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JPH04153261A - Heat-resistant resin paste and ic prepared by using same - Google Patents

Heat-resistant resin paste and ic prepared by using same

Info

Publication number
JPH04153261A
JPH04153261A JP27801690A JP27801690A JPH04153261A JP H04153261 A JPH04153261 A JP H04153261A JP 27801690 A JP27801690 A JP 27801690A JP 27801690 A JP27801690 A JP 27801690A JP H04153261 A JPH04153261 A JP H04153261A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
paste
heat
fine particles
resin
resistant resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP27801690A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kenji Suzuki
健司 鈴木
Hiroshi Nishizawa
西沢 廣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP27801690A priority Critical patent/JPH04153261A/en
Publication of JPH04153261A publication Critical patent/JPH04153261A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain a heat-resistant resin paste suitable as an overcoating material for screen printing by dispersing resin particles or inorganic particles in a solution prepared by dissolving an aromatic polyamic acid (derivative) prepared by a specified process in a nonnitrogenous solvent. CONSTITUTION:A heat-resistant resin paste is obtained by dispersing resin particles (e.g. polyamide resin particles) and/or inorganic particles (e.g. silica) in a solution prepared by dissolving an aromatic polyamic acid obtained by reacting 2,4'-diaminodiphenyl ether with a tetrabasic acid dianhydride of formula I (wherein X is -O-, -CO-, -SO2-, a group of formula II or a single bond) and/or its reactive derivative (particularly desirably a tetrabasic acid ester) or its derivative in a nonnitrogenous solvent (e.g. gamma-butyrolactone or cyclohexanone). This paste can be applied by screen printing, excels in the stability on the press in repeated printing and nonswellability and insolubility in an emulsifier and is desirable as an overcoating material for screen printing.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明Fi、スクリーン印刷用オーバーコート材に適し
九新規な耐熱樹脂ペーストおよびこれを用いたICに関
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a novel heat-resistant resin paste suitable as an overcoat material for screen printing and an IC using the same.

(従来の技術) 通常、樹脂溶液は、それ自身ではチキントロピー性をほ
とんど示さない。チキントロピーは等温状態においても
変形の九めに見掛は粘度が一時的に低下する現象として
定義され9例えば印刷時の高ぜん断速度下では粘度が一
時的に低下して流動し、基材に転移後はだれたシ流れた
シしないことが要求されるスクリーン印刷用ペーストに
は必要不可欠な流動特性である。樹脂溶液にチキントロ
ピー性を付与するための一つの方#、は樹脂溶液にフィ
ラーとして樹脂微粒子及び/又は無機微粒子を分散させ
てペースト化することでるる。このようなペーストとし
ては種々のものが知られている。
(Prior Art) Usually, a resin solution itself exhibits almost no chicken tropism. Chickentropy is defined as a phenomenon in which the viscosity temporarily decreases during deformation even under isothermal conditions.9For example, under high shear speeds during printing, the viscosity temporarily decreases and the base material flows. This flow characteristic is essential for screen printing pastes, which are required to not sag or flow after transfer. One method for imparting chicken tropism to a resin solution is to disperse fine resin particles and/or inorganic particles as fillers in the resin solution and form it into a paste. Various types of such pastes are known.

耐熱性をそれほど必要としない用途に使用される樹脂溶
液としては9例えばロジン変性フェノール樹脂、ロジン
変性マレイン樹脂、メラミン樹脂。
Examples of resin solutions used in applications that do not require high heat resistance include rosin-modified phenolic resins, rosin-modified maleic resins, and melamine resins.

エポキシ樹脂等の樹脂溶液がろシ、高度な耐熱性が要求
される用途にはポリイミド樹脂の前駆体でるるポリアミ
ド酸樹脂、溶媒可溶性のポリイミド樹脂等の樹脂溶液な
どが知られている。また、これらの樹脂溶液に分散され
てペーストを形成する樹脂微粒子としては、耐熱性をそ
れほど必要としない用途では脂肪族系ポリアミド樹脂微
粒子、メラミン樹脂微粒子、エポキシ樹脂微粒子、フェ
ノール樹脂微粒子などが知られてお勺、高度な耐熱性が
要求される用途ではポリイミド樹脂微粒子。
Resin solutions such as epoxy resins are known for use in applications requiring high heat resistance, such as polyamic acid resins, which are precursors of polyimide resins, and solvent-soluble polyimide resins. In addition, as resin particles that are dispersed in these resin solutions to form a paste, aliphatic polyamide resin particles, melamine resin particles, epoxy resin particles, phenolic resin particles, etc. are known for applications that do not require much heat resistance. For applications that require a high degree of heat resistance, use polyimide resin particles.

ポリアミドイミド樹脂微粒子、ポリアミド樹脂微粒子な
どが知られている。一方、無機微粒子としては、絶縁性
を必要とする用途では9合成シリカ。
Polyamideimide resin fine particles, polyamide resin fine particles, and the like are known. On the other hand, as inorganic fine particles, 9 synthetic silica is used for applications that require insulation.

アルミナ微粒子などが知られておシ、導電性を必要とす
る用途では、銀、銅、ニッケル微粒子などが知られてい
る。
Alumina fine particles are known, and silver, copper, nickel fine particles, etc. are known for applications requiring conductivity.

(発明が解決しようとする課題) ペーストの被覆面が半導体チップであるような高度な耐
熱性が要求される用途には上記したしたポリアミド酸樹
脂溶液又はポリイミド樹脂溶液に耐熱樹脂微粒子及び/
又は無機微粒子を分散させ元ペーストが用いられている
。また、これら高度な耐熱性を有する樹脂は溶解性に乏
しい之め9列、tJfN−メチルピロリドンなどの極性
の強い含窒素系溶剤KI@解して用いられている。
(Problem to be Solved by the Invention) For applications that require a high degree of heat resistance, such as when the surface covered by the paste is a semiconductor chip, heat-resistant resin fine particles and/or the above-described polyamic acid resin solution or polyimide resin solution are used.
Alternatively, a base paste in which inorganic fine particles are dispersed is used. Furthermore, these resins having high heat resistance are used in a highly polar nitrogen-containing solvent KI@, such as tJfN-methylpyrrolidone, which has poor solubility.

しかし、含窒素系浴剤を用いて得られるスクリーン印刷
用ペーストは含窒素系溶剤の高い吸湿性のために印刷中
にスクリーンにペーストが固着して目づまりを起こし印
刷が不能となる欠点がろり九。その上に、このペースト
は含窒素系#剤の優れた溶解性のゆえにスクリーン印刷
の版を形成している乳剤を膨潤又は浴屏して版の寿命を
短くしてしまう欠点があつ之。
However, screen printing pastes obtained using nitrogen-containing bath additives have the disadvantage that, due to the high hygroscopicity of nitrogen-containing solvents, the paste sticks to the screen during printing, clogging the screen and making printing impossible. . Moreover, this paste has the disadvantage that the excellent solubility of the nitrogen-containing # agent causes the emulsion forming the screen printing plate to swell or bathe, shortening the life of the plate.

本発明はこのような問題点を解決するものでめり、打ま
しくはチキソトロピー性を有する耐熱樹脂ペーストおよ
びこれを用い次ICを提供するものである。
The present invention aims to solve these problems, and preferably provides a heat-resistant resin paste having thixotropic properties and an IC using the same.

(11題を解決するための手段) 本発明Fi44′−ジアミノジフェニルエーテルと。(Means for solving 11 problems) Fi44'-diaminodiphenyl ether of the present invention.

−数式+1+ CH。-Math+1+ CH.

(式中、Xは−o−、−co−、−so、−−c−又C
H1 はこれらのいずれをも含まぬ一重結合を示す)で表され
る四塩基酸二無水物及び/又はその反応性誘導体とを反
応させて得られる芳香族ボリアミンク酸又はその誘導体
を非含窒素系溶剤に溶解させ几溶液に、樹脂微粒子及び
/又は無機微粒子を分散させてなる耐熱樹脂ペーストに
関する。
(wherein, X is -o-, -co-, -so, -c- or C
H1 indicates a single bond that does not contain any of these. The present invention relates to a heat-resistant resin paste made by dissolving fine resin particles and/or inorganic fine particles in a dilute solution dissolved in a solvent.

本発明における前記−数式+11で表される四塩基酸二
無水物としては1例えば4,4′−オキシシフタル醗無
水物、3.xtt’−ベンゾフェノンテトラカルボン散
二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スル
ホンニm水物、2.2−ビス(λ4−ジカルボキシフェ
ニル)プロパン二m、11.3.3’4.4′−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物等が用いられる。これら
の四塩基酸二無水物の反応性誘導体としては9例えばV
Xj塩基酸、四塩基酸の・・ライト、エステル、アミド
アンモニウム塩等が用いられる。%に四塩基酸のエステ
ルが好ましく用いられる。四塩基酸二無水物及び/又は
その反応性誘導体は必要に応じて二糧以上用いることが
できる。
Examples of the tetrabasic dianhydride represented by formula +11 in the present invention include 1, 4,4'-oxycyphthalanhydride, 3. xtt'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, bis(3,4-dicarboxyphenyl)sulfone hydrate, 2,2-bis(λ4-dicarboxyphenyl)propane, 11.3.3'4. 4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and the like are used. As reactive derivatives of these tetrabasic acid dianhydrides, 9, for example, V
Xj Basic acids, tetrabasic acids...lights, esters, amide ammonium salts, etc. are used. % of tetrabasic acids are preferably used. Two or more of the tetrabasic acid dianhydrides and/or their reactive derivatives can be used as necessary.

本発明における芳香族ポリアミック酸又はその誘導体は
、44′−ジアミノジフェニルエーテルと一数式CI+
で表される四塩基酸二無水物及び/又はその反応性誘導
体とを反応させて得られる。
The aromatic polyamic acid or its derivative in the present invention includes 44'-diaminodiphenyl ether and one formula CI+
It is obtained by reacting with a tetrabasic acid dianhydride represented by and/or a reactive derivative thereof.

44′−ジアミノジフェニルエーテル、!: −数式(
11で表される四塩基酸二無水物及び/又はその反応性
誘導体との使用割合は、目的に応じて任意に用いられる
。高分子量体を得る几めにi’12.4’−ジアミノジ
フェニルエーテルと一般式(I)で表される四塩基酸二
無水物及び/又はその反応性誘導体との比をほぼ当モル
とするのが好ましい。
44'-diaminodiphenyl ether! : − Formula (
The proportion of the tetrabasic acid dianhydride and/or its reactive derivative represented by 11 can be arbitrarily determined depending on the purpose. In order to obtain a high molecular weight product, the ratio of i'12,4'-diaminodiphenyl ether and the tetrabasic acid dianhydride represented by the general formula (I) and/or its reactive derivative is approximately equimolar. is preferred.

反応@度は、−10〜60℃の範囲が好ましい。The reaction temperature is preferably in the range of -10 to 60°C.

更に本発明においては、必要に応じて既知のジアミン、
例えば、p−フユニレンシアミン9m−フェニレンジア
ミン、p−キシリレンジアミン。
Furthermore, in the present invention, known diamines,
For example, p-phenylenecyamine, 9m-phenylenediamine, p-xylylenediamine.

m−キシリレンジアミン、1.5−ジアミノナフタレン
、3.3’−ジメチルベンジジン、3.3’−ジメトキ
シベンジジン、4.4’−(又はa、4’−3,3’−
2,4’−、2,2’−)ジアミノジフェニルメタン、
44′−(又はへ4’−、3,3’−、42′−)ジア
ミノジフェニルエーテル、4.4’−(又Fi亀4’−
3,3’−2,4’−2,f−)ジアミノジフェニルス
ルホン。
m-xylylenediamine, 1.5-diaminonaphthalene, 3.3'-dimethylbenzidine, 3.3'-dimethoxybenzidine, 4.4'-(or a, 4'-3,3'-
2,4'-,2,2'-)diaminodiphenylmethane,
44'-(or 4'-, 3,3'-, 42'-)diaminodiphenyl ether, 4,4'-(also Fi 4'-)
3,3'-2,4'-2,f-)diaminodiphenylsulfone.

44’−(又は3.4’ −3,3’−、ス4′−,ス
2′−)ジアミノジフェニルスルフィ)”、  4.4
’−ベンツフェノンジアミン、44′−ジ(4−アミノ
フェノキシ)フェニルスルホン、  1,1,1,3,
3.3−ヘキサフルオロ−42−ビス(4−アミノフェ
ニル)フロパン、ス2−ビス(4−(4−アミノフェノ
キシ)フェニル〕プロパン、&3−ジメチルー4.4′
−ジアミノジフェニルメタン、aa;s、s′−テトラ
メチル−44′−ジアミノジフェニルメタン、4.4’
−ジ(3−アミノフェノキシ)フェニルスルホン、31
3′−ジアミノジフェニルスルホン、ス2−ビス(4−
アミノフェニル)プロパン、下記−数式(II)(Rt
および鳥は二価の炭化水素基、几3およびR4は一価の
炭化水素基を示し、R1とR,、R,とR4とはそれぞ
れ同一でも異なってもよ(、mは1以上の整数である)
で表されるジアミン、好ましくは。
44'-(or 3.4'-3,3'-, Su4'-, Su2'-)diaminodiphenylsulfi)", 4.4
'-Benzphenonediamine, 44'-di(4-aminophenoxy)phenylsulfone, 1,1,1,3,
3.3-hexafluoro-42-bis(4-aminophenyl)furopane, 2-bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)propane, &3-dimethyl-4.4'
-diaminodiphenylmethane, aa;s,s'-tetramethyl-44'-diaminodiphenylmethane, 4.4'
-di(3-aminophenoxy)phenylsulfone, 31
3'-diaminodiphenylsulfone, 2-bis(4-
aminophenyl)propane, below - formula (II) (Rt
and Tori are divalent hydrocarbon groups, 几3 and R4 are monovalent hydrocarbon groups, and R1 and R, , R, and R4 may be the same or different, respectively (, m is an integer of 1 or more )
A diamine represented by, preferably.

−数式(If)において几、およびR,は炭素数1〜5
のアルキレン基、フェニレン基またにアルキル置喚フェ
ニレン基でめり、R3およびR,は炭素数1〜5のアル
キル基、フェニル基またはアルキル置換フェニル基であ
るジアミン等の少なくとも1稽を併用することができる
。これらのジアミン類のジアミン類全体に対する割合と
してF130モル係以下が望ましい。この割合が30モ
ルチを越えると。
- In the formula (If), 几 and R each have 1 to 5 carbon atoms.
an alkylene group, a phenylene group, or an alkyl-substituted phenylene group, and R3 and R are an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a phenyl group, or an alkyl-substituted phenyl group. I can do it. The ratio of these diamines to the total diamines is desirably F130 or less. If this ratio exceeds 30 mol.

芳香族ポリアミック酸又はその誘導体の溶解性ま次Fi
耐熱性に悪影響を及ぼすため好ましくない。
Solubility order Fi of aromatic polyamic acid or its derivative
This is not preferable because it adversely affects heat resistance.

ま之、更に本発明においては、必要に応じて。However, in the present invention, if necessary.

ピロメリット酸二無水物、2.2−ビス[4−(2゜3
−IJ−tλ4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル〕
プロパンニ無水物、1,1.R3,3,3−ヘキサフル
オロ−2,2−ビスI:4−(Z3−又は3.4−ジカ
ルボキシフェノキシ)フェニル〕プロパンニ無水物、ビ
ヌ(エキソ−ビシクロCZ2,1)ヘプタン−2,3−
ジカルボン酸無水物)スルホン等の既知の酸二無水物、
テレフタル酸、イソフタル酸。
Pyromellitic dianhydride, 2,2-bis[4-(2゜3
-IJ-tλ4-dicarboxyphenoxy)phenyl]
Propani anhydride, 1,1. R3,3,3-hexafluoro-2,2-bisI: 4-(Z3- or 3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]propanihydride, binu(exo-bicycloCZ2,1)heptane-2, 3-
known acid dianhydrides such as dicarboxylic acid anhydrides) sulfones,
Terephthalic acid, isophthalic acid.

フタル酸等の既知のジカルボン醗、上記した既知のジア
ミンと四塩基酸二無水物ま次は四塩基酸二無水物の反応
性誘導体を反応させて得られるジイミドジカルボン酸、
下記−数式国 (凡、およびR6は一価の炭化水素基を示し、R,、と
asV′iそれぞれ同一でも異なってもよく、nはO又
Fi1以上の整数である)で表される四塩基酸二無水物
、好ましくは、−数式(III)においてR,およびR
6はメチル基でろり、n!dO,1又Fi2でろる四塩
基酸二無水物などを酸成分として併用することができる
。これらの四塩基酸二無水物、ジカルボン酸およびジイ
ミドジカルボン酸の酸成分全体に対する割合としては3
0モルチ以下が好ましい。この割合が30モルチを越え
ると得られる芳香族ポリアミック酸又はその誘導体の溶
解性又は耐熱性に悪影響を及ぼす次め奸ましくない。
Known dicarboxylic acids such as phthalic acid, diimide dicarboxylic acids obtained by reacting the above-mentioned known diamines with tetrabasic dianhydrides or reactive derivatives of tetrabasic dianhydrides;
The following formula is represented by the following formula (wherein and R6 represent a monovalent hydrocarbon group, R,, and asV'i may be the same or different, and n is O or an integer of Fi1 or more) Basic acid dianhydride, preferably - in formula (III) R, and R
6 is a methyl group, n! A tetrabasic acid dianhydride which dissolves in dO, 1 or Fi2 can be used in combination as an acid component. The proportion of these tetrabasic acid dianhydrides, dicarboxylic acids and diimidodicarboxylic acids to the total acid component is 3.
It is preferably 0 molti or less. If this ratio exceeds 30 moles, it is undesirable because it will adversely affect the solubility or heat resistance of the aromatic polyamic acid or its derivative.

本発明における非含窒素系溶剤としては9例えば、γ−
ブチロラクトン、r−バレロラクトン。
Examples of nitrogen-free solvents in the present invention include 9, for example, γ-
Butyrolactone, r-valerolactone.

γ−カプロラクトン、E−カプロラクトン、α−アセチ
ル−γ−ブチロラクトン等のラクトン類。
Lactones such as γ-caprolactone, E-caprolactone, and α-acetyl-γ-butyrolactone.

シクロヘキサン、4−メチルシクロヘキサノン等の脂環
式ケトン類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、1.2
−ジメトキシエタン、ジエチレングリコールジメチルエ
ーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テ
トラエチレングリ;−ルジメチルエーテル等のエーテル
類、フェノール。
Cyclohexane, alicyclic ketones such as 4-methylcyclohexanone, tetrahydrofuran, dioxane, 1.2
- Ethers such as dimethoxyethane, diethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, tetraethylene glycol dimethyl ether, and phenol.

クレゾール、キシレノール等のフェノール類9m−クロ
ルフェノール、p−クロルフェノール等ノ塩素化芳香族
系溶剤類、炭酸プロピレン、ジメチルスルホキシド、ス
ルホランなどが用いられる。
Phenols such as cresol and xylenol, chlorinated aromatic solvents such as m-chlorophenol and p-chlorophenol, propylene carbonate, dimethyl sulfoxide, and sulfolane are used.

特に、繰り返し印刷時のペーストの機上安定性を考慮す
ると、沸点が150〜350 ℃の範囲の4のが好まし
い。150℃−未満であると、印刷中にペーストから浴
剤の揮散が激しく起こって繰ジ返し印刷時のペーストの
機上安定性が劣り、35゜℃を越えると、焼付けた皮膜
中に溶剤が残存し易くなる問題がめる。沸点が150℃
〜350℃の範囲にるる非含窒素系溶剤としては9%に
r−7チロラクトン、r−バレロラクトン、γ−カプロ
ラクトン、6−カプロラクトン、α−アセチル−γ−ブ
チロラクトン等のラクトン類、シクロヘキサノン、4−
メチルシクロヘキサノン等の脂環式ケトン類またはジエ
チレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリ
コールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジ
メチルエーテル等のエーテル類等が好ましく用いられる
。これらhe独で又は混合して用いられる。
In particular, when considering the on-machine stability of the paste during repeated printing, it is preferable that the boiling point is in the range of 150 to 350°C. If the temperature is less than 150°C, the volatilization of the bath agent from the paste will occur violently during printing, resulting in poor on-machine stability of the paste during repeated printing, and if it exceeds 35°C, the solvent will remain in the baked film. Consider problems that are likely to persist. Boiling point is 150℃
Examples of non-nitrogen-containing solvents in the range of ~350°C include 9% of lactones such as r-7 tyrolactone, r-valerolactone, γ-caprolactone, 6-caprolactone, α-acetyl-γ-butyrolactone, cyclohexanone, 4 −
Alicyclic ketones such as methylcyclohexanone or ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, and tetraethylene glycol dimethyl ether are preferably used. These compounds can be used alone or in combination.

本発明における芳香族ポリアミック酸又はその誘導体は
、非含窒素系溶剤に溶解して溶液とされる。このような
溶液は上記し几非含窒素系溶剤中で芳香族ポリアミック
酸又はその誘導体を合成することにより直接得られ、ま
た、N−メチルピロリドン、 N、N−ジメチルアセト
アミドのような含g!素系俗剤中で合成した芳香族ポリ
アミック酸又はその誘導体をメタノール、水などの貧爵
剤中に投入し、固形樹脂として回収したのち、これを上
記した非含窒素系溶剤に溶解してもよい。
The aromatic polyamic acid or its derivative in the present invention is dissolved in a non-nitrogen-containing solvent to form a solution. Such solutions can be obtained directly by synthesizing aromatic polyamic acids or derivatives thereof in the non-nitrogen-containing solvents described above, and can also be obtained by containing compounds such as N-methylpyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, etc. Even if the aromatic polyamic acid or its derivatives synthesized in an ordinary chemical are poured into a reagent such as methanol or water, recovered as a solid resin, and then dissolved in the above-mentioned non-nitrogen-containing solvent. good.

芳香族ポリアミック酸又はその誘導体の溶液中の濃度(
樹脂濃度)としては5〜80重量係9%に10〜60重
量%とすることが好ましい。80重量%を越えるとペー
ストとした時に流動性が損なわれ、5重量%未満でるる
と厚膜の皮膜形成が困難となる。
Concentration of aromatic polyamic acid or its derivative in solution (
The resin concentration is preferably 5 to 80% by weight and 10 to 60% by weight. If it exceeds 80% by weight, fluidity will be impaired when it is made into a paste, and if it is less than 5% by weight, it will be difficult to form a thick film.

本発明における樹脂微粒子及び無機微粒子としては、上
記し念芳香族ボリアミンク酸又はその誘導体の溶液中に
分散してペーストを形成し、好ましくけそのペーストの
チキントロピー係数を1.5以上にできるものでろれば
よく特に制限はない。
The fine resin particles and inorganic fine particles in the present invention are particles that can be dispersed in a solution of the above-mentioned aromatic polyamic acid or its derivative to form a paste, and preferably have a Chickentropy coefficient of 1.5 or more. There are no particular restrictions.

このような樹脂微粒子としては、耐熱性の観点から、好
ましくはポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ
イミド樹脂等の微粒子が用いられる。
As such resin particles, from the viewpoint of heat resistance, particles of polyamide resin, polyamideimide resin, polyimide resin, etc. are preferably used.

ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹
脂としては9例えば、ポリカルボン酸又はその反応性酸
誘導体とジアミン(例えば、特開昭63−205640
号公報に記載されているもの)又はジアミンとホスゲン
又は塩化チオニルと反応させて得られるジイソシアネー
トとを反応させて得られるものが用いられる。
Examples of polyamide resins, polyamide-imide resins, and polyimide resins include polycarboxylic acids or their reactive acid derivatives and diamines (e.g., JP-A-63-205640
The diisocyanate obtained by reacting a diamine with phosgene or thionyl chloride can be used.

樹脂微粒子は9例えば非水分散重合法(%公昭60−4
8531号公報、特開昭59−230018号公報)、
沈殿重合法(%開昭59−108030号公報、特開昭
60−221425号公報)、樹脂浴液から回収した粉
末を機械粉砕する方法、樹脂浴液を貧浴媒に加えながら
高ぜん断下に微粒子化する方法、樹脂溶液の噴霧油滴を
乾燥して微粒子を得る方法等があり、任意の方法が用い
られる。
Resin fine particles are prepared using a non-aqueous dispersion polymerization method (% Kosho 60-4).
No. 8531, Japanese Unexamined Patent Publication No. 59-230018),
Precipitation polymerization method (% 1980-108030, JP 60-221425), method of mechanically pulverizing powder recovered from resin bath liquid, adding resin bath liquid to poor bath medium under high shear Any method can be used, including a method of forming fine particles, a method of drying sprayed oil droplets of a resin solution to obtain fine particles, and the like.

樹脂微粒子の熱分解開始温度は、好ましくは250℃以
上、特に好ましくは350℃以上のものが用いられる。
The thermal decomposition initiation temperature of the fine resin particles is preferably 250°C or higher, particularly preferably 350°C or higher.

ま之、無機微粒子としては9例えば。However, examples of inorganic fine particles include 9.

ソリ力(SiOz)−アルミナ(A/z03) 、チタ
ニア(TiCh)、酸化17 タ# (Taxes) 
、ジルコニア(ZrO2) 、窒化硅素(Si3N4)
lチタン酸バリウム(Bad−Tie、)、炭酸バリウ
ム(BaCOl)、 +タン酸鉛(PbO−Ti Ox
) 、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)。
Warping force (SiOz) - Alumina (A/z03), Titania (TiCh), Oxide 17T (Taxes)
, zirconia (ZrO2), silicon nitride (Si3N4)
l Barium titanate (Bad-Tie), barium carbonate (BaCOl), + lead tanate (PbO-TiOx)
), lead zirconate titanate (PZT).

チタン酸ジルコン酸ランタン鉛(PLZT)、酸化ガリ
ウム(Gazes)、スピネル(Mg 0−klz C
h ) −ムライト(3Aj、 Os・2StO2)−
コーディエライト(2MgO−2AlzOs−s Si
O*)、 タルク(3Mg0−4SiO,・H,0)、
チタン酸アルミニウム(TiO,−AI!203)、イ
ツトリア含有ジルコニア(Yz03−ZrOz)、硅酸
バリウム(Ba0・8Si02)等ノ?、緑性無機微粒
子、銀(Ag)、銅(Cu)、ニッケル(Ni )。
Lanthanum lead zirconate titanate (PLZT), gallium oxide (Gazes), spinel (Mg 0-klz C
h) -Mullite (3Aj, Os・2StO2)-
Cordierite (2MgO-2AlzOs-s Si
O*), talc (3Mg0-4SiO,・H,0),
Aluminum titanate (TiO, -AI!203), ittria-containing zirconia (Yz03-ZrOz), barium silicate (Ba0.8Si02), etc.? , green inorganic fine particles, silver (Ag), copper (Cu), nickel (Ni).

チタンブランク(TiO2)、酸化錫(SnQ、)、7
ンチモン含有識化錫(SbrI−8nO2)、錫含有酸
化インジウム(Sn’−InzOs)等の導電性無機微
粒子が用いられる。樹脂微粒子及び/又は無機微粒子は
、それぞれ必要に応じて二種以上用いられる。また。
Titanium blank (TiO2), tin oxide (SnQ, ), 7
Conductive inorganic fine particles such as tin-containing labeled tin (SbrI-8nO2) and tin-containing indium oxide (Sn'-InzOs) are used. Two or more types of resin fine particles and/or inorganic fine particles may be used as necessary. Also.

樹脂微粒子と無機微粒子とを混合して用いてもかまわな
い。
A mixture of resin fine particles and inorganic fine particles may be used.

本発明における樹脂微粒子及び無機微粒子としては、平
均粒子径30μm以下、最大粒子径40μm以下の粒子
特性をもつものが好ましく用いられる。平均粒子径が3
0μmを越えるとチキントロピー係数が1,5以上のペ
ーストが得られにくくなり、最大粒子径が40μmを越
えると塗膜の外観、密着性が不十分となる傾向がめる。
As the resin fine particles and inorganic fine particles in the present invention, those having particle characteristics of an average particle size of 30 μm or less and a maximum particle size of 40 μm or less are preferably used. Average particle size is 3
If it exceeds 0 μm, it will be difficult to obtain a paste with a Chickentropy coefficient of 1.5 or more, and if the maximum particle size exceeds 40 μm, the appearance and adhesion of the coating film will tend to be insufficient.

芳香族ボリアミンク酸又はその誘導体と樹脂微粒子及び
/又は無機微粒子の割合は、好ましくは総量を100重
量部として、芳香族ポリアミック酸又はその誘導体5〜
85重量部に対して樹脂微粒子及び/又は無機微粒子9
5〜15重量部の範囲とされる。樹脂微粒子及び/又は
無機微粒子の割合を多くするとチキントロピー性と乾燥
属厚を増大できる。
The ratio of the aromatic polyamic acid or its derivative to the resin fine particles and/or the inorganic fine particles is preferably 5 to 5 parts by weight, with the total amount being 100 parts by weight.
Resin fine particles and/or inorganic fine particles 9 to 85 parts by weight
The amount is in the range of 5 to 15 parts by weight. Increasing the proportion of fine resin particles and/or fine inorganic particles can increase chicken tropism and dry metal thickness.

芳香族ポリアミック酸又はその誘導体と樹脂微粒子及び
/又は無機微粒子の総和のペースト中の濃度は、好まし
くは10〜950〜95重量部。
The total concentration of aromatic polyamic acid or its derivative, resin particles and/or inorganic particles in the paste is preferably 10 to 950 to 95 parts by weight.

10重量%未満であると皮膜の乾燥属厚を厚くしK<<
なり、95重量%を越えるとペーストの流動性が損われ
る。
If it is less than 10% by weight, the dry thickness of the film increases and K<<
If it exceeds 95% by weight, the fluidity of the paste will be impaired.

本発明における耐熱樹脂ペーストはチキントロピー係数
を1.5以上とすることが好ましい。1.5未満であれ
ば印刷したペーストが基材に転移後。
It is preferable that the heat-resistant resin paste in the present invention has a chicken tropy coefficient of 1.5 or more. If it is less than 1.5, the printed paste has been transferred to the base material.

だれ几り流れたすせずに実用上十分なノくターン精度を
示すような印刷性が付与されない。また、ペーストの粘
度は好ましくは30〜10000ポアズに調製される。
It does not provide printability that shows sufficient turning accuracy for practical use without dripping or smearing. Further, the viscosity of the paste is preferably adjusted to 30 to 10,000 poise.

ペーストの粘度が30ポアズ未満でろると印刷後のペー
ストにだれが生じ易く。
If the viscosity of the paste is less than 30 poise, the paste tends to sag after printing.

10000ポアズを越えると印刷の作業性が低下する。If it exceeds 10,000 poise, printing workability will decrease.

特に好ましくは300〜5000ポアズとされる。ここ
で、ペーストのチキントロピー係数はE型粘度計(東京
計器社製、EHD−U型)を用いて試料量o、4g、測
定温度25℃で測定した。
Particularly preferably, it is 300 to 5000 poise. Here, the chicken tropy coefficient of the paste was measured using an E-type viscometer (manufactured by Tokyo Keiki Co., Ltd., model EHD-U) at a sample amount of o, 4 g, and a measurement temperature of 25°C.

回転数lrpmとl Q rpHmのペーストのみかけ
粘度。
Apparent viscosity of paste at rotational speed l rpm and l Q rpHm.

η!とη!Oの比・ りl/η10として表される。ま
た。
η! And η! It is expressed as the ratio of O, l/η10. Also.

ペーストの粘fin、回転数0,5rpmのみかけ粘度
Paste viscosity fin, apparent viscosity at rotation speed 0.5 rpm.

η。、で表される。η. , is expressed as .

芳香族ポリアミック酸又はその誘導体の溶液に樹脂微粒
子及び/又は無機微粒子を分散させる方法としては通常
、塗料分野で行なわれているロール練り、ミキサー混合
などが適用され、十分な分散が行なわれる方法であれば
特に制限はない。三本ロールによる複数回の混練が最も
好ましい。
As a method for dispersing resin particles and/or inorganic particles in a solution of aromatic polyamic acid or its derivatives, roll kneading, mixer mixing, etc., which are used in the paint field, are usually applied, and are methods that ensure sufficient dispersion. There are no particular restrictions. Most preferred is multiple kneading using three rolls.

本発明のペーストは基材に塗布され次後、最終的に15
0〜400℃で1〜100分間焼付けることによって皮
膜を形成させることができる。
The paste of the present invention is applied to a substrate and then finally
A film can be formed by baking at 0 to 400°C for 1 to 100 minutes.

本発明のペーストには、必要に応じて消泡剤。The paste of the present invention contains an antifoaming agent if necessary.

顔料、染料、可塑剤、酸化防止剤などを併用してもよい
Pigments, dyes, plasticizers, antioxidants, etc. may be used in combination.

本発明になる耐熱樹脂ペーストはシリコンウェハを基板
としたモノリシックIC,セラミック基板やガラス基板
を用いる・・イブリッドIC,サーマルヘッド、イメー
ジセンサ−、マルチチップ高密度実装基板等のデバイス
、フレキシブル配線板。
The heat-resistant resin paste of the present invention is suitable for devices such as monolithic ICs using silicon wafers, ceramic substrates, and glass substrates, such as hybrid ICs, thermal heads, image sensors, multi-chip high-density mounting boards, and flexible wiring boards.

リジット配線板等の各種配線板などの層間絶縁膜及び/
又は表面保護膜、各穫耐熱印字用インク。
Interlayer insulation films and/or various wiring boards such as rigid wiring boards
Or surface protective film, heat-resistant printing ink.

耐熱接着剤などに広く利用でき、工業的に極めて有用で
ある。
It can be widely used in heat-resistant adhesives, etc., and is extremely useful industrially.

本発明になる耐熱樹脂ペーストを、モノリシックIC等
の半導体装置の保護膜等に用いる場合には、ウラン、ト
リウム等のα線源物質、ナトリウム、カリウム、塩素、
鋼、鉄等のイオン性不純物などの含量を少なくすること
が好ましい。保護膜等のウラン、トリウム等のα線源物
質の総含量はI Ppb以下が好ましく、よシ好ましく
Fio、2ppb以下とされる。これは0.2乃至1 
ppbを境にして保護膜等から放射されるα線の素子の
誤動作に対する影響が急激に減少するからである。得ら
れた保護膜等のウラン、トリウム等のα線物質の総含量
が0,2乃至1 ppbを超える場合には、前記した芳
香族ポリアミック酸又はその誘導体及び樹脂微粒子の製
造に用いられるモノマ、浴剤、樹脂の精製等に用いられ
る沈殿剤、非含窒素系m剤等をめらかしめ精製すること
によシウラン、トリウム等のα線源物質の総含量を減少
させることができる。
When the heat-resistant resin paste of the present invention is used as a protective film of a semiconductor device such as a monolithic IC, alpha-ray source materials such as uranium, thorium, sodium, potassium, chlorine, etc.
It is preferable to reduce the content of ionic impurities such as steel and iron. The total content of α-ray source materials such as uranium and thorium in the protective film is preferably less than IP ppb, more preferably less than Fio, 2 ppb. This is 0.2 to 1
This is because the influence of α rays emitted from the protective film etc. on malfunction of the device decreases rapidly when the ppb level is reached. When the total content of α-ray substances such as uranium and thorium in the obtained protective film exceeds 0.2 to 1 ppb, the aromatic polyamic acid or its derivative and the monomer used in the production of the resin fine particles, By smoothing and purifying bath additives, precipitants used in resin purification, non-nitrogen-containing m-agents, etc., the total content of α-ray source substances such as siluran and thorium can be reduced.

精製には、芳香族ポリアミック酸又はその誘導体及び樹
脂微粒子の製造に用いられるモノマ、溶剤。
For purification, aromatic polyamic acid or its derivatives and monomers and solvents used in the production of resin fine particles are used.

樹脂の精製等に用いられる沈殿剤、非含窒素系m剤等を
蒸留、昇華、再結晶、抽出などによって。
Distillation, sublimation, recrystallization, extraction, etc. of precipitants, non-nitrogen-containing m-agents, etc. used in the purification of resins, etc.

ま友9合成した樹脂弓液を精製した貧各媒甲に沈殿させ
る工程を複数回行なうこともl利でるる。
It is also advantageous to perform the step of precipitating the synthesized resin liquid into the purified molten shell multiple times.

また、無機微粒子についてもめらかしめ周知の方法によ
り十分精製することでウラン、トリウム等のα線源物質
の総含量を減少させることができる。
Furthermore, by smoothing and sufficiently refining inorganic fine particles using well-known methods, the total content of α-ray source substances such as uranium and thorium can be reduced.

一般にウラン、トリウム等のα線源物質の含量が少ない
無機微粒子は、天然にはほとんど存在しない。精製し念
無機微粒子としては1例えば、精製した四塩化硅素を気
相酸素焔で酸化したり、プラズマ等で酸化することによ
って得られる合成シリカ(Sinス)や硅素のゲル化に
よって得られる合成シリカが挙げられる。また、 Aj
203. TiO2゜Tag o、 、 Zr Ox等
の金属酸化物、  Si、N4等ノ金属窒化物の*aし
たものも挙げることができる。
In general, inorganic fine particles containing a small amount of α-ray source substances such as uranium and thorium hardly exist in nature. Examples of purified inorganic fine particles include synthetic silica (Sin) obtained by oxidizing purified silicon tetrachloride in a gas-phase oxygen flame or oxidizing with plasma, and synthetic silica obtained by gelling silicon. can be mentioned. Also, Aj
203. Metal oxides such as TiO2° Tag o, ZrOx, and metal nitrides such as Si and N4 can also be mentioned.

また、使用時の腐食、リークなどを少なくするため、ナ
トリウム、カリウム、塩素、銅、鉄等のイオン性不純物
の含量は2 ppm以下が好ましく。
Further, in order to reduce corrosion and leakage during use, the content of ionic impurities such as sodium, potassium, chlorine, copper, and iron is preferably 2 ppm or less.

より好ましくはi ppm以下とされる。得られ次保護
膜等のイオン性不純物の総含量が1乃至21)l)mを
超える場合には、上記した芳香族ポリアミック酸又はそ
の誘導体及び樹脂微粒子の製造に用いられるモノマ等を
あらかじめ上記のff製と同じ工程でn製することによ
りイオン性不純物の総含量を減少させることができる。
More preferably it is i ppm or less. If the total content of ionic impurities in the resulting protective film exceeds 1 to 21) m, the above-mentioned aromatic polyamic acid or its derivatives and the monomers used in the production of the resin fine particles may be added to the above-mentioned monomers in advance. The total content of ionic impurities can be reduced by manufacturing the n-type material in the same process as the ff-manufacturing process.

精製は必ずしも用いられる七ツマ等の全てについて行な
う必要はない。
Purification does not necessarily have to be carried out on all of the seven snails used.

例えばモノマのみめるいはモノマおよび浴剤についての
み精製を行なってもよい。また、無機微粒子についても
あらρ)しめ上記し九周元の方法によシ十分精製するこ
とでイオン性不純物の総含量を減少させることができる
For example, purification may be performed only on the monomer or only on the monomer and the bath agent. In addition, the total content of ionic impurities can be reduced by sufficiently purifying inorganic fine particles by the above-mentioned nine round method.

本発明におけるICとしては、モノリシンクIC,ハイ
ブリッドIC,マルチチップ高WV実装基板等がろる。
Examples of the IC in the present invention include a monolithic IC, a hybrid IC, and a multi-chip high WV mounting board.

モノリシンクICは1例えば第1図に示す構造を有する
もので0本発明になる耐熱樹脂ペーストdLsI千ツブ
2の上に塗工され加熱されて耐熱樹脂皮膜1(表面保護
膜)とされる。
A monolithic IC 1 has a structure shown in FIG. 1, for example, and is coated on a heat-resistant resin paste dLsI according to the present invention and heated to form a heat-resistant resin film 1 (surface protection film).

第1図において、1は耐熱樹脂皮膜、2はLSIチップ
、3はボンディングワイヤ、4は樹脂パッケージ、5は
リード、6は支持体である。
In FIG. 1, 1 is a heat-resistant resin film, 2 is an LSI chip, 3 is a bonding wire, 4 is a resin package, 5 is a lead, and 6 is a support body.

ハイブリッドICは、飼えば第2図に示す構造を有する
もので、第1層配線11および抵抗層12の上に9本発
明になる耐熱樹脂ペーストを塗工、加熱して耐熱樹脂皮
膜10(層間絶縁膜)とされる。この上に、第2層配線
9が形成される。
The hybrid IC has the structure shown in FIG. 2, in which a heat-resistant resin paste according to the present invention is coated on the first layer wiring 11 and the resistance layer 12 and heated to form a heat-resistant resin film 10 (interlayer (insulating film). A second layer wiring 9 is formed on this.

第2図において、7はダイオードチップ、8ははんだ、
9は第2層配線、10は耐熱樹脂皮膜。
In Figure 2, 7 is a diode chip, 8 is solder,
9 is a second layer wiring, and 10 is a heat-resistant resin film.

11は第1層配線、12は抵抗層、13はアルミナ基板
でるる。
11 is a first layer wiring, 12 is a resistance layer, and 13 is an alumina substrate.

マルチチップ高密度実装基板は9例えば第3図に示す構
造を有するもので、セラミック多層配線板20の上に公
知の方法により配線層15.16の形成1本発明になる
耐熱樹脂ペーストの塗工。
The multi-chip high-density mounting board 9 has the structure shown in FIG. 3, for example, by forming wiring layers 15 and 16 on the ceramic multilayer wiring board 20 by a known method.1 Applying the heat-resistant resin paste of the present invention. .

加熱による耐熱樹脂皮膜14(層間絶縁膜)の形成等を
くり返して、鋼/耐熱樹脂多層配線層19が形成される
。第3図において、17ばLSIチップ、18ははんだ
でめる。
By repeating the formation of the heat-resistant resin film 14 (interlayer insulating film) by heating, etc., the steel/heat-resistant resin multilayer wiring layer 19 is formed. In FIG. 3, 17 is an LSI chip, and 18 is soldered.

(実施例) 次に1本発明を実施例及び比較例により具体的に説明す
る。
(Example) Next, one embodiment of the present invention will be specifically explained using an example and a comparative example.

なお、以下の実施例および比較例において印刷の際のペ
ーストの版の乳剤に対する非膨潤性又は非溶解性の優劣
は、下記の式で表される版の乳剤膨潤率で評価し友。版
の乳剤は、 NewスーハーL(東京プロセスサービス
社製商品名)を用い9版の乳剤パターン幅は万能投影機
にコン社製、プロファイルプロジェクター■−12型)
を用いて測定した。
In addition, in the following Examples and Comparative Examples, the non-swellability or non-solubility of the paste with respect to the emulsion of the plate during printing was evaluated by the emulsion swelling rate of the plate expressed by the following formula. The emulsion for the plate was New Suhar L (product name manufactured by Tokyo Process Service Co., Ltd.), and the emulsion pattern width for the 9th plate was determined by a universal projector and a profile projector ■-12 type manufactured by Kon Co., Ltd.).
Measured using

A:ペーストを接触させる前の版の乳剤のパターン@(
100μm幅) B:ペーストを10日間接触させた後の版の乳剤のパタ
ーン幅 実施例1 (1)芳香族ポリアミック酸溶液の調製温度計、かきま
ぜ機、窒素導入管をつけた500−の四つロフラスコに
窒素ガスを通しながら、λa、’4.4’−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物0.1モル、2.4’−
ジアミノジフェニルエーテル0.1モルトトリエチレン
グリコールジメチルエーテル2969(水分0.02%
)を仕込んだ。かく押下、室温で10時間反応を進め、
使脂I!に度15重量%の芳香族ボリアミンク酸溶液を
得た。この芳香族ポリアミック酸の数平均分子量(分子
量既知のポリスチレンを検量線とするゲルパーミェーシ
ョンクロマトグラフィ法によって求めた。以下同じ)は
31,000でめった。
A: Emulsion pattern of the plate before contacting the paste @ (
100 μm width) B: Emulsion pattern width of the plate after 10 days of contact with the paste Example 1 (1) Preparation of aromatic polyamic acid solution While passing nitrogen gas into the flask, λa, '4.4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride 0.1 mol, 2.4'-
Diaminodiphenyl ether 0.1 mol triethylene glycol dimethyl ether 2969 (moisture 0.02%
) was prepared. The reaction was then continued at room temperature for 10 hours.
Greasing I! A 15% by weight aromatic polyamine citric acid solution was obtained. The number average molecular weight (determined by gel permeation chromatography using polystyrene of known molecular weight as a calibration curve; the same applies hereinafter) of this aromatic polyamic acid was found to be 31,000.

(2)非水分散重合法を用いた樹脂微粒子の調製(イ)
分散安定剤の合成 温度計、かきまぜ機9球管冷却器をつけた四つロフラス
コに、l5OPAR−H(エッソスタンダード石油社製
脂肪族炭化水素、商品名)185.79゜ラウリルメタ
クリレート10a8g及びメタクリル酸−2−ヒドロキ
シエチルal gt入i、100℃に昇温した。窒素ガ
スを通しながら、めらかしめ調製したラウリルメタクリ
レート106.9g。
(2) Preparation of resin fine particles using non-aqueous dispersion polymerization method (a)
Synthesis of dispersion stabilizer In a four-loaf flask equipped with a thermometer, a stirrer, and a 9-ball condenser, 185.79° lauryl methacrylate (10a8 g) and methacrylic acid (Aliphatic hydrocarbon manufactured by Esso Standard Oil Co., Ltd., trade name) were added. -2-hydroxyethyl algt was added and the temperature was raised to 100°C. 106.9g of lauryl methacrylate was smoothened and prepared by passing nitrogen gas through it.

メタクリル酸−2−ヒドロキシエチル2459゜過酸化
ベンゾイルペースト(過酸化ベンゾイルの含分50重量
%)2.49の混合物をかくはんしながら2時間かけて
滴下し友。引き続き100℃で1時間保温後140℃に
昇温し同温度で4時間反応させた。この分散安定剤浴液
は170℃で2時間乾燥し友時の不揮発分が55重量%
であり9分散安定剤の数平均分子量は67.000でめ
った。
A mixture of 2459° 2-hydroxyethyl methacrylate and 2.49° benzoyl peroxide paste (benzoyl peroxide content 50% by weight) was added dropwise over 2 hours while stirring. Subsequently, the mixture was kept at 100°C for 1 hour, then raised to 140°C, and reacted at the same temperature for 4 hours. This dispersion stabilizer bath solution was dried at 170°C for 2 hours, and the nonvolatile content was 55% by weight.
Therefore, the number average molecular weight of the dispersion stabilizer 9 was 67.000.

(ロ)ポリアミドイミド樹脂微粒子の調製湛盆計、かき
まぜ機1球管冷却器をつけた50〇−の四つロフラスコ
に窒素ガスを通しながら、4゜4′−ジフェニルメタン
ジイソシアネート35.19゜MR−100(日本ポリ
ウレタン社製、芳香族ポリイソンアイ; −ト) 16
.39.上記(イ)で得几分散安定剤各液(不揮発分4
0重t%)199゜l5OPAR−H150g、  N
 −1チルピロリドン9.09を入れ、 380 rp
m ’Cカ< uA、、 t、ナカラioo°Cに昇温
した。
(b) Preparation of polyamide-imide resin fine particles While passing nitrogen gas through a 500-meter four-bottle flask equipped with a basin meter, a stirrer, and a bulb/tube condenser, 4゜4'-diphenylmethane diisocyanate 35.19゜MR- 100 (manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd., aromatic polyisone eye) 16
.. 39. Each dispersion stabilizer solution obtained in (a) above (non-volatile content: 4
0 weight t%) 199゜l5OPAR-H150g, N
- Add 9.09 tylpyrrolidone, 380 rp
The temperature was raised to m'C < uA, t, Nacala ioo°C.

ついであらかじめ、微粉末化し友トリメリット酸無水物
3&5gを添加し、100℃で1時間。
Next, 3 and 5 g of tomotrimellitic anhydride, which had been pulverized in advance, was added thereto, and the mixture was heated at 100°C for 1 hour.

115℃で1時間、125℃で1時間、140℃で1時
間、さらに170℃に昇温して2時間反応を進めた。連
続相のl80PA几−HCFに分散し次褐色のポリアミ
ドイミド樹脂の微粒子を得たので。
The reaction was continued at 115°C for 1 hour, at 125°C for 1 hour, at 140°C for 1 hour, and further heated to 170°C for 2 hours. After dispersing in the continuous phase 180PA-HCF, fine particles of brown polyamideimide resin were obtained.

これをf過によって回収し、更に水及びメタノールで煮
沸後F別し念ものを減圧下、60℃で5時間乾燥させた
。このポリアミドイミド樹脂微粒子の形状は球形、非多
孔性でめった。赤外吸収スペクトルにF′11780国
 にイミド結合、1650ロ と1540cm  にア
ミド結合の吸収が認めらられた。このポリアミドイミド
樹脂微粒子の平均a子径(コールタ−エレクトロニクス
社製、 TA−n型による。以下同じ)は約3μm、#
大粒子径は40μm以下でめった。
This was collected by filtration, boiled with water and methanol, separated by F, and dried under reduced pressure at 60° C. for 5 hours. The shape of the polyamide-imide resin fine particles was spherical and non-porous. In the infrared absorption spectrum, imide bond absorption was observed at F'11780, and amide bond absorption was observed at F'1650 and 1540 cm. The average a diameter of the polyamide-imide resin fine particles (according to TA-n type manufactured by Coulter Electronics Co., the same applies hereinafter) is approximately 3 μm, #
The large particle diameter was 40 μm or less.

(3)耐熱樹脂ペーストの調製 上記(1)で調製した芳香族ボリアミンク酸酊液(衛脂
!1度15]il1%)80gK上記(2+、 1口)
で得られ定ポリアミドイミド樹脂微粒子20gを加え。
(3) Preparation of heat-resistant resin paste Aromatic polyaminic acid liquor prepared in (1) above (Seishu! 1 degree 15] il 1%) 80 gK above (2+, 1 sip)
Add 20 g of the constant polyamideimide resin fine particles obtained in .

まず、乳鉢で粗混練し、ついで高速三本ロールを用いて
6回通して混練しポリアミドイミド樹脂微粒子が分散し
た耐熱樹脂ペーストを得た二このペーストのE型粘度計
(東京計器社製、EHD−U型、以下同様)で測定した
0、5rpmでのみかけ粘度η、5は920ポアズ、1
rpmでのみかけ粘度η1Fi650ポアズ、lorp
mでのみかけ粘度η1oは222ホアズでめり、チキン
トロピー係数ガ/η10は29でめった。このペースト
を表面平滑なアルミ基板上に約30μm厚でスクリーン
印刷したとコロ、だれ、流れなどは認められなかった。
First, it was roughly kneaded in a mortar, and then kneaded six times using a high-speed triple roll to obtain a heat-resistant resin paste in which polyamide-imide resin fine particles were dispersed. Apparent viscosity η, 5 is 920 poise, 1
Apparent viscosity η1Fi650 poise at rpm, lorp
The apparent viscosity η1o in m was found to be 222 hoas, and the chicken tropy coefficient ga/η10 was found to be 29. When this paste was screen printed to a thickness of about 30 μm on an aluminum substrate with a smooth surface, no rolling, dripping, or running was observed.

このベースlj200回以上の繰り返し印刷においても
ペーストの固層などによるスクリーンの目ツマりなどを
起こさず、印刷の際のペーストの機上安定性にすぐれる
ものでろつ念。このペーストの版の乳剤膨潤率は3チで
あり、乳剤に対する非膨潤性及び非溶解性にもすぐれる
ものであった。
We are confident that this base lj will not clog the screen due to a solid layer of paste even after repeated printing over 200 times, and the paste will have excellent on-machine stability during printing. The emulsion swelling rate of the plate of this paste was 3, and the emulsion had excellent non-swelling and non-dissolving properties.

また、このペーストを100℃で工時間、200℃で0
.5時間、更に250℃で0.5時間焼付けた皮膜は焼
付は前の良好なパターン精度を保持していることが確認
された。
In addition, this paste was processed at 100℃ for a working time of 200℃, and at 200℃ for 0.
.. It was confirmed that the film baked for 5 hours and then for 0.5 hour at 250°C retained the good pattern accuracy before baking.

実施%J2 fl)  芳香族ポリアミック酸溶液の調表3.3:4
.4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物を4
,4′−オキジフタル酸無水物に、トリエチレングリコ
ールジメチルエーテル2969をテトラエチレングリコ
ールジメチルエーテル2899に代えた以外は実施列1
.(1)と全く同様にして行ない樹脂a度15重量%の
芳香族ポリアミック酸浴液を得た。この芳香族ボリアミ
ンク酸の数平均分子量は35,000でbった。
Implementation % J2 fl) Preparation of aromatic polyamic acid solution 3.3:4
.. 4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride
, 4'-oxidiphthalic anhydride, except that triethylene glycol dimethyl ether 2969 was replaced with tetraethylene glycol dimethyl ether 2899.
.. The procedure was carried out in exactly the same manner as in (1) to obtain an aromatic polyamic acid bath solution having a resin a degree of 15% by weight. The number average molecular weight of this aromatic polyamic acid was 35,000.

(2)沈殿重合法を用いたポリイミド樹脂微粒子の調製 温度計、かきまぜ機、9素導入管および水分定量器をつ
けた四つロフラスコ内に窒素ガスを通しながらピロメリ
ット酸二無水物2189(1モル)とN−メチルピロリ
ドン(水分0.03%)16729を入れ、かくはんし
ながら50℃に昇娼し、同温度で0.5時間保ち完全に
各解して均一な浴液とした。これに4,4′−ジアミノ
ジフェニルエーテルxoog(o、sモル)と44′−
ジアミノジフェニルメタン999(0,5モル)を加え
、fcだちに110″CK昇温し、同温度で20分間保
ち完全に溶解して均一な溶液とし念。ついで、約2時間
で200℃に昇1し、同温度で3時間反応させ友。
(2) Preparation of polyimide resin fine particles using precipitation polymerization method Pyromellitic dianhydride 2189 (1 mol) and N-methylpyrrolidone (moisture 0.03%) 16729 were added, heated to 50° C. with stirring, and kept at the same temperature for 0.5 hours to completely dissolve and form a uniform bath liquid. To this, 4,4'-diaminodiphenyl ether xoog (o, s mol) and 44'-
Diaminodiphenylmethane 999 (0.5 mol) was added, the temperature was immediately raised to 110"CK at fc, and kept at the same temperature for 20 minutes to ensure complete dissolution and a homogeneous solution. Then, the temperature was raised to 200 °C in about 2 hours. 1 and react at the same temperature for 3 hours.

途中、約140℃でポリイミド樹脂の微粒子の析出が観
察され念。ま之1反応甲、留出する水はすみfかに系外
に除去した。
During the process, precipitation of fine particles of polyimide resin was observed at approximately 140°C. In the first reaction, the distilled water was removed from the system in a corner f.

N−メチルピロリドン中に分散した黄褐色のポリイミド
樹脂の微粒子を得たので、と7″Lを濾過によって回収
し、更にアセトン点部を2回繰り返し几後、減圧下、2
00℃で5時間乾燥させ友。このポリイミド樹脂微粒子
の形状はほぼ球形、多孔性でろって、平均粒子径は8μ
m、最大粒子径は40μm以下でめった。
Since fine particles of yellow-brown polyimide resin dispersed in N-methylpyrrolidone were obtained, 7"L of the fine particles were collected by filtration, and after rinsing with acetone twice, under reduced pressure,
Dry at 00℃ for 5 hours. The shape of these polyimide resin fine particles is almost spherical, porous, and the average particle diameter is 8 μm.
m, the maximum particle diameter was 40 μm or less.

(3)耐熱樹脂ペーストの調製 上記(1)で調製した芳香族ポリアミック酸溶液(樹脂
#変15重量%)779に上記(2)で調表し之ポリイ
ミド側脂微粒子239を加え、Iず、乳鉢で粗混練し、
ついで高速三本ロールを用いて6回通して混練しポリイ
ミド樹脂微粒子が分散した耐熱樹脂ペーストを得た。こ
のペーストのE型粘度計で測定しfcOls rpmで
のみかけ粘度η。、ば840ポアズ、Irpmでのみか
け粘度’7+Fi540ポアズ、10rpmでのみかけ
粘度η10は160ポアズでろり、チキントロピー係数
η1/η10は3.4でろつ几。このペーストを表面平
滑なアルミ基板上に約30μm厚でスクリーン印刷した
ところ。
(3) Preparation of heat-resistant resin paste To 779 of the aromatic polyamic acid solution (resin #15% by weight) prepared in (1) above, add 239 of the polyimide fat particles prepared in (2) above, and place in a mortar. Roughly knead with
The mixture was then kneaded six times using a high-speed triple roll to obtain a heat-resistant resin paste in which fine polyimide resin particles were dispersed. The apparent viscosity η of this paste was measured with an E-type viscometer at fcOls rpm. , the apparent viscosity at Irpm is '7+Fi540 poise, the apparent viscosity η10 at 10 rpm is 160 poise, and the chicken tropy coefficient η1/η10 is 3.4. This paste was screen printed on an aluminum substrate with a smooth surface to a thickness of approximately 30 μm.

だれ、aれなどは認められなかった。このペーストは2
00回以上の繰り返し印刷VCおいてもペーストの固着
などによるスクリーンの目づまりなどを起こさず、印刷
の際のペーストの機上安定性にすぐれるものでろつ乏。
No one was found to have hurt anyone. This paste is 2
Even after repeated printing of VC over 00 times, the screen does not become clogged due to paste sticking, and the paste has excellent on-machine stability during printing.

このペーストの版の乳剤We温潤率4チであり、乳剤に
対する非膨潤性及び非溶解性にもすぐれるものでめった
The plate of this paste had an emulsion We warm wettability of 4, and was found to have excellent non-swelling and non-dissolving properties with respect to the emulsion.

ifc、このペーストを100°CC’1時間、200
℃で0.5時間、250℃で0.5時間、更[350℃
で0,5時間1児付けた皮膜は焼付は前の良好なパター
ン精度を保持していることが確認された。
ifc, this paste at 100°C' for 1 hour, 200
℃ for 0.5 hours, 250℃ for 0.5 hours, further [350℃
It was confirmed that the film that was applied for 0.5 hours retained the good pattern accuracy before baking.

実jM的3 (1)芳香族ボリアミンク酸エステル溶液の調製温度計
、かきまぜ機1gi素導素管入管び冷却管をそなえ九四
つロフラスコP”Di:3.3’t4’−ヒフェニルテ
トラカルボン酸二無水物0.1モル、エタノール0.1
モルとξ−カプロラクトン1269を仕込み、かきまぜ
なから°加熱し、100℃に昇編し友。同温度で4時間
反応させてテトラカルボン酸二無水物及びそのエステル
との混合物を得た。40’cK冷却後、  2.4’−
ジアミノジフェニルエーテル0.1モルを仕込み溶解さ
せて樹脂濃度30重量%の芳香族ボリアSツク酸エステ
ル溶液を得た。この芳香族ボリアミンク酸エステルの数
平均分子量は、3200でろつ之。
3 (1) Preparation of aromatic polyamine citrate solution A 94-bottle flask equipped with a thermometer, a stirrer, 1 gi conductor tube, and a cooling tube P"Di: 3.3't4'-Hyphenyltetracarboxylic acid ester solution Acid dianhydride 0.1 mol, ethanol 0.1
Add mole and ξ-caprolactone 1269, stir, heat, and raise to 100°C. The mixture was reacted at the same temperature for 4 hours to obtain a mixture of tetracarboxylic dianhydride and its ester. After cooling 40'cK, 2.4'-
0.1 mol of diaminodiphenyl ether was charged and dissolved to obtain an aromatic boria S succinic acid ester solution having a resin concentration of 30% by weight. The number average molecular weight of this aromatic polyamine citrate was 3,200.

(2)・耐熱樹脂ペーストの調製 上記(1)で調製し念芳香族ポリアミック酸エステル溶
液(樹脂濃度30重量%)759に実施列10(2)、
 (ロ)で得たポリアミドイミド便@微粒子25gを加
え、まず乳鉢で粗混練し、ついで高速三本ロールを用い
て6回通して混練しポリアミドイミド樹脂微粒子が分散
した耐熱樹脂ペーストを得之。
(2) Preparation of heat-resistant resin paste.
Add 25 g of the polyamide-imide fine particles obtained in (b), and first roughly knead in a mortar, then knead by passing six times using a high-speed triple roll to obtain a heat-resistant resin paste in which polyamide-imide resin fine particles are dispersed.

このペーストのE型粘度計で測定した0、5rpmでの
みかけ粘度η。5idl 270ポアズ、1rpmでの
みかけ粘度η1は670ポアズ、lQrpmでのみかけ
粘度ηIoは125ポアズでめり、チキントロピー係数
ηl/η1oけ5.4であった。このペーストを表面平
滑なアルミ基板上に約30μm厚でスクリーン印刷した
ところ、だれ、流れなどは認められなかった。このペー
ストは200回以上の繰り返し印刷においてもペースト
の固着などによるスクリーンの目づまりなどを起こさず
、印刷の際のペーストの機上安定性にすぐれるものでめ
った。このペーストの版の乳剤膨潤率は15チでめシ、
乳剤に対する非1e潤性及び非溶解性にもすぐれるもの
でろつ之。
Apparent viscosity η of this paste at 0.5 rpm measured with an E-type viscometer. The apparent viscosity η1 at 5idl 270 poise and 1 rpm was 670 poise, the apparent viscosity ηIo at 1Q rpm was 125 poise, and the chicken tropy coefficient ηl/η1o was 5.4. When this paste was screen printed to a thickness of about 30 μm on an aluminum substrate with a smooth surface, no dripping or running was observed. This paste did not cause clogging of the screen due to paste sticking even after repeated printing over 200 times, and was found to have excellent on-machine stability during printing. The emulsion swelling rate of this paste plate is 15 cm.
It also has excellent non-wetting and non-solubility properties in emulsions.

ま之、このペーストを100℃で1時間、200℃で0
.5時間、更に250℃で0.5時間焼付けた皮膜は焼
付は前の良好なパターンn度を保持していることが確認
され友。
Now, heat this paste at 100℃ for 1 hour, then heat it at 200℃ for 0.
.. It was confirmed that the film baked for 5 hours and then for 0.5 hours at 250°C retained the previous good pattern.

実施列4 (1)芳香族ボリアミンク酸溶液の調製龜波計、かきま
ぜ機、窒素導入管をつけた500艷の四つロフラスコに
窒素ガスを通しながら、ミ3:44′−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物0.1モル、2.4’−ジア
ミノジフェニルエーテル0.1モルとN−メチルピロリ
ドン(水分0.01%1209gを仕込んだ。かく押下
、室温で10時間反応を進めた。反応系の粘度は高分子
量のポリアミック酸の生底によりかく拌が困難な状態に
まで高くなつ之。ここで反応系に少量の水を添加して6
0℃に加熱し1分子量を調製した。得られた芳香族ボリ
アミンク酸の数平均分子量はs zo o 。
Example 4 (1) Preparation of aromatic polyaminic acid solution While passing nitrogen gas through a 500-barrel four-bottle flask equipped with a stirrer, a stirrer, and a nitrogen inlet tube, add 3:44'-benzophenonetetracarboxylic acid dihydrate. 0.1 mole of anhydride, 0.1 mole of 2.4'-diaminodiphenyl ether, and 1209 g of N-methylpyrrolidone (moisture 0.01%) were charged.The reaction was then allowed to proceed at room temperature for 10 hours.The viscosity of the reaction system Due to the raw bottom of the high molecular weight polyamic acid, the amount of water increases to the point where it is difficult to stir.At this point, a small amount of water is added to the reaction system.
One molecular weight was prepared by heating to 0°C. The number average molecular weight of the obtained aromatic polyamic acid is s zo o .

でめった。この芳香族ポリアミック酸のN−メチルピロ
リドン溶液(樹脂分濃度20重量%)をN−メチルピロ
リドンで約10重量%になるように希釈した。欠いてこ
の溶液をミキサーで強力にかく拌したメタノール千に投
入して、固形の芳香族ポリアミック酸を回収した。この
固形ポリアミック酸をメタノールでよく煮沸洗浄した。
I failed. A solution of this aromatic polyamic acid in N-methylpyrrolidone (resin concentration 20% by weight) was diluted with N-methylpyrrolidone to about 10% by weight. Then, this solution was poured into methanol which had been vigorously stirred with a mixer to recover the solid aromatic polyamic acid. This solid polyamic acid was thoroughly boiled and washed with methanol.

これをF取し元後、′s王下、60℃で5時間乾燥させ
て。
After removing it, it was dried at 60°C for 5 hours.

粉末の芳香族ボリアミンク酸を得友。この芳香族ポリア
ミック酸の数平均分子量¥i27,000であり、これ
をトリエチレングリコールジメチルエーテルに溶解させ
て、樹脂濃度15重量%の芳香族ポリアミック酸溶液を
調製した。
Get powdered aromatic polyamic acid. This aromatic polyamic acid had a number average molecular weight of 27,000 yen, and was dissolved in triethylene glycol dimethyl ether to prepare an aromatic polyamic acid solution having a resin concentration of 15% by weight.

(2)耐熱樹脂ペーストの調製 上記(1)で調製した芳香族ポリアミック酸溶液(樹脂
濃度15重量%)939にアエロジル200(日本アエ
ロンル社ル、商品名Sin、微粒子、平均粒子径0.0
 l 6μm)7gをカロえ、まず、乳鉢で徂混祿し、
ついで高速三本ロールを用いて6回通して混練しSiQ
、微粒子が分散した耐熱樹脂ペーストを得た。このペー
ストのE型粘度計で測定したQ、5rpmでのみかけ粘
度η。、 H860ポアズ。
(2) Preparation of heat-resistant resin paste Aerosil 200 (Nippon Aeronle Co., Ltd., trade name: Sin, fine particles, average particle size 0.0
1 6μm) 7g, mix in a mortar first,
Next, the SiQ was kneaded by passing it through six times using a high-speed triple roll.
A heat-resistant resin paste in which fine particles were dispersed was obtained. Q of this paste measured with an E-type viscometer, apparent viscosity η at 5 rpm. , H860 Poise.

1 rpmでのみかけ粘度η1H545ポアズ、10r
pmでのみかけ粘度η+oH177ボアズであり。
Apparent viscosity η1H545 poise at 1 rpm, 10r
The apparent viscosity in pm is η + oH 177 Boas.

チキントロピー係数η1/り1oIri3.1でめった
。このペーストを表面平滑なアルミ基板上に約30μm
厚でスクリーン印刷したところ、だれ、流れなど#ig
められなかった。このペーストは200回以上の繰り返
し印届;jにおいてもペーストの固着などによるスクリ
ーンの目づまシなどを起こさず、印刷の際のペーストの
機上安定性にすぐれるものでめつ几。このペーストの版
の乳剤膨潤率は3チであり、乳剤に対する非膨潤性及び
非溶解性にもすぐれるものでめった。
The chicken tropy coefficient was η1/ri1oIri3.1. Apply this paste to a thickness of approximately 30 μm on a smooth aluminum substrate.
When I screen-printed it with a thick thickness, there was no flow, flow, etc. #ig
It did not fit. This paste has been repeatedly stamped over 200 times; it does not cause screen clogging due to paste sticking, and the paste has excellent on-machine stability during printing. The emulsion swelling rate of the plate of this paste was 3, and it was found to have excellent non-swelling and non-dissolving properties for the emulsion.

また、このペースト1100℃で1時間、200℃で0
.5時間、250℃で0.5時間、更に350℃で0.
5時間焼付は之皮膜は焼付は前の良好なパターンn1度
を保持していることが確認された。
In addition, this paste was heated at 1100°C for 1 hour, and at 200°C for 0.
.. 5 hours, 0.5 hours at 250°C, and 0.5 hours at 350°C.
After 5 hours of baking, it was confirmed that the film retained the previous good pattern of baking.

実施例5 (1)芳香族ポリアミック酸溶液の調製温度計、かきま
ぜ機、窒素導入管をつけた500艷の四つロフラスコに
、無水酢酸から再結晶して精製し7’Ca&’4.4’
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物0.047
5モル、3.3:4.4′−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物0.0475モル。
Example 5 (1) Preparation of aromatic polyamic acid solution Purified by recrystallization from acetic anhydride in a 500 mm four-loop flask equipped with a thermometer, stirrer, and nitrogen inlet tube.
-benzophenonetetracarboxylic dianhydride 0.047
5 mol, 3.3:4.4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride 0.0475 mol.

トルエンとジエチルエーテルとの重合比でl:lの混合
液で再結晶した〔1.3−ビス(14−ジカルボキシフ
ェニル)−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン
〕二無水物o、oosモル、メタノールと水との重合比
で8=2(メタノール:水)の混合液で再結晶しfc 
2.4’−ジアミノジフェニルエーテル0.1モルと減
圧蒸留によって精製し九γ−カプロラクトン291gを
窒素ガスを通しながら仕込んだ。かく押下、室温で10
時間反応を進め。
[1,3-bis(14-dicarboxyphenyl)-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane] dianhydride o recrystallized from a mixture of toluene and diethyl ether at a polymerization ratio of 1:1. , oos mole, recrystallized from a mixture of methanol and water at a polymerization ratio of 8=2 (methanol:water), fc
0.1 mol of 2.4'-diaminodiphenyl ether and 291 g of 9γ-caprolactone purified by vacuum distillation were charged while passing nitrogen gas. Press down, 10 at room temperature
Advance the time reaction.

衝脂濃1f15重量%の芳香族ポリアミック酸溶液を得
几。この芳香族ボリアミンク酸の数平均分子量は、42
,000でめった。
Obtain a 15% by weight aromatic polyamic acid solution. The number average molecular weight of this aromatic polyamic acid is 42
,000.

(2)噴霧乾燥法を用いたポリイミド樹脂微粒子の調製 温度計、かきまぜ機、窒素導入管、水分定量器をつけた
四つロフラスコに、無水酢酸から再結晶して精製した3
、3:44′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物0
.0379モル、トルエンとジエチルエーテルとの重量
比で1=1の混合液を用いて再結晶し*(:1.3−ビ
ス(3,4−ジカルボキシフェニル)−1,1,3,3
−テトラメチルジシロキサン〕二無水物0.0020モ
ル、メタノールと水との重量比で8=2(メタノール:
水)の混合液を用いて再結晶し友44′−ジアミノジフ
ェニルエーテル0.0399モルと減圧蒸留によって精
製したN−メチルピロリドン80gを窒素ガスを通しな
がら仕込んだ。かく押下、室温で10時間反応を進め友
後、200″cK昇温し、同温度で10時間反応を進め
た。途中、留出する水を反応系外にすみやかに除去した
。得られた溶液を減圧蒸留によって精製したN−メチル
ピロリドン644gで希釈して樹脂分濃度的2−5重量
%の溶液とし友。これをアシザワニロアトマイザー社製
モービルマイナー型スプレードライヤーで噴霧乾燥して
微粒子化した後9分散して平均粒子径4μm、最大粒子
径40μm以下のポリイミド樹脂微粒子を得之。
(2) Preparation of polyimide resin fine particles using spray drying method 3. Purified polyimide resin particles were purified by recrystallization from acetic anhydride in a four-loaf flask equipped with a thermometer, a stirrer, a nitrogen inlet tube, and a moisture meter.
, 3:44'-biphenyltetracarboxylic dianhydride 0
.. 0379 mol, recrystallized using a mixture of toluene and diethyl ether in a weight ratio of 1=1*(:1.3-bis(3,4-dicarboxyphenyl)-1,1,3,3
-Tetramethyldisiloxane] dianhydride 0.0020 mol, weight ratio of methanol and water 8 = 2 (methanol:
0.0399 mol of 44'-diaminodiphenyl ether recrystallized using a mixture of water) and 80 g of N-methylpyrrolidone purified by distillation under reduced pressure were charged while passing nitrogen gas. The reaction was then continued at room temperature for 10 hours.Then, the temperature was raised to 200"cK, and the reaction was continued at the same temperature for 10 hours.During the process, water that distilled out was immediately removed from the reaction system.The resulting solution was diluted with 644 g of N-methylpyrrolidone purified by vacuum distillation to obtain a solution with a resin concentration of 2-5% by weight. This was spray-dried using a Mobil Minor type spray dryer manufactured by Ashizawa Waniro Atomizer Co., Ltd. to form fine particles. 9 to obtain polyimide resin fine particles having an average particle diameter of 4 μm and a maximum particle diameter of 40 μm or less.

(3)耐熱樹脂ペーストの調製 上記(11で調製し之芳香族ボ1.ノアミンク酸溶液(
樹脂濃度155重量%809に上記(2)のポリイミド
樹脂微粒子20gを加え、まず、乳鉢で粗混練し、つい
で高速の三本ロールを用いて6回通して混練し、ポリイ
ミド樹脂微粒子が分散した耐熱樹脂ペーストを得友。こ
のペーストのE型粘度計で測定し&0.5rpmでのみ
かけ粘度は1520ポアズ、lrpmでのみかけ粘度η
lは790ポアズ。
(3) Preparation of heat-resistant resin paste
Add 20 g of the polyimide resin fine particles of the above (2) to 809 with a resin concentration of 155% by weight, and first roughly knead in a mortar, then knead by passing 6 times using a high-speed triple roll to obtain a heat-resistant mixture in which the polyimide resin fine particles are dispersed. Get the resin paste. This paste was measured with an E-type viscometer and the apparent viscosity at 0.5 rpm was 1520 poise, and the apparent viscosity at l rpm was η
l is 790 poise.

l Q rpmでのみかけ粘度ηxai220ポアズで
ろシ、チキントロピー係数η1/η!0は3.6でhつ
九。
l Q Apparent viscosity ηxai220 poise at rpm, chicken tropy coefficient η1/η! 0 is 3.6, which is 9 h.

このペーストを表面平滑なアルミ基板上に約30μm厚
でスクリーン印刷し念ところ、だれ、流れなどは認めら
れなかつ几。このペーストは200回以上の繰り返し印
刷においてもペーストの固着などによるスクリーンの目
づまシなどを起こさず。
This paste was screen printed to a thickness of about 30 μm on an aluminum substrate with a smooth surface, and no sag or flow was observed. Even after repeated printing over 200 times, this paste does not cause screen clogging due to paste sticking.

印刷の際のペーストの機上安定性圧すぐれるものでめっ
た。このペーストの版の乳剤膨ff4率は5俤でるり、
乳剤に対する非膨潤性及び非溶解性にもすぐれるもので
めった。
The on-machine stability of the paste during printing was outstanding. The emulsion expansion ff4 rate of this paste plate is 5 Ruri,
It was also found to have excellent non-swelling and non-dissolving properties in emulsions.

また、このペーストを100℃で1時間、200℃で0
.5時間、250℃で0.5時間、更に350℃で0.
5時間焼付けた皮膜は焼付は前の良好なノくターン精度
を保持していることが確認された。このペーストから非
含窒素系溶媒(r−カプロラクトン)を除去し、ウラン
およびトリウムの含量を放射化分析によって調べたとこ
ろ、各々検出限界の0.02ppb以下、及び0.05
ppb以下でめった。
In addition, this paste was heated to 100℃ for 1 hour, and then heated to 200℃ for 0.
.. 5 hours, 0.5 hours at 250°C, and 0.5 hours at 350°C.
It was confirmed that the film baked for 5 hours retained the good turning accuracy before baking. When the non-nitrogen-containing solvent (r-caprolactone) was removed from this paste and the contents of uranium and thorium were investigated by activation analysis, they were found to be below the detection limit of 0.02 ppb and 0.05 ppb, respectively.
Rarely below ppb.

ま之、ナトリウム、カリウム、塩素、銅、鉄のイオン性
不純物の含量はそれぞれ2 ppm以下でめつ之。仄に
このペーストを渠横度16にビットのMO8型几AMの
表面に、ヌクリーン印刷によって塗布し、100℃で1
時間、150℃、200’C,250℃で0.5時間、
更に350℃で1時間熱処理を行ない、約20μmの厚
みを有するポリイミド保fa膜を形成した。ついで得ら
れ次半導体素子を低融点ガラスを封止接着剤とするセラ
ミックパッケージを用い約450℃で封止し友。この半
導体装置のソフトエラー率は30フイツトでめつた。
However, the content of ionic impurities of sodium, potassium, chlorine, copper, and iron is less than 2 ppm each. This paste was lightly applied to the surface of an MO8 type AM with a channel width of 16 by Nuclean printing, and then heated at 100°C for 1
time, 150°C, 200'C, 0.5 hour at 250°C,
Further, heat treatment was performed at 350° C. for 1 hour to form a polyimide antifa film having a thickness of about 20 μm. The obtained semiconductor element was then sealed at about 450° C. using a ceramic package using low melting point glass as a sealing adhesive. The soft error rate of this semiconductor device was 30 fits.

比較例1 (1)  芳香族ポリアミック酸溶液の調製温度計、か
きまぜ機、窒素導入管をつけた500dの四つロフラス
コに窒素ガスを通しながら、ピロメリット酸二無水物0
.1モル、4.4’−ジアミノジフェニルエーテル0.
1モル、N−メチルピロリドン(水分0.03%)23
79を仕込んだ。かく押下、室温で10時間反応を進め
た。反応系の粘度は高分子量のポリアミック酸の生成に
よりかく拌が困難な状態にまで高くなった。ここで反応
系に少量の水を添加したのち60℃に加熱し9分子量を
調製して、ai脂#に度15重量%の芳香族ポリアミッ
ク酸溶液を得た。この芳香族ポリアミック酸の数平均分
子量は33,000でめった。
Comparative Example 1 (1) Preparation of aromatic polyamic acid solution While passing nitrogen gas through a 500 d four-bottle flask equipped with a thermometer, stirrer, and nitrogen inlet tube, pyromellitic dianhydride (0) was added.
.. 1 mol, 4.4'-diaminodiphenyl ether 0.
1 mol, N-methylpyrrolidone (water 0.03%) 23
I prepared 79. Under this pressure, the reaction proceeded at room temperature for 10 hours. The viscosity of the reaction system increased to such a level that stirring was difficult due to the formation of high molecular weight polyamic acid. Here, a small amount of water was added to the reaction system and then heated to 60°C to prepare a molecular weight of 9, thereby obtaining an aromatic polyamic acid solution containing 15% by weight of AI resin. The number average molecular weight of this aromatic polyamic acid was 33,000.

(2)耐熱樹脂ペーストの調製 上記(1)で調製した芳香族ポリアミック酸溶液(衝脂
#11度15重量%)809に実7M列lの(2)。
(2) Preparation of heat-resistant resin paste Add (2) of the aromatic polyamic acid solution prepared in the above (1) (refined fat #11 degree 15% by weight) 809 to 7M column 1.

仲)で得たポリアミドイミド樹脂微粒子209を加え、
ツす、乳鉢で粗混練し、ついで高速三本ロールを用いて
6回通して混練し、ポリアミドイミド樹脂微粒子が分散
した耐熱樹脂ペーストを得几。
Add the polyamideimide resin fine particles 209 obtained in Naka),
The mixture was roughly kneaded in a mortar and then kneaded six times using a high-speed triple roll to obtain a heat-resistant resin paste in which fine polyamide-imide resin particles were dispersed.

このペーストのE型粘度計で測定し7t0.5rpmで
のみかけ粘度’lagは980ポアズ、1rpmでのみ
かけ粘度η□は610ポアズ、IQrpmでのミカケ粘
度η1゜ti196ボアズでめシ、チキントロピー係数
η1/ηxotillでめった。このペーストを表面平
滑なアルミ基板上に約30μm厚でスクリーン印刷し友
ところ、印刷8回目まではだれ、流れなどは認められず
正常な印刷塗工が可能でめったが、印刷8回目以降では
印刷スクリーンにペーストが固層して目づまシを起こし
印刷が不能となつ友。これは印刷の際のペーストの機上
安定性が劣ることを示している。また、このペーストの
版の乳剤膨潤率は60%でめシ、乳剤に対する非膨潤性
及び非溶解性にも劣るものでめつ九。
This paste was measured with an E-type viscometer, and the apparent viscosity at 0.5 rpm was 980 poise, the apparent viscosity at 1 rpm was 610 poise, the apparent viscosity at IQ rpm was η1゜ti196 Boise, and the chicken tropy coefficient I met with η1/ηxotill. This paste was screen printed to a thickness of about 30 μm on an aluminum substrate with a smooth surface.However, until the 8th printing, no sagging or running was observed and normal printing was possible, but after the 8th printing, the printing screen The paste solidified on the paper, causing blisters and making it impossible to print. This indicates that the on-machine stability of the paste during printing is poor. In addition, the emulsion swelling rate of this paste plate was 60%, and the emulsion had poor non-swelling and non-dissolving properties.

(発明の効果) 本発明になる耐熱樹脂ペーストは、スクリーン印刷によ
る塗工が可能でろシ1%にその繰り返し印刷時のペース
トの機上安定性と版の形成材料でめる乳剤に対する非膨
潤性又は非溶解性に優れている。また、適度なチキント
ロピー性を付与することが可能でろシ、印刷によって優
れたパターンn度が得られる。
(Effects of the Invention) The heat-resistant resin paste of the present invention can be applied by screen printing, and has excellent on-machine stability during repeated printing on a 1% screen and non-swelling properties for the emulsion contained in the plate forming material. Or it has excellent non-solubility. In addition, it is possible to impart appropriate chicken tropism, and an excellent pattern n degree can be obtained by filtering and printing.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の耐熱樹脂ペーストを用いたモノリンン
クICの一例の断面図、第2図は本発明の耐熱樹脂ペー
ストを用いたハイブリッドICの一列の断面図および第
3図は本発明の耐熱樹脂ペーストを用いたマルチチップ
高密度実装基板の一例の断面図でろる。 符号の説明 1・・・耐熱樹脂皮膜   2・・・LSIチップ3・
・・ボンディングワイヤ 4・・・樹脂ハンケージ5・
・・リード      6・−・支持体7・・・夕”イ
オードチップ 8・・・はんだ9・・・第2層配線  
 10・・・耐熱樹脂皮膜11・・・第1層配線   
12・・・抵抗層13・・・アルミナ基板  14・・
・耐熱樹脂皮膜15・・・配線層      16・・
・配線層17・・・LSIチップ  18・・・はんだ
19・・・銅/射M貫脂多層配線層 20・・・セラミック多層配線板
FIG. 1 is a cross-sectional view of an example of a monolink IC using the heat-resistant resin paste of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of a row of hybrid ICs using the heat-resistant resin paste of the present invention, and FIG. This is a cross-sectional view of an example of a multi-chip high-density mounting board using resin paste. Explanation of symbols 1...Heat-resistant resin film 2...LSI chip 3.
・・Bonding wire 4・Resin handle cage 5・
・Lead 6・・Support 7・Iode chip 8・Solder 9・Second layer wiring
10...Heat-resistant resin film 11...First layer wiring
12... Resistance layer 13... Alumina substrate 14...
・Heat-resistant resin film 15...Wiring layer 16...
・Wiring layer 17...LSI chip 18...Solder 19...Copper/M resin multilayer wiring layer 20...Ceramic multilayer wiring board

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、2、4′−ジアミノジフェニルエーテルと、一般式
( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、Xは−O−、−CO−、−SO_2−、▲数式
、化学式、表等があります▼又はこれらのいずれをも含
まぬ一重結合を示す)で表される四塩基酸二無水物及び
/又はその反応性誘導体とを反応させて得られる芳香族
ポリアミツク酸又はその誘導体を非含窒素系溶剤に溶解
させた溶液に、樹脂微粒子及び/又は無機微粒子を分散
させてなる耐熱樹脂ペースト。 2、非含窒素系溶剤がラクトン類、脂環式ケトン類また
はエーテル類である請求項1記載の耐熱樹脂ペースト。 3、樹脂微粒子及び/又は無機微粒子が平均粒子径30
μm以下、最大粒子径40μm以下の粒子特性をもつ樹
脂微粒子及び/又は無機微粒子である請求項1または2
記載の耐熱樹脂ペースト。 4、ペーストのチキソトロピー係数が1.5以上である
請求項1、2または3記載の耐熱樹脂ペースト。 5、請求項1〜4のいずれかに記載の耐熱樹脂ペースト
より得られる層間絶縁膜及び/又は表面保護膜を有する
IC。
[Claims] 1,2,4'-diaminodiphenyl ether and the general formula (I) ▲There are numerical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼(I) (wherein, X is -O-, -CO-, - Obtained by reacting with a tetrabasic acid dianhydride and/or its reactive derivative represented by SO_2-, ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ or a single bond that does not contain any of these A heat-resistant resin paste comprising resin fine particles and/or inorganic fine particles dispersed in a solution of aromatic polyamic acid or its derivative dissolved in a nitrogen-free solvent. 2. The heat-resistant resin paste according to claim 1, wherein the nitrogen-free solvent is a lactone, an alicyclic ketone, or an ether. 3. The resin fine particles and/or inorganic fine particles have an average particle diameter of 30
Claim 1 or 2: The particles are resin fine particles and/or inorganic fine particles having a particle characteristic of µm or less and a maximum particle diameter of 40 µm or less.
Heat-resistant resin paste as described. 4. The heat-resistant resin paste according to claim 1, 2 or 3, wherein the paste has a thixotropy coefficient of 1.5 or more. 5. An IC having an interlayer insulating film and/or a surface protective film obtained from the heat-resistant resin paste according to any one of claims 1 to 4.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999052970A1 (en) * 1998-04-14 1999-10-21 Nippon Zeon Co., Ltd. Sheet and method for producing the same
WO2006035495A1 (en) * 2004-09-28 2006-04-06 Hitachi Chemical Co., Ltd. Heat-resistant resin paste and method for producing same
JP2011162733A (en) * 2010-02-15 2011-08-25 Hitachi Chem Co Ltd Heat-resistant resin composition and coating using the same
JP2011210645A (en) * 2010-03-30 2011-10-20 Hitachi Magnet Wire Corp Insulating paint and insulated wire using the same
JP2013134983A (en) * 2011-12-27 2013-07-08 Sumitomo Bakelite Co Ltd Insulation layer forming composition, insulation layer forming film, and substrate
CN105482113A (en) * 2014-10-02 2016-04-13 三星电子株式会社 Composition for preparing polyimide-inorganic particle composite, polyimide-inorganic particle composite, article prepared therefrom and optical device
US10059805B2 (en) 2014-10-02 2018-08-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Composition for preparing polyimide-inorganic particle composite, article prepared therefrom, and optical device comprising same

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999052970A1 (en) * 1998-04-14 1999-10-21 Nippon Zeon Co., Ltd. Sheet and method for producing the same
WO2006035495A1 (en) * 2004-09-28 2006-04-06 Hitachi Chemical Co., Ltd. Heat-resistant resin paste and method for producing same
JPWO2006035495A1 (en) * 2004-09-28 2008-05-15 日立化成工業株式会社 Heat resistant resin paste and manufacturing method thereof
JP4710831B2 (en) * 2004-09-28 2011-06-29 日立化成工業株式会社 Heat resistant resin paste and manufacturing method thereof
US8765867B2 (en) 2004-09-28 2014-07-01 Hitachi Chemical Company, Ltd. Heat-resistant resin paste and method for producing same
JP2011162733A (en) * 2010-02-15 2011-08-25 Hitachi Chem Co Ltd Heat-resistant resin composition and coating using the same
JP2011210645A (en) * 2010-03-30 2011-10-20 Hitachi Magnet Wire Corp Insulating paint and insulated wire using the same
JP2013134983A (en) * 2011-12-27 2013-07-08 Sumitomo Bakelite Co Ltd Insulation layer forming composition, insulation layer forming film, and substrate
CN105482113A (en) * 2014-10-02 2016-04-13 三星电子株式会社 Composition for preparing polyimide-inorganic particle composite, polyimide-inorganic particle composite, article prepared therefrom and optical device
US10059805B2 (en) 2014-10-02 2018-08-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Composition for preparing polyimide-inorganic particle composite, article prepared therefrom, and optical device comprising same

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