる。
[発明の効果]
以上のように、この発明によれば、データ記憶用メモリ
とそのバックアップ用のメモリに対して同時にデータを
書き、込めるようになり、書き込み速度の高速化を実現
することができる。
とそのバックアップ用のメモリに対して同時にデータを
書き、込めるようになり、書き込み速度の高速化を実現
することができる。
第1図はこの発明の一実施例に係わるデータ書き込み方
式を実現するためのシステム構成を示すブロック図、第
2図は第1図に示したシステムに設けられているメモリ
モジュールを用いて構成した半導体ファイルを示すブロ
ック図、第3図は第2図に示した半導体ファイルのデー
タ書き込み動作を説明するタイミングチャート、第4図
は従来の半導体ファイルにおけるデータ書き込み動作を
説明するタイミングチャートである。 12a 、 12b・・・メモリモジュール、121・
・・メモリアクセス制御部、122・・・アドレス変換
テーブル、123・・・データ記憶部。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第2図
式を実現するためのシステム構成を示すブロック図、第
2図は第1図に示したシステムに設けられているメモリ
モジュールを用いて構成した半導体ファイルを示すブロ
ック図、第3図は第2図に示した半導体ファイルのデー
タ書き込み動作を説明するタイミングチャート、第4図
は従来の半導体ファイルにおけるデータ書き込み動作を
説明するタイミングチャートである。 12a 、 12b・・・メモリモジュール、121・
・・メモリアクセス制御部、122・・・アドレス変換
テーブル、123・・・データ記憶部。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第1のアドレス空間を有するデータ記憶用の第1メモリ
と、前記第1のアドレス空間と異なる第2のアドレス空
間を有するバックアップ用の第2メモリとを有するデー
タ処理装置において、前記第1メモリの第1アドレス空
間のアドレス値に対応した前記第2メモリの第2アドレ
ス空間のアドレス値が定義されるアドレス変換テーブル
を具備し、 前記第1メモリへのデータ書き込み時に前記アドレス変
換テーブルによって前記第1アドレス空間のアドレスか
ら前記第2アドレス空間のアドレスを発生することによ
って、前記第1および第2の異なるアドレス空間に同一
データを同時に書き込むことを特徴とするデータ書き込
み方式。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2291749A JPH04167039A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | データ書き込み方式 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2291749A JPH04167039A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | データ書き込み方式 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04167039A true JPH04167039A (ja) | 1992-06-15 |
Family
ID=17772917
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2291749A Pending JPH04167039A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | データ書き込み方式 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04167039A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010519641A (ja) * | 2007-02-22 | 2010-06-03 | モサイド・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | データのミラーバックアップを用いるメモリデバイスのためのページプログラム動作用の装置および方法 |
JP2013229086A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-07 | Sony Corp | メモリ装置、メモリ制御装置、メモリ制御方法 |
US8843694B2 (en) | 2007-02-22 | 2014-09-23 | Conversant Intellectual Property Management Inc. | System and method of page buffer operation for memory devices |
JP2016514327A (ja) * | 2013-03-11 | 2016-05-19 | インテル・コーポレーション | 訂正不可能なメモリエラーの低減 |
-
1990
- 1990-10-31 JP JP2291749A patent/JPH04167039A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010519641A (ja) * | 2007-02-22 | 2010-06-03 | モサイド・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | データのミラーバックアップを用いるメモリデバイスのためのページプログラム動作用の装置および方法 |
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JP2017117480A (ja) * | 2013-03-11 | 2017-06-29 | インテル・コーポレーション | 訂正不可能なメモリエラーの低減 |
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