JPH04137580A - Stem for semiconductor laser - Google Patents
Stem for semiconductor laserInfo
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- JPH04137580A JPH04137580A JP2259879A JP25987990A JPH04137580A JP H04137580 A JPH04137580 A JP H04137580A JP 2259879 A JP2259879 A JP 2259879A JP 25987990 A JP25987990 A JP 25987990A JP H04137580 A JPH04137580 A JP H04137580A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/0232—Lead-frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は半導体レーザ用ステムに係り、特にCD用また
はVD用等の出力の小さい通常の民生機器に使用される
半導体レーザ用に用いられるステムに関する。[Detailed Description of the Invention] <Industrial Application Field> The present invention relates to a stem for a semiconductor laser, and particularly to a stem used for a semiconductor laser used in ordinary consumer equipment with low output such as for CD or VD. Regarding.
〈従来の技術〉
従来の半導体レーザ用ステムは、金属、例えば銅、鉄材
等で作られている。すなわち、従来のステムは金属のア
イレットを作製した後、リードビンをハーメチックシー
ルにより取付け、表面にメツキを施すという工程を経て
作製されている。またパンケージのもうひとつの部品で
あるキャップは金属のアイレットに硬質ガラスを低融点
ガラスにより溶着し、それをメツキすることにより作ら
れてきた。なおステムとキャップの接着は溶接により行
われてきた。<Prior Art> A conventional stem for a semiconductor laser is made of metal, such as copper or iron. That is, conventional stems are manufactured through the steps of manufacturing a metal eyelet, attaching a lead bin with a hermetic seal, and plating the surface. The cap, another part of the pancage, has been made by welding hard glass to a metal eyelet using low-melting glass and then plating it. Note that the stem and cap have been bonded together by welding.
〈発明が解決しようとする課題〉
上記したように、ステムが金属製であるため、それ自体
が高価である。また半導体レーザの組立も当然複雑であ
り、その工程数も多いという欠点がある。<Problems to be Solved by the Invention> As described above, since the stem is made of metal, the stem itself is expensive. Furthermore, the assembly of semiconductor lasers is naturally complicated, and there are disadvantages in that the number of steps is large.
またステムとキャップの接着は溶接を用いるので、その
場合、予めステムにダイボンドされているレーザダイオ
ードやパッケージ自体に機械的なダメージを与えるおそ
れがあった。Furthermore, since welding is used to bond the stem and the cap, there is a risk of mechanical damage to the laser diode and the package itself, which are die-bonded to the stem in advance.
本発明は上記事情に鑑みて創案されたもので、リードフ
レームを樹脂でモールド成型することによりコストが安
価でレーザダイオードがダメージを受けるおそれのない
新規な半導体レーザ用ステムを提供することを目的とし
ている。The present invention was devised in view of the above circumstances, and aims to provide a novel stem for a semiconductor laser, which is inexpensive in cost and free from damage to the laser diode by molding the lead frame with resin. There is.
〈課題を解決するための手段〉
本発明に係る半導体レーザ用ステムは、レーザダイオー
ド及びモニターフォトダイオードをダイボンドする第1
のリード部と、レーザダイオードのアノードをワイヤボ
ンドする第2のり一ト部と、モニターフォトダイオード
をワイヤボンドする第3のリード部を有するリードフレ
ームを樹脂モールドにより一体成型したことを特徴とし
ている。<Means for Solving the Problems> The stem for a semiconductor laser according to the present invention has a first structure in which a laser diode and a monitor photodiode are die-bonded.
A lead frame having a lead part, a second glue part to which the anode of the laser diode is wire-bonded, and a third lead part to which the monitor photodiode is wire-bonded is integrally molded using a resin mold.
またリードフレームのレーザダイボンド部とモニターフ
ォトダイオードのダイボンド部は同一のリード上に作成
するとともに、モニターフォトダイオードのダイボンド
部は傾斜した構造としている。Further, the laser die bonding portion of the lead frame and the die bonding portion of the monitor photodiode are formed on the same lead, and the die bonding portion of the monitor photodiode has an inclined structure.
〈作用〉
リードフレームは前記第1、第2及び第3のリード部か
ら構成されている。そして第1のり−ト部にレーザダイ
オードとモニターフォトダイオードのダイボンド部をそ
れぞれ形成している。<Operation> The lead frame is composed of the first, second and third lead parts. Die-bonding parts for the laser diode and the monitor photodiode are respectively formed in the first stack part.
〈実施例〉
以下、図面を参照して本発明に係る一実施例を説明する
。第1図は本発明に係る図面であって、(a)は側面図
、(b)は正面図である。<Example> Hereinafter, an example according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a drawing according to the present invention, in which (a) is a side view and (b) is a front view.
本発明の半導体レーザ用ステムはリードフレーム10と
これにモールド成型される樹脂部20を含んでいる。The stem for a semiconductor laser of the present invention includes a lead frame 10 and a resin part 20 molded onto the lead frame 10.
リードフレーム10は、レーザダイオードの温度上昇を
抑える関係上、その材質を銅するするのが好ましい。リ
ードフレーム10はレーザダイオード及びモニターフォ
トダイオードをダイボンドする第1のリード部11と、
レーザダイオードのアノードをワイヤボンドする第2の
リード部12と、モニターフォトダイオードをワイヤボ
ンドする第3のリード部13を有している。そしてこの
リードフレーム10は通常のものと同じように、タイバ
一部その他の部分を有しているものとする。The lead frame 10 is preferably made of copper in order to suppress the temperature rise of the laser diode. The lead frame 10 includes a first lead portion 11 to which a laser diode and a monitor photodiode are die-bonded;
It has a second lead part 12 to which the anode of the laser diode is wire-bonded, and a third lead part 13 to which the monitor photodiode is wire-bonded. It is assumed that this lead frame 10 has a part of tie bars and other parts like a normal lead frame.
そして第1のリード部11は第1図(a)に図示するよ
うに、側面視で第2のリード部12及び第3のリード部
13と平行ではなく、樹脂部200基部の近くでは傾斜
した形状になっており、その途中で折曲して第2のリー
ド部12、第3のリード部13に平行した形状になって
いる。この傾斜の程度は5〜13°が好ましい。As shown in FIG. 1(a), the first lead part 11 is not parallel to the second lead part 12 and the third lead part 13 in side view, but is inclined near the base of the resin part 200. It is bent in the middle to become parallel to the second lead part 12 and the third lead part 13. The degree of this inclination is preferably 5 to 13 degrees.
第1のリード部11の頂部111は図示しないレーザダ
イオードがダイボンドされる部分である。この場合にお
いて、本発明のステムにダイボンドされるレーザダイオ
ードは反射面を有しないタイプつまり、第1図で上方向
及び下方向に等分のレーザ光を発射するものとする。The top portion 111 of the first lead portion 11 is a portion to which a not-shown laser diode is die-bonded. In this case, the laser diode die-bonded to the stem of the present invention is of a type that does not have a reflective surface, that is, it emits laser light in equal parts upward and downward in FIG. 1.
第1のリード部11の傾斜部112にはモニターフォト
ダイオードがダイボンドされる。A monitor photodiode is die-bonded to the inclined portion 112 of the first lead portion 11 .
第1図(b)の点線で示すAはレーザダイオード、Bは
モニターフォトダイオードである。A shown by dotted lines in FIG. 1(b) is a laser diode, and B is a monitor photodiode.
このようにすることにより、頂部111にダイボンドさ
れたレーザダイオードは上方向及び下方向に約等分のレ
ーザ光を発射するので、傾斜部112にダイボンドされ
たモニターフォトダイオードは充分な光を受光すること
ができるので、このモニターフォトダイオードによりレ
ーザダイオードのピーク発振の検出が可能である。By doing so, the laser diode die-bonded to the top part 111 emits approximately equal amounts of laser light upward and downward, so that the monitor photodiode die-bonded to the slope part 112 receives sufficient light. Therefore, the peak oscillation of the laser diode can be detected using this monitor photodiode.
第1のリード部11の左右に、第2のり一ト部12及び
第3のリード部13が配置される。A second glue portion 12 and a third lead portion 13 are arranged on the left and right sides of the first lead portion 11 .
第2のリード部12にはレーザダイオードのアノードを
ワイヤボンドされる。第3のり一ト部13にはモニター
フォトダイオードがワイヤボンドされる。両者ともその
形状はいわば普通の包丁のように先端が細(なるように
傾斜させてお(のが望ましい。このようにすると、ワイ
ヤボンドを行いやすく、また樹脂部20に接着されるキ
ャンプの寸法(太さ)を小さくすることができる。The anode of a laser diode is wire-bonded to the second lead portion 12 . A monitor photodiode is wire-bonded to the third glue portion 13. In both cases, it is preferable that the tip be slanted so that the tip is thin like that of a normal kitchen knife.This makes it easier to perform wire bonding, and also reduces the size of the camp to be bonded to the resin part 20. (thickness) can be made smaller.
なおこの発明の半導体レーザ用ステムには、従来の金属
製のキャップを接着することも勿論可能であるが、樹脂
製のキャップを接着することができるので、パッケージ
全体としてのコストを低減することができる。Although it is of course possible to attach a conventional metal cap to the semiconductor laser stem of the present invention, it is also possible to attach a resin cap to the stem, which reduces the cost of the entire package. can.
〈発明の効果〉
本発明の半導体レーザ用ステムはつぎのような効果を有
している。<Effects of the Invention> The semiconductor laser stem of the present invention has the following effects.
■リードフレームと樹脂を一体成型しているので、従来
の金属製のステムよりもより安価に製造できるし、製造
工程数も低減できる。■Since the lead frame and resin are integrally molded, it can be manufactured at a lower cost than conventional metal stems, and the number of manufacturing steps can be reduced.
■第1のリード部にレーザダイオード及びモニターフォ
トダイオードをダイポンドさせる。モニターフォトダイ
オードは傾斜部にダイボンドさせるので、モニターフォ
トダイオードはレーザダイオードからのレーザ光を遮ら
れることなく充分受光することができる。■Die-bond the laser diode and monitor photodiode to the first lead part. Since the monitor photodiode is die-bonded to the inclined portion, the monitor photodiode can sufficiently receive the laser light from the laser diode without being blocked.
■樹脂を使用しているので、樹脂製のキャップを接着す
ることが容易である。すなわち、従来技術で必要であっ
た溶接等を用いないので、レーザダイオードが損傷を受
けることはなくなる。■Since resin is used, it is easy to attach resin caps. That is, since welding and the like required in the prior art are not used, the laser diode is not damaged.
第1図は本発明に係る図面であって、 面図、(b)は正面図である。 10・ ・ ・ ・リードフレーム 11・・・・第1のリード部 111 ・・・頂部 112 ・・・傾斜部 12・・・・第2のリード部 13・・・・第3のリード部 20・・・・樹脂 特許出願人 シャープ株式会社 代理人 弁理士 大 西 孝 治 (a) は側 FIG. 1 is a drawing according to the present invention, A top view, and (b) a front view. 10・・・・Lead frame 11...First lead part 111...Top 112...Slope part 12...Second lead part 13...Third lead part 20...Resin Patent applicant: Sharp Corporation Agent Patent Attorney Takaharu Dai Nishi (a) side
Claims (3)
をダイボンドする第1のリード部と、レーザダイオード
のアノードをワイヤボンドする第2のリード部と、モニ
ターフォトダイオードをワイヤボンドする第3のリード
部を有するリードフレームを樹脂モールドにより一体成
型したことを特徴とする半導体レーザ用ステム。(1) A lead frame having a first lead part to which the laser diode and monitor photodiode are die-bonded, a second lead part to which the anode of the laser diode is wire-bonded, and a third lead part to which the monitor photodiode is wire-bonded. A semiconductor laser stem characterized by being integrally molded using a resin mold.
フォトダイオードのダイボンド部は同一のリード上に作
成するとともに、モニターフォトダイオードのダイボン
ド部は傾斜した構造とした請求項1記載の半導体レーザ
用ステム。(2) The stem for a semiconductor laser according to claim 1, wherein the laser die bonding portion of the lead frame and the die bonding portion of the monitor photodiode are formed on the same lead, and the die bonding portion of the monitor photodiode has an inclined structure.
傾斜を5°〜13°とした請求項2記載の半導体レーザ
用ステム。(3) The stem for a semiconductor laser according to claim 2, wherein the die bonding portion of the monitor photodiode has an inclination of 5° to 13°.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2259879A JPH04137580A (en) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | Stem for semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2259879A JPH04137580A (en) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | Stem for semiconductor laser |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04137580A true JPH04137580A (en) | 1992-05-12 |
Family
ID=17340212
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2259879A Pending JPH04137580A (en) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | Stem for semiconductor laser |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04137580A (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0633615A1 (en) * | 1993-07-05 | 1995-01-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Resin coating method for a semiconductor laser chip and photodiode chips |
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KR20000026245A (en) * | 1998-10-19 | 2000-05-15 | 윤종용 | Lead frame |
-
1990
- 1990-09-27 JP JP2259879A patent/JPH04137580A/en active Pending
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