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JPH0383000A - X線顕微鏡 - Google Patents

X線顕微鏡

Info

Publication number
JPH0383000A
JPH0383000A JP1219473A JP21947389A JPH0383000A JP H0383000 A JPH0383000 A JP H0383000A JP 1219473 A JP1219473 A JP 1219473A JP 21947389 A JP21947389 A JP 21947389A JP H0383000 A JPH0383000 A JP H0383000A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic field
image
photoelectrons
pulse
ray
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1219473A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0718960B2 (ja
Inventor
Hideo Hirose
秀男 広瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
Priority to JP1219473A priority Critical patent/JPH0718960B2/ja
Priority to US07/494,443 priority patent/US5045696A/en
Priority to EP90105365A priority patent/EP0389952B1/en
Priority to DE69030835T priority patent/DE69030835T2/de
Publication of JPH0383000A publication Critical patent/JPH0383000A/ja
Publication of JPH0718960B2 publication Critical patent/JPH0718960B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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  • Electron Tubes For Measurement (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は試料をX線で照射したとき試料或は試料に近接
させた光電面から放出されるX線光電子により試料の像
を形成させる型のX線顕微鏡に関する。
(従来の技術) 従来の上述した型のX線顕微鏡は、X線源として通常の
X線管とかシンクロトロン放射光源のような連続放射型
のX線源を用いており、拡大光電子像を形成するのに集
束コイルを用いていた。また試料から放出されるX線光
電子はエネルギー分布を有するので、そのエネルギー別
の光電子像を得るため拡大光電子像の受像面に近接させ
てメツシュ状のエネルギーフィルタを配置していた。
光電子による拡大像を作るのに集束コイルを用いると光
電子のエネルギー分布による収差と光電子の放出角によ
る球面収差により良好な像が得難いので、収差軽減のた
め絞りとか補正レンズを用いる必要があって、光電子の
利用効率が低くなり像が暗くなる。このため強力な発散
磁場を用い、この磁場内を磁力線に沿って光電子を進行
させることで拡大光電子像を得る方法が提案されている
が、強力な発散磁場を得るのに超伝導コイルを用いてお
り、液体ヘリウム等を必要として、設備が大規模になり
、一般研究者用として実用化することは困難である。
またエネルギー別のX線光電子像を得るのに」ニ述した
ようにメツシュ状のエネルギーフィルターを用いている
と、顕微鏡が構造的に複雑になり、またフィルターによ
り電子透過率が低下して像が暗くなる。
(発明が解決しようとする課題) 本発明は超伝導コイル等を用いないで、光電子の発散磁
場による拡大像を得ると共に、メツシュ状のエネルギー
フィルターを用いないX線類W1.鏡を得ることを目的
どしている。
〈課題を解決するための手段〉 X線源としてパルスX線源を用い、光電子の拡大像形成
のための発散磁場発生に常伝導コイルのパルス励磁を用
い、パルス励磁による磁場の時間的変化の尖頭付近に同
期させて」二記X線源を作動させると共に磁場の強度変
化が磁場の尖頭付近で最小になるような時に、光電子が
発散磁場中を飛行して、電子像受像素子の出力を上KI
 X &?源の動作と同期したゲートパルスにより開か
れるゲートを介して取出すようにした。
(作用) パルスX線源では数nsのパルス巾のX線放射が可能で
ある。パルスX4i源を用いることは二つの意味を有す
る。その−はX線をパルス状に放射するので、平均エネ
ルギーを低くして、しかも強力なX&9を得ることが可
能となる。その二はパルスX線で試料が照肘されるので
、試料或は光電面から放射される光電子もパルス状であ
る。この光電子をX線放射と同期したゲートパルスで開
かれるゲートを介して検出することにより、光電子のエ
ネルギーの飛翔時間による選別が行われ、メツシュ状エ
ネルギーフィルターのようなものを用いないで光電子の
エネルギー分析ができるので、光電子の損失がなくこ明
るい像が得られる。光電子による拡大像を得るのに発散
磁場を用いているが、この場合像の分解能は磁場強度に
比例している。従って強い磁場が必要で、このため超伝
導コイルが用いられていたが、本発明では常伝導コイル
を用いているが、パルス励磁によっているため、平均電
流を低く抑えて瞬間的に大電流を流すことで充分強力な
磁場を得ることができその結果、実用性に冨んだ顕微鏡
になる。
〈実施例〉 第1図に本発明の一実施例を示す。1は高尖頭値をもつ
パルスX線源で、プラズマX線源(レーザプラズマXM
!、又ピンチプラズマX&S1等〉やパルス状のシンク
ロトロン光が適当である。Sは試料で基板2に密着させ
である。基板2は淳さ1000A程度の膜厚をもつ5i
sN4で裏面に光電膜21が形成しである。光電膜21
はCslにより形成されており、X線照射により、X線
量に比例した光電子が試料とは反対側(図で下方)真空
中に放出される。3はセラミックよりなる真空容器で、
上の窓が上述した基板2になっており、X線源1および
試料は大気中に置かれている。真空容器3の上部は細く
なっており、そこに試料を囲むようにパルス励磁コイル
4が配置されている。
真空容器3の下方に光電子像の受像素子としてマルチチ
ャンネルプレート(MCP)5が置かれその下に蛍光板
6が置かれてMCPで増強された電子像が光像に変換さ
れる。7はCCD等を用いた撮像装置で、その出力がC
RT8に影像として表示される。
9は直流電源で大容量コンデンサCを充電する。パルス
励磁コイル4がコンデンサCの放電路を構成しており、
このコイル4と直列のスイッチ素子10は第1のトリガ
パルス発生器11からトリガパルスが印加されて導通せ
しめられ、コイル4にコンデンサCの放電電流が流れる
。このときの放電電流パルスの幅は100μs程度であ
る。
12は遅延回路で、トリガパルス発生器から出力される
トリガパルスの立上りを遅延させて第2のトリガパルス
発生器13に伝え、トリガパルス発生器13から数ns
の幅のトリガパルスが出力される。14はX線源1を作
動させる電源でトリガパルス発生器13からのパルスに
より瞬間的にX線源1を作動させ、X線源からは数ns
幅のパルスX線が放射される。トリガパルス発生器13
の出力パルスは遅延回路15を介してMCP用電源16
に送られ、X線パルスの発生より遅れてMCP5に作動
電圧を印加せしめる。
第2図は上述装置の動作のタイムチャー1・で、Aは第
1のトリガパルス発生器の出力パルスを示し、Bはコイ
ル4に流れる励磁電流を示す。この電流のピーク幅は1
.00μS程度であるが図では時間を圧縮して書いであ
る。Cは1〜リ力パルス発生器13の出力パルスで、A
のパルスの立上りより時間Tだけ遅れており、このTは
調節可能で、Δのパルスの立上りから励磁電流最大にな
る迄の時間になるように調整される。DはX線源1から
放射されるX &9パルスを示す。このパルスの幅は数
nsである。Eは遅延回路15により遅延されたCのパ
ルスであり、幅は数nsであり、このパルスのある間M
 CP 5が作動さしめられる。パルスCとEとの間の
遅延時間Fにより光電膜21から放射された光電子のう
ち放射時から1時間かかってMCPに到達した電子を検
出するものであり、Fを調節することで光電子を速度即
ちエネルギーによって選別して検出することができる。
撮像装面7においてCCDセルは蛍光像の光電出力を蓄
積し、撮像装置7はこの蓄積された出力を読出し影像表
示する。X線源がプラズマX線源のように高尖頭値をも
つ場合は、1個のX線パルスで画像化することができる
。この場合リアルタイム観察が可能になる。又従来のX
線管球のように比較的弱いパルスの場合は何個かのパル
スが必要になる。
第3図は磁力線と電子の運動の有様を示す。試料或は光
電面2表面の一点qから放出された電子eはその点qを
通る磁力線fにまつわるような螺締を画きながら磁力線
fに沿って運動する。即ちqから出た電子はq点を通る
磁力線rと垂直な速度成分の如何に関せず、磁力線fの
近傍の磁場強度が磁力線fに沿う磁場強度と等しいとみ
なせる場合即ち磁力線に垂直な面内の磁場変化が小さい
場合(実際そのようになっている)同じ周期で円Cを画
き磁力&9 f上に戻ってきて、その間に磁力線fの方
向の速度成分相当だけ磁力線方向に進行する。円運動の
直径が形成される像の分解能を決定し、電子の円運動の
半径は磁場と直交する速度成分が同じなら磁場強度に反
比例するので、分解能は磁場強度によって決まり、磁場
強度(磁束密度〉をB1電子質量をm1電子の電荷を0
1電子のエネルギーをEとすると分解能rは、J2mE
’/eBに比例する。B=10T、E=0.5eVでr
は約0.1μm程度が得られる。
励磁コイル4は時間幅100μs程度でパルス励磁され
るので、周囲の導体に渦電流を誘起し、その誘導磁場に
より励磁コイルの磁場が乱され、像が不規則に歪むおそ
れがあるので、真空容器3は絶縁体であるセラミックで
造り、内面に導体膜を形成して導体膜に渦電流を発生さ
せ、外部に磁束が洩れないようにしである。真空容器3
は軸対称的であるから、渦電流による磁場も軸対称的と
なり、励磁コイルが作る磁場に歪を与えず、磁場の発散
を抑えて試料位置から下方へ次第に発散する磁場の形成
に寄与する。
拡大率は光電膜上の磁場をBI、検出器での磁場をBf
とするとM−rΣ五1−で示されるので、Bfを変化さ
せて拡大率をかえることができる。Bfを変化させるた
め例えば、MCP5.蛍先板6.撮像装置7は一体とな
って真空容器内で上下させることによって像の倍率を連
続的に変えることができる。又聞1のように検出器付近
にコイルを置きBfを変えることによっても、拡大率を
変化させることができる。
(発明の効果〉 本発明によればX線源および励磁コイルは共に瞬間動作
をさせるから、大設備を必要としないで強いX線が得ら
れ、明るい像が得られると共に強い磁場が得られて像の
分解能が高く、X線源が瞬間動作を行うので、電子の飛
翔時間差によるエネルギー分析ができるので電子の利用
効率を下げることなく、試料のX線光電子のエネルギー
別の像を得ることができ、試料の組織1元素Mi威分布
等の顕微鏡像をリアルタイムで観察することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例装置の縦断側面図、第2図は
同実施例の動作を説明するタイムチャート、第3図は磁
力線と電子軌道の関係を説明する 0 図である。 1・・・X線源、S・・・試料、2・・・基板、21・
・・光電膜、3・・・真空容器、4・・・パルス励磁コ
イル、5・・・マルチチャンネルプレート、6・・・蛍
光板、7・・・撮像装置、8・・・CRT。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. パルスX線源と、X線光電子の拡大像を形成する発散磁
    場発生用常伝導パルス励磁コイルと、同コイルのパルス
    電流源と、X線光電子像受像手段と、上記励磁コイルの
    励磁と同期して同コイルの発生磁場の時間的変化が小さ
    い時期に上記X線源を作動させ、X線光電子像の拡大を
    行い、X線源の作動と同期して上記受像手段を作動させ
    る同期ゲートパルス発生手段とを有するX線顕微鏡。
JP1219473A 1989-03-31 1989-08-25 X線顕微鏡 Expired - Lifetime JPH0718960B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1219473A JPH0718960B2 (ja) 1989-08-25 1989-08-25 X線顕微鏡
US07/494,443 US5045696A (en) 1989-03-31 1990-03-16 Photoelectron microscope
EP90105365A EP0389952B1 (en) 1989-03-31 1990-03-21 A photoelectron microscope
DE69030835T DE69030835T2 (de) 1989-03-31 1990-03-21 Photoelektronenmikroskop

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1219473A JPH0718960B2 (ja) 1989-08-25 1989-08-25 X線顕微鏡

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0383000A true JPH0383000A (ja) 1991-04-08
JPH0718960B2 JPH0718960B2 (ja) 1995-03-06

Family

ID=16735983

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1219473A Expired - Lifetime JPH0718960B2 (ja) 1989-03-31 1989-08-25 X線顕微鏡

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JP (1) JPH0718960B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0627058A (ja) * 1992-07-09 1994-02-04 Agency Of Ind Science & Technol 電子分光方法とこれを用いた電子分光装置
JP2003344597A (ja) * 2002-05-27 2003-12-03 Kawasaki Heavy Ind Ltd X線顕微鏡の電子加速空間構造
US7039157B2 (en) 2001-08-03 2006-05-02 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha X-ray microscope apparatus

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0627058A (ja) * 1992-07-09 1994-02-04 Agency Of Ind Science & Technol 電子分光方法とこれを用いた電子分光装置
US7039157B2 (en) 2001-08-03 2006-05-02 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha X-ray microscope apparatus
JP2003344597A (ja) * 2002-05-27 2003-12-03 Kawasaki Heavy Ind Ltd X線顕微鏡の電子加速空間構造

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JPH0718960B2 (ja) 1995-03-06

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