JPH04116941A - 光半導体装置の製造方法 - Google Patents
光半導体装置の製造方法Info
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- JPH04116941A JPH04116941A JP2238418A JP23841890A JPH04116941A JP H04116941 A JPH04116941 A JP H04116941A JP 2238418 A JP2238418 A JP 2238418A JP 23841890 A JP23841890 A JP 23841890A JP H04116941 A JPH04116941 A JP H04116941A
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- Japan
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- optical semiconductor
- lead frame
- semiconductor element
- mask
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Die Bonding (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、リードフレーム上に光半導体素子をダイボン
ドして成る光半導体装置の製造方法に関し、特に、レン
ズ等による特殊な光学系内に実装体素子の位置精度を要
求される光半導体装置の製造方法に係る。
ドして成る光半導体装置の製造方法に関し、特に、レン
ズ等による特殊な光学系内に実装体素子の位置精度を要
求される光半導体装置の製造方法に係る。
〈従来技術〉
従来の光半導体装置のリードフレームの形状を第７図に
示す。
示す。
ダイボンド装置にて、光半導体素子をリードフレーム上
にダイボンドする場合、まずリードフレーム１のクレー
ドル２に設けられたパイロット孔３を基準としフレーム
位置を決定し、ついであらかじめ指定された座標（ダイ
ボンド位置）Ａに光半導体素子をダイボンドするように
なっている。
にダイボンドする場合、まずリードフレーム１のクレー
ドル２に設けられたパイロット孔３を基準としフレーム
位置を決定し、ついであらかじめ指定された座標（ダイ
ボンド位置）Ａに光半導体素子をダイボンドするように
なっている。
次に、従来の光半導体装置の製造方法について説明する
。
。
上記方法により、リードフレームに光半導体素子をダイ
ボンドした光半導体素子上の電極と、リードフレームと
間の電気的導通をとるため、金線等のボンディングワイ
ヤーをはり、前記パイロット孔３を位置基準としてモー
ルド金型により樹脂モールドを行ない、パイロット孔３
を含むリードフレームの不用部分をカットし、第６図の
ような光半導体装置が完成する。
ボンドした光半導体素子上の電極と、リードフレームと
間の電気的導通をとるため、金線等のボンディングワイ
ヤーをはり、前記パイロット孔３を位置基準としてモー
ルド金型により樹脂モールドを行ない、パイロット孔３
を含むリードフレームの不用部分をカットし、第６図の
ような光半導体装置が完成する。
なお、第６図中、４は外装である。
〈 発明が解決しようとする課題 〉
上記のようなダイボンド時のの位置決め方法では、ダイ
ボンド位置と、リードフレーム位置決め基準のパイロッ
ト孔とが離れているため、リードフレーム寸法のばらつ
きやリードフレームの傾き等により、ダイボンドされた
光半導体素子の位置はあらかじめ設定していた位置から
ずれが生じる。
ボンド位置と、リードフレーム位置決め基準のパイロッ
ト孔とが離れているため、リードフレーム寸法のばらつ
きやリードフレームの傾き等により、ダイボンドされた
光半導体素子の位置はあらかじめ設定していた位置から
ずれが生じる。
また、あらかじめ設定した光半導体素子の位置とそのず
れ量は補正する機構がないため、リードフレームに対す
る光半導体素子の位置精度が悪い。
れ量は補正する機構がないため、リードフレームに対す
る光半導体素子の位置精度が悪い。
また、従来の光半導体装置では、製品実装時の位置決め
基準はモールド外形を使用する場合が多い。したがって
、光半導体素子の位置とモールド外形は各々のリードフ
レームのクレードルの基準孔からのずれ量が加わるため
、基準モールド外形と光半導体素子位置の精度の向上が
難しい。
基準はモールド外形を使用する場合が多い。したがって
、光半導体素子の位置とモールド外形は各々のリードフ
レームのクレードルの基準孔からのずれ量が加わるため
、基準モールド外形と光半導体素子位置の精度の向上が
難しい。
本発明は、上記に鑑み、１口先半導体素子をリードフレ
ームにダイボンドする毎に光半導体素子の位置補正をか
け、リードフレームに対する光半導体素子のダイボンド
位置精度を向上させることができ、しかも実装基板と光
半導体素子の位置精度の向上が図れる光半導体装置の製
造方法の提供を目的とする。
ームにダイボンドする毎に光半導体素子の位置補正をか
け、リードフレームに対する光半導体素子のダイボンド
位置精度を向上させることができ、しかも実装基板と光
半導体素子の位置精度の向上が図れる光半導体装置の製
造方法の提供を目的とする。
く 課題を解決するための手段 〉
本発明による課題解決手段は、第１図ないし第５図の如
く、リードフレーム１０に、光半導体素子１１のダイボ
ンドに支障がなく、かつできる限りダイボンド位置Ｂに
近い位置に基準孔１８を設け、該基準孔！８に、ダイボ
ンド時に光半導体素子ＩＩの位置ずれ補正機能を有する
マスク１９の位置決めビン２０を挿入して位置決めし、
該マスク１９の光半導体素子１１を所定のダイボンド位
置Ｂに案内するためのガイド孔２２から前記光半導体素
子ｔｉをリードフレーム１０上にダイボンドし、その後
、前記マスク１９をリードフレームＩＯからはなし、前
記基準孔１８を残して光半導体素子１１を樹脂封止する
ものである。
く、リードフレーム１０に、光半導体素子１１のダイボ
ンドに支障がなく、かつできる限りダイボンド位置Ｂに
近い位置に基準孔１８を設け、該基準孔！８に、ダイボ
ンド時に光半導体素子ＩＩの位置ずれ補正機能を有する
マスク１９の位置決めビン２０を挿入して位置決めし、
該マスク１９の光半導体素子１１を所定のダイボンド位
置Ｂに案内するためのガイド孔２２から前記光半導体素
子ｔｉをリードフレーム１０上にダイボンドし、その後
、前記マスク１９をリードフレームＩＯからはなし、前
記基準孔１８を残して光半導体素子１１を樹脂封止する
ものである。
〈作用〉
上記課題解決手段において、ダイボンド時に、リードフ
レーム１０のダイボンド位置Ｂに近い位置に設けられた
基準孔１８にて、光半導体素子１１の位置ずれ補正機能
を有するマスク１９を位置決めすることで、リードフレ
ーム１０に対する光半導体素子１１のダイボンド位置精
度を向上させることができる。
レーム１０のダイボンド位置Ｂに近い位置に設けられた
基準孔１８にて、光半導体素子１１の位置ずれ補正機能
を有するマスク１９を位置決めすることで、リードフレ
ーム１０に対する光半導体素子１１のダイボンド位置精
度を向上させることができる。
また、最終製品形状に基準孔１８を残すことで、この基
準孔１８を基板実装時の位置決め孔として用いることが
でき、実装基板に対する光半導体素子の位置精度の向上
を図る。
準孔１８を基板実装時の位置決め孔として用いることが
でき、実装基板に対する光半導体素子の位置精度の向上
を図る。
〈実施例〉
以下、本発明の一実施例を第１図ないし第５図に基づい
て説明する。
て説明する。
第１図は本発明によるダイボンド位置決め方法を示す概
略図、第２図（ａ）〜（ｄ）は同じく光半導体素子のダ
イボンド方法を示す図、第３図は同じく光半導体装置の
完成品を示す斜視図、第４図は同じくリードフレームの
形状を示す図、第５図は同しくマスクの断面図である。
略図、第２図（ａ）〜（ｄ）は同じく光半導体素子のダ
イボンド方法を示す図、第３図は同じく光半導体装置の
完成品を示す斜視図、第４図は同じくリードフレームの
形状を示す図、第５図は同しくマスクの断面図である。
ボンドし、金線等のボンディングワイヤーにより内部結
線を施した後、これらを樹脂封止してなる。
線を施した後、これらを樹脂封止してなる。
なお、第３図中、１２は外装である。
前記リードフレームｌＯは、第４図の如く、複数のリー
ド端子＋３と、各リード端子１３の基端を支持するクレ
ードル１４と、リード端子１３の中間部を連結支持する
タイバー１５．１６とから構成されている。
ド端子＋３と、各リード端子１３の基端を支持するクレ
ードル１４と、リード端子１３の中間部を連結支持する
タイバー１５．１６とから構成されている。
そして、前記クレードルＩ４には、ダイボンド装置にて
光半導体素子１１をダイボンドする際に、フレーム位置
を決定するために基準となるパイロット孔１７が設けら
れている。
光半導体素子１１をダイボンドする際に、フレーム位置
を決定するために基準となるパイロット孔１７が設けら
れている。
また、前記タイバー１５．１６には、光半導体素子のダ
イボンドに支障がなく、かつできる限りダイボンド位置
已に近い場所に基準孔１８が設けられている。すなわち
、基準孔１８は、ｌピッチ内に２ケ所配置されることと
なる。
イボンドに支障がなく、かつできる限りダイボンド位置
已に近い場所に基準孔１８が設けられている。すなわち
、基準孔１８は、ｌピッチ内に２ケ所配置されることと
なる。
次に、上記光半導体装置の製造方法についてい詳述する
。
。
まず、第１図に基づいて光半導体素子１１のダイボンド
位置決め方法について説明すると、リードフレームｌＯ
の基準孔１８に光半導体素子１１の位置ずれ補正機能を
有するマスク１９を位置決めピン２０にて位置決めし、
該マスクＩ９を介して光半導体素子１１のダイボンドを
行う。
位置決め方法について説明すると、リードフレームｌＯ
の基準孔１８に光半導体素子１１の位置ずれ補正機能を
有するマスク１９を位置決めピン２０にて位置決めし、
該マスクＩ９を介して光半導体素子１１のダイボンドを
行う。
この動作を１ピツチ（ｌダイボンド）毎に行うことによ
り、各光半導体素子毎に位置補正を行うことができる。
り、各光半導体素子毎に位置補正を行うことができる。
また、リードフレームＩＯの基準孔１８を！ピッチ内に
２ケ所設け、マスク１９の位置合わせを２点にて行うこ
とにより、さらに精密なマスク位置精度が得られ光半導
体素子の位置精度を向上できる。
２ケ所設け、マスク１９の位置合わせを２点にて行うこ
とにより、さらに精密なマスク位置精度が得られ光半導
体素子の位置精度を向上できる。
ここで、マスク１９は、第５図の如く、マスク本体２１
と、マスク本体２１の中央部に形成され光半導体素子１
１を所定のダイボンド位置Ｂに案内するためのガイド孔
２２と、マスク本体２１の下面（リードフレームｌＯ側
）の基準孔１８と対応する位置に突出形成された一対の
位置決めピン２０とから構成されている。
と、マスク本体２１の中央部に形成され光半導体素子１
１を所定のダイボンド位置Ｂに案内するためのガイド孔
２２と、マスク本体２１の下面（リードフレームｌＯ側
）の基準孔１８と対応する位置に突出形成された一対の
位置決めピン２０とから構成されている。
そして、ガイド孔２３は、下部よりチップ厚と同等の位
置で光半導体素子１１のサイズと同等寸法となっており
、その最下部には、ダイボンド時のペースト付着を防止
するためベース付着防止カット２３が形成されている。
置で光半導体素子１１のサイズと同等寸法となっており
、その最下部には、ダイボンド時のペースト付着を防止
するためベース付着防止カット２３が形成されている。
また、位置決めピン２０は、第１図の如く、円すい形に
形成されており、円すいの低辺径は、リードフレームＩ
Ｏに設けた基準孔１８の孔径より大きく設定されている
。これにより、マスク本体２１を適度な剛性を有したば
ね性のもので保持し、ｘ、ｙ、θ方向に可動な構造とし
ておけば、マスク本体２１を上方から押えるだけでピン
２０にマスク本体２１ががガイドされ、精度よくリード
フレームｌＯとマスク１９の位置合わせを行うことがで
きる。
形成されており、円すいの低辺径は、リードフレームＩ
Ｏに設けた基準孔１８の孔径より大きく設定されている
。これにより、マスク本体２１を適度な剛性を有したば
ね性のもので保持し、ｘ、ｙ、θ方向に可動な構造とし
ておけば、マスク本体２１を上方から押えるだけでピン
２０にマスク本体２１ががガイドされ、精度よくリード
フレームｌＯとマスク１９の位置合わせを行うことがで
きる。
つづいて、第２図に基づいて光半導体素子１１のダイボ
ンド方法について説明すると、まず所定のピッチにて送
られ押えにより固定されたリードフレームｌＯの上方か
ら位置合わせマスク１９を押え付け、マスク１９の位置
決めピン２ｏとリードフレームｌＯの基準孔１８により
リードフレームｌＯとマスク１９の位置決めを行う（こ
の状態を第２図（ａ）に示す）。
ンド方法について説明すると、まず所定のピッチにて送
られ押えにより固定されたリードフレームｌＯの上方か
ら位置合わせマスク１９を押え付け、マスク１９の位置
決めピン２ｏとリードフレームｌＯの基準孔１８により
リードフレームｌＯとマスク１９の位置決めを行う（こ
の状態を第２図（ａ）に示す）。
次に、真空吸着により光半導体素子１１を保持したコレ
ット２４を下げていき、光半導体素子１１をリードフレ
ームｌＯ上にダイボンドする。この際、チップ１１はマ
スク１９のガイド孔２２にガイドされ位置補正されなが
らリードフレームｌＯのダイボンド位置Ｂにダイボンド
される（この状態を第２図（ｂ）に示す）。
ット２４を下げていき、光半導体素子１１をリードフレ
ームｌＯ上にダイボンドする。この際、チップ１１はマ
スク１９のガイド孔２２にガイドされ位置補正されなが
らリードフレームｌＯのダイボンド位置Ｂにダイボンド
される（この状態を第２図（ｂ）に示す）。
そして、ダイボンドが終了した後、マスク１９をリード
フレーム１０からはなしくこの状態を第２図（ｃ）に示
す）、ついで光半導体素子１１を押えているコレット２
４をはなしダイボンドが完了する（この状態を第２図（
ｄ）に示す）。
フレーム１０からはなしくこの状態を第２図（ｃ）に示
す）、ついで光半導体素子１１を押えているコレット２
４をはなしダイボンドが完了する（この状態を第２図（
ｄ）に示す）。
なお、第２図中、２５は銀ペーストである。
そして、上記ダイボンド工程完了後、基準孔１８を残し
て光半導体素子１１を樹脂封止し、リードフレームｌＯ
をカットすれば第３図に示した完成品となる。
て光半導体素子１１を樹脂封止し、リードフレームｌＯ
をカットすれば第３図に示した完成品となる。
このとき、ダイボンド時に光半導体素子１１の位置合わ
せの基準として使用したリードフレームｌＯの基準孔１
８を製品外形に残すことができるので、この基準孔１８
を基板実装時の位置決め基準として使用すれば、基板と
光半導体素子の位置精度の優れた実装が可能となる。
せの基準として使用したリードフレームｌＯの基準孔１
８を製品外形に残すことができるので、この基準孔１８
を基板実装時の位置決め基準として使用すれば、基板と
光半導体素子の位置精度の優れた実装が可能となる。
なお、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく
、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修正および変更
を加え得ることは勿論である。
、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修正および変更
を加え得ることは勿論である。
例えば、リードフレームｌＯの基準孔１８を１ピツチ内
に２ケ所以上設け、マスク１９の位置合わせを２点以上
にて行なうことにより、より−０マスク位置精度が得ら
れ光半導体素子の位置精度を向上できる。
に２ケ所以上設け、マスク１９の位置合わせを２点以上
にて行なうことにより、より−０マスク位置精度が得ら
れ光半導体素子の位置精度を向上できる。
〈発明の効果〉
以上の説明から明らかな通り、本発明によると、リード
フレームにダイボンドに支障がなく、かっできる限りボ
ンディング位置に近い場所に基準孔を設け、ダイボンド
時に光半導体素子の位置ずれ補正機能を有するマスクを
基準孔にて位置決めすることで、光半導体素子の位置（
受発光位置）精度の高い光半導体装置を実現できる。
フレームにダイボンドに支障がなく、かっできる限りボ
ンディング位置に近い場所に基準孔を設け、ダイボンド
時に光半導体素子の位置ずれ補正機能を有するマスクを
基準孔にて位置決めすることで、光半導体素子の位置（
受発光位置）精度の高い光半導体装置を実現できる。
また、最終製品形状に基準孔を残すことで、基準孔を基
板実装時の位置決め孔として用いることができ、受発光
位置に対し位置精度の高い位置決め基準を外形に有する
こととなり、実装時の受発光位置精度向上に有利な光半
導体装置を実現できる。
板実装時の位置決め孔として用いることができ、受発光
位置に対し位置精度の高い位置決め基準を外形に有する
こととなり、実装時の受発光位置精度向上に有利な光半
導体装置を実現できる。
第１図は本発明によるダイボンド位置決め方法を示す概
略図、第２図（ａ）〜（ｄ）は同じく光半導体素子のダ
イボンド方法を示す図、第３図は同じく光半導体装置の
完成品を示す斜視図、第４図は同じくリードフレームの
形状を示す図、第５図は同じくマスクの断面図、第６図
は従来の光半導体装置に係る完成品の斜視図、第７図は
同じくそのリードフレームの形状を示す図である。 ＩＯ：リードフレーム、 １、光半導体素子、 ８・基準孔、１９．マスク、２０：位置決めビン、２２
ニガイド孔、Ｂ・ダイボンド位置。 シャープ株式会社 中村恒久 第 図 第 工 第 図 第 第
略図、第２図（ａ）〜（ｄ）は同じく光半導体素子のダ
イボンド方法を示す図、第３図は同じく光半導体装置の
完成品を示す斜視図、第４図は同じくリードフレームの
形状を示す図、第５図は同じくマスクの断面図、第６図
は従来の光半導体装置に係る完成品の斜視図、第７図は
同じくそのリードフレームの形状を示す図である。 ＩＯ：リードフレーム、 １、光半導体素子、 ８・基準孔、１９．マスク、２０：位置決めビン、２２
ニガイド孔、Ｂ・ダイボンド位置。 シャープ株式会社 中村恒久 第 図 第 工 第 図 第 第
Claims (1)
- リードフレームに、光半導体素子のダイボンドに支障
がなく、かつできる限りダイボンド位置に近い位置に基
準孔を設け、該基準孔に、ダイボンド時に光半導体素子
の位置ずれ補正機能を有するマスクの位置決めピンを挿
入して位置決めし、該マスクの光半導体素子を所定のダ
イボンド位置に案内するためのガイド孔から前記光半導
体素子をリードフレーム上にダイボンドし、その後、前
記マスクをリードフレームからはなし、前記基準孔を残
して光半導体素子を樹脂封止することを特徴とする光半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2238418A JPH04116941A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 光半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2238418A JPH04116941A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 光半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04116941A true JPH04116941A (ja) | 1992-04-17 |
Family
ID=17029912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2238418A Pending JPH04116941A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 光半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04116941A (ja) |
-
1990
- 1990-09-07 JP JP2238418A patent/JPH04116941A/ja active Pending
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