JPH0414944Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0414944Y2 JPH0414944Y2 JP1985109582U JP10958285U JPH0414944Y2 JP H0414944 Y2 JPH0414944 Y2 JP H0414944Y2 JP 1985109582 U JP1985109582 U JP 1985109582U JP 10958285 U JP10958285 U JP 10958285U JP H0414944 Y2 JPH0414944 Y2 JP H0414944Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- led lamp
- electrode
- outer shell
- led
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本考案は、外殻に発光ダイオードチツプ(以
下、LEDチツプという)が設けられたLEDラン
プに関する。
下、LEDチツプという)が設けられたLEDラン
プに関する。
[従来の技術]
従来のLEDランプには、例えば、パンチプレ
ス等によつて金属薄板にその不要部分を取り除い
て電極板と、外部リードと、支持枠部とを一体に
形成したリードフレームに金型を挟持させて、プ
ラスチツク材を注入して外殻を形成し、支持枠部
を切除した後、電極板にLEDチツプをボンデイ
ングしてLEDランプを形成させたものがある。
ス等によつて金属薄板にその不要部分を取り除い
て電極板と、外部リードと、支持枠部とを一体に
形成したリードフレームに金型を挟持させて、プ
ラスチツク材を注入して外殻を形成し、支持枠部
を切除した後、電極板にLEDチツプをボンデイ
ングしてLEDランプを形成させたものがある。
ところが、この種のLEDランプは、LEDラン
プを形成した後、外部リードを折曲させなければ
ならない等の後加工が必要であると共に前記外部
リードが金属薄板によつて形成されているので機
械的強度が弱く、折曲時に外部リードが破損する
虞がある等の問題点があつた。
プを形成した後、外部リードを折曲させなければ
ならない等の後加工が必要であると共に前記外部
リードが金属薄板によつて形成されているので機
械的強度が弱く、折曲時に外部リードが破損する
虞がある等の問題点があつた。
[考案が解決しようとする問題点]
そこで、本考案は上記の点に鑑みてなされたも
のであり、LEDランプの成形が容易でLEDラン
プ形成後の後加工を必要とせず、また外部端子の
機械的強度の強いLEDランプを提供することを
目的としている。
のであり、LEDランプの成形が容易でLEDラン
プ形成後の後加工を必要とせず、また外部端子の
機械的強度の強いLEDランプを提供することを
目的としている。
[問題点を解決するための手段]
この目的を達成するため本考案に係るLEDラ
ンプは、外殻内に固定されて、表面に有する電極
上に発光ダイオードチツプがボンデイングされた
絶縁性硬質基板と、脚部が前記絶縁性硬質基板に
形成された貫通穴に貫挿されると共に前記基板上
面の電極に接続された外部端子とを備えたことを
特徴としている。
ンプは、外殻内に固定されて、表面に有する電極
上に発光ダイオードチツプがボンデイングされた
絶縁性硬質基板と、脚部が前記絶縁性硬質基板に
形成された貫通穴に貫挿されると共に前記基板上
面の電極に接続された外部端子とを備えたことを
特徴としている。
[作用]
本考案のLEDランプによれば、絶縁性硬質基
板の貫通穴に外部端子の脚部を貫挿させ、外部端
子の頭部を前記基板表面の電極に接続されるよう
にすると共に前記基板を被覆固定するように外殻
を形成させたので、LEDランプの成形が容易で
あると共にLEDランプ形成後に外部端子を折曲
するような後加工を必要とせず、また外部端子を
折曲しないので機械的強度が保持される。
板の貫通穴に外部端子の脚部を貫挿させ、外部端
子の頭部を前記基板表面の電極に接続されるよう
にすると共に前記基板を被覆固定するように外殻
を形成させたので、LEDランプの成形が容易で
あると共にLEDランプ形成後に外部端子を折曲
するような後加工を必要とせず、また外部端子を
折曲しないので機械的強度が保持される。
[実施例]
以下本考案を図面に示す実施例に従つて説明す
る。
る。
第1図Aは本考案によるLEDランプの一実施
例を示す平面図、第1図Bは同側面図、第1図C
は第1図AのA−A線における断面図、第2図は
本考案によるLEDランプの要部を示す断面図で
ある。
例を示す平面図、第1図Bは同側面図、第1図C
は第1図AのA−A線における断面図、第2図は
本考案によるLEDランプの要部を示す断面図で
ある。
図において1はLEDランプを示しており、こ
のLEDランプ1は、その表面に形成された電極
2にLEDチツプD1〜D4がボンデイングされた絶
縁性硬質基板3(以下、基板3という)と、該基
板3に形成された貫通穴4に貫挿されると共に前
記電極2と接続された外部端子5と、前記基板3
と外部端子5の上部5aを被覆するようにして設
けられた外殻6を備えている。
のLEDランプ1は、その表面に形成された電極
2にLEDチツプD1〜D4がボンデイングされた絶
縁性硬質基板3(以下、基板3という)と、該基
板3に形成された貫通穴4に貫挿されると共に前
記電極2と接続された外部端子5と、前記基板3
と外部端子5の上部5aを被覆するようにして設
けられた外殻6を備えている。
次に、前記基板3は、円盤形状をなしており、
その周縁部には貫通穴4が各々対向した位置に2
箇所形成されている。また、前記基板3は、例え
ば、セラミツクや硬質ガラス等の基板が使用され
ている。
その周縁部には貫通穴4が各々対向した位置に2
箇所形成されている。また、前記基板3は、例え
ば、セラミツクや硬質ガラス等の基板が使用され
ている。
また、前記基板3の表面3aには所定パターン
形状の電極2が形成されており、電極2上には、
第1図Aにも示すように各々所定位置にLEDチ
ツプD1〜D4がボンデイングされている。
形状の電極2が形成されており、電極2上には、
第1図Aにも示すように各々所定位置にLEDチ
ツプD1〜D4がボンデイングされている。
このLEDチツプD1〜D4は導通時に特定の色調、
例えば赤、黄、縁の単色発光をするものである。
また、中央に位置する電極2aとカソード側の電
極2b間、各LEDチツプD1〜D4の頭部電極面と
各LEDチツプD1〜D4に近接した電極2との間に
は金属細線Wが張られ、電気的接続が施されてい
る。従つて、第3図に示す回路のように各LED
チツプD1,D2及びD3,D4は各々直列に、そして
LEDチツプD1,D2とLEDチツプD3,D4は並列に
接続配置されることになる。また、第4図Aに示
すように金属細線Wを張ると、その回路は第4図
Bに示すようになり、LEDチツプD1〜D4が直列
に接続配置された状態になる。
例えば赤、黄、縁の単色発光をするものである。
また、中央に位置する電極2aとカソード側の電
極2b間、各LEDチツプD1〜D4の頭部電極面と
各LEDチツプD1〜D4に近接した電極2との間に
は金属細線Wが張られ、電気的接続が施されてい
る。従つて、第3図に示す回路のように各LED
チツプD1,D2及びD3,D4は各々直列に、そして
LEDチツプD1,D2とLEDチツプD3,D4は並列に
接続配置されることになる。また、第4図Aに示
すように金属細線Wを張ると、その回路は第4図
Bに示すようになり、LEDチツプD1〜D4が直列
に接続配置された状態になる。
次に、前記基板3に形成された貫通穴4に貫挿
される外部端子5は、第2図に示すように丸棒形
状をなすと共に前記貫通穴4よりやや大径の頭部
5bを有し、この頭部5bは基板3の表面3aに
突出しており、また前記頭部5bの外周面5cは
銀ろう付けにより基板3に固着されている。さら
に、頭部5bの端面5dおよび、前記基板3の表
面3aに形成された所定パターン形状の電極2,
2a,2bにはニツケルメツキ層7の鍍設が施こ
されており、またその表面3aには、導通時にお
ける電気的信頼性の向上を計るため金メツキ層8
が被着形成されている。次に、外殻6は例えば、
白色でガラス成分を含有する反射率の高いPBT
樹脂によつて成形されたもので、外殻頭部6aと
外殻底部6bとによつて構成されている。
される外部端子5は、第2図に示すように丸棒形
状をなすと共に前記貫通穴4よりやや大径の頭部
5bを有し、この頭部5bは基板3の表面3aに
突出しており、また前記頭部5bの外周面5cは
銀ろう付けにより基板3に固着されている。さら
に、頭部5bの端面5dおよび、前記基板3の表
面3aに形成された所定パターン形状の電極2,
2a,2bにはニツケルメツキ層7の鍍設が施こ
されており、またその表面3aには、導通時にお
ける電気的信頼性の向上を計るため金メツキ層8
が被着形成されている。次に、外殻6は例えば、
白色でガラス成分を含有する反射率の高いPBT
樹脂によつて成形されたもので、外殻頭部6aと
外殻底部6bとによつて構成されている。
前記外殻頭部6aは、その上部に傾斜角θのテ
ーパ面9を有し、このテーパ面9と基板3の表面
3aとによつて反射皿6cを形成しており、
LEDチツプD1〜D4より発せられた光が、前記反
射皿6cによつて反射し、テーパ面9の小径部9
aから大径部9bに向けて光が平均的に拡散され
るようになつている。また、前記テーパ面9の小
径部9a側には、この小径部9aの径より大きい
径を有する嵌合溝10が形成されており、この嵌
合溝10には基板3が嵌合され、さらに、前記基
板3の底部には外殻底部6bが外殻頭部6aと一
体に成形されている。しかして、前記基板3は、
外殻頭部6aと外殻底部6bによつてその表面3
aを除く他の部分が被覆固定された状態になる。
ーパ面9を有し、このテーパ面9と基板3の表面
3aとによつて反射皿6cを形成しており、
LEDチツプD1〜D4より発せられた光が、前記反
射皿6cによつて反射し、テーパ面9の小径部9
aから大径部9bに向けて光が平均的に拡散され
るようになつている。また、前記テーパ面9の小
径部9a側には、この小径部9aの径より大きい
径を有する嵌合溝10が形成されており、この嵌
合溝10には基板3が嵌合され、さらに、前記基
板3の底部には外殻底部6bが外殻頭部6aと一
体に成形されている。しかして、前記基板3は、
外殻頭部6aと外殻底部6bによつてその表面3
aを除く他の部分が被覆固定された状態になる。
ところで、前記テーパ面9及び基板3の表面3
aとが形成する空間Sには、例えば、エポキシ樹
脂等の透明あるいは半透明のモールド材が充填さ
れ発光面としてのライトガイド部11が形成され
ている。
aとが形成する空間Sには、例えば、エポキシ樹
脂等の透明あるいは半透明のモールド材が充填さ
れ発光面としてのライトガイド部11が形成され
ている。
次に、外殻底部6bには、前記基板の貫通穴4
と対応する位置に同径大の貫通穴12が形成され
ている。しかして、外殻底部6bは基板3及び外
部端子5の上部5aを被覆固定すると共に外部端
子5の脚部5eが前記貫通穴12に貫挿され外殻
底部6bの底面より導出されている。
と対応する位置に同径大の貫通穴12が形成され
ている。しかして、外殻底部6bは基板3及び外
部端子5の上部5aを被覆固定すると共に外部端
子5の脚部5eが前記貫通穴12に貫挿され外殻
底部6bの底面より導出されている。
また、前記外殻底部6bの中央部分には貫通穴
12より大径の放熱穴13がその軸方向に形成さ
れており、LEDチツプD1〜D4を発光駆動させた
際に生じる熱を外部に放出させている。
12より大径の放熱穴13がその軸方向に形成さ
れており、LEDチツプD1〜D4を発光駆動させた
際に生じる熱を外部に放出させている。
次に、上述した構成によるLEDランプの製法
について説明する。
について説明する。
まず、基板3に所定パターン形状の電極2と外
部端子5の脚部5eを貫挿させるための貫通穴4
を形成する。次に、前記基板3の貫通穴4に外部
端子5の脚部5eを貫挿させ、その頭部5bの外
周面5cを銀ろう付けにより基板3に固着させ
る。そして、前記頭部5bの端面5dおよび、前
記基板3の表面3aに形成された所定パターン形
状の電極2,2a,2bにニツケルメツキ層7を
鍍設した後、前記ニツケルメツキ層7の表面7a
に金メツキ層8を被着形成させる。
部端子5の脚部5eを貫挿させるための貫通穴4
を形成する。次に、前記基板3の貫通穴4に外部
端子5の脚部5eを貫挿させ、その頭部5bの外
周面5cを銀ろう付けにより基板3に固着させ
る。そして、前記頭部5bの端面5dおよび、前
記基板3の表面3aに形成された所定パターン形
状の電極2,2a,2bにニツケルメツキ層7を
鍍設した後、前記ニツケルメツキ層7の表面7a
に金メツキ層8を被着形成させる。
そして、前記外部端子5の脚部5eを固定させ
た後、図示しない金型に挟持させ溶融したプラス
チツク材を注入し、前記電極2上の所定位置に
LEDチツプD1〜D4をボンデイングし金属細線W
を張る。さらに、反射皿6cが形成する空間Sに
例えば、エポキシ樹脂等からなる透明あるいは半
透明のモールド材を充填しライトガイド部11を
形成することによりLEDランプ1が完成する。
ところで、前記プラスチツク材には、例えば、反
射率の高いPBT樹脂等が用いられる。
た後、図示しない金型に挟持させ溶融したプラス
チツク材を注入し、前記電極2上の所定位置に
LEDチツプD1〜D4をボンデイングし金属細線W
を張る。さらに、反射皿6cが形成する空間Sに
例えば、エポキシ樹脂等からなる透明あるいは半
透明のモールド材を充填しライトガイド部11を
形成することによりLEDランプ1が完成する。
ところで、前記プラスチツク材には、例えば、反
射率の高いPBT樹脂等が用いられる。
次に、上述した構成によるLEDランプの作用
について説明する。
について説明する。
基板3の貫通穴4に外部端子5の脚部5eを貫
挿させ、前記外部端子5の頭部5bを基板3の表
面3aの電極2に接続させると共に前記基板3を
被覆固定するように外殻6を形成させLEDラン
プ1を構成しているので、上述したように容易に
LEDランプの成形がなされると共にLEDランプ
1を形成した後に、外部端子5を折曲させるよう
な後加工を必要としないので組み立てがほとんど
いらない。また、外部端子5を折曲させないので
機械的強度が保たれ、破損することがない。
挿させ、前記外部端子5の頭部5bを基板3の表
面3aの電極2に接続させると共に前記基板3を
被覆固定するように外殻6を形成させLEDラン
プ1を構成しているので、上述したように容易に
LEDランプの成形がなされると共にLEDランプ
1を形成した後に、外部端子5を折曲させるよう
な後加工を必要としないので組み立てがほとんど
いらない。また、外部端子5を折曲させないので
機械的強度が保たれ、破損することがない。
なお、上述した実施例では、基板3を円盤形状
としたが、正方形状・長方形状等の多角形状の基
板を使用するようにしてもよい。
としたが、正方形状・長方形状等の多角形状の基
板を使用するようにしてもよい。
また、外部端子5が頭部5bを有し、この頭部
5bと基板3の表面3aの電極2とが接続されて
いるが、外部端子5は必ずしも頭部5bを必要と
せず外部端子5の端面が電極上に表出していれば
よい。
5bと基板3の表面3aの電極2とが接続されて
いるが、外部端子5は必ずしも頭部5bを必要と
せず外部端子5の端面が電極上に表出していれば
よい。
さらに本実施例において前記外部端子5を丸棒
形状としたが、これに限ることなく、角柱等のよ
うに多角柱形状の外部端子にしてもよい。
形状としたが、これに限ることなく、角柱等のよ
うに多角柱形状の外部端子にしてもよい。
[考案の効果]
以上説明したように、本考案によるLEDラン
プは、基板を外殻内に固定し、その表面の電極に
LEDチツプをボンデイングし、外部端子は、そ
の脚部が前記基板に形成された貫通穴に貫挿され
ると共に基板の表面の電極に接続されているの
で、LEDランプの成形が容易で、LEDランプ形
成後の後加工を必要とせず、外部端子の機械的強
度が保持されるという効果がある。
プは、基板を外殻内に固定し、その表面の電極に
LEDチツプをボンデイングし、外部端子は、そ
の脚部が前記基板に形成された貫通穴に貫挿され
ると共に基板の表面の電極に接続されているの
で、LEDランプの成形が容易で、LEDランプ形
成後の後加工を必要とせず、外部端子の機械的強
度が保持されるという効果がある。
第1図Aは本考案によるLEDランプの一実施
例を示す平面図、第1図Bは同側面図、第1図C
は第1図AのA−A線における断面図、第2図は
本考案によるLEDランプの要部を示す断面図、
第3図はLEDチツプが並列接続された状態を示
す回路図、第4図A,BはLEDチツプが直列接
続された状態を示す平面図及び回路図である。 1……LEDランプ、2……電極、3……絶縁
性硬質基板(基板)、4……貫通穴、5……外部
端子、5d……脚部、6……外殻、D1〜D4……
発光ダイオードチツプ(LEDチツプ)。
例を示す平面図、第1図Bは同側面図、第1図C
は第1図AのA−A線における断面図、第2図は
本考案によるLEDランプの要部を示す断面図、
第3図はLEDチツプが並列接続された状態を示
す回路図、第4図A,BはLEDチツプが直列接
続された状態を示す平面図及び回路図である。 1……LEDランプ、2……電極、3……絶縁
性硬質基板(基板)、4……貫通穴、5……外部
端子、5d……脚部、6……外殻、D1〜D4……
発光ダイオードチツプ(LEDチツプ)。
Claims (1)
- 外殻内に固定され、表面に有する電極上に発光
ダイオードチツプがボンデイングされた絶縁性硬
質基板と、脚部が前記絶縁性硬質基板に形成され
た貫通穴に貫挿されると共に前記基板表面の電極
に接続された外部端子と、を備えたことを特徴と
するLEDランプ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1985109582U JPH0414944Y2 (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1985109582U JPH0414944Y2 (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6219765U JPS6219765U (ja) | 1987-02-05 |
JPH0414944Y2 true JPH0414944Y2 (ja) | 1992-04-03 |
Family
ID=30987804
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1985109582U Expired JPH0414944Y2 (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0414944Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10117889A1 (de) * | 2001-04-10 | 2002-10-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leiterrahmen und Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, strahlungsemittierendes Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
-
1985
- 1985-07-19 JP JP1985109582U patent/JPH0414944Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6219765U (ja) | 1987-02-05 |
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