JPH04157813A - High-side switch driving circuit - Google Patents
High-side switch driving circuitInfo
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- JPH04157813A JPH04157813A JP2281899A JP28189990A JPH04157813A JP H04157813 A JPH04157813 A JP H04157813A JP 2281899 A JP2281899 A JP 2281899A JP 28189990 A JP28189990 A JP 28189990A JP H04157813 A JPH04157813 A JP H04157813A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
この発明は、ハイサイド・スイッチlv!動回路に関す
る。[Detailed Description of the Invention] [Field of Application of the Invention] This invention relates to a high-side switch lv! related to dynamic circuits.
従来のハイサイド・スイッチ駆動回路としては、例えば
第4図に示すようなものがある。An example of a conventional high-side switch driving circuit is shown in FIG. 4.
この回路は、電源1、第11−ランジスタ2、コイル4
、第1トランジスタ2をオフするための第2トランジス
タ3、電源1よりも高い電圧を得るための昇圧回路5及
び第2トランジスタ3を制御する信号を送る制御回路6
から成る。なお、コイル4はソレノイドバルブのような
負荷を等測的に示している。This circuit consists of a power supply 1, an 11th transistor 2, a coil 4
, a second transistor 3 for turning off the first transistor 2, a booster circuit 5 for obtaining a higher voltage than the power supply 1, and a control circuit 6 for sending a signal to control the second transistor 3.
Consists of. Note that the coil 4 isometrically represents a load such as a solenoid valve.
上記の回路においては、制御回路6から送られる制御信
号により、第2トランジスタ3をオンすることによって
、第1トランジスタ2をオフさせ、コイル4に流れる電
流を断続して負荷を制御する。In the above circuit, a control signal sent from the control circuit 6 turns on the second transistor 3, turns off the first transistor 2, and controls the load by intermittent current flowing through the coil 4.
しかしながら、このような従来のハイサイド・スイッチ
駆動回路にあっては、第1トランジスタ2のオフ時に、
コイル4による逆起電力L−d工/dtが発生し、第1
トランジスタ2のゲート電極とソース電極間が再びバイ
アスされるため、第1トランジスタ2が再度オンする。However, in such a conventional high-side switch drive circuit, when the first transistor 2 is turned off,
A back electromotive force L-d/dt is generated by the coil 4, and the first
Since the bias between the gate electrode and the source electrode of the transistor 2 is again applied, the first transistor 2 is turned on again.
この第1トランジスタ2のオン、オフ現象は、電流が回
路の内部抵抗によってほぼ零に近づくまで次第に減衰し
ながら続くので、第1トランジスタ2をオフ状態にする
には、電源1、第1トランジスタ2およびコイル4で形
成されるループ回路の時定数で決まる成る時間を必要と
している。そのため自動車の油圧バルブなどのように負
荷の高速遮断性が要求される用途に使用する場合には、
遮断時の応答が遅くなるという欠点があった。This on/off phenomenon of the first transistor 2 continues while being gradually attenuated until the current approaches almost zero due to the internal resistance of the circuit. Therefore, in order to turn the first transistor 2 off, it is necessary to and the time determined by the time constant of the loop circuit formed by the coil 4. Therefore, when used in applications that require high-speed load interruption, such as automobile hydraulic valves,
The drawback was that the response when shutting off was slow.
本発明は上記のごとき従来技術の問題を解決するために
なされたものであり、遮断時の応答性を向上させたハイ
サイド・スイッチ駆動回路を提供することを目的とする
。The present invention has been made to solve the problems of the prior art as described above, and it is an object of the present invention to provide a high-side switch drive circuit with improved responsiveness when shutting off.
上記の目的を達成するため、本発明においては、特許請
求の範囲に記載するように構成している。In order to achieve the above object, the present invention is configured as described in the claims.
すなわち、本発明においては、第1トランジスタのゲー
ト電極とソース電極間に、オン時に上記第1I〜ランジ
スタのゲート・ソース間を短絡する第2トランジスタを
接続し、かつ、第1トランジスタのゲート電極に与える
駆動制御信号がオフになると同時に、第2トランジスタ
の制御電極に電源より高い制御信号を与えて第2トラン
ジスタをオンさせ、それによって第1トランジスタのゲ
ートとソース間を短絡するように構成したものである。That is, in the present invention, a second transistor is connected between the gate electrode and the source electrode of the first transistor, and the second transistor short-circuits the gates and sources of the first I to transistors when turned on, and the second transistor is connected to the gate electrode of the first transistor. At the same time that the applied drive control signal turns off, a control signal higher than the power supply is applied to the control electrode of the second transistor to turn on the second transistor, thereby shorting the gate and source of the first transistor. It is.
なお、第2トランジスタがMOSトランジスタの場合は
、第1トランジスタのゲート電極に第2トランジスタの
ドレイン電極を、同じ(ソース電極にソース電極をそれ
ぞれ接続する。また、第2トランジスタがバイポーラト
ランジスタの場合には、第1トランジスタのゲート電極
に第2トランジスタのコレクタ電極を、同じくソース電
極にエミッタ電極をそれぞれ接続する。Note that when the second transistor is a MOS transistor, the drain electrode of the second transistor is connected to the gate electrode of the first transistor, and the source electrode is connected to the same source electrode. connects the collector electrode of the second transistor to the gate electrode of the first transistor, and also connects the emitter electrode to the source electrode.
上記のように構成したことにより、本発明においては、
第1トランジスタがオフすると同時に第2トランジスタ
をオンさせ、第1トランジスタのゲート・ソース間を短
絡するようにしているので、第1トランジスタのオフに
伴ってコイルに逆起電力が発生しても第1トランジスタ
が逆バイアスされることがなく、したがって第1トラン
ジスタを高速に遮断することが出来る。With the above configuration, in the present invention,
The second transistor is turned on at the same time as the first transistor turns off, shorting the gate and source of the first transistor, so even if a back electromotive force is generated in the coil as the first transistor turns off, the One transistor is not reverse biased, so the first transistor can be shut off quickly.
第1図は、この発明の一実施例を示す回路図である。ま
ず構成を説明すると、第1トランジスタ2のドレイン電
極に電源1を接続し、ソース電極にコイル4を接続する
。コイル4の他方の端子を接地する。また、第2トラン
ジスタ3のトレイン電極とソース電極を、第1トランジ
スタ2のゲート電極とソース電極に各々接続する。制御
回路6のX端子7を第1トランジスタ2のゲート電極に
、X端子8を第2トランジスタ3のゲート電極に接続す
る。なお、X端子とY端子の出力信号に関しては詳細を
後述する。また、電源1より高い電圧を発生する昇圧回
路5を制御回路6に接続する。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention. First, to explain the configuration, a power source 1 is connected to the drain electrode of the first transistor 2, and a coil 4 is connected to the source electrode. The other terminal of the coil 4 is grounded. Further, the train electrode and source electrode of the second transistor 3 are connected to the gate electrode and source electrode of the first transistor 2, respectively. The X terminal 7 of the control circuit 6 is connected to the gate electrode of the first transistor 2, and the X terminal 8 is connected to the gate electrode of the second transistor 3. Note that details regarding the output signals of the X terminal and Y terminal will be described later. Further, a booster circuit 5 that generates a voltage higher than that of the power supply 1 is connected to the control circuit 6.
また、ダイオード9のアノードを制御回路6の接地端子
に接続し、カソードを接地する。Further, the anode of the diode 9 is connected to the ground terminal of the control circuit 6, and the cathode is grounded.
次に作用を説明する。Next, the effect will be explained.
第2図は制御回路6のX端子7とX端子8から出力され
る信号の電圧波形図である。なお、第2図の波形は第1
トランジスタ2を断続制御する場合の駆動信号波形を示
す。FIG. 2 is a voltage waveform diagram of signals output from the X terminals 7 and 8 of the control circuit 6. Note that the waveform in Figure 2 is the first waveform.
The drive signal waveform when controlling transistor 2 intermittently is shown.
第2図において、制御回路6には昇圧回路5から電源1
より高い電圧が与えられており、制御回路6から出力さ
れる信号のオン時の値は電源1の電圧より高い値となっ
ている。そしてX端子7がら出力される駆動信号がオン
の時はX端子8から出力される制御信号は零であり、X
端子7が零になった時点から所定時間の間X端子8がオ
ンになり、その後学となるような制御信号となっている
。In FIG. 2, the control circuit 6 is connected to the power supply 1 from the booster circuit 5.
A higher voltage is applied, and the value of the signal output from the control circuit 6 when it is on is higher than the voltage of the power supply 1. When the drive signal output from the X terminal 7 is on, the control signal output from the X terminal 8 is zero;
The control signal is such that the X terminal 8 is turned on for a predetermined period of time from the time when the voltage at the terminal 7 becomes zero, and then the signal turns off.
第1図の回路においては、第2図の信号波形から判るよ
うに、X端子7がオフすると同時にX端子8がオンする
ので、第21〜ランジスタ3がオンされ、第1トランジ
スタ2のゲート電極とソース電極が短絡されて第1トラ
ンジスタ2はオフとなる。第1トランジスタ2がオフす
ると、コイル4の電流工が変化するので逆起電力L−c
lI/dtを生じるが、第1トランジスタ2のゲート・
ソース間は第2トランジスタ3によって短絡されている
ので、第1トランジスタのオフに伴ってコイルに逆起電
力が発生しても第1トランジスタが逆バイアスされるこ
とがなく、したがって第1トランジスタを高速に遮断す
ることが出来る。In the circuit of FIG. 1, as can be seen from the signal waveform of FIG. 2, the X terminal 8 turns on at the same time as the The source electrode is short-circuited and the first transistor 2 is turned off. When the first transistor 2 is turned off, the current of the coil 4 changes, so the back electromotive force L-c
lI/dt, but the gate of the first transistor 2
Since the source is short-circuited by the second transistor 3, even if a back electromotive force is generated in the coil when the first transistor is turned off, the first transistor will not be reverse biased. can be blocked.
なお、上記の逆起電力によってコイル4、第2トランジ
スタ3および制御回路6から成るループに電流が流れる
。しかし、この場合には、制御回路6の接地端子と接地
間に挿入されたダイオード9のリーク抵抗により、電流
は短時間で減衰される。従って負荷による帰還の影響を
受けることがないため、第1トランジスタ2のオフと同
時に負荷の遮断が可能となる。Note that current flows through the loop made up of the coil 4, the second transistor 3, and the control circuit 6 due to the above-mentioned back electromotive force. However, in this case, the current is attenuated in a short time due to the leak resistance of the diode 9 inserted between the ground terminal of the control circuit 6 and the ground. Therefore, since there is no influence of feedback due to the load, it is possible to cut off the load at the same time as the first transistor 2 is turned off.
次に、第3図には、他の実施例を示す。Next, FIG. 3 shows another embodiment.
この実施例は、第1図の実施例における第2トランジス
タ3のMOSトランジスタをバイポーラトランジスタ1
1に置き換え、そのベース電極とY端子8間に抵抗10
を接続した構成になっている。In this embodiment, the MOS transistor of the second transistor 3 in the embodiment of FIG.
1, and connect a resistor 10 between its base electrode and Y terminal 8.
It is configured by connecting.
なお、抵抗10は、コイル4、抵抗1oおよびバイポー
ラ・トランジスタ11のエミッタ・ベース接合を含むル
ープのインピーダンスを高めるために用いられている。Note that the resistor 10 is used to increase the impedance of the loop including the coil 4, the resistor 1o, and the emitter-base junction of the bipolar transistor 11.
この実施例も前記第1図の実施例と同様の作用を有する
。This embodiment also has the same effect as the embodiment shown in FIG.
[発明の効果]
以上説明してきたように、この発明によれば、ハイサイ
ド・スイッチ駆動回路の第1トランジスタのゲート電極
とソース電極間に第2トランジスタを接続し、第1トラ
ンジスタのオフ時にそのゲート・ソース間を短絡するよ
うに構成したことにより、コイルの逆起電力の影響を受
けることなく、スイッチのオフと同時に負荷を遮断する
ことができるという効果が得られる。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, the second transistor is connected between the gate electrode and the source electrode of the first transistor of the high-side switch drive circuit, and when the first transistor is turned off, the second transistor is connected to the first transistor. By configuring the gate and source to be short-circuited, it is possible to cut off the load at the same time as the switch is turned off without being affected by the back electromotive force of the coil.
第1図は本発明の第1の実施例の回路図、第2図は第1
図の実施例における制御信号波形図、第3図は本発明の
第2の実施例の回路図、第4図は従来装置の回路図であ
る。
〈符号の説明〉
1・・・電源
2・・・第1トランジスタ
3・・・第2トランジスタ(MOSトランジスタ)4・
・・コイル
5・・・昇圧回路
6・・・#復回路
7・・・X端子
8・・・Y端子
9・・・ダイオード
10・・・抵抗
11・・・第2トランジスタ(バイポーラトランジスタ
)FIG. 1 is a circuit diagram of a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram of a first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a circuit diagram of a second embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a circuit diagram of a conventional device. <Explanation of symbols> 1...Power supply 2...First transistor 3...Second transistor (MOS transistor) 4.
... Coil 5 ... Boost circuit 6 ... #Return circuit 7 ... X terminal 8 ... Y terminal 9 ... Diode 10 ... Resistor 11 ... Second transistor (bipolar transistor)
Claims (1)
極に駆動制御信号が与えられる第1トランジスタと、該
第1トランジスタのソース電極に一端が接続され、他端
が接地された負荷コイルとを有するハイサイド・スイッ
チ駆動回路において、上記第1トランジスタのゲート電
極とソース電極間に接続され、オン時に上記第1トラン
ジスタのゲート・ソース間を短絡する第2トランジスタ
と、 上記第1トランジスタのゲート電極に与える駆動制御信
号がオフになると同時に、上記第2トランジスタの制御
電極に、上記電源より高い制御信号を与えて上記第2ト
ランジスタをオンさせる制御信号を出力する制御手段と
、を備えたことを特徴とするハイサイド・スイッチ駆動
回路。[Claims] A first transistor having a drain electrode connected to the power source and a drive control signal applied to the gate electrode; one end connected to the source electrode of the first transistor and the other end grounded. a second transistor connected between the gate electrode and the source electrode of the first transistor, and short-circuiting the gate and source of the first transistor when turned on; control means for outputting a control signal that turns on the second transistor by applying a control signal higher than the power supply to the control electrode of the second transistor at the same time that a drive control signal applied to the gate electrode of the first transistor is turned off; A high-side switch drive circuit characterized by comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2281899A JPH04157813A (en) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | High-side switch driving circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2281899A JPH04157813A (en) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | High-side switch driving circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04157813A true JPH04157813A (en) | 1992-05-29 |
Family
ID=17645512
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2281899A Pending JPH04157813A (en) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | High-side switch driving circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04157813A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04241511A (en) * | 1991-01-14 | 1992-08-28 | Nec Kansai Ltd | Power mos switch |
JP2003229751A (en) * | 2002-02-06 | 2003-08-15 | Nissan Motor Co Ltd | Current control type semiconductor element driving circuit and current control type semiconductor element driving device |
WO2011067903A1 (en) * | 2009-12-03 | 2011-06-09 | パナソニック株式会社 | Switch device |
JP2011199401A (en) * | 2010-03-17 | 2011-10-06 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Power supply device |
-
1990
- 1990-10-22 JP JP2281899A patent/JPH04157813A/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04241511A (en) * | 1991-01-14 | 1992-08-28 | Nec Kansai Ltd | Power mos switch |
JP2003229751A (en) * | 2002-02-06 | 2003-08-15 | Nissan Motor Co Ltd | Current control type semiconductor element driving circuit and current control type semiconductor element driving device |
WO2011067903A1 (en) * | 2009-12-03 | 2011-06-09 | パナソニック株式会社 | Switch device |
JP2011199401A (en) * | 2010-03-17 | 2011-10-06 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Power supply device |
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