JPH04104946A - Dielectric porcelain composition - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明は、誘電体磁器組成物、特に誘電体共振器等に適
する高周波用誘電体磁器組成物に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Technical Field) The present invention relates to a dielectric ceramic composition, particularly a high frequency dielectric ceramic composition suitable for dielectric resonators and the like.
(背景技術)
近年における携帯電話等の高周波機器の発展に伴い、そ
れらに使用される誘電体共振器にも、小型で、高性能な
ものが要求されるようになってきている。そして、その
ような誘電体共振器に用いられる誘電体磁器には、以下
のような特性が要求されているのである。即ち、先ず、
(1)比誘電率(εr)が高いこと。この比誘電率が高
いと、成る決まった周波数で使用する場合において、共
振器の小型化が可能となるからである。また、(2)Q
値が高いこと。磁器のQ値が高いと、これを使用した共
振器を低損失にすることが出来るのである。(Background Art) With the development of high-frequency devices such as mobile phones in recent years, the dielectric resonators used in these devices are also required to be small and have high performance. The dielectric ceramic used in such a dielectric resonator is required to have the following characteristics. That is, first,
(1) High relative dielectric constant (εr). This is because if the dielectric constant is high, the resonator can be made smaller when used at a fixed frequency. Also, (2) Q
High value. When ceramic has a high Q value, a resonator using it can have low loss.
更に、(3)共振器にしたとき、共振周波数の温度係数
(τf)が小さいこと。温度変化に対して特性の変動を
極力少なくするためである。Furthermore, (3) when used as a resonator, the temperature coefficient (τf) of the resonant frequency is small. This is to minimize variations in characteristics due to temperature changes.
ところで、従来から、この種の誘電体磁器組成物として
は、特公昭58−20905号公報には、Bad−Ti
○2系若しくはその一部を他の元素で置換したものが明
らかにされているが、そのような誘電体磁器は、比誘電
率が30〜40程度と低く、且つQも小さいものであっ
た。また、特公昭59−23048号公報に示されたB
a(Mg+zsT a tiz>03等の複合ペロブス
カイト構造を持った組成のものにおいては、Qは大きい
ものの、比誘電率が30〜40と小さい問題を内在して
いる。By the way, as a dielectric ceramic composition of this kind, Patent Publication No. 58-20905 discloses Bad-Ti.
○It has been revealed that 2 series or a part of it has been replaced with other elements, but such dielectric ceramics had a low dielectric constant of about 30 to 40 and a small Q. . Also, B shown in Japanese Patent Publication No. 59-23048
In compositions having a composite perovskite structure such as a(Mg+zsT a tiz>03), although Q is large, there is a problem that the dielectric constant is small at 30 to 40.
また、特開昭56−102003号公報には、Ba0−
TiOx −NdzOs −B 1203系の磁器組成
物が明らかにされているが、これとても、比誘電率は高
いものの、共振周波数の温度係数が大きく、充分な特性
とは言い難いものであったのであり、更に特開昭57−
21010号公報に提案のB a OT i O2N
d zos S mzo=系の磁器組成物にあっては
、共振周波数の温度係数が小さく、しかも比誘電率の大
きな特性が得られない問題を内在するものであり、更に
また、特開昭62−100906号公報に明らかにされ
ているB a O−T i O,−NdzOs −3m
zO3BizO3系の磁器組成物にあっては、それを共
振器に使用した場合において、未だ充分に小型化し得る
程に比誘電率が大きくなく、しかも高価な原料である酸
化サマリウムを7〜20mo1%も含有せしめる必要が
あるところから、コスト的にも問題のあるものであった
。Moreover, in Japanese Patent Application Laid-open No. 102003/1983, Ba0-
A ceramic composition based on TiOx -NdzOs -B 1203 has been revealed, but although it has a very high relative dielectric constant, the temperature coefficient of the resonance frequency is large, so it is difficult to say that it has sufficient characteristics. , and furthermore, JP-A-57-
B a OT i O2N proposed in Publication No. 21010
The ceramic composition of the d zos mzo = system has the problem that the temperature coefficient of the resonance frequency is small and that it is not possible to obtain characteristics of a large dielectric constant. B a O-T i O,-NdzOs -3m disclosed in Publication No. 100906
When using a zO3BizO3-based ceramic composition in a resonator, its dielectric constant is still not large enough to be sufficiently miniaturized, and moreover, it requires 7 to 20 mo1% of samarium oxide, an expensive raw material. Since it is necessary to contain it, there is also a problem in terms of cost.
(解決課B)
ここにおいて、本発明は、かかる事情を背景にして為さ
れたものであって、その課題とするところは、高い比誘
電率を有すると共に、Qが大きく、しかも共振周波数の
温度係数を小さくすることが可能な誘電体磁器組成物を
、低コストにて提供することにある。(Solution section B) The present invention was made against this background, and its object is to have a high dielectric constant, a large Q, and a temperature at the resonant frequency. An object of the present invention is to provide a dielectric ceramic composition whose coefficient can be reduced at low cost.
(解決手段)
すなわち、本発明は、かかる課題を解決するために、多
くの誘電体磁器の組成について種々検討した結果見い出
された事実に基づいて完成されたものであり、その要旨
とするところは、組成式:%式%)
る、酸化バリウム、酸化チタン、酸化ネオジム、酸化サ
マリウム、及び酸化ビスマスからなる誘電体磁器組成物
にして、該組成式中のχ、y、z及びa、bが、それぞ
れ、下式:
%式%
を満足するように構成したことを特徴とする誘電体磁器
組成物にある。(Solution Means) In other words, in order to solve the problem, the present invention was completed based on the facts found as a result of various studies on the composition of many dielectric ceramics, and the gist thereof is as follows. , composition formula: % formula %) A dielectric ceramic composition consisting of barium oxide, titanium oxide, neodymium oxide, samarium oxide, and bismuth oxide, in which χ, y, z, a, and b are , respectively, is a dielectric ceramic composition characterized in that it is configured to satisfy the following formula: % formula %.
このように、本発明に従う誘電体磁器組成物は、酸化バ
リウム(Bad)、酸化チタン(Tilt)、酸化ネオ
ジム(NdzOs ) 、酸化サマリウム(SmzOs
)、及び酸化ビスマス(Bit03)を主成分とするも
のであり、そしてそれら各成分は、上記の組成式にて表
わされ得るように、それぞれ、特定量において含有せし
められ、以て優れた誘電体磁器特性を発揮するものであ
り、しかもSm。Thus, the dielectric ceramic composition according to the present invention contains barium oxide (Bad), titanium oxide (Tilt), neodymium oxide (NdzOs), and samarium oxide (SmzOs).
), and bismuth oxide (Bit03), and each of these components is contained in a specific amount, as can be expressed by the above compositional formula, and has excellent dielectric properties. It exhibits body porcelain characteristics and is Sm.
○、の使用量も、従来の誘電体磁器に比べて極めて少な
く為し得たことにより、コスト的にを利に誘電体磁器組
成物を得ることが出来ることとなったのである。Since the amount of ○ used can be made extremely small compared to conventional dielectric porcelain, it has become possible to obtain a dielectric porcelain composition at an advantageous cost.
(具体的構成)
ところで、かかる誘電体磁器組成物において、主成分の
一つたるBaOの含有量が10mo1%よりも少なくな
ると(χ<0.10)、得られる誘電体磁器組成物の比
誘電率が低くなってしまう問題があり、一方20mo1
%を越えるようになると(χ>0.20)、共振周波数
の温度係数が大きくなり過ぎてしまうという問題を惹起
する。また、T i Ozについては、その含有量が5
Qmo1%未満となると(y<0.60)、Q値が大き
く、劣化するようになり、一方75+++o1%を越え
るようになると(y>0.75)、共振周波数の温度係
数が大きくなり過ぎてしまうという問題を惹起する。(Specific structure) By the way, in such a dielectric ceramic composition, when the content of BaO, which is one of the main components, is less than 10 mo1% (χ<0.10), the dielectric constant of the obtained dielectric ceramic composition decreases. There is a problem that the ratio becomes low, while 20mo1
% (χ>0.20), a problem arises in that the temperature coefficient of the resonance frequency becomes too large. In addition, regarding T i Oz, its content is 5
When Qmo is less than 1% (y<0.60), the Q value becomes large and deteriorates, while when it exceeds 75+++o1% (y>0.75), the temperature coefficient of the resonant frequency becomes too large. This causes the problem of storage.
また、NdzO3とS m t O3とBi、O,との
合計量に関して、換言すれば、((1−a−b)N d
tox a S mhos b B 1zch
)の値については、その合計の含有量が10mo1%
よりも少なくなると(z<0.10)、共振周波数の温
度係数が大きくなり、一方24w+o1%を越えるよう
になると(z>0.24)、焼結性が悪くなる問題を惹
起する。In addition, regarding the total amount of NdzO3, S m t O3, and Bi, O, in other words, ((1-a-b)N d
tox a S mhos b B 1zch
), the total content is 10mo1%
When it is less than (z<0.10), the temperature coefficient of the resonance frequency becomes large, while when it exceeds 24w+o1% (z>0.24), the problem arises that sinterability deteriorates.
なお、本発明において、NdzOsと共に、SmzO8
及び13 iz Os (D 使用4!、NdzOs
<7) 一部をS m z O3及びBi2O2にて置
換しようとするもノテアルカ、ソノ中で、N d ff
i O3をS m t Osにて置換することによって
、Q値が向上し、温度係数を小さくすることが出来る。In addition, in the present invention, SmzO8 is used together with NdzOs.
and 13 iz Os (D use 4!, NdzOs
<7) Although an attempt was made to partially substitute S m z O3 and Bi2O2, in Notealka and Sono, N d ff
By replacing i O3 with S m t Os, the Q value can be improved and the temperature coefficient can be reduced.
特に、サマリウム置換の充分な効果を得るには、3II
IO1%以上(a≧0.03 ”)の置換を行なうこと
が望ましい、しかし、サマリウム置換量が25mo1%
を越えるようになると(a>0.25)、比誘電率が低
下する問題を発生し、また酸化サマリウムは原料単価が
高く、コスト面から考慮しても、251IIO1%まで
の置換が実用上の限界となる。In particular, to obtain the full effect of samarium replacement, 3II
It is desirable to replace 1% or more of IO (a≧0.03”), but if the samarium replacement amount is 25mol1%
(a > 0.25), a problem occurs in which the dielectric constant decreases, and samarium oxide has a high raw material unit cost, so from a cost perspective, it is practical to replace up to 1% of 251IIO. It becomes a limit.
また、BizO*にてNdzOsを置換すると、比誘電
率が上がり、共振周波数の温度係数を小さくすることが
出来る。特に、このBi2O2による充分な置換効果を
得るには、5 mo1%以上(b≧0.05 )の置換
が望ましいのである。しかしながら、BtzOzの置換
量が30+no1%を越えるようになると(b>0.3
0)、Q値が低くなり過ぎ、実用に供し得なくなる。Furthermore, when BizO* is substituted for NdzOs, the dielectric constant increases and the temperature coefficient of the resonance frequency can be reduced. In particular, in order to obtain a sufficient substitution effect with Bi2O2, it is desirable to substitute 5 mo1% or more (b≧0.05). However, when the amount of BtzOz substitution exceeds 30+no1% (b>0.3
0), the Q value becomes too low and cannot be put to practical use.
(実施例)
以下に、本発明の実施例を示し、本発明を更に具体的に
明らかにすることとするが、本発明が、そのような実施
例の記載によって何等の制約をも受けるものでないこと
は、言うまでもないところである。(Examples) Examples of the present invention are shown below to clarify the present invention more specifically, but the present invention is not limited in any way by the description of such examples. That goes without saying.
また、本発明には、以下に示される実施例の他にも、本
発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に
基づいて種々なる変更、修正、改良等を加え得るもので
あることが、理解されるべきである。Furthermore, in addition to the embodiments shown below, various changes, modifications, improvements, etc. can be made to the present invention based on the knowledge of those skilled in the art, without departing from the spirit of the present invention. should be understood.
先ず、高純度炭酸バリウム、酸化チタン、酸化ネオジム
、酸化サマリウム及び酸化ビスマスを用い、それら成分
を、下記第1表及び第2表において、χ、y、z、a及
びbとして示される各種のモル比となるように秤量し、
ポリエチレン製ポットの中に、アルミナ玉石と共に投入
して、純水を加え、湿式混合せしめた。そして、得られ
た混合物をポットから取り出して乾燥し、1000°C
で2時間、空気雰囲気下に仮焼を行なった。次いで、そ
の仮焼物を、再び、アルミナ玉石と共に、ポリエチレン
製ポットに投入し、更に純水を加えて、湿式粉砕した。First, using high-purity barium carbonate, titanium oxide, neodymium oxide, samarium oxide, and bismuth oxide, these components were expressed in various moles shown as χ, y, z, a, and b in Tables 1 and 2 below. Weigh it so that it is the ratio,
The mixture was put into a polyethylene pot together with alumina cobbles, pure water was added, and wet mixing was performed. The resulting mixture was then removed from the pot and dried at 1000°C.
Calcining was performed in an air atmosphere for 2 hours. Next, the calcined product was again put into a polyethylene pot together with alumina boulders, and pure water was added thereto for wet pulverization.
この際、バインダとしてPVAを1重量%加え、バイン
ダが仮焼粉に一様に混ざるようにした。その後、この得
られた粉砕物を乾燥し、40メツシユの篩いを通すこと
により、造粒した。At this time, 1% by weight of PVA was added as a binder so that the binder was uniformly mixed with the calcined powder. Thereafter, the obtained pulverized product was dried and granulated by passing it through a 40-mesh sieve.
このようにして調製された粉体を用い、プレス成形機に
て、面圧: l ton /aa”にて、20mφX1
5m+tのサイズの円板状のサンプルを成形した。次い
で、このようにして成形した各サンプルを、空気中にお
いて、1300〜1400°Cの温度で、2時間焼成し
た。更に、この焼成して得られた各サンプルを、研磨に
よって、14+maφ×7閣1の大きさに整えた。Using the powder prepared in this way, it was molded using a press molding machine at a surface pressure of 1 ton/aa" of 20 mφ
A disk-shaped sample with a size of 5 m+t was molded. Next, each sample molded in this way was fired in air at a temperature of 1300 to 1400°C for 2 hours. Furthermore, each sample obtained by firing was polished to a size of 14+maφ×7mm.
かくして得られた各種のサンプルについて、その比誘電
率と無負荷Qを、公知の平行導体板型誘電体共振器法に
よって、それぞれ測定し、またその共振周波数の温度係
数(τ、)を−25°C〜75°Cの範囲で測定し、そ
の結果を、下記第1表及び第2・表に併わせ示した。な
お、測定周波数は3〜4GHzであった。また、第1表
及び第2表中において、Qは、3GHzでの値に換算し
である。The relative permittivity and unloaded Q of the various samples obtained in this way were measured by the known parallel conductor plate type dielectric resonator method, and the temperature coefficient (τ,) of the resonance frequency was determined by -25 Measurements were carried out in the range of °C to 75 °C, and the results are shown in Tables 1 and 2 below. Note that the measurement frequency was 3 to 4 GHz. Further, in Tables 1 and 2, Q is a value converted to a value at 3 GHz.
かかる第1表及び第2表の結果から明らかなように、本
発明に従うNo、 1〜23及びNo、28〜42の誘
電体磁器組成物にあっては、何れも、大きな比誘電率及
びQ値を有すると共に、共振周波数の温度係数(τf)
の小さなものであった。これに対して、比較例であるN
o、24〜27及び隘43〜48の誘電体磁器組成物に
あっては、少なくとも比誘電率、Q値及び温度係数(τ
、)の何れかにへ−一一
第
表
(発明の効果)
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、高い
比誘電率を備えていながら、Qが大きく、しかも共振周
波数の温度係数の小さな誘電体磁器組成物を得ること出
来るのであり、またそのような誘電体磁器組成物は、酸
化サマリウムの使用量が少ないために、低コストにて製
造することが出来るのである。As is clear from the results in Tables 1 and 2, the dielectric ceramic compositions Nos. 1 to 23 and Nos. 28 to 42 according to the present invention all have a large dielectric constant and a high Q. temperature coefficient of resonance frequency (τf)
It was a small one. In contrast, the comparative example N
o, 24-27 and 43-48, at least the dielectric constant, Q value and temperature coefficient (τ
, ) - Table 11 (Effects of the Invention) As is clear from the above explanation, the present invention has a high relative dielectric constant, a large Q, and a low temperature at the resonant frequency. A dielectric ceramic composition with a small coefficient can be obtained, and such a dielectric ceramic composition can be manufactured at low cost because the amount of samarium oxide used is small.
Claims (1)
)Nd_2O_3−aSm_2O_3−bBi_2O_
3〕にて表わされる、酸化バリウム、酸化チタン、酸化
ネオジム、酸化サマリウム、及び酸化ビスマスからなる
誘電体磁器組成物にして、該組成式中のχ,y,z及び
a,bが、それぞれ、下式:0.10≦χ≦0.20 0.60≦y≦0.75 0.10≦z≦0.24 χ+y+z=1 0<a≦0.25 0<b≦0.30 を満足するように構成したことを特徴とする誘電体磁器
組成物。[Claims] Compositional formula: χBaO-yTiO_2-z [(1-a-b
)Nd_2O_3-aSm_2O_3-bBi_2O_
A dielectric ceramic composition consisting of barium oxide, titanium oxide, neodymium oxide, samarium oxide, and bismuth oxide, represented by The following formula: 0.10≦χ≦0.20 0.60≦y≦0.75 0.10≦z≦0.24 χ+y+z=1 0<a≦0.25 0<b≦0.30 A dielectric ceramic composition characterized in that it is configured as follows.
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US07/745,180 US5185304A (en) | 1990-08-20 | 1991-08-15 | Dielectric ceramic composition of BaO, TiO2, Nd2 O3, Sm2 O3 and Bi2 O3 |
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DE69123015T DE69123015T2 (en) | 1990-08-20 | 1991-08-19 | Dielectric ceramic composition from the oxides of barium, titanium, neodymium, samarium and bismuth |
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EP1024547A2 (en) * | 1999-01-28 | 2000-08-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric filter, dielectric duplexer, and communication apparatus |
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1990
- 1990-08-20 JP JP2219716A patent/JPH04104946A/en active Pending
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