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JPH04132242A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

Info

Publication number
JPH04132242A
JPH04132242A JP25181490A JP25181490A JPH04132242A JP H04132242 A JPH04132242 A JP H04132242A JP 25181490 A JP25181490 A JP 25181490A JP 25181490 A JP25181490 A JP 25181490A JP H04132242 A JPH04132242 A JP H04132242A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cell
cells
signal
row
cell row
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP25181490A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshihiro Ichikawa
市川 芳弘
Seiji Watanabe
清次 渡辺
Takashi Saigo
西郷 孝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP25181490A priority Critical patent/JPH04132242A/en
Publication of JPH04132242A publication Critical patent/JPH04132242A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To eliminate fluctuation in the signal delivery delay time from signal supply cells to signal reception cells by placing multiple signal supply cells in separate spots within a row of cells that includes signal reception cells and supply signals from the multiple signal supply cells to the signal reception cells through the cell row interconnections. CONSTITUTION:On the LSI chip unit 1, multiple rows of cells 2, which contain multiple cells arranged in the lengthwise direction, are lined up in the up/down direction and a group of I/O cells 42 is placed along the perimeter. For each of the cell rows 2, cell signal amplifiers 3a-3c, 4a-4c, 5a-5c, and 6a-6c are placed in the middle and at either end of the row. Each column of signal amplifiers 3a-6a, 3b-6b, and 3c-6c is connected to the drive cell 8 for the I/O cell group 42 through the respective interconnections 7a, 7b, and 7c on the input side. The various signal amplifiers 3a-3c, 4a-4c, 5a-5c, and 6a-6c located in the same cell row 2 are mutually connected through the cell interconnection 9 on the output side.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は、スタンダードセル方式により構築される半
導体装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Field of Industrial Application) The present invention relates to a semiconductor device constructed using a standard cell method.

(従来の技術) 単純な論理ゲートやフリップフロップ等の論理機能を有
するセルを配置、配線することによって所望の論理機能
を満足させるLSIを実現する設計手法にスタンダード
セル方式がある。
(Prior Art) The standard cell method is a design method for realizing an LSI that satisfies a desired logic function by arranging and wiring cells having logic functions such as simple logic gates and flip-flops.

第4図はこのスタンダードセル方式が適用されたLSI
の構成を示す図である。
Figure 4 shows an LSI to which this standard cell method is applied.
FIG.

第4図において、チップ本体40は、列方向に配置され
た複数のセルからなるセル行41が行方向に複数′配置
され、その周辺に外部とのインターフェースを行うI1
0セル群42が配置されて構成されている。
In FIG. 4, the chip main body 40 has a plurality of cell rows 41 each consisting of a plurality of cells arranged in the column direction, and a plurality of cell rows 41 arranged in the row direction, and an I1 which provides an interface with the outside around the cell rows 41.
A 0 cell group 42 is arranged and configured.

それぞれのセル行41は、その略中央部に同列となるよ
うにセル化された信号増幅器43が配置されている。こ
の信号増幅器43は、通常の配線幅よりも太いセル行配
線44を介して入力側に接続されたI10セル群42の
駆動セル45により駆動され、例えばクロック信号とな
る増幅出力信号が対応するセル行41の例えばフリップ
フロップ等のクロック信号受給セル(図中X印で示す)
に、それぞれのセル行41に対応したセル行配線46を
介して与えられる。
In each cell row 41, signal amplifiers 43 arranged into cells are arranged substantially in the center thereof so as to be in the same column. This signal amplifier 43 is driven by a drive cell 45 of an I10 cell group 42 connected to the input side via a cell row wiring 44 which is thicker than the normal wiring width, and the amplified output signal, which becomes a clock signal, for example, is connected to the cell Clock signal receiving cells such as flip-flops in row 41 (indicated by X in the diagram)
are applied to each cell row 41 via a cell row wiring 46 corresponding to each cell row 41.

このような構成にあって、LSIの大規模化が進むとと
もに負荷容量が増大して、それぞれのセル行41の列方
向の距離が長くなると、それぞれのセル行配線46の配
線長が増大し、さらには、この配線長の増大により配線
容量及び配線抵抗も増大することになる。
In such a configuration, as the scale of LSI increases, the load capacitance increases and the distance of each cell row 41 in the column direction becomes longer, and the wiring length of each cell row wiring 46 increases. Furthermore, this increase in wiring length also increases wiring capacitance and wiring resistance.

また、セル行配線46における配線長の増大は、信号増
幅器43と対応する信号増幅器43と同しセル行41の
クロック信号受給セルとの間の配線長のバラキをも増大
させる二とになる。さらに、それぞれのセル行41のセ
ル行配線46間での配線長のバラツキも増大することに
なる。
Furthermore, an increase in the wiring length of the cell row wiring 46 also increases the variation in wiring length between the corresponding signal amplifier 43 and the clock signal receiving cell of the same cell row 41. Furthermore, the variation in wiring length between the cell row wirings 46 of the respective cell rows 41 also increases.

(発明が解決しようとする課題) このように、信号増幅器43から出力されるクロック信
号を受けるそれぞれのクロック信号受給セルは、セル行
41内で様々な位置に配置されるため、信号増幅器43
がセル行41の略中央部に配置された構成にあっては、
信号増幅器43とそれぞれのクロック信号受給セルとの
間の配線長のバラツキが大きくなっていた。
(Problem to be Solved by the Invention) In this way, each clock signal receiving cell receiving the clock signal output from the signal amplifier 43 is arranged at various positions within the cell row 41.
In the configuration in which is arranged approximately at the center of the cell row 41,
There was a large variation in the wiring length between the signal amplifier 43 and each clock signal receiving cell.

このため、セル行配線46におけるクロック信号の位相
差及び、それぞれのセル行配線46間におけるクロック
信号の位相差が増大する。すなわち、クロック信号が信
号増幅器43から同一セル行41に配置されたそれぞれ
のクロック信号受給セルに伝搬されるまでの遅延時間の
バラツキが大きくなる。
Therefore, the phase difference between the clock signals in the cell row wires 46 and the phase difference between the clock signals between the cell row wires 46 increases. That is, the variation in delay time until the clock signal is propagated from the signal amplifier 43 to each clock signal receiving cell arranged in the same cell row 41 increases.

したがって、LSI全体としてのクロック信号のスキュ
ーか増大し、誤動作を招くおそれがあった。
Therefore, the skew of the clock signal of the entire LSI increases, which may lead to malfunction.

そこで、この発明は、上記に鑑みてなされたものであり
、その目的とするところは、信号供給セルと信号受給セ
ル間を接続するセル行配線における配線長のバラツキを
抑制して、信号供給セルから信号受給セルに供給れさる
信号の伝搬遅延時間のバラツキを緩和するようにした半
導体装置を提供することにある。
Therefore, the present invention has been made in view of the above, and an object of the invention is to suppress variations in wiring length in cell row wiring connecting signal supply cells and signal receiving cells, and to improve signal supply cells. An object of the present invention is to provide a semiconductor device in which variations in propagation delay time of signals supplied from a cell to a signal receiving cell are alleviated.

[発明の構成] (課題を解決するための手段) 上記目的を達成するために、この発明は、信号受給セル
を含む複数のセルが列方向に配置されたセル行が行方向
に配置されてなるセル行群のそれぞれのセル行に離散的
に配置された複数の信号供給セルと、それぞれのセル行
に配置された前記複数の信号供給セルの出力端とこの複
数の信号供給セルと同一セル行に配置された信号受給セ
ルの入力端を接続配線する複数のセル行配線と、前記そ
れぞれのセル行に配置された複数の信号供給セルのうち
、行方向に対応して配置されたそれぞれ異なるセル行の
信号供給セルの入力端を接続配線する複数のセル行間配
線とから構成される。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) In order to achieve the above object, the present invention provides a cell row in which a plurality of cells including signal receiving cells are arranged in a column direction. a plurality of signal supply cells arranged discretely in each cell row of a cell row group; an output end of the plurality of signal supply cells arranged in each cell row; and a cell identical to the plurality of signal supply cells. A plurality of cell row wirings connecting the input ends of the signal receiving cells arranged in the rows, and a plurality of cell row wirings arranged corresponding to the row direction among the plurality of signal supplying cells arranged in the respective cell rows. It is composed of a plurality of inter-cell wiring lines that connect the input ends of the signal supply cells of the cell rows.

(作用) 上記構成において、この発明は、信号受給セルを含むセ
ル行に複数の信号供給セルを#l散的に配置し、これら
の複数の信号供給セルからセル行配線を介して信号受給
セルに信号を供給するようにしている。
(Function) In the above configuration, the present invention arranges a plurality of signal supply cells in a scattered manner in a cell row including a signal reception cell, and connects the signal reception cell from these plurality of signal supply cells via cell row wiring. I am trying to supply a signal to.

(実施例) 以下、図面を用いてこの発明の詳細な説明する。(Example) Hereinafter, the present invention will be explained in detail using the drawings.

第1図はこの発明の一実施例に係わる半導体装置の構成
を示す図である。同図に示す実施例は、第4図に示した
と同様に、スタンダードセル方式により構築される半導
体装置において、1つのセル行に複数のセル化された信
号増幅器を配置し、これらの信号増幅器からクロック信
号を対応するクロック信号受給セルに供給するようにし
たちのである。
FIG. 1 is a diagram showing the configuration of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. The embodiment shown in the same figure is similar to that shown in FIG. 4, in which a plurality of celled signal amplifiers are arranged in one cell row in a semiconductor device constructed by the standard cell method, and the signal amplifiers are The clock signal is supplied to the corresponding clock signal receiving cell.

第1図において、LSIのチップ本体1には、列方向に
配置された複数のセルからなるセル行2が行方向に複数
配置され、その周辺にI10セル群42が配置されさて
いる。
In FIG. 1, in a chip body 1 of an LSI, a plurality of cell rows 2 each consisting of a plurality of cells arranged in a column direction are arranged in the row direction, and an I10 cell group 42 is arranged around them.

それぞれのセル行2は、略中央部及び両端部にセル化さ
れた信号増幅器3a〜3c、4a〜4c。
Each cell row 2 has signal amplifiers 3a to 3c and 4a to 4c formed into cells approximately at the center and at both ends.

5a〜5c、6a〜6cが配置されている。したがって
、それぞれのセル行2の一方の端部に配置された信号増
幅器3a、4a、5a、6aとそれぞれのセル行2の略
中央部に配置された信号増幅器3b、4b、5b、6b
及びそれぞれのセル行2の他方の端部に配置された信号
増幅器3c、4c、5c、6cはそれぞれ同列となるよ
うに配置されることになる。
5a to 5c and 6a to 6c are arranged. Therefore, the signal amplifiers 3a, 4a, 5a, 6a arranged at one end of each cell row 2 and the signal amplifiers 3b, 4b, 5b, 6b arranged approximately at the center of each cell row 2.
The signal amplifiers 3c, 4c, 5c, and 6c arranged at the other end of each cell row 2 are arranged in the same column.

それぞれ同列状に配置された信号増幅器3a〜6a、3
b 〜6b、3c 〜6cは、ソノ入力側が対応するセ
ル行間配線7a、7b、7cを介してI10セル群42
の駆動セル8に接続され、同一のセル行2に配置された
それぞれの信号増幅器3B 〜3 c、  4  a 
〜4  c、  5 a〜5 c、  6 a 〜6 
cは、その出力側が対応するセル行配線9を介して相互
に接続されている。
Signal amplifiers 3a to 6a, 3 arranged in the same row, respectively.
b ~ 6b, 3c ~ 6c are connected to the I10 cell group 42 via the corresponding cell row wirings 7a, 7b, 7c on the solenoid input side.
The respective signal amplifiers 3B to 3c, 4a are connected to the drive cells 8 and arranged in the same cell row 2.
~4 c, 5 a~5 c, 6 a ~6
The output sides of cells c are connected to each other via corresponding cell row wirings 9.

それぞれのセル行配線9には、対応するセル行2に配置
されたクロック信号受給セル(図中x印で示す)のクロ
ック入力端が接続されている。
Each cell row wiring 9 is connected to a clock input terminal of a clock signal receiving cell (indicated by an x mark in the figure) arranged in the corresponding cell row 2.

このような構成において、同一のセル行2に配置された
それぞれのクロック信号受給セルには、同じセル行2の
略中央部及び両端部に配置された信号増幅器のうち最も
配線距離の短かい信号増幅器から出力されたクロック信
号が与えられることになる。したがって、クロック信号
がクロック受給セルに伝搬されるまでの遅延時間は、信
号増幅器3 a 〜6 a 、  3 b 〜6 b 
、  3 c 〜6 cと対応するクロック信号受給セ
ルとのセル行配線9の配線長に依存することになる。す
なわち、クロック信号受給セルの配置に対して信号増幅
器33〜5a。
In such a configuration, each clock signal receiving cell arranged in the same cell row 2 receives the signal whose wiring distance is the shortest among the signal amplifiers arranged approximately at the center and at both ends of the same cell row 2. A clock signal output from the amplifier will be given. Therefore, the delay time until the clock signal is propagated to the clock receiving cell is as follows:
, 3c to 6c and the corresponding clock signal receiving cells depend on the wiring length of the cell row wiring 9. That is, signal amplifiers 33-5a for the arrangement of clock signal receiving cells.

3b〜6b、3c〜6cが配置される位置に左右される
ことになる。
It depends on the position where 3b to 6b and 3c to 6c are arranged.

第1図に示した構成において、複数の信号増幅器が1つ
のセル行2内に配置される位置は、次に示すような手順
にしたがって決定される。
In the configuration shown in FIG. 1, the positions where a plurality of signal amplifiers are arranged within one cell row 2 are determined according to the following procedure.

まず、セル行配線9において、信号増幅器とこの信号増
幅器か配置されていると同一のセル行2に配置されるク
ロック信号受給セルとの最大配線距離を、クロック信号
のスキューが予め設定した許容値内に抑えられるように
決定し、決定された最大配線距離を越えないように信号
増幅器とクロック信号受給セルが接続配線されるように
、セル行間配線の本数と配線位置を決定し、このセル行
間配線に対応した位置のそれぞれのセル行2に信号増幅
器を配置する。
First, in the cell row wiring 9, the maximum wiring distance between the signal amplifier and the clock signal receiving cell arranged in the same cell row 2 in which this signal amplifier is arranged is determined by the preset tolerance value of the clock signal skew. The number and position of wiring between cell rows are determined so that the signal amplifier and clock signal receiving cell are connected and wired so as not to exceed the determined maximum wiring distance. A signal amplifier is placed in each cell row 2 at a position corresponding to the wiring.

セル行間配線の本数Nは、信号増幅器の出力部から対応
するセル行内のクロック信号受給セルまでの最大配線長
髪及び、セル行の長さしが決まると、次式によって求め
られる。
The number N of interconnections between cell rows can be determined by the following equation once the maximum interconnection length from the output section of the signal amplifier to the clock signal receiving cell in the corresponding cell row and the length of the cell row are determined.

N−L/交                (1)ま
た、最大配線長髪は、次式によって求められる。
N-L/cross (1) Also, the maximum wiring length is determined by the following formula.

T−1″XrX Hl−XC+CF)  ± 1(2)
斐−n 1−                   
   (3)ここで、 T :許容遅延時間(スキュー) 髪゛:クロツク信号受給セルの最小間隔「 :単位長さ
当りの配線抵抗 C:単位長さ当りの配線容量 GF :クロック信号受給セルの入力容量n :最大配
線長文内でのクロック信号受給セルの許容個数 とする。
T-1″XrX Hl-XC+CF) ± 1(2)
Hi-n 1-
(3) Here, T: Allowable delay time (skew): Minimum interval between clock signal receiving cells: Wiring resistance per unit length C: Wiring capacitance per unit length GF: Input of clock signal receiving cells Capacity n: Allowable number of clock signal receiving cells within the maximum wiring length.

上式において、セルの自動配置結果からセル行方向にお
けるクロック信号受給セルの最小間隔吏゛が求められる
と、この値と、仕様値として設定される許容遅延時間T
及びプロセス固有の配線抵抗値「、配線容量C1クロッ
ク信号受給セルの入力容量CFとから、許容遅延時間T
を越えない範囲でのクロック信号受給セルの個数nが上
記(2)式によって算出される。
In the above formula, when the minimum interval between clock signal receiving cells in the cell row direction is determined from the automatic cell placement results, this value and the allowable delay time T set as the specification value are calculated.
and the process-specific wiring resistance value ", wiring capacitance C1 from the input capacitance CF of the clock signal receiving cell, the allowable delay time T
The number n of clock signal receiving cells within a range not exceeding n is calculated using the above equation (2).

また、(2)式によって算出されたnの値及びクロック
信号受給セルの最小間隔髪′とから最大配線長髪が上記
(3)式によって算出される。
Further, the maximum wiring length is calculated by the above equation (3) from the value of n calculated by the equation (2) and the minimum interval hair of the clock signal receiving cells.

したがって、最大配線長l及び仕様値として与えられる
セル行の長さしとからセル行間緯線の本数Nが上記(1
)求められる。
Therefore, from the maximum wiring length l and the cell row length given as the specification value, the number N of latitude lines between cell rows is calculated as above (1
)Desired.

したがって、上記手順によれば、セル行2内における信
号増幅器が配置される位置は、信号増幅器とクロック信
号受給セル間の最大配線距離及びクロック信号受給セル
の配置位置によって決定されるため、信号増幅器は必ず
しも第1図に示すようにセル行2の略中央部と両端部に
配置されるとは限らない。
Therefore, according to the above procedure, the position of the signal amplifier in cell row 2 is determined by the maximum wiring distance between the signal amplifier and the clock signal receiving cell and the position of the clock signal receiving cell. are not necessarily arranged approximately at the center and at both ends of the cell row 2 as shown in FIG.

このようにして、クロック信号受給セルの配置位置に対
して信号増幅器の配置位置を決定し、信号増幅器を配置
しているので、信号増幅器とクロック信号受給セル間の
配線距離のバラツキが抑制されて、クロック信号の伝搬
遅延時間のバラツキが緩和されることになる。
In this way, the position of the signal amplifier is determined relative to the position of the clock signal receiving cell, and the signal amplifier is placed, thereby suppressing variations in the wiring distance between the signal amplifier and the clock signal receiving cell. , variations in the propagation delay time of the clock signal are alleviated.

第2図はこの発明の他の実施例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing another embodiment of the invention.

同図に示す実施例の特徴とするところは、第1図に示し
た構成に対して、それぞれのセル行間配線7a、7b、
7cを任意の配線幅の任意の本数のセル付記!110に
よって接続したことにあり、他の構成は同様である。
The feature of the embodiment shown in FIG. 1 is that, in contrast to the structure shown in FIG.
Add 7c to any number of cells with any wiring width! 110, and the other configurations are the same.

このような構成にあっては、駆動セル8からそれぞれの
信号増幅器3a〜5a、3b〜6b、3゜〜6cまての
配線抵抗を低減することが可能とナリ、駆動セル8とそ
れぞれの信号増幅器間におけるクロック信号の伝搬遅延
時間のバラツキを緩和することができるとともに、前述
した実施例と同様の効果を得ることかできる。
In such a configuration, it is possible to reduce the wiring resistance from the drive cell 8 to each of the signal amplifiers 3a to 5a, 3b to 6b, and 3° to 6c. Variations in propagation delay times of clock signals between amplifiers can be alleviated, and the same effects as in the embodiments described above can be obtained.

第3図はこの発明のさらに他の実施例を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing still another embodiment of the present invention.

同図に示す実施例の特徴とするところは、第1図に示し
た構成に対して、同列に配置された信号増幅器3a−6
a、3b 〜6b、3c 〜6cの出力側を適当な配線
幅のセル行間配線11によって接続し、すべての信号増
幅器に出力側が接続されるようにしたことにあり、他の
構成は第1図と同様である。
The feature of the embodiment shown in FIG.
The output sides of a, 3b to 6b, and 3c to 6c are connected by the inter-row wiring 11 of an appropriate wiring width, so that the output sides are connected to all the signal amplifiers.The other configuration is as shown in Fig. 1. It is similar to

このような構成にあっては、それぞれのセル行配線9間
におけるクロック信号の伝搬遅延時間のバラツキを緩和
することかできると共に、前述した実施例と同様の効果
を得ることかできる。
With such a configuration, variations in the propagation delay time of clock signals between the cell row wirings 9 can be alleviated, and the same effects as in the above-described embodiment can be obtained.

なお、この発明は、上記実施例に限定されることはなく
、例えば伝搬される信号はクロック信号でなくとも、伝
搬遅延時間のバラツキが回路動作に影響を与えるような
信号であれば良い。また、上記した3つの実施例は、適
宜組み合わせて実施するようにしても良い。
Note that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and for example, the propagated signal does not have to be a clock signal, but may be any signal whose propagation delay time variations affect circuit operation. Further, the three embodiments described above may be implemented in combination as appropriate.

[発明の効果] 以上説明したように、この発明によれば、信号受給セル
を含むセル行に複数の信号供給セルを離散的に配置し、
これらの複数の信号供給セルからセル行配線を介して信
号受給セルに信号を供給するようにしたので、信号供給
セルと信号受給セル間の配線距離のバラツキを抑制する
ことが可能となる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, a plurality of signal supply cells are discretely arranged in a cell row including a signal reception cell,
Since signals are supplied from these plurality of signal supply cells to the signal reception cells via the cell row wiring, it is possible to suppress variations in the wiring distance between the signal supply cells and the signal reception cells.

これにより、信号供給セルから信号受給セルに供給され
る信号における伝搬遅延時間のバラツキを緩和すること
かできるようになり、信号伝搬における遅延時間のバラ
ツキに寄因する」動作を抑制することかできるようにな
る。
This makes it possible to alleviate variations in propagation delay time in signals supplied from signal supply cells to signal receiving cells, and to suppress "operations caused by variations in delay time in signal propagation." It becomes like this.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明の一実施例に係わる半導体装置の構成
を示す図、 第2図及び第3図はこの発明の他の実施例に係わる半導
体装置の構成を示す図、 第4図はスタンダードセル方式によって構築された従来
の半導体装置の構成を示す図である。 1・・・チップ本体 2・・・セル行 3a 〜6a、3b 〜6b  3cm6c・・・信号
増幅器 7a、7b、7c、11−セル行間配線8・・・駆動セ
ル 9.10・・・セル行配線
FIG. 1 is a diagram showing the configuration of a semiconductor device according to one embodiment of the invention, FIGS. 2 and 3 are diagrams showing the configuration of a semiconductor device according to another embodiment of the invention, and FIG. 4 is a standard diagram. 1 is a diagram showing the configuration of a conventional semiconductor device constructed using a cell method. 1...Chip body 2...Cell row 3a to 6a, 3b to 6b 3cm6c...Signal amplifier 7a, 7b, 7c, 11-Cell inter-row wiring 8...Drive cell 9.10...Cell row wiring

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)信号受給セルを含む複数のセルが列方向に配置さ
れたセル行が行方向に配置されてなるセル行群のそれぞ
れのセル行に離散的に配置された複数の信号供給セルと
、 それぞれのセル行に配置された前記複数の信号供給セル
の出力端とこの複数の信号供給セルと同一セル行に配置
された信号受給セルの入力端を接続配線する複数のセル
行配線と、前記それぞれのセル行に配置された複数の信
号供給セルのうち、行方向に対応して配置されたそれぞ
れ異なるセル行の信号供給セルの入力端を接続配線する
複数のセル行間配線とを有することを特徴とする半導体
装置。
(1) A plurality of signal supply cells discretely arranged in each cell row of a cell row group in which a plurality of cells including signal receiving cells are arranged in the column direction and cell rows are arranged in the row direction; a plurality of cell row wirings connecting output ends of the plurality of signal supply cells arranged in each cell row and input ends of the signal reception cells arranged in the same cell row as the plurality of signal supply cells; Among the plurality of signal supply cells arranged in each cell row, the cell row wiring includes a plurality of cell interrow wirings that connect the input ends of the signal supply cells of different cell rows arranged corresponding to the row direction. Characteristic semiconductor devices.
(2)前記複数のセル行間配線は、前記複数のセル行配
線とは異なる複数のセル行配線により接続配線されてな
ることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
(2) The semiconductor device according to claim 1, wherein the plurality of inter-cell interconnections are connected by a plurality of cell row interconnections different from the plurality of cell row interconnections.
(3)前記セル行間配線によって入力端が接続配線され
た信号供給セルは、その出力端が前記複数のセル行間配
線とは異なるセル行間配線により接続配線されてなるこ
とを特徴とする請求項1あるいは請求項2記載の半導体
装置。
(3) The signal supply cell whose input end is connected and wired by the cell interrow wiring has an output end which is connected and wired by a cell interrow wiring different from the plurality of cell interrow wirings. Alternatively, the semiconductor device according to claim 2.
JP25181490A 1990-09-25 1990-09-25 Semiconductor device Pending JPH04132242A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25181490A JPH04132242A (en) 1990-09-25 1990-09-25 Semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25181490A JPH04132242A (en) 1990-09-25 1990-09-25 Semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04132242A true JPH04132242A (en) 1992-05-06

Family

ID=17228318

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5644546A (en) * 1992-09-11 1997-07-01 Fujitsu Limited MOS static RAM with improved soft error resistance; high-level supply voltage drop detection circuit and complementary signal transition detection circuit for the same; and semiconductor device with improved intersignal time margin

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