JPH04133314A - Vertical-type heat treatment apparatus - Google Patents
Vertical-type heat treatment apparatusInfo
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- JPH04133314A JPH04133314A JP25493190A JP25493190A JPH04133314A JP H04133314 A JPH04133314 A JP H04133314A JP 25493190 A JP25493190 A JP 25493190A JP 25493190 A JP25493190 A JP 25493190A JP H04133314 A JPH04133314 A JP H04133314A
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、縦型熱処理装置に関する。[Detailed description of the invention] [Purpose of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to a vertical heat treatment apparatus.
(従来の技術)
近年、半導体デバイスの製造工程における熱拡散工程や
成膜工程で使用される熱処理装置として、省スペース化
、省エネルギー化、被処理物である半導体ウェハの大口
径化および自動化への対応が容易であること等の理由か
ら縦型熱処理装置が開発されている。(Conventional technology) In recent years, heat treatment equipment used in the thermal diffusion process and film formation process in the semiconductor device manufacturing process has been developed to save space, save energy, increase the diameter of semiconductor wafers to be processed, and increase automation. Vertical heat treatment equipment has been developed for reasons such as ease of handling.
このような縦型熱処理装置では、石英等からなる円筒状
の反応容器の周囲にヒータや断熱材等が配置された縦型
の熱処理炉内に、多数の半導体ウェハが所定の間隔で棚
積み収容された石英等からなるウェハボートをその下方
から昇降機構によってローディングし、所定の熱処理が
施されるよう構成されている。また、通常、半導体ウェ
ハの搬送は、樹脂製のウェハキャリアと呼ばれる搬送用
容器に収容されて行われるため、上記ウェハボートとウ
ェハキャリア間で半導体ウェハの移載を行う必要がある
。そこで、ウェハボートとウェハキャリア間でのウェハ
移載機構を併設した縦型熱処理装置が一般的に多用され
ている。In such vertical heat treatment equipment, a large number of semiconductor wafers are stored on shelves at predetermined intervals in a vertical heat treatment furnace in which a heater, heat insulating material, etc. are arranged around a cylindrical reaction vessel made of quartz or the like. A wafer boat made of quartz or the like is loaded from below by an elevating mechanism and subjected to a predetermined heat treatment. Further, since semiconductor wafers are normally transported in a transport container called a wafer carrier made of resin, it is necessary to transfer the semiconductor wafers between the wafer boat and the wafer carrier. Therefore, vertical heat treatment apparatuses equipped with a wafer transfer mechanism between a wafer boat and a wafer carrier are commonly used.
一方、縦型熱処理炉を複数並列配置し、1台のウェハ移
載機構を複数の縦型熱処理炉で共用することによって、
ウェハボートとウェハキャリア間における半導体ウェハ
の移載時間による処理効率の低下を抑制し、熱処理工程
の効率化を図ることも提案されている。On the other hand, by arranging multiple vertical heat treatment furnaces in parallel and sharing one wafer transfer mechanism with multiple vertical heat treatment furnaces,
It has also been proposed to suppress a decrease in processing efficiency due to the time taken to transfer semiconductor wafers between a wafer boat and a wafer carrier, and to improve the efficiency of the heat treatment process.
(発明が解決しようとする課題)
ところで、上述したような従来の縦型熱処理装置では、
複数の縦型熱処理炉を使用することによって、処理効率
の向上を図っているものの、処理内容によってはウェハ
ボートとウェハキャリア間における半導体ウェハの移載
時間が処理効率の低下要因となる可能性があり、さらに
処理効率の向上を図ることが強く望まれている。また、
半導体ウェハの移載に限らず、ウェハキャリアやウェハ
ボートの搬送の観点からも処理効率の向上を図った縦型
熱処理装置が望まれている。(Problem to be solved by the invention) By the way, in the conventional vertical heat treatment apparatus as described above,
Although we aim to improve processing efficiency by using multiple vertical heat treatment furnaces, depending on the processing content, the time required to transfer semiconductor wafers between the wafer boat and wafer carrier may be a factor in reducing processing efficiency. There is a strong desire to further improve processing efficiency. Also,
There is a demand for a vertical heat treatment apparatus that improves processing efficiency not only for transferring semiconductor wafers but also for transporting wafer carriers and wafer boats.
一方、半導体素子の高集積化に伴って、配線網の微細化
が進んでおり、これにより僅か数10人程度の自然酸化
膜も配線不良の原因となる可能性があると共に、自然酸
化膜は不均一な膜であることから、より不良を招きやす
いという難点を育しているため、自然酸化膜の形成の抑
制や、さらには自然酸化膜を熱処理前に除去することを
可能にすることによって、処理品質の向上を図ることが
望まれている。On the other hand, with the increasing integration of semiconductor devices, wiring networks are becoming increasingly finer, and as a result, even a few dozen natural oxide films can cause wiring defects, and the natural oxide film Since it is a non-uniform film, it is more likely to cause defects, so by suppressing the formation of a natural oxide film and making it possible to remove the natural oxide film before heat treatment. , it is desired to improve the processing quality.
本発明は、このような課題に対処するためになされたも
ので、熱処理工程の効率化を図ると共に、処理品質のよ
り一層の向上を図った縦型熱処理装置を提供することを
目的としている。The present invention has been made to address these problems, and aims to provide a vertical heat treatment apparatus that improves the efficiency of the heat treatment process and further improves the quality of the treatment.
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
すなわち本発明の縦型熱処理装置は、被処理物が収容さ
れた搬送用容器を収納する搬送用容器ストッカと、前記
搬送用容器と処理用容器との間で前記被処理物の移載を
行う移載機構と、前記処理用容器に搭載された未処理の
被処理物に対して前処理を施すと共に、該被処理物を一
時的に待機させる処理用容器ストッカと、前記被処理物
が搭載された処理用容器を収容し、該被処理物に対して
所定の熱処理を施す複数の縦型熱処理炉と、前記処理用
容器ストッカと縦型熱処理炉間ての前記処理用容器の搬
送を行う搬送機構とを具備することを特徴としている。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) That is, the vertical heat treatment apparatus of the present invention includes a transport container stocker that stores a transport container containing a workpiece, and a transport container stocker that stores a transport container in which a workpiece is stored, and a A transfer mechanism that transfers the object to be processed to and from the container; A processing container stocker on standby; a plurality of vertical heat treatment furnaces for accommodating processing containers loaded with the objects to be processed and subjecting the objects to predetermined heat treatment; The method is characterized by comprising a transport mechanism for transporting the processing container between mold heat treatment furnaces.
(作 用)
本発明の縦型熱処理装置においては、被処理物を待機さ
せるための処理用容器ストッカを具備しているため、搬
送用容器と処理用容器との間での長時間を要する被処理
物の移載に起因する処理効率の低下を抑制することがで
きる。また、上記処理用容器ストッカに被処理物に対す
る前処理機能を付加しているため、待機期間の増大に伴
う被処理物の不良発生を抑制することが可能となり、さ
らには処理品質をより高めることが可能となる。(Function) The vertical heat treatment apparatus of the present invention is equipped with a processing container stocker for keeping the objects to be processed on standby. It is possible to suppress a decrease in processing efficiency due to transfer of the processed material. In addition, since the processing container stocker has a pre-processing function for the objects to be processed, it is possible to suppress the occurrence of defects in the objects to be processed due to an increase in the waiting period, and further improve the processing quality. becomes possible.
また、被処理物が収容された搬送用容器のストッカから
縦型熱処理炉までを一連の装置内に組み込んでいるため
、熱処理に伴う被処理物の移載や各容器の搬送も含めた
各工程を効率よ〈実施することが可能となる。In addition, since everything from the stocker for transport containers containing the workpieces to the vertical heat treatment furnace is integrated into a series of equipment, each process, including the transfer of the workpieces and transportation of each container during heat treatment, is integrated into a series of devices. It becomes possible to implement this efficiently.
(実施例)
以下、本発明の縦型熱処理装置の実施例について図面を
参照して説明する。(Example) Hereinafter, an example of the vertical heat treatment apparatus of the present invention will be described with reference to the drawings.
この実施例における縦型熱処理装置1は、第1図および
第2図に示すように、被処理物として半導体ウェハ2が
収容された搬送用容器例えばウェハキャリア3を多数収
納可能なキャリアストッカ10と、上記ウェハキャリア
3に収容された半導体ウェハ2を処理用容器例えば石英
等からなるウェハボート4に移載するための移載機構2
0と、上記半導体ウェハ2が搭載されたウェハボート4
を収容して所定の熱処理を行う並列配置された複数の縦
型熱処理炉30と、これら縦型熱処理炉30の配列方向
に沿ってその前方に設けられ、上記ウェハボート4を垂
直状態で搬送するボート搬送機構40と、このボート搬
送機構40に沿って設けられ、未処理の半導体ウェハ2
の待機位置であると共に前処理を施すボートストッカ5
0と、ウェハ移載機構20とボート搬送機構40間での
ウェハボート4の移送を水平−垂直変換を行いながら実
施するボート移送機構60とから主として構成されてい
る。As shown in FIGS. 1 and 2, the vertical heat treatment apparatus 1 in this embodiment includes a carrier stocker 10 that can store a large number of wafer carriers 3, such as a transport container in which semiconductor wafers 2 are accommodated as objects to be processed. , a transfer mechanism 2 for transferring the semiconductor wafers 2 housed in the wafer carrier 3 to a processing container, for example, a wafer boat 4 made of quartz or the like.
0 and a wafer boat 4 on which the semiconductor wafer 2 is mounted.
A plurality of vertical heat treatment furnaces 30 arranged in parallel to accommodate wafers and perform predetermined heat treatment are provided in front of the vertical heat treatment furnaces 30 along the arrangement direction of the vertical heat treatment furnaces 30, and transport the wafer boat 4 in a vertical state. A boat transport mechanism 40 and an unprocessed semiconductor wafer 2 provided along the boat transport mechanism 40.
Boat stocker 5 which is a standby position and performs pre-treatment
0, and a boat transfer mechanism 60 that transfers the wafer boat 4 between the wafer transfer mechanism 20 and the boat transfer mechanism 40 while performing horizontal-vertical conversion.
上記キャリアストッカ10には、多段的にキャリア配置
棚11か設置されており、各キャリア配置棚11に複数
のウエノ\キャリア3が収納されるよう構成されている
。また、キャリアスト・ツカ10とウェハ移載機構20
間でのウエノ\キャリア3の搬送は、キャリア搬送機構
70によって行われる。多段のキャリア配置棚11から
ウェア\キャリア3を上記キャリア搬送機構70へ移送
するために、キャリアストッカ10はX−Z方向に移動
可能なキャリア保持移送機構12を有している。In the carrier stocker 10, carrier arrangement shelves 11 are installed in multiple stages, and each carrier arrangement shelf 11 is configured to store a plurality of carriers 3. In addition, a carrier strike lever 10 and a wafer transfer mechanism 20 are also provided.
The Ueno\carrier 3 is transported between the two by a carrier transport mechanism 70. In order to transfer the wear/carriers 3 from the multi-stage carrier arrangement shelves 11 to the carrier transport mechanism 70, the carrier stocker 10 has a carrier holding and transport mechanism 12 that is movable in the X-Z direction.
また、ウェハ移載機構20は、複数枚の半導体ウェハ2
を一括して把持するウエノ\ノ1ンドリング部21を有
しており、ボート移送機構60によってボート載置台2
2上に水平方向に載置されたウェハボート4と、キャリ
ア搬送機構70によってウェハ移載機横20側に搬送さ
れた複数のつ1ノ1キヤリア3との間において、上記/
%ンドリング部21により半導体ウエノ\2の移載が行
われる。Further, the wafer transfer mechanism 20 is configured to transfer a plurality of semiconductor wafers 2.
It has a holding part 21 that holds the boat all at once, and the boat mounting table 2 is moved by the boat transfer mechanism 60.
The above-mentioned /
The semiconductor wafer \2 is transferred by the handling section 21.
ボート移送機構60は、ウエノ\ボート4の上下端を保
持するボートハンドリング部61と、このボートハンド
リング部61の移送部62とを有しており、上記ウェハ
移載機構20によって半導体ウェハ2が搭載された水平
状態のウエノ\ボート4を保持すると共に垂直状態に変
換しながら、ボート搬送機構40のボート載置部41上
ヘウエl\ボート4を移送する。The boat transfer mechanism 60 includes a boat handling section 61 that holds the upper and lower ends of the Ueno boat 4, and a transfer section 62 of the boat handling section 61, and the semiconductor wafer 2 is loaded by the wafer transfer mechanism 20. The boat 4 is transferred onto the boat mounting section 41 of the boat transport mechanism 40 while holding the boat 4 in the horizontal state and converting it into a vertical state.
また、ボート搬送機構40は、ウェハボート4が垂直状
態で載置されるボート載置部41を処理プログラムに基
づいて、ボートストッカ50もしくは縦型熱処理炉30
のいずれかに搬送する搬送レール42および図示を省略
した駆動機構を有している。Further, the boat transport mechanism 40 transfers the boat mounting section 41 on which the wafer boat 4 is vertically mounted to the boat stocker 50 or the vertical heat treatment furnace 30 based on the processing program.
It has a transport rail 42 and a drive mechanism (not shown) for transporting to either of the two.
各縦型熱処理炉30は、第3図に示すように、例えば石
英によって形成された反応容器31とその周囲を囲繞す
る如く配置された加熱ヒータ32よび図示を省略した断
熱材等から熱処理炉本体33が構成されており、この熱
処理炉本体33はほぼ垂直に配設されるようにベースプ
レート34に固定されている。As shown in FIG. 3, each vertical heat treatment furnace 30 is constructed of a heat treatment furnace main body made of a reaction vessel 31 made of, for example, quartz, a heater 32 arranged to surround the reaction vessel, and a heat insulating material (not shown). 33, and this heat treatment furnace main body 33 is fixed to a base plate 34 so as to be arranged substantially vertically.
半導体ウェハ2が所定のピッチで棚積み収容されたウェ
ハボート4は、回転可能とされたターンテーブル35上
に設置された保温筒36の上方に、ボート移載アーム3
7によってボート搬送機構40から移載され、昇降機構
例えばボートエレベータ38によって反応容器31内に
ローディングされる。また、反応容器31の開放部の密
閉は、ターンテーブル35等と一体にボートエレベータ
38によって昇降される円盤状のキャップ部39により
行われる。A wafer boat 4 in which semiconductor wafers 2 are stacked and stored at a predetermined pitch is mounted on a boat transfer arm 3 above a heat insulating tube 36 installed on a rotatable turntable 35.
7 from the boat transport mechanism 40, and loaded into the reaction vessel 31 by an elevating mechanism such as the boat elevator 38. Further, the open portion of the reaction container 31 is sealed by a disk-shaped cap portion 39 that is raised and lowered by a boat elevator 38 together with the turntable 35 and the like.
また、ポートストッカ50は2棟並列配置された構成と
されており、未処理の半導体ウェハ2が収容されたウェ
ハボート4を待機させることにより、ウェハ移戦時間に
よる処理効率の低下を抑制すると共に、半導体ウェハ2
に対して前処理を施して、処理品質の向上を図ろうとす
るものである。In addition, the port stocker 50 has a configuration in which two buildings are arranged in parallel, and by keeping the wafer boat 4 containing unprocessed semiconductor wafers 2 on standby, it is possible to suppress a decline in processing efficiency due to wafer transfer time and to , semiconductor wafer 2
This is an attempt to improve the processing quality by applying pre-processing to the data.
各ポートストッカ50には、回転駆動機構51によって
回転可能とされたターンテーブル52が設置されており
、このターンテーブル52上にウェハボート4がボート
移載アーム53によってボート搬送機構40から移載さ
れる。また、ターンテーブル52の上方には、ウェハボ
ート4の移載時に障害とならない位置に、石英等からな
る円筒容器状の反応管54が配置されており、この反応
管54は昇降機構55によって、ターンテーブル52上
に載置されたウェハボート4の周囲を覆うように昇降可
能とされている。Each port stocker 50 is equipped with a turntable 52 that is rotatable by a rotation drive mechanism 51, and the wafer boat 4 is transferred from the boat transfer mechanism 40 onto the turntable 52 by a boat transfer arm 53. Ru. Further, above the turntable 52, a reaction tube 54 in the shape of a cylindrical container made of quartz or the like is arranged at a position where it will not interfere with the transfer of the wafer boat 4. This reaction tube 54 is moved by a lifting mechanism 55. It can be raised and lowered so as to cover the periphery of the wafer boat 4 placed on the turntable 52.
また、反応管54には処理ガス導入配管56が接続され
ており、この処理ガス導入配管56から所望の前処理用
ガス、例えば窒素ガスやエツチングガス等が反応管54
内に供給され、所望の前処理が未処理の半導体ウェハ2
に対して施される。Further, a processing gas introduction pipe 56 is connected to the reaction tube 54, and a desired pretreatment gas such as nitrogen gas or etching gas is supplied from the processing gas introduction pipe 56 to the reaction pipe 54.
A semiconductor wafer 2 that is supplied into the interior of the
applied to
例えば窒素ガスを前処理用ガスとして使用すれば、半導
体ウェハ2に対する自然酸化膜の形成や半導体ウェハ2
への塵埃の付着を防止することができる。また、エツチ
ングガスを用いれば、前工程等で形成された自然酸化膜
の除去を熱処理直前に行うことができる。For example, if nitrogen gas is used as a pretreatment gas, it is possible to form a natural oxide film on the semiconductor wafer 2 or
It is possible to prevent dust from adhering to the surface. Furthermore, if an etching gas is used, the natural oxide film formed in the previous process can be removed immediately before the heat treatment.
なお、この実施例における縦型熱処理装置1では、縦型
熱処理炉30は4棟並列配置されており、異なる熱処理
例えばSiエピタキシャル成長と熱拡散工程等とを同時
に実施することが可能なように構成されている。そこで
、異なる熱処理によるクロスコンタミネーションを防止
するために、ウェハボート4が接触する部分、すなわち
ボート搬送機構40のボート載置部41、ボート移送機
構60のボート保持部61(図示省略)、ウェハ移載機
構20のボート載置台22(図示省略)等は、2セツト
づつ設けられており、取り扱うウェハボート4の処理内
容に応じてそれぞれ変更することが可能とされている。In the vertical heat treatment apparatus 1 in this embodiment, four vertical heat treatment furnaces 30 are arranged in parallel, and the structure is such that different heat treatments, such as Si epitaxial growth and a thermal diffusion process, can be performed simultaneously. ing. Therefore, in order to prevent cross-contamination due to different heat treatments, the parts that the wafer boat 4 comes into contact with, namely the boat mounting part 41 of the boat transport mechanism 40, the boat holding part 61 (not shown) of the boat transport mechanism 60, Two sets of boat mounting tables 22 (not shown) and the like of the mounting mechanism 20 are provided, and each can be changed according to the processing content of the wafer boat 4 to be handled.
このような構成の縦型熱処理装置1においては、まずキ
ャリアストッカ10のキャリア配置棚11からキャリア
搬送機構70のキャリア台71に移載されたウェハキャ
リア2をウェハ移載機構20側に搬送する。In the vertical heat treatment apparatus 1 having such a configuration, first, the wafer carrier 2 transferred from the carrier placement shelf 11 of the carrier stocker 10 to the carrier table 71 of the carrier transport mechanism 70 is transported to the wafer transfer mechanism 20 side.
一方、ボート移送機構60によってウェハボート4をボ
ート載置台22上に移送し、このウェハボート4に対し
てウェハキャリア2に収容された半導体ウェハ2を移載
する。On the other hand, the wafer boat 4 is transferred onto the boat mounting table 22 by the boat transfer mechanism 60, and the semiconductor wafers 2 accommodated in the wafer carrier 2 are transferred to the wafer boat 4.
半導体ウェハ2の移載か終了すると、半導体ウェハ2が
搭載されたウェハボート4は、ボート移送機構60によ
って水平−垂直変換されながらボート搬送機構60へと
移送される。When the transfer of the semiconductor wafers 2 is completed, the wafer boat 4 carrying the semiconductor wafers 2 is transferred to the boat transfer mechanism 60 while being converted horizontally to vertically by the boat transfer mechanism 60.
次に、ウェハボート4は、処理プログラムに基づいてボ
ート搬送機構60により各ボートストッカ50もしくは
各縦型熱処理炉30のいずれかに搬送される。Next, the wafer boat 4 is transported to either each boat stocker 50 or each vertical heat treatment furnace 30 by the boat transport mechanism 60 based on the processing program.
例えば縦型熱処理炉30に搬送されたウェハボート4は
、保温筒36上に載置され、ボートエレベータ38によ
って例えば800℃程度の予備加熱状態にある反応容器
31内にローディングされると共に、キャップ部39に
よって反応容器31が密閉される。この後、反応容器3
1内を所定の真空度例えば10Torr程度に保持しな
がら処理ガス例えば5tH2C12、HCI 、 H
2を図示を省略したガス導入管から供給し、半導体ウェ
ハ2の処理例えばSiエピタキシャル成長を行う。For example, the wafer boat 4 transported to the vertical heat treatment furnace 30 is placed on a heat insulating cylinder 36, loaded into the reaction vessel 31 preheated to, for example, about 800° C. by the boat elevator 38, and the cap portion 39 seals the reaction container 31. After this, reaction vessel 3
While maintaining the inside of the chamber at a predetermined degree of vacuum, for example, about 10 Torr, a processing gas such as 5tH2C12, HCI, H
2 is supplied from a gas introduction pipe (not shown), and processing of the semiconductor wafer 2, such as Si epitaxial growth, is performed.
また、ポートストッカ50に搬送されたウェハボート4
は、ターンテーブル52上に載置されると共に、下降し
た反応管54によって覆われ、処理ガス導入配管56か
ら供給された前処理用ガス、例えば窒素ガスやエツチン
グガスにより、熱処理工程の待機期間中に所望の前処理
が施される。Also, the wafer boat 4 transported to the port stocker 50
is placed on a turntable 52 and covered by a descending reaction tube 54, and is heated by a pretreatment gas such as nitrogen gas or etching gas supplied from a processing gas introduction pipe 56 during the standby period of the heat treatment process. is subjected to the desired pretreatment.
上記半導体ウェハ2の移載とウェハボート4の縦型熱処
理炉30もしくはポートストッカ50への搬送は順次行
われると共に、処理プログラムにしたがってポートスト
ッカ50で待機中のウェハボート4も縦型熱処理炉30
へと搬送される。The transfer of the semiconductor wafers 2 and the transportation of the wafer boat 4 to the vertical heat treatment furnace 30 or the port stocker 50 are performed sequentially, and the wafer boat 4 waiting in the port stocker 50 is also transferred to the vertical heat treatment furnace 30 according to the processing program.
transported to.
一方、縦型熱処理炉30での処理が終了した半導体ウェ
ハ2は、ウェハボート4と共にボート搬送機構40およ
びボート移送機構60によって、ウェハ移載機構20の
ボート載置台22上へと移送され、さらにウェハキャリ
ア3に移載される。On the other hand, the semiconductor wafer 2 that has been processed in the vertical heat treatment furnace 30 is transferred together with the wafer boat 4 to the boat mounting table 22 of the wafer transfer mechanism 20 by the boat transfer mechanism 40 and the boat transfer mechanism 60, and then The wafer is transferred to the wafer carrier 3.
処理済の半導体ウェハ2が収容されたウェハキャリア3
は、キャリアストッカ10に戻され、次工程へと搬送さ
れる。Wafer carrier 3 containing processed semiconductor wafers 2
is returned to the carrier stocker 10 and transported to the next process.
上記構成の縦型熱処理装置においては、半導体ウェハ2
が搭載されたウェハボート4の待機位置として、複数の
ポートストッカ50を有しているため、半導体ウェハ2
の処理内容に拘らず、半導体ウェハ2の移載に伴う処理
効率の低下を抑制することができる。また、上記ポート
ストッカ50を有すると共に、前工程から搬送されてき
たウェハキャリア3を収納するキャリアストッカ10や
半導体ウェハ2の移載機構20、さらにはウェハボート
4の移送や搬送を行う各機構40.60を−装置内に設
けているため、一連の熱処理に関わる各工程を連続的に
、かつ処理内容に応じて柔軟に実施することができ、こ
のことからも処理効率の向上を図ることが可能となる。In the vertical heat treatment apparatus having the above configuration, the semiconductor wafer 2
The semiconductor wafer boat 4 has a plurality of port stockers 50 as standby positions for the wafer boat 4 loaded with the semiconductor wafers 2.
Regardless of the processing content, it is possible to suppress a decrease in processing efficiency due to the transfer of the semiconductor wafer 2. In addition to having the port stocker 50, the carrier stocker 10 stores the wafer carrier 3 transported from the previous process, the semiconductor wafer 2 transfer mechanism 20, and each mechanism 40 that transfers and transports the wafer boat 4. .60 is installed in the equipment, each process related to a series of heat treatments can be carried out continuously and flexibly according to the processing content, which also helps improve processing efficiency. It becomes possible.
これらによって、半導体ウェハ2の熱処理に伴う製造コ
ストの低減が可能となる。These make it possible to reduce manufacturing costs associated with heat treatment of the semiconductor wafer 2.
また、上記ポートストッカ50に昇降自在な反応管54
を設け、熱処理の前処理として、例えば不活性ガス処理
やエツチング処理を半導体ウェハ2に対して施すことを
可能としているため、待機期間中に自然酸化膜が形成さ
れることを防止することができ、さらには自然酸化膜を
除去することも可能となる。また、反応管内において待
機させているため、塵埃等の付着による不良発生を抑制
することも可能となる。In addition, a reaction tube 54 that can be raised and lowered freely in the port stocker 50 is provided.
This makes it possible to perform, for example, inert gas treatment or etching treatment on the semiconductor wafer 2 as a pretreatment for heat treatment, so that it is possible to prevent the formation of a natural oxide film during the waiting period. Moreover, it is also possible to remove a natural oxide film. In addition, since it is kept on standby within the reaction tube, it is also possible to suppress the occurrence of defects due to adhesion of dust and the like.
上記したボートストッカ50の採用によって、半導体ウ
ェハ2をウェハボート4に搭載した状態で待機させる期
間中に、前処理を行うことが可能となるため、待機期間
に起因する不良発生を抑制した上で、さらには処理品質
の向上を図った上で、熱処理工程の効率化を図ることが
可能となる。By employing the boat stocker 50 described above, it becomes possible to perform preprocessing while the semiconductor wafers 2 are placed on the wafer boat 4 and are on standby, thereby suppressing the occurrence of defects caused by the waiting period. Furthermore, it becomes possible to improve the efficiency of the heat treatment process while improving the treatment quality.
[発明の効果]
以上説明したように、本発明の縦型熱処理装置によれば
、熱処理工程の効率化を図った上で、不良発生を抑制す
ることが可能となり、さらには処理品質の向上を図るこ
とが可能となる。[Effects of the Invention] As explained above, according to the vertical heat treatment apparatus of the present invention, it is possible to improve the efficiency of the heat treatment process, suppress the occurrence of defects, and further improve the processing quality. It becomes possible to achieve this goal.
第1図は本発明の一実施例の縦型熱処理装置の構成を説
明するための斜視図、第2図は第1図の縦型熱処理装置
の平面図、第3図は第1図の縦型熱処理装置の要部を部
分断面で示す正面図である。
1・・・・・・縦型熱処理装置、2・・・・・・半導体
ウェハ3・・・・・・ウェハキャリア、4・・・・・・
ウェハボート、10・・・・・・キャリアストッカ、1
1・・・・・・キャリア配置棚、20・・・・・・ウェ
ハ移載機構、21・・・・・・ウェハハンドリング部、
22・・・・・・ボート載置台、301.・・・・縦型
熱処理炉、31・・・・・・反応容器、32・・・・・
・加熱ヒータ、33・・・・・・熱処理炉本体、37・
・・・・・ボート移載アーム、38・・・・・・ボート
エレベータ、39・・・・・・キャップ部、40・・・
・・・ボート搬送機構、41・・・・・・ボート載置部
、42・・・・・・搬送レール、50・・・・・・ポー
トストッカ、52・・・・・・ターンテーブル、53・
・・・・・ボート移載アーム、54・・・・・・反応管
、55・・・・・・昇降機構、56・・・・・・処理ガ
ス導入配管、60・・・・・・ボート移送機構、61・
・・・・・ボート保持部、70・・・・・・キャリア搬
送機構。
出願人 東京エレクトロン相模株式会社代理人 弁
理士 須 山 佐 −
(ほか1名)1 is a perspective view for explaining the configuration of a vertical heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view of the vertical heat treatment apparatus shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a vertical view of the vertical heat treatment apparatus shown in FIG. FIG. 2 is a front view showing a main part of the mold heat treatment apparatus in partial cross section. 1... Vertical heat treatment equipment, 2... Semiconductor wafer 3... Wafer carrier, 4...
Wafer boat, 10...Carrier stocker, 1
1...Carrier placement shelf, 20...Wafer transfer mechanism, 21...Wafer handling section,
22...Boat mounting stand, 301. ... Vertical heat treatment furnace, 31 ... Reaction vessel, 32 ...
・Heating heater, 33...Heat treatment furnace body, 37.
...Boat transfer arm, 38...Boat elevator, 39...Cap section, 40...
... Boat transport mechanism, 41 ... Boat mounting section, 42 ... Transport rail, 50 ... Port stocker, 52 ... Turntable, 53・
... Boat transfer arm, 54 ... Reaction tube, 55 ... Lifting mechanism, 56 ... Processing gas introduction piping, 60 ... Boat Transfer mechanism, 61.
... Boat holding section, 70 ... Carrier conveyance mechanism. Applicant Tokyo Electron Sagami Co., Ltd. Agent Patent Attorney Sasa Suyama - (1 other person)
Claims (1)
ストッカと、 前記搬送用容器と処理用容器との間で前記被処理物の移
載を行う移載機構と、 前記処理用容器に搭載された未処理の被処理物に対して
前処理を施すと共に、該被処理物を一時的に待機させる
処理用容器ストッカと、 前記被処理物が搭載された処理用容器を収容し該被処理
物に対して所定の熱処理を施す複数の縦型熱処理炉と、 前記処理用容器ストッカと縦型熱処理炉間での前記処理
用容器の搬送を行う搬送機構と を具備することを特徴とする縦型熱処理装置。[Scope of Claims] A transport container stocker that stores a transport container in which an object to be processed is stored; a transfer mechanism that transfers the object to be processed between the transport container and the processing container; , a processing container stocker that pre-processes the unprocessed workpieces loaded in the processing container and temporarily waits the workpieces; A plurality of vertical heat treatment furnaces that accommodate containers and perform predetermined heat treatment on the objects to be processed, and a transport mechanism that transports the processing containers between the processing container stocker and the vertical heat treatment furnace. A vertical heat treatment equipment that is characterized by:
Priority Applications (3)
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KR1019910016609A KR0147387B1 (en) | 1990-09-25 | 1991-09-24 | Vertical heat treating apparatus |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009027187A (en) * | 1997-03-25 | 2009-02-05 | Asm Internatl Nv | System and method for transferring wafer from cassette to furnace |
JP2023138072A (en) * | 2022-03-18 | 2023-09-29 | 株式会社Kokusai Electric | Substrate processing device, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing method, and program |
-
1990
- 1990-09-25 JP JP25493190A patent/JP2888369B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2009027187A (en) * | 1997-03-25 | 2009-02-05 | Asm Internatl Nv | System and method for transferring wafer from cassette to furnace |
JP2023138072A (en) * | 2022-03-18 | 2023-09-29 | 株式会社Kokusai Electric | Substrate processing device, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing method, and program |
US11996311B2 (en) | 2022-03-18 | 2024-05-28 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus, method of processing substrate, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium |
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---|---|
JP2888369B2 (en) | 1999-05-10 |
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