JPH0378739B2 - - Google Patents
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 48
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 10
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- -1 69Ga ion Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、特定質量数のイオンビームを所定の
面上に微小に集束させる装置の改良に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an improvement in an apparatus for finely focusing an ion beam of a specific mass number onto a predetermined surface.
EHD（Electro Hydro Dynamic）型の液体金
属イオン源は、エミツシヨン電流が安定して得ら
れる特長があり、半導体素子等の微細加工技術へ
の適用が期待されているが、この型のイオン源は
イオン発生物質として低融点の共晶合金や同位元
素を含む金属を加熱して用いるため、イオン源か
ら質量数の異なった複数種類のイオンビームが同
時に発生し、その分離のために質量分離フイルタ
ーを組込むと、該フイルターにおける質量分散だ
けでなく、エネルギー分散のためにビームを充分
に集束させることが難かしくなる欠点があった。
この問題に関し、本発明者らは互いに直交する電
場と磁場を組合せたウイーン型フイルターの中心
にイオン源のクロスオーバー像を形成するような
経路からフイルターに入射させれば、フイルター
内におけるイオンビームのエネルギー分散量を最
少にできることを理論的に解明した（特願昭57−
186919号参照）が、実際の装置においてウイーン
型フイルターの中心にクロスオーバー像が形成さ
れているか否かを確認することは容易ではなかつ
た。 An EHD (Electro Hydro Dynamic) type liquid metal ion source has the feature of stably obtaining an emission current, and is expected to be applied to microfabrication technology for semiconductor devices. Since a low melting point eutectic alloy or metal containing isotopes is heated and used as the generating material, multiple types of ion beams with different mass numbers are generated simultaneously from the ion source, and a mass separation filter is installed to separate them. However, there is a drawback that it becomes difficult to focus the beam sufficiently due to not only mass dispersion but also energy dispersion in the filter.
Regarding this problem, the present inventors found that if the ion beam is incident on the filter from a path that forms a crossover image of the ion source at the center of a Vienna-type filter that combines electric and magnetic fields orthogonal to each other, the ion beam inside the filter can be improved. Theoretically clarified that the amount of energy dispersion can be minimized (Patent application 1983-
186919), it is not easy to confirm whether a crossover image is formed at the center of the Vienna filter in an actual device.
本発明は、イオンビーム集束系に組込まれたウ
イーン型フイルターの中心にイオン源のクロスオ
ーバー像を形成するような経路からイオンビーム
がフイルターに入射してるか否かを容易に確認で
きるようにすることを目的とするもので、イオン
源から発散するイオンビームを集束レンズ、ウイ
ーン型フイルター及び対物レンズを用いて所定の
面上に前記イオン源のクロスオーバ像を形成する
ように集束させる装置において、前記所定面上に
形成される複数のクロスオーバ像の間隔を測定す
る手段を設けたものである。 The present invention makes it possible to easily confirm whether or not the ion beam is incident on the filter from a path that forms a crossover image of the ion source at the center of the Vienna filter incorporated in the ion beam focusing system. In an apparatus for focusing an ion beam diverging from an ion source using a focusing lens, a Wien filter, and an objective lens so as to form a crossover image of the ion source on a predetermined plane, Means for measuring the intervals between the plurality of crossover images formed on the predetermined surface is provided.
第１図は、本発明によるイオンビーム集束装置
の一例を示すものである。図中一点鎖線１は真空
鏡筒を示し、その内部上方にはイオンビームを放
射するエミツタ（電極）２等が収納されている。
エミツタ２にはその先端部に保持される共晶合金
その他のイオン発生物質２ａの液体状態を保つた
め、エミツタに通電加熱を行う加熱電源３ａが接
続されており、更にエミツタ２には加速電源３ｂ
によつて＋10KVから＋30KV程度の電位が印加
されている。又、エミツタ２の近傍にはエミツタ
に対してイオン引出用の強電界を与えるためのエ
クストラクタ（電極）４が配置されており、該エ
クストラクタ４には引出電源５によりエミツタ２
に対して−5KV程度の電圧が印加される。エク
ストラクタ４の下方に配置される接地（加速）電
極６とエクストラクタ５の間には中間電極７が配
置されており、これらエクストラクタ５、中間電
極７及び接地電極６は静電型の（第１）集束レン
ズ８を構成し、接地電位からエクストラクタ５の
電位の間の電位を中間電極７に印加する集束レン
ズ電源９の出力を調整することによりエミツタか
ら（Ｚ軸に沿つて）下方に発散されるイオンビー
ムに対する集束作用を調整することができる。集
束レンズ８の下方にはウイーン型フイルター１０
が配置されており、破線で示す領域内のＸ軸方向
に形成される電場ＥとＹ軸方向に形成される磁場
Ｂの強度はフイルター電源１１の出力によつて可
変される。ウイーン型フイルターの下方に配置さ
れたスリツト１２はフイルターによつて分散され
たイオンビームをカツトするためのもので、該ス
リツト１２を通過したイオンビームは２つの接地
電極１３ａ，１３ｂと対物レンズ電源１５によつ
て正極性の電位の与えられる中間電極１４から構
成される対物（第２集束）レンズ１６によつて集
束作用をうけた後、試料１７を照射する。一般に
エミツタ２の先端表面から放射されるイオンビー
ムの経路は複雑であるが、全体としてみるとあた
かも特定領域から直線的に発散するような経路を
とるため、この特定領域に仮想イオン源即ちクロ
スオーバーがあるとみなすことができる。前記集
束レンズ８と対物レンズ１６は、このクロスオー
バーから発散するイオンビームを順次集束して、
２番目のクロスオーバー縮小像を試料１７の面上
に結像するためのものである。対物レンズ１６と
試料の間には偏向電極１８が設けられており、該
偏向電極１８に印加される偏向電源１９の出力を
調整することによつて試料上のイオンビーム照射
位置を任意に移動させることができる。又、イオ
ンビーム照射によつて試料１６から発生する二次
電子は検出器２０によつて電気信号として検出さ
れ、その電気信号は表示装置２１と信号測定回路
２２へ印加され、偏向電源１９の出力と対応させ
て信号表示又は信号測定が行われる。偏向電源１
９から走査信号を出力させて、イオンビームによ
つて試料面上の一定領域を二次元的に走査すると
共に、検出器２０から供給される信号を輝度変調
信号として用いることにより、表示装置２１の陰
極線管画面に試料表面に関する二次電子像を表示
させることができる。又、信号測定回路２２の出
力信号は中央制御回路（CPU）２３に印加され、
中央制御回路２３は集束レンズ電源９とフイルタ
ー電源１１に制御信号を供給する。 FIG. 1 shows an example of an ion beam focusing device according to the present invention. In the figure, a dashed line 1 indicates a vacuum lens barrel, and an emitter (electrode) 2 for emitting an ion beam is housed in the upper part of the vacuum lens barrel.
The emitter 2 is connected to a heating power source 3a that heats the emitter in order to keep the eutectic alloy and other ion-generating substances 2a held at its tip in a liquid state.
A potential of about +10KV to +30KV is applied depending on the voltage. Further, an extractor (electrode) 4 is arranged near the emitter 2 for applying a strong electric field for extracting ions to the emitter.
A voltage of about -5KV is applied to the An intermediate electrode 7 is arranged between the extractor 5 and a ground (acceleration) electrode 6 arranged below the extractor 4. 1) From the emitter downward (along the Z-axis) by adjusting the output of the focusing lens power supply 9 that constitutes the focusing lens 8 and applies a potential between the ground potential and the potential of the extractor 5 to the intermediate electrode 7. It is possible to adjust the focusing effect on the ion beam that is diverged. Below the focusing lens 8 is a Vienna type filter 10.
are arranged, and the intensities of the electric field E formed in the X-axis direction and the magnetic field B formed in the Y-axis direction within the region indicated by the broken line are varied by the output of the filter power supply 11. A slit 12 placed below the Vienna filter is for cutting the ion beam dispersed by the filter, and the ion beam that has passed through the slit 12 is sent to the two ground electrodes 13a, 13b and the objective lens power source 15. After being focused by an objective (second focusing) lens 16 comprising an intermediate electrode 14 to which a positive potential is applied, the sample 17 is irradiated. Generally, the path of the ion beam emitted from the tip surface of the emitter 2 is complicated, but since the path taken as a whole is as if it were linearly diverging from a specific area, there is a virtual ion source, or crossover, in this specific area. It can be assumed that there is. The focusing lens 8 and the objective lens 16 sequentially focus the ion beam diverging from this crossover,
This is for forming a second crossover reduced image on the surface of the sample 17. A deflection electrode 18 is provided between the objective lens 16 and the sample, and by adjusting the output of a deflection power source 19 applied to the deflection electrode 18, the ion beam irradiation position on the sample can be moved arbitrarily. be able to. Further, the secondary electrons generated from the sample 16 by the ion beam irradiation are detected by the detector 20 as an electric signal, and the electric signal is applied to the display device 21 and the signal measurement circuit 22, and the output of the deflection power source 19. Signal display or signal measurement is performed in correspondence with the above. Deflection power supply 1
9 outputs a scanning signal to two-dimensionally scan a certain area on the sample surface with the ion beam, and the signal supplied from the detector 20 is used as a brightness modulation signal to display the display device 21. A secondary electron image of the sample surface can be displayed on the cathode ray tube screen. Further, the output signal of the signal measurement circuit 22 is applied to a central control circuit (CPU) 23,
The central control circuit 23 supplies control signals to the focusing lens power supply 9 and the filter power supply 11.
第１図の装置を用いてイオンビームを最適状態
で集束させる操作、即ち集束レンズ強度の最適調
整操作は、次のような手順で行なわれる。 An operation for optimally focusing an ion beam using the apparatus shown in FIG. 1, that is, an operation for optimally adjusting the focusing lens strength, is performed in the following procedure.
先ず、エミツタ２の先端に質量数６９と７２の
原子から成るガリウム（Ga）を液体状態のまま
保持し、引出し電源１０の出力を＋5KV程度に
してエミツターから６９Gaの陽イオンビームと
７２Gaのイオンビームを発散させる。又、集束
レンズ電源９と対物レンズ電源１５の出力を適当
な値に設定してこれらのイオンビームが試料上に
集束されるように設定し、更に表示装置２１の陰
極線管画面に走査像が表示されるようにしてお
く。ウイーン型フイルター１０については、注目
する６９Gaイオンの速度をｖとしてＥ＝vBの条
件が満足されるようにフイルター電源１１を調整
する。この調整により６９Gaイオンビームから
７２Gaイオンビームを分離することができ、Ｅ
＝vBの条件が満足されればＥ，Ｂの値を大きく
する程質量分離の効果が大きくなるが、本発明に
よる集束レンズ調整段階においてはＥ，Ｂの値は
余り大きくせずに、フイルター１０によつて分離
された７２Gaイオンビームが十分な分離を受け
ることなしにスリツト１２を通過できる程度に設
定しておく。尚、電場Ｅと磁場Ｂを弱くする代り
にスリツト１２の間隙を大きなものに交換しても
よいが、その交換操作に高い精度の再現性を求め
ることは難しいので実用的ではない。 First, gallium (Ga) consisting of atoms with mass numbers 69 and 72 is held in a liquid state at the tip of the emitter 2, and the output of the extraction power source 10 is set to about +5 KV to generate a positive ion beam of 69 Ga and an ion beam of 72 Ga from the emitter. emanate. Further, the outputs of the focusing lens power source 9 and the objective lens power source 15 are set to appropriate values so that these ion beams are focused on the sample, and a scanned image is displayed on the cathode ray tube screen of the display device 21. Make sure that it is done. Regarding the Vienna type filter 10, the filter power supply 11 is adjusted so that the condition of E=vB is satisfied, where v is the velocity of the 69Ga ion of interest. With this adjustment, the 72Ga ion beam can be separated from the 69Ga ion beam, and the E
If the condition of =vB is satisfied, the larger the values of E and B are, the greater the mass separation effect will be.However, in the focusing lens adjustment step according to the present invention, the values of E and B are not too large, and the filter 10 The setting is made such that the 72Ga ion beam separated by the slit 12 can pass through the slit 12 without being sufficiently separated. Incidentally, instead of weakening the electric field E and the magnetic field B, the gap between the slits 12 may be replaced with a larger one, but this is not practical because it is difficult to require high precision reproducibility in the replacement operation.
このような装置の設定により、フイルターによ
つて質量分離された２種類のイオンビームは試料
１７上に到達し、夫々別個にイオン源のクロスオ
ーバー像を結像する。第２図は、フイルター１０
内におけるイオンビーム経路を表したもので、２
４は対物レンズ１６のレンズ主面位置を示し、フ
イルターに入射するイオンビームはその速度に応
じてIa，Ib，Icに示すような経路をとる。この場
合、分離されたイオンビーム経路の接線Cb，Cc
は必ずフイルターの中心Ｏを通る。従つて、フイ
ルターに入射するイオンビームがフイルターの中
心Ｏにクロスオーバー像を結像するような経路か
ら入射している場合には、表示装置２１に表示さ
れる走査画像を観察しながら像が鮮明になるよう
に対物レンズ電源１５の出力を（フオーカシン
グ）調整すれば、フイルターによつて分離された
イオンビームIbやIcも分離されないイオンビーム
Iaと同じく試料面上の一点Paにクロスオーバー
像を結像することができる。これに対して、フイ
ルターに入射するイオンビームがフイルターの中
心Ｏではなく、例えばフイルターの入射端１０ａ
にクロスオーバー像を結像するような経路から入
射しているような場合には、前述した要領で対物
レンズ電源１５の出力を調整すると、フイルター
で分離されたイオンビームIb，Icは試料面上にお
いてPaと離れた位置Pb，Pcにクロスオーバー像
を結像するようになる。このような状態で試料走
査を行うことは、複数本のイオンビームによつて
試料面上を走査することに相当するので表示装置
２１の陰極線管画面には、第３図にその一例を示
すように円形に表示されるべき試料像が二重に表
示されるようになる。 With such a setup of the apparatus, two types of ion beams that have been mass-separated by the filter reach the sample 17 and form crossover images of the ion sources separately. Figure 2 shows the filter 10
This represents the ion beam path within 2
4 indicates the position of the main surface of the objective lens 16, and the ion beam incident on the filter takes paths Ia, Ib, and Ic depending on its velocity. In this case, the tangents Cb, Cc of the separated ion beam paths
always passes through the center O of the filter. Therefore, if the ion beam is incident on the filter from a path that forms a crossover image at the center O of the filter, the image will be clear while observing the scanned image displayed on the display device 21. By adjusting the output of the objective lens power supply 15 (focusing) so that the ion beams Ib and Ic separated by the filter become unseparated ion beams.
Similar to Ia, a crossover image can be formed at a single point Pa on the sample surface. On the other hand, the ion beam incident on the filter is not at the center O of the filter, but at the input end 10a of the filter, for example.
If the ion beams are incident from a path that forms a crossover image at At this point, a crossover image is formed at positions Pb and Pc that are distant from Pa. Scanning the sample in such a state corresponds to scanning the sample surface with multiple ion beams, so the cathode ray tube screen of the display device 21 displays an example as shown in Fig. 3. The sample image, which should be displayed circularly, is now displayed double.
次に、表示装置に表示される二重像を観察しな
がら、集束レンズ電源９の出力を少しづつ変化さ
せ二重像の間隔が短くなつてついには一致するよ
うに調整する。この調整によりイオンビームのク
ロスオーバー像をフイルターの中心Ｏに結像させ
ることができるので、フイルター１０内における
エネルギー分散を最小に抑えることができる。そ
してこの状態からフイルタ電源１１の出力調整を
行い、フイルター１０の電場Ｅと磁場Ｂの強度を
Ｅ＝vBの条件を満足させながら強くしてイオン
ビームの質量分離を強く調整すれば７２Gaのイ
オンビームはスリツト１２を通過できなくなり、
試料上には６９Gaのイオンビームのみによるク
ロスオーバー像を結像させることが可能となる。 Next, while observing the double images displayed on the display device, the output of the focusing lens power source 9 is changed little by little to adjust the distance between the double images so that the distance between the double images becomes shorter and eventually they coincide. With this adjustment, the crossover image of the ion beam can be formed at the center O of the filter, so that energy dispersion within the filter 10 can be minimized. Then, from this state, adjust the output of the filter power supply 11, increase the strength of the electric field E and magnetic field B of the filter 10 while satisfying the condition of E = vB, and strongly adjust the mass separation of the ion beam, resulting in a 72 Ga ion beam. cannot pass through slit 12,
It becomes possible to form a crossover image on the sample using only the 69Ga ion beam.
本発明による集束レンズ強度の最適調整は、以
下のように自動的に行うこともできる。先ず、試
料１７の代わりに直線状の端部を有するナイフエ
ツヂ等を本来の試料表面位置にセツトしておく。
次に中央制御回路２３を作動させて予め記憶させ
ておいたプログラムに従つて、フイルター電源１
１の出力を６９Gaと７２Gaのイオンビームを弱
く分離できる状態に設定し、偏向電源１９の出力
を二次元走査信号から線走査信号に切換える。こ
の状態では、試料面位置の複数位置に結像したク
ロスオーバー像がナイフエツヂのＸ方向と垂直な
Ｙ方向に線走査されるため、検出器２０の出力信
号波形は第４図ａに示すような波形となつて、表
示装置２１の陰極線管画面に表示される。信号測
定回路２２は、先ず第４図ａに示される入力信号
を微分して第４図ｂに示すような波形とし、各ク
ロスオーバー像に対応する各ピーク信号の間隔
t1，t2を測定して中央制御回路２３内の一時記憶
回路に記録させる。次に、中央制御回路２３は集
束レンズの電源９の出力を増減どちらか方向に変
化させ、変化後の信号ピーク間隔を測定して前記
一時記憶回路の記憶された間隔t1，t2と比較し、
その比較結果に基づいて集束レンズ電源９の次の
出力変化量と極性を制御する。 Optimal adjustment of the focusing lens strength according to the invention can also be performed automatically as follows. First, instead of the sample 17, a knife edge or the like having a straight end is set at the original sample surface position.
Next, the central control circuit 23 is activated to control the filter power supply 1 according to a pre-stored program.
The output of the deflection power source 19 is set to a state where the 69Ga and 72Ga ion beams can be weakly separated, and the output of the deflection power source 19 is switched from a two-dimensional scanning signal to a line scanning signal. In this state, the crossover images formed at multiple positions on the sample surface are line-scanned in the Y direction perpendicular to the X direction of the knife edge, so the output signal waveform of the detector 20 is as shown in FIG. 4a. The waveform is displayed on the cathode ray tube screen of the display device 21. The signal measuring circuit 22 first differentiates the input signal shown in FIG. 4a to obtain a waveform as shown in FIG. 4b, and calculates the interval between each peak signal corresponding to each crossover image.
t 1 and t 2 are measured and recorded in a temporary storage circuit within the central control circuit 23. Next, the central control circuit 23 changes the output of the power source 9 of the focusing lens in either direction, increases or decreases, measures the signal peak interval after the change, and compares it with the intervals t 1 and t 2 stored in the temporary storage circuit. death,
Based on the comparison result, the next output change amount and polarity of the focusing lens power source 9 are controlled.
このような制御を繰返して最終的には各信号ピ
ークの間隔が略零となるように集束レンズ電源９
の出力を自動設定する。このような自動設定が行
われれば、フイルターに入射するイオンビームを
フイルターの中心にクロスオーバー像を結像する
ような経路からフイルターに入射させることがで
きる。又、第４図ｂの波形におけるピークの幅ｗ
はイオンビームのナイフエツヂ面におけるフオー
カス状態を表わしているので、信号幅ｗを最小に
する手順を自動化して対物レンズ電源１５のフオ
ーカス合わせ操作を収束レンズ強度の自動設定と
併せて自動化することも容易である。 By repeating such control, the focusing lens power source 9 is finally adjusted so that the interval between each signal peak becomes approximately zero.
Automatically set the output. If such automatic setting is performed, the ion beam that enters the filter can be made to enter the filter from a path that forms a crossover image at the center of the filter. Also, the width of the peak w in the waveform of Fig. 4b
Since represents the focus state on the knife edge plane of the ion beam, it is easy to automate the procedure for minimizing the signal width w and automate the focus adjustment operation of the objective lens power source 15 along with the automatic setting of the converging lens strength. It is.
尚、本発明は上記実施例に限定されるものでは
なく、ウイーン型フイルターを組込んだ装置であ
れば、例えば３段以上のレンズを用いてイオンビ
ームを集束する装置やガリウムの代わりに金Au
とアルミAIからなる共晶合金をイオン発生物質
とする装置に本発明を適用することも容易であ
る。 It should be noted that the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and can be applied to a device incorporating a Vienna filter, for example, a device that focuses an ion beam using three or more stages of lenses, or a device that uses gold Au instead of gallium.
It is also easy to apply the present invention to a device using a eutectic alloy consisting of aluminum and aluminum AI as an ion generating substance.
以上詳述した如く、本発明は、所定面上に形成
される複数のクロスオーバ像の間隔を測定する手
段を設けたので、ウイーン型フイルターの中心に
イオン源のクロスオーバー像を形成する様な経路
からイオンビームがフイルターに入射しているか
否かが容易に確認出来る。そして、該複数像の間
隔が零となる様に集束レンズの強度を調整してい
るので、ウイーン型フイルターの中心にクロスオ
ーバー像を結像させるような方向からイオンビー
ムをフイルターに入射させることが容易になるの
で、質量分離を行うフイルター内におけるエネル
ギー分散の少ない状態でイオンビームを集束させ
ることが容易に可能となる。 As described in detail above, the present invention is provided with a means for measuring the interval between a plurality of crossover images formed on a predetermined surface, so that it is possible to form a crossover image of the ion source at the center of the Vienna filter. It can be easily confirmed from the path whether the ion beam is entering the filter or not. Since the intensity of the focusing lens is adjusted so that the interval between the multiple images is zero, it is possible to make the ion beam enter the filter from a direction that will form a crossover image at the center of the Vienna filter. Therefore, it becomes possible to easily focus the ion beam with less energy dispersion within the filter that performs mass separation.
第１図は本発明の一実施例装置を示す略図、第
２図は第１図の装置の動作を説明するための略
図、第３図及び第４図は本発明の他の実施例を説
明するための図である。
１……真空鏡筒、２……エミツター、３ａ……
加熱電源、３ｂ……加速電源、４……エクストラ
クタ、５……引出電源、６……接地電極、７……
中間電極、８……集束レンズ、９……集束レンズ
電源、１０……ウイーン型フイルター、１１……
フイルター電源、１２……スリツト、１３ａ，１
３ｂ……接地電極、１４……中間電極、１５……
対物レンズ電源、１６……対物レンズ、１７……
試料、１８……偏向電極、１９……偏向電源、２
０……検出器、２１……表示装置、２２……信号
測定回路、２３……中央制御回路、２４……対物
レンズ主面。
FIG. 1 is a schematic diagram showing an apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic diagram for explaining the operation of the apparatus shown in FIG. 1, and FIGS. 3 and 4 are diagrams explaining other embodiments of the present invention. This is a diagram for 1... Vacuum lens barrel, 2... Emitter, 3a...
Heating power supply, 3b...Acceleration power supply, 4...Extractor, 5...Extraction power supply, 6...Grounding electrode, 7...
Intermediate electrode, 8... Focusing lens, 9... Focusing lens power supply, 10... Vienna type filter, 11...
Filter power supply, 12...Slit, 13a, 1
3b...Ground electrode, 14...Intermediate electrode, 15...
Objective lens power supply, 16... Objective lens, 17...
Sample, 18... Deflection electrode, 19... Deflection power supply, 2
0...Detector, 21...Display device, 22...Signal measurement circuit, 23...Central control circuit, 24...Objective lens main surface.
Claims (1)
生するインオ源と、該イオン源から発散するイオ
ンビームを順次集束させて所定の面上にイオン源
のクロスオーバ像を形成するための集束レンズ及
び対物レンズと、該集束レンズと対物レンズの間
に設けられ互に直交する電場と磁場を発生するウ
イーン型フイルターと、前記所定の面上に形成さ
れる複数のクロスオーバ像の間隔を測定する手段
と、該複数像の間隔が零となるように前記集束レ
ンズの強度を調整する手段を備えたことを特徴と
するイオンビーム集束装置。1. An ion source that generates multiple types of ion beams with different mass numbers, and a focusing lens and objective for sequentially focusing the ion beams diverging from the ion source to form a crossover image of the ion source on a predetermined surface. a lens, a Vienna filter provided between the focusing lens and the objective lens and generating mutually orthogonal electric and magnetic fields, and means for measuring intervals between the plurality of crossover images formed on the predetermined surface. . An ion beam focusing device comprising means for adjusting the intensity of the focusing lens so that the interval between the plurality of images becomes zero.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58147886A JPS6039748A (en) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | Ion beam focusing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58147886A JPS6039748A (en) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | Ion beam focusing device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6039748A JPS6039748A (en) | 1985-03-01 |
| JPH0378739B2 true JPH0378739B2 (en) | 1991-12-16 |
Family
ID=15440417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58147886A Granted JPS6039748A (en) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | Ion beam focusing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6039748A (en) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3621184A1 (en) * | 1986-06-25 | 1988-01-07 | Glyco Metall Werke | LAYERING MATERIAL AND METHOD FOR ITS PRODUCTION BY VACUUM PLASMA SPRAYING |
| JP2700002B2 (en) * | 1986-09-05 | 1998-01-19 | 株式会社日立製作所 | Charged particle optics |
| JPS63218139A (en) * | 1987-03-06 | 1988-09-12 | Jeol Ltd | Ion beam device |
| JPS63218134A (en) * | 1987-03-06 | 1988-09-12 | Jeol Ltd | Ion beam device |
| JPH0218853A (en) * | 1988-07-06 | 1990-01-23 | Jeol Ltd | Ion beam device |
| DE10122957B4 (en) | 2001-05-11 | 2005-06-02 | Akt Electron Beam Technology Gmbh | Particle beam apparatus with energy corrected beam deflection and apparatus and method for energy corrected deflection of a particle beam |
| US6717141B1 (en) * | 2001-11-27 | 2004-04-06 | Schlumberger Technologies, Inc. | Reduction of aberrations produced by Wien filter in a scanning electron microscope and the like |
| US7256606B2 (en) | 2004-08-03 | 2007-08-14 | Applied Materials, Inc. | Method for testing pixels for LCD TFT displays |
| JP6253375B2 (en) | 2013-12-02 | 2017-12-27 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | Ion implanter |
-
1983
- 1983-08-12 JP JP58147886A patent/JPS6039748A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6039748A (en) | 1985-03-01 |
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