【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]
（産業上の利用分野）
本発明は窒化アルミニウムセラミツク基板の表
面に金属層を形成する方法に関するものである。
（従来の技術）
セラミツク基板を電子回路用の基板又はヒート
シンク、絶縁基板として用いる場合、セラミツク
ス上に金属層を形成することが必要である。従来
からセラミツクス上に金属層を形成する方法とし
ては、スパツタ、蒸着などの薄膜法、スクリーン
印刷などを用い、電極ペーストを焼き付ける厚膜
法、無電解メツキによる方法、薄膜又は厚膜法で
電極を付け、この上に電解メツキを施す方法など
種々の方法が行われている。
セラミツク上に形成した金属層は次に示すよう
なことが一般に要求される。すなわち、(1)金属層
とセラミツクスの層の密着性が良いこと、(2)金属
層の電気抵抗が低いこと、(3)微細なパターンを形
成できることなどである。
これに加え電気回路の中で特に高密度、高出力
デバイスを実装するようなパツケージング基板、
ヒートシンクなどでは金属層とセラミツクスが熱
的にも抵抗を持つことなく接合されることが要求
されている。
（発明が解決しようとする問題点）
従来から行われているセラミツクス上の金属層
形成方法はこれらの点を全て満足することは難し
く、その用途によつて使い分けていた。すなわち
電極、導体の精度が要求されるものについては薄
膜法が利用されているが、この場合生産性コスト
の点と、金属層の厚さを厚くすることが困難なた
め、金属層の抵抗値の点で問題があつた。
また電極ペーストを用いる厚膜法では工程的に
も容易に、量産化ができるため低コストになるが
配線などの精度に限界があり、電極としての電気
抵抗もバルク金属と同等にすることはむずかしく
使用用途は限られていた。
これらの問題を解決するため、薄膜法と電解メ
ツキ、厚膜法と電解メツキを組み合せて、特性の
改善を計ることも行われているが、この場合は工
程が複雑になり、コストの増加を伴うため、使用
用途が限定されてしまつていた。
このような問題点を解決する方法として、無電
解メツキ法によつてセラミツクス上に金属を形成
する技術が研究開発されており、アルミナ基板な
どでは一部の用途に使用されている例もある。
しかしながら従来の無電解メツキ技術では金属
層とセラミツクスと密着強度を充分に上げること
ができない問題点があつた。
高密度、高出力用半導体デバイスのパツケージ
ング基板やヒートシンクのような金属層とセラミ
ツクスとの界面での熱抵抗が問題となるような用
途ではセラミツクスと金属層が直接密着すること
が望まれるが、密着強度が比較的大きい厚膜法を
用いると、金属層およびセラミツクスと金属層の
間に密着性を保つためのガラスあるいは酸化物が
存在するため、熱抵抗が大きくなる問題があつ
た。
また最近高熱伝導率セラミツクス材料として注
目されている窒化アルミニウムセラミツクス基板
では、従来の厚膜法を用いても充分な密着強度が
得られなかつたり、金属層とセラミツクス層の間
に酸化物あるいは酸素が拡散した層が形成され熱
抵抗の値を大幅に大きくするなどの問題があつ
た。
本発明では以上の点にかんがみ、密着強度が優
れ、金属層とセラミツクスの間に熱の伝導を阻害
する物質の介在を全くなくすことによつて、熱抵
抗を小さくし、しかも金属層は緻密な純度の高い
金属層を形成することによつて、電気抵抗の低い
金属層を形成することができる窒化アルミニウム
セラミツクス基板の製造方法を提供しようとする
ものである。
（問題を解決するための手段）
以下本発明を詳細に説明すると、本発明は窒化
アルミニウムセラミツク基板をアルカリ溶液を用
いて、表面処理することによつてセラミツクス表
面に口のあるオープンポアを形成し、この基板上
に無電解メツキによつて金属層を形成することを
特徴とするものである。
窒化アルミニウムセラミツクス基板を表面処理
するためのアルカリは水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム、水酸化リチウムなどをはじめとするア
ルカリ金属、アルカリ土類金属の水酸化物、炭酸
塩炭酸水素塩などの水溶液や、アンモニア、アミ
ンなどのアルカリ性を示すアルカリ水溶液が含ま
れる。また無電解メツキによつて金属層を形成す
る方法としては一般に酸性、アルカリ性、中性い
ずれの浴を用いてもよい。金属としても、ニツケ
ル銅の他にも銀、金、クロムなどの無電解メツキ
が可能な金属は全て含まれる。
（作用）
窒化アルミニウムはアルカリに対して加水分解
を起こすことが知られているが、窒化アルミニウ
ムセラミツクスをアルカリ水溶液中に浸漬すると
セラミツクスの小さいグレインの所が選択的にエ
ツチングされ、その結果セラミツク表面に小さな
空孔が形成され、しかもこの空孔は、表面より中
にはいるに従つて空孔径が大きくなるようなツボ
形またはアンカー形状のものが生成することが本
発明者らによつて初めて見いだされた。そしてこ
のように形成した窒化アルミニウムセラミツク基
板表面の空孔には、無電解メツキによつて、金属
がスキ間なく充填され、この結果従来になく密着
性の優れた金属層を窒化アルミニウムセラミツク
基板上に形成できることが初めて見出された。
さらに接合が物理的、機械的に行われており、
しかも接合している面積が実効的に広くなつてい
るため、熱的な抵抗については従来の方法に比ら
べ著しく小さくなることが期待される。
また本発明の方法による金属層は非常に緻密に
形成できるため、電気特性についても厚膜法によ
るものに比らべ特性が良くなる。
さらに電子回路用基板としての配線パターンの
精度についても、金属層がセラミツクス表面に強
固に密着しているため、感光樹脂を用いたエツチ
ング法などと適用することで、薄膜法に近い微細
な回路パターンを形成することが可能である。
実施例 １
ホツトプレス法により合成した窒化アルミニウ
ムセラミツクス基板をPH12の脱脂用アルカリ溶液
（例えば株式会社キザイ製セラクリーン507）中に
70℃の温度で所定の時間浸漬する。浸漬後、充分
に水洗し、次に一般に行われている無電解メツキ
プロセスによつてニツケルの無電解メツキを行
う。ここではその一例として、市販の無電解メツ
キシステムを用いたプロセスを示す。セラミツク
基板を水洗後、超音波洗浄機中でイオン交換水を
用い、５分間超音波洗浄する。この後感性化を行
うため感性化液（例えば株式会社キザイ製セラセ
ンシ）中に５分間18〜22℃の温度で浸漬する。次
に水洗後、触媒付与液（例えば株式会社キザイ製
アクチーセラ）中に５分間25〜30℃の温度で浸漬
する。次に水洗後活性化液（例えば株式会社キザ
イ製セラーアクセ）中に３分間25〜30℃の温度で
浸漬する。
さらに水洗後無電解メツキ液（例えば株式会社
キザイ製ナイコーCER）中に90℃で１分間浸漬
する。水洗後150℃で30分間乾燥する。このプロ
セスによつて窒化アルミニウム基板上に約1μｍ
のニツケル金属層が形成する。
このようにして形成したニツケル金属層上にレ
ジスト液を塗布し、光マスクを用いて所定の寸法
を露光現像する。この基板をニツケルのエツチン
グ液に浸漬し、２mm×２mmのニツケルパツドを形
成するようにエツチングする。
このようにして形成したパツドにリード線をハ
ンダ付けし、引張り試験機を用い、ニツケル金属
層の密着強度を測定した。
第１図にはアルカリ液の中に浸漬した時間と密
着強度の関係を示すが、アルカリ液に浸漬するこ
とによつて密着強度が著しく増大し、実用に耐え
うる強度を示している。
なお第１図中には参考例として、アルカリ中に
浸漬しなかつたものもあげてある。アルカリ中に
浸漬することによつて、密着強度が飛躍的に向上
している。
実施例 ２
常圧焼結法により合成した窒化アルミニウム基
板をエタノール中で超音波洗浄を10分間行う。
この後、1mol／ｄm3の濃度に調整した水酸化
ナトリウム水溶液中に所定時間室温で浸漬する。
浸漬後、水洗し、次に市販されている一液型触
媒液（日立化成製、HS−101B）中に４分間浸漬
する。
さらに水洗後、促進液（日立化成製、ADP−
101）の中に１分間浸漬する。
この後、水洗し、次の第１表に示すニツケル無
電解メツキ浴中に浸漬し、ニツケルの無電解メツ
キを行う。約2μｍの厚みになるように80分間メ
ツキ浴中に浸漬しニツケルを析出し、水洗乾燥を
行う。
ニツケルメツキ浴は90℃の温度に保ち、PHは
4.0であつた。
(Industrial Application Field) The present invention relates to a method for forming a metal layer on the surface of an aluminum nitride ceramic substrate. (Prior Art) When using a ceramic substrate as a substrate for electronic circuits, a heat sink, or an insulating substrate, it is necessary to form a metal layer on the ceramic. Conventional methods for forming metal layers on ceramics include thin film methods such as sputtering and vapor deposition, screen printing, etc., thick film methods by baking electrode paste, electroless plating methods, and thin film or thick film methods for forming electrodes. Various methods have been used, such as attaching the plate and applying electrolytic plating thereon. The metal layer formed on ceramic is generally required to: That is, (1) good adhesion between the metal layer and the ceramic layer, (2) low electrical resistance of the metal layer, and (3) ability to form fine patterns. In addition to this, packaging boards that mount especially high-density, high-output devices in electrical circuits,
In heat sinks and the like, metal layers and ceramics are required to be bonded together without any thermal resistance. (Problems to be Solved by the Invention) Conventional methods for forming metal layers on ceramics have difficulty satisfying all of these points, and have been used differently depending on the application. In other words, the thin film method is used for electrodes and conductors that require precision, but in this case, the resistance value of the metal layer is There was a problem with this. In addition, the thick film method using electrode paste is easy in terms of process and can be mass-produced, resulting in low costs, but there are limits to the precision of wiring, etc., and it is difficult to make the electrical resistance of the electrode the same as that of bulk metal. Its uses were limited. To solve these problems, attempts are being made to improve properties by combining thin film methods and electrolytic plating, or thick film methods and electrolytic plating, but in this case, the process becomes complicated and costs increase. As a result, its usage has been limited. As a way to solve these problems, research and development has been carried out on technology for forming metal on ceramics by electroless plating, and there are examples of this being used for some applications, such as on alumina substrates. However, the conventional electroless plating technique has the problem that it is not possible to sufficiently increase the adhesion strength between the metal layer and the ceramic. In applications where thermal resistance at the interface between a metal layer and ceramic is a problem, such as packaging substrates and heat sinks for high-density, high-output semiconductor devices, it is desirable that the ceramic and metal layer be in direct contact with each other. When a thick film method with relatively high adhesion strength is used, there is a problem that thermal resistance becomes large due to the presence of glass or oxide to maintain adhesion between the metal layer and the ceramic and metal layer. Furthermore, with aluminum nitride ceramic substrates, which have recently attracted attention as a high thermal conductivity ceramic material, sufficient adhesion strength may not be obtained even when using conventional thick film methods, and oxides or oxygen may be present between the metal layer and the ceramic layer. There were problems such as the formation of a diffused layer, which significantly increased the value of thermal resistance. In view of the above points, the present invention has excellent adhesion strength, reduces thermal resistance by completely eliminating the presence of substances that inhibit heat conduction between the metal layer and ceramics, and has a dense metal layer. The object of the present invention is to provide a method for manufacturing an aluminum nitride ceramic substrate that can form a metal layer with low electrical resistance by forming a metal layer with high purity. (Means for Solving the Problems) The present invention will be described in detail below.The present invention forms open pores with openings on the ceramic surface by surface treating an aluminum nitride ceramic substrate using an alkaline solution. , is characterized in that a metal layer is formed on this substrate by electroless plating. Alkali for surface treatment of aluminum nitride ceramic substrates include aqueous solutions of alkali metals such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, lithium hydroxide, hydroxides of alkaline earth metals, carbonates and hydrogen carbonates, Includes alkaline aqueous solutions such as ammonia and amines. Further, as a method for forming a metal layer by electroless plating, generally any acidic, alkaline, or neutral bath may be used. In addition to nickel-copper, all metals that can be electrolessly plated include silver, gold, and chromium. (Function) Aluminum nitride is known to be hydrolyzed by alkali, but when aluminum nitride ceramics are immersed in an alkaline aqueous solution, the small grains of the ceramic are selectively etched, resulting in damage to the ceramic surface. The present inventors discovered for the first time that small pores are formed, and these pores have a pot-shaped or anchor-shaped shape in which the diameter of the pores increases from the surface to the inside. It was. The pores on the surface of the aluminum nitride ceramic substrate thus formed are filled with metal without any gaps by electroless plating, resulting in a metal layer with unprecedented adhesion on the aluminum nitride ceramic substrate. It was discovered for the first time that it can be formed into Furthermore, the joining is done physically and mechanically,
Moreover, since the bonded area is effectively expanded, thermal resistance is expected to be significantly smaller than in conventional methods. Furthermore, since the metal layer formed by the method of the present invention can be formed very densely, its electrical properties are also better than those formed by the thick film method. Furthermore, regarding the accuracy of wiring patterns for electronic circuit boards, since the metal layer is tightly adhered to the ceramic surface, by applying etching methods using photosensitive resin, fine circuit patterns similar to thin film methods can be achieved. It is possible to form Example 1 An aluminum nitride ceramic substrate synthesized by the hot press method was placed in an alkaline degreasing solution of PH12 (for example, Ceraclean 507 manufactured by Kizai Co., Ltd.).
Soak for the specified time at a temperature of 70°C. After dipping, the material is thoroughly washed with water, and then electroless plating of nickel is performed using a commonly used electroless plating process. Here, as an example, a process using a commercially available electroless plating system is shown. After washing the ceramic substrate with water, it is ultrasonically cleaned for 5 minutes using ion-exchanged water in an ultrasonic cleaner. After this, for sensitization, the sample is immersed in a sensitizing solution (for example, Cerasensi manufactured by Kizai Co., Ltd.) for 5 minutes at a temperature of 18 to 22°C. Next, after washing with water, it is immersed in a catalyst application liquid (for example, Acti-Cera manufactured by Kizai Co., Ltd.) at a temperature of 25 to 30°C for 5 minutes. Next, after washing with water, it is immersed in an activation solution (for example, Cellar Access manufactured by Kizai Co., Ltd.) at a temperature of 25 to 30°C for 3 minutes. Further, after washing with water, it is immersed in an electroless plating solution (for example, Naiko CER manufactured by Kizai Co., Ltd.) at 90° C. for 1 minute. After washing with water, dry at 150℃ for 30 minutes. By this process, approximately 1 μm thick film is deposited on aluminum nitride substrate.
A nickel metal layer is formed. A resist solution is applied onto the nickel metal layer thus formed, and a predetermined dimension is exposed and developed using a photomask. This substrate is immersed in a nickel etching solution and etched to form a 2 mm x 2 mm nickel pad. A lead wire was soldered to the pad thus formed, and the adhesion strength of the nickel metal layer was measured using a tensile tester. FIG. 1 shows the relationship between the adhesion strength and the time of immersion in the alkaline solution, and it shows that the adhesion strength increases significantly by immersion in the alkaline solution, and shows a strength that can withstand practical use. In addition, in FIG. 1, as a reference example, a sample that was not immersed in an alkali is also shown. By immersing it in alkali, the adhesion strength is dramatically improved. Example 2 An aluminum nitride substrate synthesized by pressureless sintering is ultrasonically cleaned in ethanol for 10 minutes. Thereafter, it is immersed in an aqueous sodium hydroxide solution adjusted to a concentration of 1 mol/dm 3 at room temperature for a predetermined time. After immersion, it is washed with water, and then immersed in a commercially available one-component catalyst solution (manufactured by Hitachi Chemical, HS-101B) for 4 minutes. Furthermore, after washing with water,
101) for 1 minute. Thereafter, it is washed with water and immersed in a nickel electroless plating bath shown in Table 1 below to perform nickel electroless plating. The nickel is deposited by immersing it in a plating bath for 80 minutes to a thickness of approximately 2 μm, followed by washing with water and drying. The Nikkelmecki bath is kept at a temperature of 90℃, and the pH is
It was 4.0.
【表】
このようにして窒化アルミニウム基板上にニツ
ケル層を形成したあと、実施例１と同様の方法に
よつて２mm×２mmのパツド状にニツケルをエツチ
ングし、リード線をハンダ付けして密着強度を測
定した。
水酸化ナトリウム水溶液中に浸漬した時間と密
着強度を関係は第２図のようになり、水酸化ナト
リウム水溶液中に浸漬することによつて飛躍的に
密着強度が増大し、実用に耐えうるものとなつて
いる。
第３図は本発明の適用された窒化アルミニウム
セラミツクス基板の断面図であり、図示するよう
にセラミツクス基板２の表面に金属層１が形成さ
れ、微細なつぼ状またはアンカー状の空孔の中に
金属が充填され、金属の柱３を形成している。
第４図は本発明の適用された窒化アルミニウム
セラミツク基板をセラミツク部分をエツチングし
て、金属層のみを残したものの、セラミツク接合
面側の横から見た金属組織の走査型電子顕微鏡写
真であり、セラミツクス表面に形成した空孔の中
に充填された金属の柱が認められる。
実施例 ３
常圧焼結法により合成した窒化アルミニウム基
板をエタノール柱で超音波洗浄を10分間行う。
この後1mol／ｄm3の濃度に調整した水酸化カ
リウム水溶液中に60分浸漬する。
浸漬後水洗し、次に市販されている一液型触媒
液（日立化成製HS−101B）中に４分間浸漬す
る。
さらに水洗後促進液（日立化成製ADP−101）
の中に１分間浸漬する。
この後水洗し、第３表に示す銅無電解メツキ浴
中に浸漬し、銅の無電解メツキを行う。約2μｍ
のメツキ厚さになるように80分間メツキ浴中に浸
漬し、水洗乾燥を行う。
銅メツキ浴は60℃の温度に保ち、PHはNaOH
によつて12.5に調整し、空気中でメツキを行つ
た。
このようにして窒化アルミニウム基板上に銅の
金属層を形成した後、実施例１と同様の方法でフ
オトリングラフイー技術によつて所定のレジスト
層を形成し、塩化第２鉄溶液によつてエツチング
処理を行い、２mm×２mmの寸法の銅パツドが形成
するように銅をエツチングした。
このようにして形成した銅パツド上にリード線
をハンダ付けし、引張り試験機を用い銅層のセラ
ミツクとの密着強度を測定した結果3.0Kg／mm2の
密着強度を示した。この密着強度は充分実用に耐
えうる強度である。[Table] After forming the nickel layer on the aluminum nitride substrate in this way, the nickel was etched into a 2 mm x 2 mm pad shape using the same method as in Example 1, and the lead wires were soldered to strengthen the adhesion. was measured. The relationship between the adhesion strength and the time of immersion in the sodium hydroxide aqueous solution is shown in Figure 2, and the adhesion strength increases dramatically by immersion in the sodium hydroxide aqueous solution, making it suitable for practical use. It's summery. FIG. 3 is a cross-sectional view of an aluminum nitride ceramic substrate to which the present invention is applied, and as shown in the figure, a metal layer 1 is formed on the surface of a ceramic substrate 2, and inside fine pot-shaped or anchor-shaped holes. It is filled with metal to form a metal column 3. FIG. 4 is a scanning electron micrograph of the metal structure of an aluminum nitride ceramic substrate to which the present invention is applied, after etching the ceramic portion and leaving only the metal layer, as seen from the side of the ceramic bonding surface. Metal columns filled in the pores formed on the ceramic surface can be seen. Example 3 An aluminum nitride substrate synthesized by pressureless sintering is ultrasonically cleaned using an ethanol column for 10 minutes. Thereafter, it is immersed in an aqueous potassium hydroxide solution adjusted to a concentration of 1 mol/dm 3 for 60 minutes. After immersion, the sample is washed with water, and then immersed in a commercially available one-component catalyst solution (HS-101B manufactured by Hitachi Chemical) for 4 minutes. Furthermore, after washing with water, the accelerator solution (ADP-101 manufactured by Hitachi Chemical)
Soak in water for 1 minute. Thereafter, it is washed with water and immersed in a copper electroless plating bath shown in Table 3 to perform electroless plating of copper. Approximately 2μm
Soak in a plating bath for 80 minutes to a plating thickness of 100 ml, then wash and dry with water. The copper plating bath is kept at a temperature of 60℃, and the pH is NaOH.
It was adjusted to 12.5 using After forming a copper metal layer on the aluminum nitride substrate in this way, a prescribed resist layer was formed using photolithography technology in the same manner as in Example 1, and a resist layer was formed using a ferric chloride solution. An etching process was performed to etch the copper so as to form a copper pad with dimensions of 2 mm x 2 mm. A lead wire was soldered onto the copper pad thus formed, and the adhesion strength between the copper layer and the ceramic was measured using a tensile tester, and the result showed an adhesion strength of 3.0 kg/mm 2 . This adhesion strength is sufficient for practical use.
【表】
（発明の効果）
本発明を適用するならばセラミツクスと金属層
を物理的、機械的に接合することによつて、セラ
ミツクスと金属層の密着性を著しく向上せしめ、
しかも熱伝導性を問題とする用途にも、介在層、
接着層が存在しないため、接合面での熱抵抗はほ
とんど考慮する必要がなく、また、電子回路形成
のためのパターニングについても、エツチング法
などにより薄膜と同程度の精度を実現することが
可能である。
またこのような構造によつて金属層の信頼性が
増すため、生産時のバラツキが少なくなり、大量
生産によるコストダウンも可能となる。
なお本発明の実施例ではニツケルを金属層とし
て形成しているか無電解メツキによつて金属層を
形成できる金属であるばニツケルの他にも、金、
銀、クロム、鉄、銅などでも同様の効果が得られ
る。さらに本発明の製造方法ではアルカリ溶液中
に浸漬することによつて、窒化アルミニウムセラ
ミツク基板の表面に空孔を形成することが特徴で
あるため、空孔中に充填する金属の種類とその表
面に形成する金属は別であつても同様の効果があ
る。またアルカリ水溶液についても実施例では水
酸化ナトリウム水溶液を用いたが、アルカリ金属
アルカリ土類金属の水酸化物、炭酸塩アンモニア
水溶液などアルカリ性を示すものであれば本実施
例と全く同じ効果を示す。
なお本発明の実施例では無電解メツキで一般に
行われている感応化工程、活性化工程あるいはア
クチベーターアクセレータ法などの触媒化処理工
程を用いて無電解メツキを行つているが、本発明
の方法を用いると、これらの触媒化処理工程を行
なわず単に水洗後、無電解メツキ浴中にセラミツ
ク基板を浸漬して金属を析出させても２Kg／mm2以
上の充分実用に耐えうる密着強度を実現した。
これは本発明による密着性を得るに充分なアン
カーがセラミツク基板表面に存在し、しかもこの
部分が若干の触媒活性もあるためと考えられる。[Table] (Effects of the invention) If the present invention is applied, the adhesion between the ceramic and metal layer can be significantly improved by physically and mechanically bonding the ceramic and metal layer.
Moreover, for applications where thermal conductivity is an issue, intervening layers,
Since there is no adhesive layer, there is almost no need to consider thermal resistance at the bonding surface, and when it comes to patterning for electronic circuit formation, it is possible to achieve the same level of precision as thin films using etching methods. be. Furthermore, since such a structure increases the reliability of the metal layer, variations during production are reduced, and costs can be reduced through mass production. In addition, in the embodiments of the present invention, nickel is used as the metal layer, or gold, gold,
Similar effects can be obtained with silver, chromium, iron, copper, etc. Furthermore, the manufacturing method of the present invention is characterized by forming pores on the surface of the aluminum nitride ceramic substrate by immersing it in an alkaline solution. The same effect can be obtained even if the metal used is different. In addition, as for the alkaline aqueous solution, a sodium hydroxide aqueous solution was used in the example, but any alkaline aqueous solution such as an alkali metal alkaline earth metal hydroxide or an ammonia carbonate aqueous solution will exhibit exactly the same effect as the present example. In the examples of the present invention, electroless plating is performed using a catalytic treatment process such as a sensitization process, an activation process, or an activator-accelerator method, which are generally performed in electroless plating, but the method of the present invention By using this method, even if the ceramic substrate is simply washed with water and then immersed in an electroless plating bath to deposit metal without performing these catalytic treatment steps, it is possible to achieve an adhesion strength of 2 kg/mm 2 or more that is sufficient for practical use. did. This is thought to be because sufficient anchors exist on the surface of the ceramic substrate to obtain the adhesion according to the present invention, and this portion also has some catalytic activity.
【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]
第１図、第２図は本発明の製造方法によつて作
成した金属層を形成した窒化アルミニウム基板の
アルカリ浸漬時間と金属層の密着強度の関係を示
したものである。第３図は本発明にかかる金属で
被覆されたセラミツクス基板の部分拡大断面図、
第４図は本発明にかかるセラミツクス基板のアン
カー状の空孔形状を示す金属組織の走査型電子顕
微鏡写真。
図において、１は金属層、２はセラミツクス、
３は金属の柱を示す。
FIGS. 1 and 2 show the relationship between the alkali immersion time and the adhesion strength of the metal layer of an aluminum nitride substrate on which a metal layer was formed by the manufacturing method of the present invention. FIG. 3 is a partially enlarged sectional view of a ceramic substrate coated with metal according to the present invention;
FIG. 4 is a scanning electron micrograph of the metal structure showing the anchor-like pore shape of the ceramic substrate according to the present invention. In the figure, 1 is a metal layer, 2 is a ceramic layer,
3 indicates a metal pillar.