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JPH04154314A - Output circuit - Google Patents

Output circuit

Info

Publication number
JPH04154314A
JPH04154314A JP2279750A JP27975090A JPH04154314A JP H04154314 A JPH04154314 A JP H04154314A JP 2279750 A JP2279750 A JP 2279750A JP 27975090 A JP27975090 A JP 27975090A JP H04154314 A JPH04154314 A JP H04154314A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
output
current
circuit
comparator
timing adjustment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2279750A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shingo Hirose
広瀬 真吾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Original Assignee
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd filed Critical NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Priority to JP2279750A priority Critical patent/JPH04154314A/en
Publication of JPH04154314A publication Critical patent/JPH04154314A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Electronic Switches (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To reduce the fluctuation of through-rate by detecting a state of an output waveform, and stabilizing the output waveform in a certain prescribed inclination. CONSTITUTION:In the case an input terminal IN falls, since transistors P3, P5 turn on, a current I3 is nearly eliminated, and on the contrary, since a current I4 flows, when a load capacity CL increases, a fall time VOUT becomes later than that of Ve. Accordingly the output of a comparator 3 comes to a High level, the level of a nodal point (d) falls, and a current I2 increase. When the current I2 becomes higher, the current I4 increases, and a fall of an output OUT becomes larger. In such a way, when the load capacity CL increases, the output OUT and a nodal point (e) are compared by the comparator 3, and by increasing the current I4, a fluctuation rate is decreased.

Description

【発明の詳細な説明】 C産業上の利用分野〕 本発明は出力回路に係り、特に半導体集積回路からなる
CMOSトランジスタを用いた出力回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to an output circuit, and particularly to an output circuit using CMOS transistors made of semiconductor integrated circuits.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来のこの種の出力回路は、第3図に示すように、入力
信号INはそれぞれレベルタイミング調整回路1.2に
人力され、レベルタイミングIIM回!#11の出力信
号はPチャネルMO5トランジスタP1のゲートに、レ
ベルタイミング調整回路2の出力信号はNチャネルMO
SトランジスタN1のゲートに接続され、トランジスタ
P1のソースは電源VDDに配し、トランジスタN1の
ソースは電源■SSに配し、トランジスタPL、Nlの
ドレインは出力OUTに接続した構成となっていた。
In the conventional output circuit of this type, as shown in FIG. 3, the input signal IN is manually input to the level timing adjustment circuit 1.2, and the level timing IIM times! The output signal of #11 is connected to the gate of P-channel MO5 transistor P1, and the output signal of level timing adjustment circuit 2 is connected to the gate of N-channel MO5 transistor P1.
It was connected to the gate of the S transistor N1, the source of the transistor P1 was connected to the power supply VDD, the source of the transistor N1 was connected to the power supply SS, and the drains of the transistors PL and Nl were connected to the output OUT.

第4図は第3図のブロック図の具体的回路楕成を示した
回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a specific circuit configuration of the block diagram of FIG. 3.

第4図において、第3図のレベルタイミング調整回路1
として、PチャネルMOSトランジスタP2.P3.N
チャネルMOSトランジスタN4.N5を有し、トラン
ジスタN4のゲートには、バイアスBIASIが印加さ
れる。レベルタイミング調整回路2として、Pチャネル
MOSトランジスタP4.P5.NチャネルMOSトラ
ンジスタN2.N3を有し、トランジスタP4のゲート
には、バイアスBIAS2が印加される。
In FIG. 4, the level timing adjustment circuit 1 of FIG.
As P-channel MOS transistor P2. P3. N
Channel MOS transistor N4. A bias BIASI is applied to the gate of the transistor N4. As the level timing adjustment circuit 2, a P channel MOS transistor P4. P5. N-channel MOS transistor N2. A bias BIAS2 is applied to the gate of the transistor P4.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

前述した従来の出力回路では、例えば第4図に示すよう
に、バイアスBIASI、BIAS2をある一定の電位
で固定していたため、トランジスタNI P4に流れる
電流11.12は決まっていた。また、コンデンサC1
,C2もある容量値で固定していたため、節点a、bの
それぞれ立ち上がり、立ち下がり時間は、次式で決まっ
ている。
In the conventional output circuit described above, as shown in FIG. 4, for example, the biases BIASI and BIAS2 were fixed at a certain potential, so the current 11.12 flowing through the transistor NI P4 was fixed. Also, capacitor C1
, C2 are also fixed at a certain capacitance value, the respective rise and fall times of nodes a and b are determined by the following equations.

dt 時間A、Bによって決まるため、出力OUTが立ち上が
りの場合、次式で与えられる。
Since dt is determined by times A and B, when the output OUT is rising, it is given by the following equation.

6“・ 1゛、。、21ヶ8.1) dt     CL dv(1 よって、負荷容量CLが大きくなると、dt は小さくなり、出力OUTのスルーレートは小さくなっ
た。逆に、負荷容量CLが小さくなると、出力OUTの
スルーレートは大きくなり、第6図の従来例が示すよう
に、負荷容量に対するスルーし一トの変動か大きいとい
う欠点があった。
6"・1゛, ., 21 pieces 8.1) dt CL dv (1 Therefore, when the load capacitance CL becomes large, dt becomes small and the slew rate of the output OUT becomes small. Conversely, when the load capacitance CL becomes If it becomes smaller, the slew rate of the output OUT increases, and as shown in the conventional example shown in FIG. 6, there is a drawback that the slew rate varies greatly with respect to the load capacity.

本発明の目的は、前記欠点を解決し、負荷容量に対する
スルーレートの変動を小さくした出力回路を提供するこ
とにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an output circuit which solves the above-mentioned drawbacks and reduces fluctuations in slew rate with respect to load capacitance.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明の出力回路の構成は、スルーレート基準波形発生
回路、第1.第2のレベルタイミング調整回路、コンパ
レータ、PチャルMOSトランジスタ、NチャネルMO
S)−ランジスタとを備え、入力信号は前記スルーレー
ト基準波形発生回路に、前記スルーレート基準波形発生
回路の出力信号は前記コンパレータのマイナス側に、前
記コンパレータの出力信号は前記第1.第2のレベルタ
イミング調整回路に、前記第1のレベルタイミング調整
回路の出力信号は前記PチャネルMOSトランジスタの
ゲートに、前記第2のレベルタイミング調整回路の出力
信号は前記NチャネルMOSトランジスタのゲートにそ
れぞh接続され、前5己Pチヤネル、Nチャオ、ルMO
5)−ランシ゛、スタを直列接続したことを特徴とする
The configuration of the output circuit of the present invention includes a slew rate reference waveform generation circuit, a first . Second level timing adjustment circuit, comparator, P-channel MOS transistor, N-channel MO
S) - transistor, an input signal is supplied to the slew rate reference waveform generation circuit, an output signal of the slew rate reference waveform generation circuit is supplied to the negative side of the comparator, and an output signal of the comparator is supplied to the first . a second level timing adjustment circuit, the output signal of the first level timing adjustment circuit is applied to the gate of the P channel MOS transistor, and the output signal of the second level timing adjustment circuit is applied to the gate of the N channel MOS transistor. Each is connected to the previous 5 P channels, N Chao, Le MO
5) - It is characterized by having runci and stars connected in series.

〔実施例〕〔Example〕

次に本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例の出力回路を示すブロック図
である。
FIG. 1 is a block diagram showing an output circuit according to an embodiment of the present invention.

第1図において、本実施例の出力回路は、第1、第2の
レベルタイミング調整回路1.2と。
In FIG. 1, the output circuit of this embodiment includes first and second level timing adjustment circuits 1.2.

スルーレート基準波形発生回路(リファレンス回路)4
と、演算増幅器(コンパレータ)3と、PチャネルMO
SトランジスタPLと、NチャネルMoSトランジスタ
N1とを含み、構成される。
Slew rate standard waveform generation circuit (reference circuit) 4
, operational amplifier (comparator) 3, and P-channel MO
It is configured to include an S transistor PL and an N channel MoS transistor N1.

第2図は第1図の一実施例の出力回路を具体的に示す回
路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram specifically showing the output circuit of the embodiment shown in FIG. 1.

第2[21において、入力端子IN、バイアスBIAS
I  BIAS2.出力端子OUT、インバータI N
V、コンパレータ3.pチャネlしMOSトランジスタ
P1.P2.P3.P、4.P5P6.P7.P8.P
9.NoヤネルMoSトランジスタN1.N2.N3.
N4.N5.N6゜N7.N8.N9.位相補正用コン
デンサC1゜(2,コンデンサC3,容量性負荷CL、
  節点a、b、c、d、e、 電源VDD、VSS、
VCC,GNDが示されている。
In the second [21], input terminal IN, bias BIAS
IBIAS2. Output terminal OUT, inverter I N
V, comparator 3. P-channel MOS transistor P1. P2. P3. P, 4. P5P6. P7. P8. P
9. No. Yanel MoS transistor N1. N2. N3.
N4. N5. N6°N7. N8. N9. Phase correction capacitor C1゜(2, capacitor C3, capacitive load CL,
Nodes a, b, c, d, e, power supply VDD, VSS,
VCC and GND are shown.

スルーレート基準波形発生回路4として、インバークI
NV、  トランジスタP8.P9.N8゜N9.コン
デンサC3を有し、第1のレベルタイミング調整回路1
は、トランジスタP2.P3゜P6.N4.N5.N7
.コンデンサC1を有する。2のレベルタイミング調整
回路2は、トランジスタP4.P5.P7.N2.N3
.N6.コンデンサC2を有する。
As the slew rate reference waveform generation circuit 4, invert I
NV, transistor P8. P9. N8°N9. a first level timing adjustment circuit 1 having a capacitor C3;
is transistor P2. P3゜P6. N4. N5. N7
.. It has a capacitor C1. 2 level timing adjustment circuit 2 includes transistors P4. P5. P7. N2. N3
.. N6. It has a capacitor C2.

今、スルーレート基準波形発生回路4のトランジスタP
8.N8のゲートに接続されているバイアスBIASI
、BIAS2をある電位に設定することにより、トラン
ジスタP8.N8に流れる@、流17,1Bを制御し、
またコンデンサC3もある容量値に設定することにより
、節点eの出力立ち上がり、立ち下がりは次式により決
まる。
Now, the transistor P of the slew rate reference waveform generation circuit 4
8. Bias BIASI connected to the gate of N8
, BIAS2 to a certain potential, transistors P8. @, which flows to N8, controls the flow 17, 1B,
Furthermore, by setting the capacitor C3 to a certain capacitance value, the rise and fall of the output at node e are determined by the following equation.

dt     C。dt   C.

dt     C3 次に動作について第2図、第5図を型態して説明する。dt C3 Next, the operation will be explained using FIGS. 2 and 5.

第5図において、点線は実線からの変化状態を示す。In FIG. 5, the dotted line indicates a state of change from the solid line.

入力端子INが立ち下がりの場合、トランジスタP3.
P5がONするため、節点aのレベルはVDD  IV
tplの電位となる。また、節点す電流■3はほとんど
無くなり、逆に電7X I 4が流L dt が遅くなる)、Voutは■、より立ち下がり時間が遅
くなる。よってコンパレータ3の出力はHighレベル
となる。これより、節点dのレベルは下がり、電流I2
は増える0節点すのレベルは、d t    C2 dす る。電流■4が増えると、出力OUTの立ち下t つまり、入力端子INが立ち下がりの場合、負荷容量C
Lが大きくなると、出力OUTと節点eは、コンパレー
タ3によって比較されるたのI4は一定)、従来の変動
率に比べ、本実施例の変動率は小さくなる。負荷容量C
Lが小の時も同様である。
When input terminal IN falls, transistor P3.
Since P5 turns ON, the level of node a is VDD IV
The potential becomes tpl. Further, the current (3) at the node almost disappears, and conversely, the current (L dt ) of the current (7X I4) becomes slower), and the fall time of Vout becomes slower than in (2). Therefore, the output of the comparator 3 becomes High level. From this, the level of node d decreases, and the current I2
The level of the 0 node that increases is d t C2 d. When the current 4 increases, the output OUT falls t.In other words, when the input terminal IN falls, the load capacitance C
As L increases, the output OUT and the node e are compared by the comparator 3 (I4 is constant), and the fluctuation rate of this embodiment becomes smaller than the conventional fluctuation rate. Load capacity C
The same applies when L is small.

また、入力端子INが立ち上がりの時も上記と同様の事
がいえる。
Further, the same thing as above can be said when the input terminal IN rises.

次に、本実施例を、 Vcc= 5 V 、 VDD=
 9 V 。
Next, in this example, Vcc=5 V, VDD=
9V.

Vss=  9V、GND=OVの条件で、負荷容量C
Lと10μpF〜2500pFに変化させた時のシミュ
レーション結果例を示す。
Under the conditions of Vss=9V, GND=OV, load capacitance C
Examples of simulation results when L is changed from 10 μpF to 2500 pF are shown.

従来の出力回路でシミュレーションを行なうと、CL=
10pF時は最悪9.7 V/μs 、 CL=250
0pF時は最悪5.7V/μsというスルーレート値が
得られた。センター7.6μsに対する最大変動率は3
3.3%であった。しがし、本実施例の出力回路で、同
条件でシミュレーションを行なうと−Ct=10pF時
は最悪9.OV/μs。
When performing a simulation with a conventional output circuit, CL=
At 10pF, worst case is 9.7 V/μs, CL=250
At 0 pF, the worst slew rate value was 5.7 V/μs. The maximum fluctuation rate for the center 7.6μs is 3
It was 3.3%. However, when a simulation is performed using the output circuit of this embodiment under the same conditions, the worst case is 9. OV/μs.

CL =2500pF時は最悪?、OV/μsというス
ルーレート値が得られた。センター7.6 V/μSに
対する最大変動率は、18.4%であった。よって従来
に比べ、本実施例の出力回路は、14.9%の改善がな
されたといえる。
Is it worst when CL = 2500pF? A slew rate value of , OV/μs was obtained. The maximum fluctuation rate for the center 7.6 V/μS was 18.4%. Therefore, it can be said that the output circuit of this embodiment has an improvement of 14.9% compared to the conventional one.

尚、第5図において、出力OUTが立ち下がりの場合、
出力OUTでは、実線は節点eよりレベルは高い0節点
aはほとんど変化なし1節点すでは、従来は一定である
。立ち下がりの場合、実線は節点eよりしベルは低い0
wJ点aは従来では一定1節点すはほとんど変化ない。
In addition, in Fig. 5, when the output OUT is falling,
In the output OUT, the solid line has a higher level than the node e, the 0 node a has almost no change, and the 1 node is conventionally constant. In the case of falling, the solid line is lower than node e and the bell is 0.
Conventionally, wJ point a is a constant one node and hardly changes.

第6図の本実施例の波形に示されるように負荷容量が大
となっても出力波形の「なまり」力糞い 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明による出力口rは、出力に
大きな負荷容量がついても、出力波万の状態を検知する
ことにより、出力波形をある一定の傾きに安定させ、ス
ルーレートの変動を小さくするという効果がある。
As shown in the waveform of this embodiment in FIG. 6, even if the load capacity becomes large, the output waveform remains "accented" [Effects of the Invention] As explained above, the output port r according to the present invention has the following characteristics: Even if a large load capacity is attached to the output, by detecting the state of the output waveform, the output waveform can be stabilized at a certain slope and fluctuations in the slew rate can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例の出力回路を示すブロック図
、第2図は第1図の具体的回路を示す回路図、第3図は
従来の出力回路を示すブロック図、第4図は第3図の具
体的回路を示す回路図、第5図、第6図はいずれも第1
図の実施例及び従来例の動作波形を示すタイミング図で
ある。 PL、P2.P3.P4.P5、P6.P7゜P8.P
9・−・PチャネルMO5)−ランジスタ、Nl、N2
.N3.N4.N5.N6.N7゜N8.N9・・・N
チャネルMOSトランジスタ。 【 キ C1,C2,C3−・・コンデンサ、a、b、c。 d、e−−−節点、BIASI、BIAS2.、、バイ
アス、CL・・・負荷容量、INV・−インバータ、3
・・。 コンパレータ、IN・・・入力端子、OUT・・・出力
端子、VDD、VSS、VCC,GND・・・電源。
FIG. 1 is a block diagram showing an output circuit according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing a specific circuit of FIG. 1, FIG. 3 is a block diagram showing a conventional output circuit, and FIG. 4 is a circuit diagram showing the specific circuit in Figure 3, and Figures 5 and 6 are both circuit diagrams showing the specific circuit in Figure 1.
FIG. 3 is a timing chart showing operation waveforms of the illustrated embodiment and the conventional example. PL, P2. P3. P4. P5, P6. P7゜P8. P
9.--P channel MO5) - transistor, Nl, N2
.. N3. N4. N5. N6. N7°N8. N9...N
Channel MOS transistor. [Ki C1, C2, C3 - Capacitors a, b, c. d, e---node, BIASI, BIAS2. ,, bias, CL...load capacitance, INV・-inverter, 3
.... Comparator, IN...input terminal, OUT...output terminal, VDD, VSS, VCC, GND...power supply.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] スルーレート基準波形発生回路、第1、第2のレベルタ
イミング調整回路、コンパレータ、PチャルMOSトラ
ンジスタ、NチャネルMOSトランジスタとを備え、入
力信号は前記スルーレート基準波形発生回路に、前記ス
ルーレート基準波形発生回路の出力信号は前記コンパレ
ータのマイナス側に、前記コンパレータの出力信号は前
記第1、第2のレベルタイミング調整回路に、前記第1
のレベルタイミング調整回路の出力信号は前記Pチャネ
ルMOSトランジスタのゲートに、前記第2のレベルタ
イミング調整回路の出力信号は前記NチャネルMOSト
ランジスタのゲートにそれぞれ接続され、前記Pチャネ
ル、NチャネルMOSトランジスタを直列接続したこと
を特徴とする出力回路。
The slew rate reference waveform generation circuit includes a slew rate reference waveform generation circuit, first and second level timing adjustment circuits, a comparator, a P-channel MOS transistor, and an N-channel MOS transistor. The output signal of the generation circuit is sent to the negative side of the comparator, the output signal of the comparator is sent to the first and second level timing adjustment circuits, and the output signal of the comparator is sent to the first and second level timing adjustment circuits.
The output signal of the second level timing adjustment circuit is connected to the gate of the P channel MOS transistor, and the output signal of the second level timing adjustment circuit is connected to the gate of the N channel MOS transistor. An output circuit characterized by connecting in series.
JP2279750A 1990-10-18 1990-10-18 Output circuit Pending JPH04154314A (en)

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