JPH0413106A - 遮光膜用レジスト、該遮光膜用レジストを用いた遮光膜の製造方法および該遮光膜用レジストを用いたカラーフィルタの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、遮光膜用レジスト、該遮光膜用レジストを用
いた遮光膜の製造方法および該遮光膜用レジストを用い
たカラーフィルタの製造方法に関する。

［従来の技術］ 近年、遮光膜は、カラーフィルタ、液晶表示材料、電子
表示材料、カラーデイスプレィ等の表示素子に欠かせぬ
ものとなってあり、これらの表示素子は、オーディオ、
車載用インパネ、時計、電卓、ビデオデツキ、ファック
ス、通信機、ゲームａおよび測定機器等の各種分野にお
いて広く利用されている。

例えば、カラーフィルタにおいては、赤（Ｒ）。

緑（Ｇ）、青（Ｂ）等の各画素間に形成されるブラック
マトリックスとして遮光膜か用いられている。

このブラックマトリックスは、画素間の洩れ光によるコ
ントラストおよび色純度の低下を防止する役割を果たし
ている。

従来、印刷法１分散法あるいは染色法等によってカラー
フィルタ等の各画素（着色層）を形成する場合、遮光膜
としては、多くの場合カーボン系７オトレジスト剤が用
いられている。

しかしながら、カーボン系フォトレジスト剤は導電性か
あるため、液晶駆動電極とカラーフィルタ形成電極を共
有することかできないという問題かある。すなわち、カ
ラーフィルタ形成用にパターニングしたＩＴＯ電極上に
、先にブラックマトリックスを形成すると左右の電極と
導通してしまい、ミセル電解法等によってカラーフィル
タが形成てきないという不都合か生し、逆に、カラーフ
ィルタを形成した後に、ブラックマトリックスを形成し
ても、液晶駆動時に左右の電極と導通してしまい、液晶
か作動しないという不都合か生しる。このように、カー
ボン系フォトレジスト剤を用いた場合には、導電性に優
れたミセル電解法あるいは電着法によってカラーフィル
タを形成することかてきないという問題かある。

このため、絶縁性のある遮光膜用レジストの開発が望ま
れており、絶縁性のフォトレジスト剤として有機顔料系
のレジスト剤か開発されている。

［発明か解決しようとする課１ｉ１ しかしながら、上述した従来の絶縁性を有する有機顔料
系フォトレジスト剤を用いて形成された遮光膜用レジス
トは、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色顔料を含む
三種類のフォトレジストを混合し、フォトリソグラフィ
法により遮光膜用レジストを形成しているため、遮光率
が低く、したがって、十分な遮光率を得ようとすると膜
厚か厚くなるという問題かあフた。

本発明は、上述の問題点にかんがみてなされたものであ
り、高い遮光率を有する高絶縁性の遮光膜を形成するこ
とのできる遮光膜用レジスト、該遮光膜用レジストを用
いた遮光ｌ！！およびカラーフィルタの製造方法の提供
を目的とする。

［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するために、本発明の遮光膜用レジスト
は、絶縁性有機顔料分散レジストあるいは絶縁性透明レ
ジストの少なくとも一種以上のレジストと、導電性透明
レジストとを含有した構成、あるいは、二種以上の絶縁
性有機顔料分散レジストを含有した構成、あるいは、絶
縁性透明レジストに黒色有機顔料を分散させた構成とし
てあり、好ましくは、遮光膜としたときの面抵抗値がそ
れぞれ１０’Ω／Ｃ１２以上となるような構成としであ
る。

また、本発明の遮光膜の製造方法は、前記遮光膜用レジ
ストを用いてフォトリソグラフィ法により遮光膜を形成
するようにしてあり、好ましくは、前記遮光膜を電極取
出窓口帯を有するカラーフィルタ用ブラックマトリック
ス形状に形成するようにしである。

さらに、本発明のカラーフィルタの製造方法は、ストラ
イプ状にパターニングされたＩＴＯ電極の上に、前記遮
光膜の製造方法によって電極取出窓口帯を有するカラー
フィルタ用ブラックマトリックス形状をした遮光膜を形
成し、その後にミセル電解法によりカラーフィルタを作
製するようにしである。

以下１本発明の詳細な説明する。

第一の発明に係る遮光膜用レジストは、絶縁性有機顔料
分散レジストあるいは絶縁性透明レジストの少なくとも
一種以上のレジストと、導電性透明レジストとを含有し
てなるものである。

ここで、絶縁性有機顔料分散レジストは、アクリル系レ
ジスト、エポキシ系レジストあるいはボリイミド系レジ
スト等のレジストに絶縁性の有機顔料を分散させてなる
ものである。

絶縁性の有機顔料としては、赤色系顔料として、ペリレ
ン系顔料、アントラキノン系顔料、ジアントラキノン系
顔料、アゾ系顔料、ジアゾ系顔料、キナクリドン系顔料
、アントラセン系顔料等か挙げられる。具体的には、ペ
リレン顔料、キナクリドン、ナフトールＡＳ、シコミン
顔料、アントラキノン（Ｓｕｄａｎｒ　、　Ｕ　、　ｍ
　、Ｒ）　、ビスアゾ、ベンゾピランなどが挙げられる
。

青色系顔料としては、フタロシアニン系顔料、銅フタロ
シアニン系顔料、インダンスロン系顔料、インドフェノ
ール系顔料、シアニン系顔料等が挙げられる。具体的に
は、クロロ銅フタロシアニン、クロロアルミニウムフタ
ロシアニン、バナジン酸フタロシアニン、マグネシウム
フタロシアニン、亜鉛フタロシアニン、鉄フタロシアニ
ン、コバルトフタロシアニンなどのフタロシアニン金属
錯体、フタロシアニン、メロシアニン、インドフェノー
ルブルーなどか挙げられる。

また、市販の絶縁性の有機顔料分散レジストとしては、
赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の三原色のほか、イエロ
ー（Ｙ）、バイオレット（Ｖ）等の有機顔料を含有した
有機顔料分散レジスト（富士ハントテクノロジー社製り
ラーモザ（りＣＲ，ＣＧ、ＣＢ、ＣＹ、ＣＶ等）等が市
販されている。

絶縁性透明レジストは、透明レジストのうち絶縁性を有
するものがすべて含まれ１例えば、紫外線硬化型レジス
ト等が挙げられる。具体的には、アクリル系レジストア
ロニックス（東亜合成（株）社製）や東しフォトニース
（東し製）などが挙げられる。

導電性粒子分散レジストは、アクリル系レジスト、エポ
キシ系レジストあるいはポリイミド系レジスト等のレジ
スト中に導電性粒子を分散させてなるものである。

導電性粒子としては、カーボン、酸化クロム、金属微粒
子等が挙げられる。

上記各レジスト（絶縁性有機顔料分散レジスト、絶縁性
透明レジスト、導電性透明レジスト）を含有してなる本
発明の遮光膜用レジストは、通常、上記各レジストを混
合することによって調製される。また、例えば、−のレ
ジスト剤に絶縁性有機顔料および導電性粒子を混合し１
分散させることによっても調製できる。いずれの調製方
法においても、各顔料や導電性粒子等がレジスト剤中に
均一に分散するように混合することか好ましい。

混合割合は適宜選択されるが、遮光膜としたときの面抵
抗値か１０７０／ｃｍ”以上となるような割合とするの
か、ミセル電解法等を用いる場合には好ましい、この混
合の際に溶剤等を加えてもよい。

混合は発熱しない混合機を用いて行なうことがレジスト
の凝集を防ぐという観点より好ましい。

第二の発明に係る遮光膜用レジストは、二種以上の絶縁
性有機顔料分散レジストを含有してなるものである。

ここで、絶縁性有機顔料分散レジストに関しては、上述
した第一の発明における絶縁性有機顔料分散レジストと
同様である。

調製方法としては、例えば、二色の顔料をそれぞれ一色
ずつ含有する二種類のフォトレジスト剤を混合する方法
、あるいは、二色の顔料の双方を−のレジスト剤に混合
し１分散させる方法等が挙げられる。いずれの調製方法
においても、各顔料かレジスト剤中に均一に分散するよ
うに混合することか好ましい。

レジストの混合割合、遮光膜としたときの好ましい面抵
抗値等に関しては、上述した第一の発明の場合と同様で
ある。

第三の発明に係る遮光膜用レジストは、絶縁性透明レジ
ストに黒色有機顔料を分散してなるものである。

ここで、絶縁性透明レジストに関しては、上記第一の発
明における絶縁性透明レジストと同様である。

黒色有機顔料としては、ペリレンブラック、アニリンブ
ラック、シアニンブラック等が挙げられる。なお、二以
上の黒色有機顔料を絶縁性透明レジストに分散する場合
も含まれる。黒色有機顔料はレジスト剤中に均一に分散
させることが好ましい。

なお、上記第一〜第三の発明に係る遮光膜用レジストは
、ポジタイプおよびネガタイプのいずれてあってもよく
、またＥＢレジスト、ｘｍレジスト等であってもよい。

第四の発明に係る遮光膜の製造方法は、上記第一〜第三
の発明に係る遮光膜用レジストを用いて、フォトリソグ
ラフィ法により遮光膜を形成するものである。

第１図はフォトリソグラフィ法による遮光膜の製造工程
の一具体例を示すフロー図である。

■まず、ガラス等の基板上に、上記第一〜第三の発明に
係る遮光膜用レジストのうちいずれか−を塗布する。ガ
ラス基板としては、ソーダライム（ＳＬ）ガラス、低膨
張ガラス（ＬＥ）、ノンアルカリガラス（ＮＡ）、石英
ガラス等が用いられる。塗布の方法としては、スピンコ
ーターあるいはロールコータ−を用いたコーティング方
法や、コンプレッサーを用いた噴霧塗布等が挙げられる
。スピンコーターあるいはロールコータ−の回転数は、
レジストの粘度、所望する膜厚等により適宜選択され、
例えば、５００〜３０００ｒｐ■の回転数て行なわれる
。

■遮光膜用レジストの塗布後、露光を行なう。

露光は露光機によって行なわれ、所望のパターンを有す
るフォトマスクを介して露光することにより、パターン
に対応した部分のレジストのみを感光させる。露光機お
よび露光条件等は適宜選択され、特に制限されることは
ない。

露光量は、例えば２０〜２００ｍＪ／ｃｍ２の範囲て選
択される。

また、光源は使用する遮光膜用レジストの感光特性に応
じて決定され、例えば２にＷの高圧水銀灯が用いられる
。

■露光後、プリベークが行なわれる。プリベークは、現
像前に基板と遮光膜用レジストとの密着性を高め、現像
時における欠陥発生等を抑制する等の目的で行なわれる
。

プリベークはオーブン、ホットプレート等により加熱す
ることによって行なわれる。プリベークにおける加熱温
度および加熱時間は使用するレジストに応じて適宜選択
され、例えば８５℃〜１００℃の温度で５〜ｌＯ分間行
なわれる。

■プリベーク後、現像か行なわれる。現像は、露光され
た部分（ネガレジストの場合）あるいは非露光部分（ポ
ジレジストの場合）のレジストを除去する目的で行なわ
れ、この現像によって所望のパターンか形成される。

現像液は、使用するレジスト剤の成分によって異なり、
レジストを溶解、除去しつるものの中から適宜選択され
る。市販のレジスト剤を用いる場合には、それぞれのレ
ジストに適した現像液か市販されているのて、これらの
市販品を用いればよいか、主にアルカリ水溶液が多い。

現像液の濃度および現像時間は、使用するレジストおよ
び現像液によって適宜選択される。現像時間は、例えば
２０〜３０秒の間で選択される。

■現像後、純水シャワー、純水層への浸漬等によりリン
スを行なう、リンスは現像液の除去を目的として行なわ
れる。

■リンス後、ボストベークか行なわれる。ボストベーク
はバターニングされた遮光膜用レジストと基板との密着
性を高めるため等の目的て行なわれる。このポストベー
クは、プリベークと同様に、オーブン、ホットプレート
等により加熱することによって行なわれる。

ポストベークに３ける加熱温度および加熱時間は適宜選
択され、例えば２００〜２２０°Ｃの温度て５〜１０分
間行なわれる。

以上のフォトリソグラフィ法による各工程を経て、バタ
ーニングされた遮光膜用レジストか製造される。ここて
、遮光膜用レジストのパターンとしては、例えばカラー
フィルタ用ブラックマトリクス形状、あるいは電極取出
窓口帯を有するブラックマトリックス形状等をバターニ
ングすることができる。

なお、上述したフォトリソグラフィ法による遮光膜の製
造工程は、−例を示したものてあり１本発明はこれによ
って何ら制限されるものではない。

例えば、工程の一部を省略したり、あるいは保護膜のコ
ーティング等の公知の工程を適宜追加することかできる
。

第五の発明に係るカラーフィルタの製造方法は、ストラ
イプ状にパターニングされたＩＴＯ電極の上に、前記第
四の発明に係る遮光膜の製造方法によって電極取出窓口
帯を有するカラーフィルタ用ブラックマトリックス形状
をした遮光膜を形成し、その後にミセル電解法によりカ
ラーフィルタを作製するものである。

ＩＴＯ電極は、ソーダライムガラス（ＳＬ）、低膨張ガ
ラス（ＬＥ）、ノンアルカリガラス（ＮＡ）、石英ガラ
ス等のガラス基板上に形成される。形成材料としては、
ＩＴＯ、二酸化スズ等の透明電極用材料が用いられる。

形成方法としては、スパッタリング法、蒸着法、バイオ
ゾル法あるいは超微粒子キャスト法等が用いられる。ス
トライプ状にパターニングするには、公知のフォトリソ
グラフィ法が用いられ、所定の線幅および線間隔を有す
る　１丁０電極か形成される。

なお、ガラス基板上にＩＴＯ電極か形成された基板が市
販されているのて、これを用いてもよい。

次いて、上記ＩＴＯ電極上に電極取出窓口帯を有するカ
ラーフィルタ用ブラックマトリックス形状をした遮光膜
を形成する。形成方法としては、上述した第四の発明に
係る遮光膜の製造方法か用いられる。

次に、ガラス基板上に形成された透明電極上にミセル電
解法にて、色素薄膜を形成する。

このミセル電解法による色素薄膜の形成は１次のような
操作手順で行なわれる。つまり、水に、必要に応じて支
持電解質等を加えて電気伝導度を調節した水性媒体に、
フェロセン誘導体等よりなるミセル化剤と色素材料（疎
水性色素）とを加えて充分に混合攪拌して分散させると
、該色素材料を内部に取り込んだミセルが形成される。

これを電解処理するとミセルが陽極に引き寄せられて陽
極（透明電極）上でミセル中のフェロセン誘導体が電子
Ｃ−を失い（フェロセン中のＦｅ１がＦｅ”◆に酸化さ
れる）、それとともにミセルが崩壊して内部の色素材料
か陽極上に析出して薄膜を形成する。

一方、酸化されたフェロセン誘導体は陰極に引き寄せら
れて電子ｅ−を受は取り、再びミセルを形成する。この
ようなミセルの形成と崩壊か繰返される過程で、色素材
料の粒子か透明電極上に析出して薄膜状のものとなり、
所望する色素薄膜か形成される。こうして形成さる色素
薄膜は、一般に膜厚が０．１〜１０．０ｐｍ、　特には
０．１〜２．０　ｇｍてあり、多孔質となるので、高い
導電性を有する。

膜厚か０．１　ｇｍ未満だと色素層の色相を充分に表示
することかてきず、ＩＱ、Ｏｐｍを越えると導電性か低
くなるので好ましくない。

上記ミセル電解法によって三原色の疎水性色素薄膜を形
成するには、最初に赤色、緑色および青色の疎水性色素
のいずれか一つを水溶性媒体に加えて、前記のミセル電
解法を行い、最初の所望色調の薄膜を形成し、次いで疎
水性色素の種類を変えて次々にミセル電解法を繰り返し
行うことによって、三原色（赤、緑、青色）の疎水性色
素薄膜をそれぞれの各透明電極上に形成することかでき
る。

なお、赤色、緑色または青色の疎水性色素を同時に水性
媒体中に存在させて、これにミセル電解法を適用するこ
とによっても同様のカラーフィルタを製造することがで
きる。

本発明のカラーフィルタの製造方法においては、色素層
と配向層との間に、必要に応しコーティング層を形成し
てもよい、コーティング層を設けることによって液晶と
の接触面を平滑化することかできる。コーティング層を
導電性材料で調製すれば、コーティング層による電圧降
下を防ぐことができる。

また、本発明のカラーフィルタの製造方法においては、
最上層として配向層を形成する場合も含まれ、この配向
層によって液晶を配向させる。

［実施例］ 以下、実施例にもとづき本発明をさらに詳しく説明する
。

ＩＴＯ膜として２０Ω／ｃ■２の面抵抗値を持つ３００
■霞角のガラス基板（ＨＯＹＡ（株）社製ＮＡ　４５）
上に、紫外線硬化型レジスト剤（ＩＣ−２８／Ｔ３：富
士ハントテクノロジー社製）をキシレンで２倍稀釈した
溶液を１１０００ｒｐの回転速度でスピンコードする。

スピンコード後、８０℃にて１５分間プリベークを行な
う、その後、このレジスト／　ＩＴＯ基板を露光機にセ
ットする。

マスクは、線幅１１００ｐ、ギャップ２０ＩＬｍ、線長
１５５ｐｍのストライプパターンとする。光源には２に
Ｗの高圧水銀灯を用いる（露光能カニ　１０ｍｗ／Ｃ■
謙、ｌ　ｓ　）、プロキシミティギャップ７０＃Ｌｍを
とり、６０秒間貢露光た後、アルカリ現像液にて現像す
る。現像後、純水にてリンスした後、１８０℃でポスト
ベークする０次に、エツチング液として、ＩＭ　ＦｅＣ
１ｚ、ＩＮ　ＨＣＩ、０．１Ｎ　ＨＮＯ３，０，１Ｎ　
Ｃｅ（ＮＯ＋）４からなる水溶液を準備し、　　ＩＴＯ
をエツチングする。

エツチングの終点は電気抵抗により泗定した。

前記エツチングには約４０分の時間を必要とした。

エツチング後、純水でリンスし、レジストをｌＮＮａＯ
Ｈにて剥離する。

以上の工程により、ガラス基板上にストライプ状の　Ｉ
ＴＯ電極を形成する。

レジストおよび　　　の形 導電性透明レジスト（富士ハントテクノロジー社製ＣＫ
）と絶縁性透明レジスト（アクリル系レジストセルソル
ブアセテート１０％溶液：東亜合成（株）社製）とを３
ｚ１重量部の比率で混合したものを遮光膜用レジスト（
ブラックマトリックス形成用レジスト）として用いる。

先に作成したＩＴＯ電極パターンニングガラス基板を１
０ｒｐ−で回転させ、この上に前記遮光膜用レジストを
３０ｃｃｌｌｌ霧する０次に、２５００ｒｐｍでスピン
コードして基板上に均一に製膜する。この基板を８０℃
で１５分間プリベークする。　２ｋｗの高圧水銀灯を有
するアライメント機能付露光機で位置合せをしながら、
ブラックマトリックスパターンの転写用マスクを介して
露光する。その後、現像液（富士ハントテクノ［Ｉジー
社製ＣＤを４倍稀釈したもの）を用いて３０秒間現像す
る。さらに、純水でリンスし、２００℃て１００分間ボ
ストベークを行なう、こうして、遮光膜（ブラックマト
リックス）を形成すると同時に、三原色の各々に対応す
る各電極線の電極取出窓口を形成する。

ミセル　　法によるカラーフィルタの ４文の純水にフェロセン銹導体ミセル化剤（同化化学社
製）、Ｌｉａｒ（和光純薬社製）およびクロモフタール
Ａ２Ｂ　　（チバガイギー社ｍ！りを加え、それぞれ２
ｍ１ｌ／Ｊｌ　、０．１１１／ｆＬ、　１０ｇ／ｉの濃
度の溶液とし、超音波ホモジナイザで３０分間分散させ
、ミセル溶液とした後、上記工程で得られた基板をミセ
ル溶液に浸漬しく電極取出領域は浸漬しない）、赤色色
素用電極線（ストライプ　Ｒ）にボテンシラスタクトを
接続し、０．５ｖで定電位電解を行ない、カラーフィル
タの赤色色素層を形成する。電解処理終了後、純水で洗
浄し、オーブン（１８０℃）でプレベークする。

同様にして、緑色色素としてヘリオゲングリーンＬ９３
６１　（ＢＡＳＦ２ｆｍｌりを用いて緑色色素層を、青
色色素としてヘリオゲンブルーに７０８０を、緑色色素
として（ＢＡＳＦ社製）を用いて青色色素層を順次形成
する。

このようにして得られたカラーフィルタのブラックスト
ライプ（遮光膜）は、Ｓ厚１．７．ｇｍ。

遮光率が９２％ときわめて高い上、面抵抗は１０７Ω／
Ｃ厘２であった。

ＲＧＢのフィルタの膜厚は０，６〜１．０ｇｍの範囲に
とどまり、きわめて凹凸の少ないカラーフィルタとなり
、通電電極以外の電極に薄膜か形成されることなく、カ
ラーフィルタを製造することかてきた。また、カラーフ
ィルタの抵抗値は１０’Ω／ｃｍ”となり導電性のカラ
ーフィルタであることか判ワた。

実施例２ 遮光膜用レジストとして、導電性透明レジスト（富士ハ
ントテクノロジー社製ＣＫ　）　、絶縁性有機顔料（赤
色）分散レジスト（富士ハントテクノ［Ｉｆ／−社製Ｃ
Ｒ）、絶縁性有機顔料（緑色）分散レジスト（富士ハン
トテクノロジー社製ＣＧ）、絶縁性有機顔料（青色）分
散レジスト（富士ハントテクノロジー社製Ｃａ１）を、
それぞれ３：１：１：１の比率て混合したレジストを用
い、ブラックマトリックスの形成時のスピンコードの回
転数を２００Ｏｒｐ■にしたこと以外は実施例１と同様
にしてカラーフィルタを製造した。

その結果、ブラックマトリックスの物性は、膜厚１．９
ＪＬｍ、遮光率が９３％ときわめて高い上１面抵抗は１
０Ｉ０Ω／ｃｍ２□となり、通電電極以外の電極に薄膜
か形成されることなく、カラーフィルタを製造すること
ができた。また、カラーフィルタの抵抗値はｌＯｓ０１
ｃｍ”となり導電性のカラーフィルタであることが判っ
た。

Ｋｌ輿ユ 遮光膜用レジストとして、導電性透明レジスト（富士ハ
ントテクノＵｆ／−社製Ｃに）と絶縁性透明レジスト（
アクリル系レジストアロニックスセルソルブアセテート
１０％溶液二東亜合成（株）社製）を１＝１重量部の比
率で混合したレジストを用い、ブラックマトリックス形
成時のスピンコードの回転数を１０００ｒｐ■にしたこ
と以外は、実施例１と同様にしてカラーフィルタを製造
した。

その結果、ブラックマトリックスの物性は、膜厚２ｊｕ
Ｌｍ、遮光率が９９％、面抵抗１０９Ω／Ｃ■２となり
、通電電極以外の電極に薄膜が形成されることなく、カ
ラーフィルタを製造することかてきた。また、カラーフ
ィルタの抵抗値は１０’Ω／Ｃ■２となり導電性のカラ
ーフィルタであることか判った。

Ｋ凰±Ａ 遮光膜用レジストとして、導電性粒子分散レジスト（導
電性粒子として酸化クロムを含むもの）、絶縁性透明レ
ジスト（アクリル系レジストアロニックスセルソルブア
セテート１０％溶液二東亜合成（株）社製）、絶縁性有
機顔料（赤色）分散レジスト（富士へントテク）ａジー
社製ＣＲ）、絶縁性有機顔料（青色）分散レジスト（富
士ハントテクノロジー社製ＣＢ）をそれぞれ１：１．５
：５：５重量部の比率で混合したレジストを用い、ブラ
ックマトリックスの形成時のスピンコードの回転数を２
０００ｒｐ腸にしたこと以外は、実施例１と同様にして
カラーフィルタを製造した。

その結果、ブラックマトリックスの物性は、膜厚１．９
ｐｍ、遮光率が９７％、面抵抗ＩＱＩ：ＩΩ／ｃｍ”と
なり、通電電極以外の電極に薄膜が形成されることなく
、カラーフィルタを製造することができた。また、カラ
ーフィルタの抵抗値は１０５Ω／ｃｍ”となり導電性の
カラーフィルタであることが判った。

宜」１１旦 遮光膜用レジストとして、絶縁性有機顔料（赤色）分散
レジスト（富士ハントテクノロジー社製ＣＲ）、絶縁性
有機顔料（青色）分散レジスト（富士ハントテクノロジ
ー社製ＣＢ）、絶縁性有機顔料（黒色）分散レジスト（
ＩＣリレンブラック含有；ＢＡＳＦ社製　：ＫＯＯ８４
）、絶縁性透明レジスト（アクリル系レジストアロニッ
クスセルソルブアセテー）１０％溶液二東亜治成（株）
社製）をそれぞれＩＳ：１５．３０：４Ｇ重量部の比率
で混合したレジストを用い、ブラックマトリックスの形
成時のスピンコードの回転数を２０００ｒｐ■にしたこ
と以外は、実施例１と同様にしてカラーフィルタを製造
した。

その結果、ブラックマトリックスの物性は、膜厚１．９
糾ｍ、遮光率か９９％、面抵抗１０１３Ω／Ｃ■２とな
り、通電電極以外の電極に薄膜か形成されることなく、
カラーフィルタを製°造することかできた。また、カラ
ーフィルタの抵抗値は１０５Ω／ｃｍ”となり導電性の
カラーフィルタであることが判った。

実施例６ 遮光膜用レジストとして、黒色有機顔料（ヘリレンブラ
ック、　ＢＡＳＦ社製二に００８４　）を絶縁性透明レ
ジスト（アクリル系レジストアロニックスセルソルブア
セテート１０％溶液：東亜合成（株）社製）に１：１．
４重量部の比率となるように分散させたレジストを用い
、ブラックマトリックスの形成時のスピンコードの回転
数を２０００ｒｐ■にしたこと以外は、実施例１と同様
にしてカラーフィルタを製造した。

その結果、ブラックマトリックスの物性は、膜厚１．９
１ｔ、　ｍ　、遮光率が９９％１面抵抗は１０１３Ω／
ｃｍ”となり、通電電極以外の電極に薄膜が形成される
ことなく、カラーフィルタを製造することができた。ま
た、カラーフィルタの抵抗値は１０５Ω／ｃｍ”となり
導電性のカラーフィルタであることか判った。

え直亘ｌ 遮光膜用レジストとして、黒色有機顔料（ペリレンブラ
ック、　ＢＡＳＦ社製　：ＫＱＯ８４）を絶縁性透明レ
ジスト（東しフォトニースＮＭＰ３％溶液二東し製）に
１：１．５重量部の比率となるように分散させたレジス
トを用い、ブラックマトリックスの形成時のスピンコー
ドの回転数を２０ＯＯｒｐ閣にしたこと以外は実施例１
と同様にしてカラーフィルタを製造した。

その結果、ブラックマトリックスの特性は、膜厚１．９
ｐｍ、遮光率が９７％、面抵抗は１０１３Ω／ｃｍ”と
なり、通電電極以外の電極に薄膜が形成されることなく
、カラーフィルタを製造することができた。また、カラ
ーフィルタの抵抗値は１０’Ω／ｃｍ２となり導電性の
カラーフィルタであることか判った。

ル（む１１ 遮光膜用レジストとして、絶縁性有機顔料（赤色）分散
レジスト（富士ハツトテクノロジー社製ＣＲ）、絶縁性
有機顔料（緑色）分散レジスト（富士へントテク１０ジ
ー社製ＣＧ）、絶縁性有機顔料（青色）分散レジスト（
富士ハツトテクノロジー社製ＣＢ）をそれぞれ１．５：
１：１重量部の比率て混合したレジストを用い、ブラッ
クマトリックスの形成時のスピンコードの回転数を４０
０ｒｐ■にしたこと以外は、実施例１と同様にしてカラ
ーフィルタを製造した。

その結果、ブラックマトリックスの物性は１Ｍ厚２．９
１Ｌｍ、遮光率が８８％、面抵抗は１０′３Ω／ｃｍ”
となり、通電電極以外の電極に薄膜か形成されることな
く、カラーフィルタを製造することができた。また、カ
ラーフィルタの抵抗値は１０’Ω／ｃｍ”となり導電性
のカラーフィルタであることが判った。

ル遺む１１ 遮光膜用レジストとして、導電性透明レジスト（富士ハ
ントテクノ０ジ一社製ＧＫ　）を用いたこと以外は、実
施例１と同様にしてカラーフィルタを製造した。

その結果、ブラックマトリックスの物性は、膜厚２．４
μｍ、遮光率が９９％１面抵抗】０５Ω／Ｃ■２となり
、第一色目の色素薄膜形成時に通電電極以外の電極にも
薄膜が形成され、カラーフィルタを製造することができ
なかった。

［発明の効果］ 以上説明したように１本発明の遮光膜用レジストは、高
絶縁性かつ高遮光性であるという優れた特性を有する。

また、本発明の遮光膜の製造方法によれば、遮光膜用レ
ジストとして前記高遮光性レジストを用いているため、
従来の三色（Ｒ，Ｇ、Ｂ）混合レジストによる遮光膜用
レジストを用いた場合に比べ、同じ膜厚では、遮光率が
５０ｚ程度高い遮光膜を製造することがてきる。

さらに１本発明のカラーフィルタの製造方法によれば、
遮光膜用レジストとして前記高絶縁性レジストを用いて
いるため、ミセル電解法や電着法によるＲＧＢカラーフ
ィルタを作成することが可能となり、カラーフィルタ形
成後、カラーフィルタ形成用電極（ＩＴＯ電極）を液晶
駆動用電極として用いることが可能となった。

また、カラーフィルタ形成時に遮光膜用レジストかなん
ら妨げとならないたけてなく、遮光膜用レジストの壁て
微細領域を仕切ることかてき、剥離や斑のない安定した
カラーフィルタの製造が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図はフォトリソグラフィ法による遮光膜の製造工程
の一具体例を示すフロー図である。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁性有機顔料分散レジストあるいは絶縁性透明
   レジストの少なくとも一種以上のレジストと、導電性透
   明レジストとを含有したことを特徴とする遮光膜用レジ
   スト。
2. （２）二種以上の絶縁性有機顔料分散レジストを含有し
   たことを特徴とする遮光膜用レジスト。
3. （３）絶縁性透明レジストに黒色有機顔料を分散させた
   ことを特徴とする遮光膜用レジスト。
4. （４）遮光膜としたときの面抵抗値が１０＾７Ω／ｃｍ
   ＾２以上である前記請求項１、２または３項記載の遮光
   膜用レジスト。
5. （５）前記請求項１、２または３項記載の遮光膜用レジ
   ストを用いてフォトリソグラフィ法により遮光膜を形成
   することを特徴とした遮光膜の製造方法。
6. （６）前記請求項２、３または４項記載の遮光膜用レジ
   ストの形成方法において、前記遮光膜を電極取出窓口帯
   を有するカラーフィルタ用ブラックマトリックス形状に
   形成することを特徴とした遮光膜の製造方法。
7. （７）ストライプ状にパターニングされたＩＴＯ電極の
   上に、前記請求項６に記載の製造方法によって、電極取
   出窓口帯を有するカラーフィルタ用ブラックマトリック
   ス形状をした遮光膜を形成し、その後にミセル電解法に
   よりカラーフィルタを作製することを特徴としたカラー
   フィルタの製造方法。