JPH04114569U - Artificial diamond precipitation equipment - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 均一に人工ダイヤモンドを成膜させることが
できる人工ダイヤモンド析出装置の提供を目的とする。
【構成】 この考案の人工ダイヤモンド析出装置２１で
は、ワークホルダ９に複数の孔２４が形成されてなるこ
とを特徴としている。
【効果】 遊離炭素を含む反応ガスＧの流れは、ワーク
ホルダに向かう均一な層流となり、前記遊離炭素をワー
クホルダに保持された前記被処理材の表面に均一かつ速
やかに推積させることができ、極めて結晶性のよい人工
ダイヤモンドを析出させることができる。したがってワ
ークホルダに保持された全ての被処理材の表面に均一に
人工ダイヤモンドを成膜させることができ、製品歩留ま
りを大巾に向上させることができる。
(57) [Summary] [Purpose] The purpose is to provide an artificial diamond deposition device that can uniformly form an artificial diamond film. [Structure] The artificial diamond precipitation device 21 of this invention is characterized in that a plurality of holes 24 are formed in the work holder 9. [Effect] The flow of the reaction gas G containing free carbon becomes a uniform laminar flow toward the work holder, and the free carbon can be uniformly and quickly deposited on the surface of the workpiece held by the work holder. It is possible to precipitate artificial diamond with extremely good crystallinity. Therefore, the artificial diamond can be uniformly formed on the surfaces of all the workpieces held in the work holder, and the product yield can be greatly improved.
Description
【０００１】0001
この考案は、結晶性のよい人工ダイヤモンドを析出させることができるワーク ホルダを具備する人工ダイヤモンド析出装置に関するものである。 This idea is based on a workpiece that can deposit artificial diamond with good crystallinity. The present invention relates to an artificial diamond precipitation device equipped with a holder.
【０００２】0002
従来、人工ダイヤモンドの析出生成方法として多数の方法が提案され実用に供 されているが、中でもマイクロ波共振器（高エネルギー体）により反応室内にマ イクロ波無極放電域を形成し、この放電域において反応ガスを分解させて基板等 の被処理材の表面に人工ダイヤモンドを析出させる方法は、比較的簡単な装置で 安定した人工ダイヤモンド膜を高速で成膜することができることから、特に注目 されている方法である。 Many methods have been proposed and put into practical use as methods for producing synthetic diamonds. Among them, microwave resonators (high energy bodies) are used to create microwaves inside the reaction chamber. A microwave non-polar discharge area is formed, and the reactive gas is decomposed in this discharge area to cause damage to substrates, etc. The method of depositing artificial diamond on the surface of the treated material uses relatively simple equipment. It is attracting particular attention because it can form a stable artificial diamond film at high speed. This is how it is done.
【０００３】 上記の方法は、例えば、図５に示す様な人工ダイヤモンド析出装置（以下、単 に析出装置と略称する）１を用いて行われる。 この析出装置１は、基板（被処理材）２にダイヤモンドを析出させるための石 英製の反応室３と、該反応室３に主としてＣＨ4，Ｃ2Ｈ4等の炭化水素と該炭化 水素のキャリアガスとなるＨ2ガスとで構成される反応ガスＧを導入するアルミ ナ製の反応ガス導入管４と、前記反応室３から反応ガスＧを排出する反応ガス排 出管５とから概略構成されている。The above method is carried out using, for example, an artificial diamond precipitation apparatus (hereinafter simply referred to as a precipitation apparatus) 1 as shown in FIG. This precipitation apparatus 1 includes a reaction chamber 3 made of quartz for depositing diamond on a substrate (material to be treated) 2, and a reaction chamber 3 containing mainly hydrocarbons such as CH 4 and C 2 H 4 and the hydrocarbons. It is generally composed of an alumina reaction gas introduction pipe 4 for introducing a reaction gas G composed of H 2 gas serving as a carrier gas, and a reaction gas discharge pipe 5 for discharging the reaction gas G from the reaction chamber 3. There is.
【０００４】 反応室３には、制御機構６により制御され、該反応室３内を上下方向に移動自 在かつ任意の位置に固定自在なる昇降装置８が設けられており、該昇降装置８の 上部８ａには複数の基板２，…を支持するためのＭｏ製のワークホルダ９が固定 されている。また、このワークホルダ９の下面には熱電対１０が取り付けられて いる。0004 The reaction chamber 3 includes a mechanism that is controlled by a control mechanism 6 and that moves vertically within the reaction chamber 3. A lifting device 8 is provided which can be fixed at any position. A work holder 9 made of Mo for supporting a plurality of substrates 2, ... is fixed to the upper part 8a. has been done. Additionally, a thermocouple 10 is attached to the bottom surface of the work holder 9. There is.
【０００５】 また、この反応室３には、該反応室３の上部位置にワークホルダ９を移動した ときに、この上に支持された基板２の表面２ａと対向する所定間隔上方の位置に 、前記反応室３内にマイクロ波無極放電域３ａを形成するマイクロ波共振器（高 エネルギー体）１１が水平に設けられている。また、この反応室３の周囲には該 反応室３を所定温度に加熱するための電気炉１２が配設されている。[0005] Further, in this reaction chamber 3, a work holder 9 was moved to the upper position of the reaction chamber 3. Sometimes, at a position above the surface 2a of the substrate 2 supported thereon by a predetermined distance, , a microwave resonator (high An energy body) 11 is provided horizontally. Also, around this reaction chamber 3, there is a corresponding An electric furnace 12 for heating the reaction chamber 3 to a predetermined temperature is provided.
【０００６】 次に、この析出装置１を用いて基板２の表面２ａにダイヤモンドを成膜する方 法について説明する。 まず、反応ガス導入管４により反応ガスＧを反応室３内に導入し、この反応ガ スＧをマイクロ波無極放電域３ａからワークホルダ９に向かう様に垂直に流下さ せ、反応ガス排出管５により反応室３の外方へ排出させる。[0006] Next, how to form a diamond film on the surface 2a of the substrate 2 using this precipitation apparatus 1. Explain the law. First, the reaction gas G is introduced into the reaction chamber 3 through the reaction gas introduction pipe 4, and the reaction gas G is introduced into the reaction chamber 3. Flow G vertically from the microwave non-polar discharge area 3a toward the work holder 9. The reaction gas is then discharged to the outside of the reaction chamber 3 through the reaction gas discharge pipe 5.
【０００７】 この間、反応室３内の雰囲気圧力を１０〜３００ｔｏｒｒに保持しながらマイ クロ波共振器１１により周波数２.４５ＧＨｚ、５００Ｗの出力でマイクロ波無 極放電域３ａにマイクロ波無極放電を発生させ、反応ガスＧの加熱活性化を図る とともに、所定間隔下方に配置された基板２の表面２ａの温度を電気炉１２を用 いて８００〜１０００℃の範囲内で保ち、この状態で反応ガスＧを熱分解させて 基板２の表面２ａに人工ダイヤモンドを析出させる。[0007] During this time, while maintaining the atmospheric pressure in the reaction chamber 3 at 10 to 300 torr, No microwave at 2.45 GHz frequency and 500 W output using chroma wave resonator 11 A microwave non-polar discharge is generated in the polar discharge region 3a to heat and activate the reaction gas G. At the same time, the temperature of the surface 2a of the substrate 2 disposed below at a predetermined interval is controlled using the electric furnace 12. The reaction gas G is thermally decomposed in this state by keeping it within the range of 800 to 1000℃. Artificial diamond is deposited on the surface 2a of the substrate 2.
【０００８】 この場合、反応ガスＧはマイクロ波無極放電により分解されて活性化された遊 離炭素（Ｃ）となり、基板２の上方からワークホルダ９の周囲に向かって流れ、 この活性化された遊離炭素が基板２の表面２ａに速やかに推積し、該表面２ａに グラファイト構造とダイヤモンド構造が混在して形成される。ここでは、グラフ ァイト構造の方が弱い構造であるから反応ガスＧの分解時に生成される原子状の 水素（Ｈ）により表面２ａから選択的に除去されダイヤモンド構造のみが残るこ ととなる。[0008] In this case, the reactive gas G is decomposed and activated free radicals by microwave non-polar discharge. The released carbon (C) flows from above the substrate 2 toward the surroundings of the work holder 9, This activated free carbon is quickly deposited on the surface 2a of the substrate 2, and is deposited on the surface 2a of the substrate 2. It is formed by a mixture of graphite and diamond structures. Here, the graph Since the nitrite structure is a weaker structure, the atomic structure generated when the reaction gas G is decomposed is Hydrogen (H) selectively removes the diamond structure from the surface 2a, leaving only the diamond structure. It becomes.
【０００９】 ダイヤモンドが析出された基板２は、昇降装置８により下方に所定距離移動さ れ自然冷却される。[0009] The substrate 2 on which diamond has been deposited is moved downward a predetermined distance by the lifting device 8. It is then cooled down naturally.
【００１０】0010
しかしながら、上記の析出装置１には次の様な欠点があった。すなわち、図６ に示すように、マイクロ波無極放電域３ａからワークホルダ９に向かう反応ガス Ｇの流れは、ワークホルダ９を通り抜けることができないために、ワークホルダ ９の周囲１３に向いこの周囲１３から下方に流下することとなり、活性化された 遊離炭素は、中央部の基板２より外側の基板２により多く堆積することとなる。 したがって、外側に配置された基板２の表面２ａでは遊離炭素が速やかに推積さ れて弱い結合のグラファイト構造は反応ガスＧの分解時に生成される原子状の水 素により表面２ａから選択的に除去され良好な人工ダイヤモンドを析出すること ができるが、中央部に配置された基板２の表面２ａでは反応ガスＧの流れが弱い ために該基板２の表面２ａに推積される遊離炭素量が少なく、グラファイト構造 を選択除去することもできない等、様々な問題が生じることとなる。したがって 、良好な人工ダイヤモンドは外側に配置された基板２にしか析出されず、製品歩 留まりが極めて悪いという欠点があった。 However, the above-mentioned precipitation apparatus 1 had the following drawbacks. That is, Figure 6 As shown in FIG. Since the flow of G cannot pass through the work holder 9, the flow of G cannot pass through the work holder 9. It turned towards the surrounding area 13 of 9 and flowed downward from this surrounding area 13, and was activated. More free carbon will be deposited on the outer substrates 2 than on the central substrate 2. Therefore, free carbon is quickly accumulated on the surface 2a of the substrate 2 disposed on the outside. The weakly bonded graphite structure is composed of atomic water produced during the decomposition of the reactant gas G. Selectively removed from the surface 2a by the element to deposit good artificial diamond. However, the flow of the reactive gas G is weak on the surface 2a of the substrate 2 located in the center. Therefore, the amount of free carbon accumulated on the surface 2a of the substrate 2 is small, resulting in a graphite structure. Various problems will arise, such as the inability to selectively remove. therefore , good quality artificial diamond is deposited only on the outer substrate 2, and the product quality is It had the disadvantage of extremely poor retention.
【００１１】 人工ダイヤモンドを析出させるには、かなりの反応時間を必要とするものであ るから、上記の製品歩留まりの低下は装置の効率を著るしく低下させることとな る。[0011] Precipitating artificial diamonds requires a considerable amount of reaction time. Therefore, the above reduction in product yield will significantly reduce the efficiency of the equipment. Ru.
【００１２】 この考案は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、以上の欠点を有効に 解決することができる析出装置を提供することにある。0012 This invention was made in view of the above circumstances, and effectively overcomes the above drawbacks. The objective is to provide a precipitation device that can solve the problem.
【００１３】[0013]
上記課題を解決するために、この考案は次の様な析出装置を採用した。 すなわち、被処理材にダイヤモンドを析出させるための反応室と、該反応室に 反応ガスを導入する反応ガス導入管と、前記反応室から反応ガスを排出する反応 ガス排出管と、前記被処理材を支持するワークホルダと、前記反応室の上部位置 に移動した前記ワークホルダに支持される前記被処理材の表面と対向する位置に 設けられた高エネルギー体とを具備してなる析出装置において、前記ワークホル ダには複数の孔が形成されてなることを特徴としている。 In order to solve the above problems, this invention adopted the following precipitation apparatus. In other words, there is a reaction chamber for depositing diamond on the material to be treated, and a reaction chamber for depositing diamond on the material to be treated. A reaction gas introduction pipe for introducing a reaction gas, and a reaction gas introduction pipe for discharging the reaction gas from the reaction chamber. a gas exhaust pipe, a work holder that supports the material to be treated, and an upper position of the reaction chamber; at a position facing the surface of the workpiece supported by the work holder that has been moved to In the precipitation apparatus comprising: a high-energy body provided with the workholder; It is characterized by having a plurality of holes formed in it.
【００１４】[0014]
この考案の析出装置では、ワークホルダに複数の孔が形成されていることによ り、高エネルギー体からワークホルダに向かう反応ガスの流れは、ワークホルダ を通過し流下する。ワークホルダ上の反応ガスの流れは上下方向の均一な層流と なり、高エネルギー体により分解されて生成した活性化された遊離炭素は、ワー クホルダに保持された被処理材の表面に均一に推積する。 In the precipitation device of this invention, multiple holes are formed in the work holder. The flow of reaction gas from the high-energy body to the work holder is passes through and flows down. The flow of reaction gas on the workholder is a uniform laminar flow in the vertical direction. The activated free carbon generated by decomposition by high-energy bodies is It is applied uniformly onto the surface of the material to be treated held in the holder.
【００１５】[0015]
以下、この考案の実施例について図面を基に説明する。 この考案の析出装置２１は、従来例で説明した析出装置１の構成要素であるワ ークホルダ９を改良したものであり、この改良したワークホルダ以外の構成要素 については同一の番号を付し、説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of this invention will be described based on the drawings. The precipitation device 21 of this invention is a component of the precipitation device 1 explained in the conventional example. This is an improved work holder 9, and the components other than this improved work holder are The same numbers will be given to the same numbers, and the explanation will be omitted.
【００１６】 図２に示す様に、ワークホルダ２２は、円形状の石英板２３の周囲を除く部分 にＭｏ製の網（複数の孔）２４が形成されたものである。[0016] As shown in FIG. 2, the work holder 22 has a portion excluding the periphery of the circular quartz plate 23. A net (a plurality of holes) 24 made of Mo is formed in the hole.
【００１７】 次に、このワークホルダ２２の作用について図１を参照して説明する。 反応室３に導入された反応ガスＧは、マイクロ波無極放電域３ａの上方からワ ークホルダ２２に向い、該ワークホルダ２２の網２４を通過して流下する。[0017] Next, the function of this work holder 22 will be explained with reference to FIG. 1. The reaction gas G introduced into the reaction chamber 3 is heated from above the microwave non-polar discharge area 3a. The liquid flows toward the work holder 22, passes through the net 24 of the work holder 22, and flows down.
【００１８】 この間、反応ガスＧはマイクロ波無極放電域３ａにおいてマイクロ波無極放電 により分解されて遊離炭素（Ｃ）となり、この遊離炭素を含む反応ガスＧの流れ は、ワークホルダ２２に向かう均一な層流となり、ワークホルダ２２に保持され た基板２の表面２ａに均一かつ速やかに推積することとなり、弱い結合のグラフ ァイト構造は反応ガスＧの分解時に生成される原子状の水素により表面２ａから 選択的に除去され極めて結晶性のよい人工ダイヤモンドが析出する。[0018] During this time, the reaction gas G is discharged in the microwave non-polar discharge region 3a. is decomposed into free carbon (C), and the flow of reaction gas G containing this free carbon becomes a uniform laminar flow toward the work holder 22, and the flow is held by the work holder 22. As a result, the graph of weak bonding The nitrite structure is formed from the surface 2a by atomic hydrogen generated during the decomposition of the reaction gas G. It is selectively removed and artificial diamond with extremely good crystallinity is deposited.
【００１９】 いま、上記のワークホルダ２２を用い、 反応ガス組成：容量割合でＨ2／ＣＨ4＝１０００cc／min／８cc／min マイクロ波無極放電域３ａと基板２の表面２ａとの距離：５mm 反応室３内の雰囲気圧力：２０torr マイクロ波共振器１１の出力：周波数２.４５ＧＨｚ、５００Ｗ 反応時間：５時間 冷却：自然冷却（炉冷） の条件で人工ダイヤモンドの析出を行ったところ、基板２の表面２ａには、平均 膜厚４μmの人工ダイヤモンド膜が均一に形成された。また、ワークホルダ２１に 保持された基板２の全てに均一な人工ダイヤモンド膜が形成されており、従来と 比べて製品の歩留まりが大幅に向上することがわかった。Now, using the above work holder 22, reaction gas composition: H 2 /CH 4 in volume ratio = 1000 cc/min/8 cc/min Distance between microwave non-polar discharge region 3a and surface 2a of substrate 2: 5 mm Atmospheric pressure in reaction chamber 3: 20 torr Output of microwave resonator 11: frequency 2.45 GHz, 500 W Reaction time: 5 hours Cooling: natural cooling (furnace cooling) When artificial diamond was deposited under the following conditions, substrate 2 An artificial diamond film having an average thickness of 4 μm was uniformly formed on the surface 2a. It was also found that a uniform artificial diamond film was formed on all of the substrates 2 held by the work holder 21, and the yield of products was significantly improved compared to the conventional method.
【００２０】 以上説明した様に、この考案の析出装置によれば、ワークホルダ２２は円形状 の石英板２３の周囲を除く部分にＭｏ製の網２４が形成されているので、遊離炭 素を含む反応ガスＧの流れは、ワークホルダ２２に向かう均一な層流となり、前 記遊離炭素をワークホルダ２２に保持された基板２の表面２ａに均一かつ速やか に推積させることができ、弱い結合のグラファイト構造は原子状水素により選択 的に除去され極めて結晶性のよい人工ダイヤモンドを析出させることができる。 したがってワークホルダ２２に保持された全ての基板２の表面２ａに均一に人工 ダイヤモンドを成膜させることができ、製品歩留まりを大巾に向上させることが できる。[0020] As explained above, according to the precipitation apparatus of this invention, the work holder 22 has a circular shape. Since the Mo net 24 is formed in the area excluding the periphery of the quartz plate 23, free carbon is removed. The flow of the reactant gas G containing the element becomes a uniform laminar flow toward the work holder 22, and The free carbon is uniformly and quickly applied to the surface 2a of the substrate 2 held by the work holder 22. It can be deduced that the weakly bonded graphite structure is selected by atomic hydrogen. artificial diamond with extremely good crystallinity can be precipitated. Therefore, the surface 2a of all the substrates 2 held on the work holder 22 is uniformly It is possible to form a diamond film and greatly improve product yield. can.
【００２１】 図３のワークホルダ３１も、前記ワークホルダ２１と同様に従来例のワークホ ルダ９を改良したものである。 このワークホルダ３１は、円形状の石英板３２の周囲を除く部分にパンチング により格子（複数の孔）３３が形成されたものである。このワークホルダ３１に おいても、前記ワークホルダ２１と全く同一の作用、効果を有する。[0021] The work holder 31 in FIG. 3 is also similar to the work holder 21 of the conventional example. This is an improved version of Ruda9. This work holder 31 is punched in a circular quartz plate 32 except for its periphery. A lattice (a plurality of holes) 33 is formed. to this work holder 31 Even if the work holder 21 is used, it has exactly the same functions and effects as the work holder 21.
【００２２】 図４のワークホルダ４１も、前記ワークホルダ２１，３１と同様に従来例のワ ークホルダ９を改良したものである。 このワークホルダ４１は、円形状の石英板４２の周囲を除く部分にパンチング により複数の孔４３，…が形成されたものである。このワークホルダ４１におい ても、前記ワークホルダ２１，３１と全く同一の作用、効果を有する。[0022] The work holder 41 in FIG. 4 is also similar to the work holders 21 and 31 of the conventional example. This is an improved version of the archive holder 9. This work holder 41 punches a circular quartz plate 42 except for its periphery. A plurality of holes 43, . . . are formed. This work holder 41 smell However, it has exactly the same functions and effects as the work holders 21 and 31.
【００２３】[0023]
以上説明した様に、この考案の析出装置によれば、被処理材にダイヤモンドを 析出させるための反応室と、該反応室に反応ガスを導入する反応ガス導入管と、 前記反応室から反応ガスを排出する反応ガス排出管と、前記被処理材を支持する ワークホルダと、前記反応室の上部位置に移動した前記ワークホルダに支持され る前記被処理材の表面と対向する位置に設けられた高エネルギー体とを具備して なる析出装置において、前記ワークホルダには複数の孔が形成されてなることと したので、遊離炭素を含む反応ガスＧの流れは、ワークホルダに向かう均一な層 流となり、前記遊離炭素をワークホルダに保持された前記被処理材の表面に均一 かつ速やかに推積させることができ、弱い結合のグラファイト構造は選択的に除 去され極めて結晶性のよい人工ダイヤモンドを析出させることができる。したが ってワークホルダに保持された全ての被処理材の表面に均一に人工ダイヤモンド を成膜させることができ、製品歩留まりを大巾に向上させることができる。 As explained above, according to the precipitation apparatus of this invention, diamond can be applied to the material to be treated. a reaction chamber for precipitation; a reaction gas introduction pipe for introducing a reaction gas into the reaction chamber; A reaction gas discharge pipe for discharging the reaction gas from the reaction chamber, and supporting the material to be treated. a work holder, and a device supported by the work holder that has been moved to an upper position of the reaction chamber. and a high-energy body provided at a position facing the surface of the treated material. In the precipitation apparatus, the work holder has a plurality of holes formed therein. Therefore, the flow of the reaction gas G containing free carbon is a uniform layer toward the work holder. The free carbon is uniformly spread over the surface of the workpiece held in the work holder. It can be estimated quickly, and weakly bonded graphite structures can be selectively removed. It is possible to precipitate artificial diamond with extremely good crystallinity. However, Artificial diamond is uniformly applied to the surface of all the workpieces held in the work holder. can be formed into a film, and the product yield can be greatly improved.
【図１】本考案の析出装置の反応ガスの流れを示す図で
ある。FIG. 1 is a diagram showing the flow of reaction gas in the precipitation apparatus of the present invention.
【図２】本考案の析出装置のワークホルダの一例を示す
全体斜視図である。FIG. 2 is an overall perspective view showing an example of a work holder of the precipitation apparatus of the present invention.
【図３】本考案の析出装置のワークホルダの一例を示す
全体斜視図である。FIG. 3 is an overall perspective view showing an example of a work holder of the precipitation apparatus of the present invention.
【図４】本考案の析出装置のワークホルダの一例を示す
全体斜視図である。FIG. 4 is an overall perspective view showing an example of a work holder of the precipitation apparatus of the present invention.
【図５】従来の析出装置の概略図である。FIG. 5 is a schematic diagram of a conventional precipitation apparatus.
【図６】従来の析出装置の反応ガスの流れを示す図であ
る。FIG. 6 is a diagram showing the flow of reaction gas in a conventional precipitation apparatus.
２１ 人工ダイヤモンド析出装置 ２ 基板（被処理材） ２ａ 表面 ３ 反応室 ３ａ マイクロ波無極放電域 ４ 反応ガス導入管 ５ 反応ガス排出管 ６ 制御機構 ８ 昇降装置 ９ ワークホルダ １０ 熱電対 １１ マイクロ波共振器（高エネルギー体） １２ 電気炉 ２２ ワークホルダ ２３ 石英板 ２４ 網（複数の孔） ３１ ワークホルダ ３２ 石英板 ３３ 格子（複数の孔） ４１ ワークホルダ ４２ 石英板 ４３ 孔 21 Artificial diamond precipitation device 2 Substrate (material to be processed) 2a Surface 3 Reaction chamber 3a Microwave non-polar discharge area 4 Reaction gas introduction pipe 5 Reaction gas exhaust pipe 6 Control mechanism 8 Lifting device 9 Work holder 10 Thermocouple 11 Microwave resonator (high energy body) 12 Electric furnace 22 Work holder 23 Quartz plate 24 Net (multiple holes) 31 Work holder 32 Quartz plate 33 Grid (multiple holes) 41 Work holder 42 Quartz plate 43 hole
Claims (1)
めの反応室と、該反応室に反応ガスを導入する反応ガス
導入管と、前記反応室から反応ガスを排出する反応ガス
排出管と、前記被処理材を支持するワークホルダと、前
記反応室の上部位置に移動した前記ワークホルダに支持
される前記被処理材の表面と対向する位置に設けられた
高エネルギー体とを具備してなる人工ダイヤモンド析出
装置において、前記ワークホルダには、複数の孔が形成
されてなることを特徴とする人工ダイヤモンド析出装
置。1. A reaction chamber for depositing diamond on a material to be treated, a reaction gas introduction pipe for introducing a reaction gas into the reaction chamber, a reaction gas discharge pipe for discharging the reaction gas from the reaction chamber, An artificial body comprising a work holder that supports a material to be treated, and a high-energy body provided at a position facing the surface of the material to be treated supported by the work holder that has been moved to an upper position of the reaction chamber. An artificial diamond precipitation apparatus, characterized in that the work holder has a plurality of holes formed therein.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2665391U JP2534081Y2 (en) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | Artificial diamond deposition equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2665391U JP2534081Y2 (en) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | Artificial diamond deposition equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04114569U true JPH04114569U (en) | 1992-10-08 |
| JP2534081Y2 JP2534081Y2 (en) | 1997-04-30 |
Family
ID=31911087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2665391U Expired - Lifetime JP2534081Y2 (en) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | Artificial diamond deposition equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2534081Y2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4029528A1 (en) * | 2021-01-13 | 2022-07-20 | Koninklijke Philips N.V. | Exterior surface structure of a radiation exit window |
-
1991
- 1991-03-27 JP JP2665391U patent/JP2534081Y2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4029528A1 (en) * | 2021-01-13 | 2022-07-20 | Koninklijke Philips N.V. | Exterior surface structure of a radiation exit window |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2534081Y2 (en) | 1997-04-30 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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