JPH04107155A - サーマルヘッドの製造方法 - Google Patents
サーマルヘッドの製造方法Info
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- JPH04107155A JPH04107155A JP22553490A JP22553490A JPH04107155A JP H04107155 A JPH04107155 A JP H04107155A JP 22553490 A JP22553490 A JP 22553490A JP 22553490 A JP22553490 A JP 22553490A JP H04107155 A JPH04107155 A JP H04107155A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、熱転写プリンタや感熱プリンタに使用するサ
ーマルヘッドの製法に関し、特に発熱体モノニールを多
数連結することにより形成されたライン型のサーマルヘ
ッドの製造方法に関する。
ーマルヘッドの製法に関し、特に発熱体モノニールを多
数連結することにより形成されたライン型のサーマルヘ
ッドの製造方法に関する。
「従来の技術」
第11図は、従来のライン型サーマルヘッドを示すもの
である。このものは、複数の発熱体モジュール8・が連
結されてなるものである。発帖体モジュール8は、基板
lとしてアルミナを用いており、連結部7により複数個
結合されて長尺化されている。これら基板1・・・上に
は一列に発熱体20か形成されている。発熱体20は、
第12図に示すように基板1上に形成されたガラスグレ
ーズ製の蓄熱層2と、基板1との上に形成された発熱抵
抗体層3と、これらの発熱抵抗体層3に電流を供給する
ために形成された導体層4とから構成されている。そし
て発熱体20には、導体層4と抵抗体層3とによって発
熱部6がドツト状に形成されている。そしてこれらの上
には、これらを酸化ならびに摩耗から保護するための保
護層5が形成されている。
である。このものは、複数の発熱体モジュール8・が連
結されてなるものである。発帖体モジュール8は、基板
lとしてアルミナを用いており、連結部7により複数個
結合されて長尺化されている。これら基板1・・・上に
は一列に発熱体20か形成されている。発熱体20は、
第12図に示すように基板1上に形成されたガラスグレ
ーズ製の蓄熱層2と、基板1との上に形成された発熱抵
抗体層3と、これらの発熱抵抗体層3に電流を供給する
ために形成された導体層4とから構成されている。そし
て発熱体20には、導体層4と抵抗体層3とによって発
熱部6がドツト状に形成されている。そしてこれらの上
には、これらを酸化ならびに摩耗から保護するための保
護層5が形成されている。
このサーマルヘッドは、インクリボンあるいは感熱紙な
どの記録媒体(図示せず)に接した状態で使用される。
どの記録媒体(図示せず)に接した状態で使用される。
そしてサーマルヘッドの発熱部6に電流を印加して発熱
させると、インクリボンのインクを熱転写したり、記録
媒体を発色させることができる。
させると、インクリボンのインクを熱転写したり、記録
媒体を発色させることができる。
7発明が解決しようとする課題」
このような従来のライン型サーマルヘッドは、大形基板
に複数個まとめて製作された発鳩体モノニール8・・を
個々に切断して、切断面を研摩後、該発熱体モジュール
を放熱体にグイボンドして長尺化することより製作され
ている。このようにライン型サーマルヘッドを製作する
際には、サーマルヘッドの印字品質を低下させないため
に、発熱体20・の間隔(ドツトギャップ)を一定に保
つ必要がある。すなわち第13図に示すように発熱体モ
ンユール8.8の連結部7におけるドツトギャップ9を
、各発熱体モジュール8中のドツトギャップlOと等し
くする必要がある。しかしながら、発熱体20.20間
のドツトギャップ10は、10〜1511mと極めて小
さいため、連結部7の部分でのドツトギャップ9を発熱
体モジュール8中におけるドツトギャップlOと合わせ
るためには、発熱体モジュール8の切断面の面精度を極
めて高くしなければならない。このため発熱体モジュー
ル8の切断面を精密に研摩する必要が生じ、製造工程数
か多く、コストが高いという課題があった。
に複数個まとめて製作された発鳩体モノニール8・・を
個々に切断して、切断面を研摩後、該発熱体モジュール
を放熱体にグイボンドして長尺化することより製作され
ている。このようにライン型サーマルヘッドを製作する
際には、サーマルヘッドの印字品質を低下させないため
に、発熱体20・の間隔(ドツトギャップ)を一定に保
つ必要がある。すなわち第13図に示すように発熱体モ
ンユール8.8の連結部7におけるドツトギャップ9を
、各発熱体モジュール8中のドツトギャップlOと等し
くする必要がある。しかしながら、発熱体20.20間
のドツトギャップ10は、10〜1511mと極めて小
さいため、連結部7の部分でのドツトギャップ9を発熱
体モジュール8中におけるドツトギャップlOと合わせ
るためには、発熱体モジュール8の切断面の面精度を極
めて高くしなければならない。このため発熱体モジュー
ル8の切断面を精密に研摩する必要が生じ、製造工程数
か多く、コストが高いという課題があった。
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、印字品質に
優れたサーマルヘッドを精密研摩せずに製造できるうえ
、製造工程数を大幅に削減できるサーマルヘッドの製造
方法を提供することを目的とする。
優れたサーマルヘッドを精密研摩せずに製造できるうえ
、製造工程数を大幅に削減できるサーマルヘッドの製造
方法を提供することを目的とする。
rH題を解決するための手段」
本発明のサーマルヘッドの製造方法では、(110)面
方位のシリコン基板に異方性エツチングを利用して、(
111)面と平行な方向に延びる溝を一定間隔置きに形
成し、ついでこの基板の表層部に多孔質酸化シリコン層
を形成した後、多孔質酸化シリコン層の上に発熱体を一
定ギャップ間隔で形成し、この後、シリフン基板の裏面
から前記溝の底部まで切削して、ノリフン基板を複数に
分割し個々の発熱体モジュールとした後、これら発熱体
モノニールの前記溝であった切断面の部分をつき合わせ
て多数連結さ廿長尺化することを課題解決の手段とした
。
方位のシリコン基板に異方性エツチングを利用して、(
111)面と平行な方向に延びる溝を一定間隔置きに形
成し、ついでこの基板の表層部に多孔質酸化シリコン層
を形成した後、多孔質酸化シリコン層の上に発熱体を一
定ギャップ間隔で形成し、この後、シリフン基板の裏面
から前記溝の底部まで切削して、ノリフン基板を複数に
分割し個々の発熱体モジュールとした後、これら発熱体
モノニールの前記溝であった切断面の部分をつき合わせ
て多数連結さ廿長尺化することを課題解決の手段とした
。
1作用 」
本発明のサーマルヘッドの製造方法では、ノリコン基板
に異方性エツチングにより予め分割用の溝を形成するの
で、各発熱体モジュールを正確な位置で切断できるうえ
切断面の面精度が高く研摩が不要となる。
に異方性エツチングにより予め分割用の溝を形成するの
で、各発熱体モジュールを正確な位置で切断できるうえ
切断面の面精度が高く研摩が不要となる。
また本発明のサーマルヘッドの製造方法では、シリコン
基板の裏面から溝の底部までを切削することによって最
終的な切断を行なうので、各発熱体モジュールを効率良
く分割することができる。
基板の裏面から溝の底部までを切削することによって最
終的な切断を行なうので、各発熱体モジュールを効率良
く分割することができる。
「実施例」
以下、図面を参照して本発明のサーマルヘッドの製造方
法を詳しく説明する。
法を詳しく説明する。
第9図は、本発明のサーマルヘッドの製造方法の一実施
例で製造されたサーマルヘッドを示すものである。
例で製造されたサーマルヘッドを示すものである。
このものは、発熱体モジュール■9・・・が多数個連結
されたものである。これら発熱体モジュール19・・は
、基板IIとしてノリコンウェハーを用いており、連結
部7により結合されて長尺化されている。これら基板I
I・・上には一列に発熱体21・が形成されている。各
発熱体21は、第10図に示すように基板IIの表面上
に形成された多孔質酸化シリコン層】2と、この上に形
成された発熱抵抗体fN3と、発熱抵抗体層3に電流を
供給するための導体層4とから構成されている。そして
発熱体21には、導体a4と抵抗体層3とによって発熱
部6がドツト状に形成されている。そして発%[6と導
体114上には、これらを酸化ならびに摩耗から保護す
るための保護Ni5が形成されている。
されたものである。これら発熱体モジュール19・・は
、基板IIとしてノリコンウェハーを用いており、連結
部7により結合されて長尺化されている。これら基板I
I・・上には一列に発熱体21・が形成されている。各
発熱体21は、第10図に示すように基板IIの表面上
に形成された多孔質酸化シリコン層】2と、この上に形
成された発熱抵抗体fN3と、発熱抵抗体層3に電流を
供給するための導体層4とから構成されている。そして
発熱体21には、導体a4と抵抗体層3とによって発熱
部6がドツト状に形成されている。そして発%[6と導
体114上には、これらを酸化ならびに摩耗から保護す
るための保護Ni5が形成されている。
次に本実施例のサーマルヘッドの製造方法を第1図ない
し第8図に沿って説明する。
し第8図に沿って説明する。
この製造方法では、
■ まず、第1図に示すように基板11として(110
)面方位のシリコンウェハーを準備し、後述する溝15
の延びる方向、すなわち後に切断を行なう方向が(Il
l)面に平行になるように基板11を配置する。
)面方位のシリコンウェハーを準備し、後述する溝15
の延びる方向、すなわち後に切断を行なう方向が(Il
l)面に平行になるように基板11を配置する。
■ 次に第2図に示すようにノリコンウェハーを熱酸化
して、この表面に5iOy膜のマスク13を形成し、こ
の膜の溝部形成予定領域14にフォトリソエツチングに
より帯状の窓を開ける。この窓は、(Ill)面と平行
な方向に延びるように形成される。また、裏面側のSi
O!膜については後述の■の工程で電極を取り出すため
に除去する。
して、この表面に5iOy膜のマスク13を形成し、こ
の膜の溝部形成予定領域14にフォトリソエツチングに
より帯状の窓を開ける。この窓は、(Ill)面と平行
な方向に延びるように形成される。また、裏面側のSi
O!膜については後述の■の工程で電極を取り出すため
に除去する。
■ 次いでこのSi0g膜をマスク13として、KOH
水溶液により、基板11をエツチングすると、シリコン
の結晶方位によってエツチング比が200倍程変異なる
ことより、第3図に示すように基板11にほぼ垂直で基
板厚みの半分程度の深さまで溝15が形成される。この
11f15は、(111)面と平行な方向に延びるよう
に形成される。
水溶液により、基板11をエツチングすると、シリコン
の結晶方位によってエツチング比が200倍程変異なる
ことより、第3図に示すように基板11にほぼ垂直で基
板厚みの半分程度の深さまで溝15が形成される。この
11f15は、(111)面と平行な方向に延びるよう
に形成される。
■ 次に第4図に示すように溝I5・・方向に直交する
方向の蓄熱層形成予定領域16・・を除いて、基板11
表面にネガレジスト製マスクI7を形成する。
方向の蓄熱層形成予定領域16・・を除いて、基板11
表面にネガレジスト製マスクI7を形成する。
5 次いて白金板を陰極にしrコミ解槽に濃度20wt
%のフッ化水素酸水溶液を入れ、上記基板IIを陽極と
して白金板と対向させ、直流で陽極化成処理することよ
り多孔質ノリコン層を形成する。
%のフッ化水素酸水溶液を入れ、上記基板IIを陽極と
して白金板と対向させ、直流で陽極化成処理することよ
り多孔質ノリコン層を形成する。
この後、多孔性ノリコンを大気中において850℃〜1
000℃で熱酸化し、第5図に示すように多孔質酸化ノ
リコン層12を形成した。
000℃で熱酸化し、第5図に示すように多孔質酸化ノ
リコン層12を形成した。
■ 次に多孔質酸化シリコンF!12の上に部分的にT
a+N Ta−Cr−N Ta−5ift等をスパ
ッタリングし、0.05〜0.3μmの発熱抵抗体層3
を形成後、さらにその上にA(!、Ni−Cr/Auを
蒸着して厚さ1〜2μmの導体層4を形成することによ
り、第10図に示すような発熱体21を作成した。ここ
で発熱部6となる部分は、導体層4をフォトリソグラフ
ィによりエツチングして抵抗体層3を露出させた。第6
図に示すように発熱体21間相互のドツトギャップIO
は約10〜15μmであった。
a+N Ta−Cr−N Ta−5ift等をスパ
ッタリングし、0.05〜0.3μmの発熱抵抗体層3
を形成後、さらにその上にA(!、Ni−Cr/Auを
蒸着して厚さ1〜2μmの導体層4を形成することによ
り、第10図に示すような発熱体21を作成した。ここ
で発熱部6となる部分は、導体層4をフォトリソグラフ
ィによりエツチングして抵抗体層3を露出させた。第6
図に示すように発熱体21間相互のドツトギャップIO
は約10〜15μmであった。
■ 次いで多孔質酸化シリコン層12を形成した領域の
上にS 10 t/ T ato s、サイアロン等を
スパッタリングすることによって、第7図に示すような
厚さ5〜7μ社の保護層5を形成した。
上にS 10 t/ T ato s、サイアロン等を
スパッタリングすることによって、第7図に示すような
厚さ5〜7μ社の保護層5を形成した。
■ 次に基板11の裏面から溝15の底部に達するまで
グイシングツ−で切断して、第8図に示すように、シリ
コン基板11を分割した。
グイシングツ−で切断して、第8図に示すように、シリ
コン基板11を分割した。
■ 分割された基板11・・を多数連結して、第9図に
示すようなライン型のサーマルヘッドを製造した。ここ
で基板11間の連結部7のドツトギャップ9は、約15
μmであった。
示すようなライン型のサーマルヘッドを製造した。ここ
で基板11間の連結部7のドツトギャップ9は、約15
μmであった。
以上説明したようにこのサーマルヘッドの製造方法では
、異方性エツチングを利用してシリコン基板11の表面
側に予め切断用の溝15を形成しているので、シリコン
基板11の表面側を精度良く切断することができる。
、異方性エツチングを利用してシリコン基板11の表面
側に予め切断用の溝15を形成しているので、シリコン
基板11の表面側を精度良く切断することができる。
従ってこのサーマルヘッドの製造方法によれば、発熱体
モジュール19間の連結部7のドツトギャップ9を発熱
体モジュール19間のドツトギャップlOに容易に合わ
せることができるので、印字品質に優れたサーマルヘッ
ドを提供することができまたこのサーマルヘッドの製造
方法によれば、前述のように異方性エツチングを利用し
てノリコン基板11の表面側に予め切断用の溝I5を形
成しているので、切断面の精密な研摩が不要となる。
モジュール19間の連結部7のドツトギャップ9を発熱
体モジュール19間のドツトギャップlOに容易に合わ
せることができるので、印字品質に優れたサーマルヘッ
ドを提供することができまたこのサーマルヘッドの製造
方法によれば、前述のように異方性エツチングを利用し
てノリコン基板11の表面側に予め切断用の溝I5を形
成しているので、切断面の精密な研摩が不要となる。
従ってこのサーマルヘッドの製造方法によれば、従来よ
り製造工程数を大幅に減少させることかでき、製造コス
トを低減することができる。
り製造工程数を大幅に減少させることかでき、製造コス
トを低減することができる。
「発明の効果」
以上説明したように本発明のサーマルヘッドの製造方法
は、異方性エツチングを利用してノリコン基板の表面側
に予め切断用の溝を形成しているので、シリコン基板の
表面側をN度良く切断することができる。
は、異方性エツチングを利用してノリコン基板の表面側
に予め切断用の溝を形成しているので、シリコン基板の
表面側をN度良く切断することができる。
従って本発明のサーマルヘッドの製造方法によれば、発
熱体モジュール間の連結部のドツトギャップを発熱体モ
ジュール間のドツトギャップに容易に合わせることがで
きるので、印字品質に優れたサーマルヘッドを提供する
ことができる。
熱体モジュール間の連結部のドツトギャップを発熱体モ
ジュール間のドツトギャップに容易に合わせることがで
きるので、印字品質に優れたサーマルヘッドを提供する
ことができる。
また本発明のサーマルヘッドの製造方法によれば、府述
のように異方性エツチングを利用してシリコン基板の表
面側に予め切断用の溝を形成しているので、切断面の精
密な研摩が不要となる。
のように異方性エツチングを利用してシリコン基板の表
面側に予め切断用の溝を形成しているので、切断面の精
密な研摩が不要となる。
従って本発明のサーマルヘッドの製造方法によれば、従
来より製造工程数を大幅に減少させることかでき、製造
コストを低減することができる。
来より製造工程数を大幅に減少させることかでき、製造
コストを低減することができる。
第1図ないし第8図は実施例のサーマルヘッドの製造方
法の各工程を説明するためのもので、第1図、第2図お
よび第3図は断面図、第4図は平面図、第5図は断面図
、第6図は平面図、第7図および第8図は断面図、第9
図は実施例で製造されたサーマルヘッドを示す平面図、
第1O図は実施例で製造されたサーマルヘッドの発熱体
の部分を示す断面図、第11図は従来のサーマルヘッド
を示す平面図、第12図は従来のサーマルヘッドの発熱
体の部分を示す断面図、第13図は従来の発熱体モジュ
ールの連結部を示す平面図である。 I 9 ・ ・多孔質酸化シリコン層、15− ・溝、発熱体モジュ
ール。21・−発熱体。
法の各工程を説明するためのもので、第1図、第2図お
よび第3図は断面図、第4図は平面図、第5図は断面図
、第6図は平面図、第7図および第8図は断面図、第9
図は実施例で製造されたサーマルヘッドを示す平面図、
第1O図は実施例で製造されたサーマルヘッドの発熱体
の部分を示す断面図、第11図は従来のサーマルヘッド
を示す平面図、第12図は従来のサーマルヘッドの発熱
体の部分を示す断面図、第13図は従来の発熱体モジュ
ールの連結部を示す平面図である。 I 9 ・ ・多孔質酸化シリコン層、15− ・溝、発熱体モジュ
ール。21・−発熱体。
Claims (1)
- (110)面方位のシリコン基板に異方性エッチングを
利用して、(111)面と平行な方向に延びる溝を一定
間隔置きに形成し、ついでこの基板の表層部に多孔質酸
化シリコン層を形成した後、多孔質酸化シリコン層の上
に発熱体を一定間隔で形成し、この後、シリコン基板の
裏面から前記溝の底部まで切削して、シリコン基板を複
数に分割し個々の発熱体モジュールとした後、これら発
熱体モジュールの前記溝であった切断面の部分をつき合
わせて多数連結させ長尺化することを特徴とするサーマ
ルヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22553490A JPH04107155A (ja) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | サーマルヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22553490A JPH04107155A (ja) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | サーマルヘッドの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04107155A true JPH04107155A (ja) | 1992-04-08 |
Family
ID=16830805
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22553490A Pending JPH04107155A (ja) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | サーマルヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04107155A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0776029A1 (en) * | 1995-11-21 | 1997-05-28 | Texas Instruments Incorporated | Improvements in or relating to semiconductor chip separation |
US5998234A (en) * | 1996-03-29 | 1999-12-07 | Denso Corporation | Method of producing semiconductor device by dicing |
US6187446B1 (en) | 1995-03-29 | 2001-02-13 | Pharmacia Biotech Ab | Carrier matrix for integrated microanalysis systems, method for the production thereof and use of the same |
KR100415972B1 (ko) * | 1998-05-22 | 2004-01-24 | 인피니언 테크놀로지스 아게 | 반응 장치 및 그 제작 방법 |
US6907656B1 (en) * | 1996-10-07 | 2005-06-21 | Seiko Instruments Inc. | Method of manufacturing thermal head |
JP2007001087A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Seiko Instruments Inc | 発熱抵抗素子部品、プリンタおよび発熱抵抗素子部品の製造方法 |
-
1990
- 1990-08-28 JP JP22553490A patent/JPH04107155A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP4619876B2 (ja) * | 2005-06-22 | 2011-01-26 | セイコーインスツル株式会社 | 発熱抵抗素子部品、及びプリンタ |
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