JPH04124824A - 半導体ウェハの洗浄方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的コ （産業上の利用分野） この発明は半導体製造プロセスにおいて、特に半導体ウ
ェハをエツチングまたは洗浄する半導体ウェハの洗浄方
法に関する。

（従来の技術） 従来、半導体ウェハの洗浄方法は次のようである。第３
図（ａ）に示されるように、処理槽２１の中に半導体ウ
ェハ２２がキャリヤ２３にセットされている。処理槽２
１中には下部の配管２４より薬液２５か供給されており
、バルブ２６が閉じられ、ウエノ＼２２は薬液２５中に
没している。薬液処理後は、第２図（ｂ）に示されるよ
うに、バルブ２６を開いて配管２４より処理槽２１中の
薬液を排出する。

このため、第３図（ａ）に示されるように、洗浄中にウ
ェハ２２から離脱したダスト２７は薬液面に浮遊する。

このダストは第３図（ｂ）のように薬液２５を排出する
ときに、薬液面とともに下がりながら処理槽２１の内壁
面やウェハ２２に再付着する。

特にＨＦでエツチングした場合は、シリコンウェハの表
面状態は非常に活性でダストを吸収し易くかつ除去が難
しい。ダストか付着した半導体ウェハは不良となる要因
を誘発し、半導体装置の歩留り低下の原因となる。

（発明か解決しようとする課題） このように、従来ては洗浄中に半導体ウェハから離脱し
たダストか薬液を排出するときに、薬液面とともに下が
りながら処理槽の内壁面やウェハに再付着する。これは
半導体装置の不良を誘発し、歩留りを低下させるという
という欠点がある。

この発明は上記のような事情を考慮してなされたもので
あり、その目的は、容易に洗浄時のダストの再付着を防
ぐことができる半導体ウェハの洗浄方法を提供すること
にある。

［発明の構成コ （課題を解決するための手段） この発明の半導体ウェハの洗浄方法は、半導体ウェハを
エツチングまたは洗浄する液体が処理槽の下部より配管
を介して供給され、前記処理槽を前記液体で充満させ前
記半導体ウェハが前記液体中にある状態で前記処理槽の
上部周縁から前記液体をオーバフローさせ、前記処理槽
の上部周縁に設けられた予備槽に前記液体を流出させる
ことにより前記液体中に浮遊したダストを前記処理槽か
ら排除することを特徴としている。

（作用） 二の発明の方法では、処理槽における薬液表面に浮遊し
たダストを予備槽に取り込んで排出することになるので
、処理シーケンス中でウェハ表面、処理槽壁面に再付着
するダストを容易に防止できる。

（実施例） 以下、図面を参照してこの発明を実施例により説明する
。

第１図（ａ）〜（ｄ）はそれぞれこの発明の一実施例に
よる半導体ウェハの洗浄方法を工程順に示す構成図であ
る。

まず、半導体ウェハを液体でエツチングまたは洗浄する
処理槽１の構成について説明する。処理槽１は半導体ウ
ェハが保持されるキャリヤ２、下部より薬液や純水か供
給、排出される配管３を具備している。配管３はバルブ
４を有し、配管３がらの薬液や純水の供給、排出を制御
する。さらにこの処理槽１の周囲には予備槽５が設けら
れている。この予備槽５は処理槽Ｉの底部より供給され
る薬液または純水のオーバーフロー分が溜まるように構
成されている。この予備槽５にも薬液や純水か排出され
る配管６が設けられている。

以下、半導体ウェハの洗浄処理について説明する。

第１図（ａ）に示すように、処理槽１には、下部に設け
られた配管３のバルブ４を開くことによって薬液８が供
給される。キャリヤ２に支持された半導体ウェハ７は、
薬液８によって洗浄される。

薬液処理後、ウェハ７から離脱したダスト９か薬液表面
に浮遊している。

次に、第１図（ｂ）に示すように、処理槽ｌの下部から
のさらなる薬液８　（または純水）の供給によって処理
槽１から薬液８をオーバフローさせる。これにより、薬
液表面に浮遊しているダスト９は予備槽５に流出する。

その後、ダスト９は予備槽５の配管６を介して排出され
る。

次に、第１図（ｃ）に示すように、処理槽１の配管３の
バルブ４を開き、下部より薬液８を排出する。このよう
にすれば、ウェハ７表面にダスト９が再付着することは
ない。

次に、第１図（ｄ）に示すように、薬液８交換のため、
配管３より純水１０を供給し処理槽１に充満させる。こ
のとき、純水をオーバフローさせれば、予備槽５の洗浄
も同時にできる。

上記上記実施例方法によれば、処理槽ｌにおける薬液８
表面に浮遊したダスト９を予備槽５に取り込んで排出す
ることになる。よって、処理槽１の薬液８を排出すると
きに、離脱したダストがウェハ表面、処理槽１壁面に再
付着しないように処理される。

第２図は上記実施例方法と従来方法との比較を示すダス
ト付着分布図である。薬液として希ＨＦを使った希ＨＦ
処理モードでＳｉウェハにこの発明の方法を実施した。

この結果、０．３μｍ以上のダストが従来方法では６７
個／ウェハに対して５個／ウェハになり、０．２μｍ以
上のダストが２０４個／ウェハがら１］個／ウェハにな
り、ダスト排除性が著しく向上している。

［発明の効果コ 以上説明したようにこの発明によれば、処理槽における
薬液表面に浮遊したダストを予備槽に取り込んで排出す
るので、容易に処理シーケンス中でウェハ表面、処理槽
壁面に再付着するダストを抑制することかできる。従っ
て、半導体製造上不良となる要因が低減でき、高い生産
効率及び高信頼性の半導体装置の製造を可能とする半導
体ウェハの洗浄方法か提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｄ）はそれぞれこの発明の一実施例に
係る半導体ウェハの洗浄方法を工程順に示す構成図、 第２図は上記実施例方法と従来方法との比較を示すダス
ト付着分布図、 第３図（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ従来の半導体ウェハ
の洗浄方法を工程順に示す構成図である。 Ｊ・・・処理槽、２・・・キャリヤ、３，６・・・配管
、４・・ハルツ、５・予備槽、７・・・ウェハ　訃・・
薬液、ダスト、 １０・・ 純水。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 半導体ウェハをエッチングまたは洗浄する液体が処理槽
   の下部より配管を介して供給され、前記処理槽を前記液
   体で充満させ前記半導体ウェハが前記液体中にある状態
   で前記処理槽の上部周縁から前記液体をオーバフローさ
   せ、 前記処理槽の上部周縁に設けられた予備槽に前記液体を
   流出させることにより前記液体中に浮遊したダストを前
   記処理槽から排除することを特徴とした半導体ウェハの
   洗浄方法。