JPH0375716A - Laser recorder - Google Patents
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- JPH0375716A JPH0375716A JP21263189A JP21263189A JPH0375716A JP H0375716 A JPH0375716 A JP H0375716A JP 21263189 A JP21263189 A JP 21263189A JP 21263189 A JP21263189 A JP 21263189A JP H0375716 A JPH0375716 A JP H0375716A
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Landscapes
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ドツト径を′可変可能なレーザプリンタ、デ
ジタル複写機等のレーザ記録装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a laser recording apparatus such as a laser printer, a digital copying machine, etc., in which the dot diameter can be varied.
従来の技術
近年、高品質印字の可能なレーザ記録装置にあっては、
さらなる高性能化のため、画素毎のドツト径可変による
多値階調記録を可能とすることが提案されている。Conventional technology In recent years, laser recording devices capable of high-quality printing have
In order to further improve performance, it has been proposed to enable multilevel gradation recording by varying the dot diameter for each pixel.
例えば、特開昭61−113018号公報によれば、レ
ーザビームのドツトサイズを変化させるための可変絞り
と、その絞り量を制御するための制御手段とを備えたも
のが示されている。For example, Japanese Unexamined Patent Publication No. 113018/1983 discloses an apparatus that includes a variable aperture for changing the dot size of the laser beam and a control means for controlling the amount of the aperture.
また、特開昭63−296069号公報によれば、半導
体レーザの光強度を制御することで、光ビームドツト径
を変化させ、隣接する2ドツトの画素情報がともに非照
射情報の場合には、ドツト径を拡大させて線の切れを防
ぐようにしたものが示されている。Furthermore, according to Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-296069, the diameter of the light beam dot is changed by controlling the light intensity of the semiconductor laser, and when the pixel information of two adjacent dots are both non-irradiation information, the dot The diameter is enlarged to prevent the wire from breaking.
発明が解決しようとする課題
ところが、前者の公報記載方式によると、可変絞りがア
イリス絞り又は液晶絞りからなるため、応答速度が遅く
、高速のレーザ記録装置には不適である。However, according to the former method described in the publication, the variable aperture consists of an iris aperture or a liquid crystal aperture, which has a slow response speed and is unsuitable for high-speed laser recording devices.
また、後者の公報記載方式によると、半導体レーザの光
強度を変えることでビームドツト径を変えているため、
ドツト径の変化量が少なく、効果の小さいものである。Also, according to the latter method described in the publication, the beam dot diameter is changed by changing the light intensity of the semiconductor laser.
The amount of change in dot diameter is small, and the effect is small.
課題を解決するための手段
レーザ光源と、複数のアパーチャエレメントを有して入
射レーザビームに対するアパーチャ量が可変制御される
可変アパーチャ素子と、この可変アパーチャ素子からの
出射レーザビームを偏向走査させる光偏向器と、偏向さ
れたレーザビームを被走査媒体上に結像させる結像光学
素子とにより構成した。Means for Solving the Problems A laser light source, a variable aperture element having a plurality of aperture elements in which the aperture amount for an incident laser beam is variably controlled, and an optical deflector for deflecting and scanning an output laser beam from the variable aperture element. and an imaging optical element that images the deflected laser beam onto the scanned medium.
作用
被走査媒体上に結像される1画素毎のドツト径は、可変
アパーチャ素子のアパーチャ量に応じて可変される。よ
って、可変アパーチャ素子においてアパーチャエレメン
トを開閉制御してアパーチャ量を可変させればよく、応
答速度の速いドツト径可変が可能となる。また、アパー
チャエレメントによりアパーチャ量の変化量を大きくす
ることもでき、ドツト径を大きく可変させることができ
、効果的な多値階調記録が可能となる。The diameter of each pixel of the dot imaged onto the scanned medium is varied according to the aperture amount of the variable aperture element. Therefore, the aperture amount can be varied by controlling the opening and closing of the aperture element in the variable aperture element, and the dot diameter can be varied with a fast response speed. Further, the amount of change in aperture amount can be increased by using an aperture element, and the dot diameter can be greatly varied, making it possible to perform effective multilevel gradation recording.
実施例 本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。Example An embodiment of the present invention will be described based on the drawings.
本実施例は、ドツト径の可変に可変アパーチャ素子を用
いることを特徴とするものであり、この可変アパーチャ
素子の主体をなすアパーチャ素子lの構造を第2図に示
す。まず、上下両面が光学研磨された厚さ400μmの
PLZTなる電気光学結晶2が用意され、その−面には
幅100μm程度の光透過領域3を残してその両側に約
200pm程度の深さの溝4,5がダイシングソウで形
成されている。これらの溝4,5の幅は1++u++以
上とするが、光透過領域3を残して電気光学結晶2の全
面に渡る状態で形成してもよい。何れにしても、光透過
領域3は凸状となり、側壁6を持つことになる。This embodiment is characterized in that a variable aperture element is used to vary the dot diameter, and FIG. 2 shows the structure of the aperture element l, which is the main component of this variable aperture element. First, an electro-optic crystal 2 made of PLZT with a thickness of 400 μm and having both upper and lower surfaces optically polished is prepared, and a light transmitting region 3 with a width of about 100 μm is left on the − surface, and grooves with a depth of about 200 μm are formed on both sides of the electro-optic crystal 2. 4 and 5 are formed using a dicing saw. The width of these grooves 4 and 5 is 1++u++ or more, but they may be formed over the entire surface of the electro-optic crystal 2, leaving the light transmitting region 3. In any case, the light transmitting region 3 will have a convex shape and have side walls 6.
次に、側壁6を含め溝4,5部分に対して電極膜(例え
ば、NiCr:Au)7がスパッタリング法により形成
される。この後、電極膜7を含めて電気光学結晶2面に
、溝4,5に直交する方向に深さ250μm、幅20p
m(7)溝8がloopmピッチで複数本形成される。Next, an electrode film (for example, NiCr:Au) 7 is formed on the grooves 4 and 5 including the side walls 6 by sputtering. After this, a groove of 250 μm in depth and 20 p in width is applied to the two faces of the electro-optic crystal including the electrode film 7 in the direction perpendicular to the grooves 4 and 5.
A plurality of m(7) grooves 8 are formed at a pitch of loop m.
これにより、第2図(b)に示すように光透過領域3及
び電極膜7が分離された複数個(ここでは、8個の例を
示す)の矩形状のアパーチャエレメント(光のオン・オ
フ領域)9及びアパーチャエレメント9毎に個別の電極
lOが形成される。As a result, as shown in FIG. 2(b), a plurality of (eight examples are shown here) rectangular aperture elements (light on/off A separate electrode IO is formed for each region) 9 and aperture element 9.
このようなアパーチャ素子lの動作原理を説明する。原
理的には第3図に示すように偏光子11と検光子12と
をレーザビームの入射・出射側に組合せて用いられる。The operating principle of such an aperture element 1 will be explained. In principle, as shown in FIG. 3, a polarizer 11 and an analyzer 12 are used in combination on the laser beam entrance and exit sides.
ここに、偏光子11と検光子12とは互いに直交関係に
あり、アパーチャ素子lに印加する電界方向に対して4
5°となる角度で設置される。今、入射光の強度をIi
、出射光の強度をIoとし、1つのアパーチャエレメン
ト9内で考えると、
なる関係が成立する。ただし、位相差rはr’=−・t
−n、 ・Rc−E” −・−−−−−−−−
−(2)λ
で示される。ここに、λ:波長、tニアパーチャ素子1
の厚さ、n、:屈折率、E:電界強度、Rc二二次電気
光学定数である。Here, the polarizer 11 and the analyzer 12 are orthogonal to each other, and the direction of the electric field applied to the aperture element l is 4.
It is installed at an angle of 5°. Now, the intensity of the incident light is Ii
, the intensity of the emitted light is Io, and when considering within one aperture element 9, the following relationship holds true. However, the phase difference r is r'=-・t
-n, ・Rc-E" −・---------
−(2) denoted by λ. Here, λ: wavelength, t near aperture element 1
thickness, n: refractive index, E: electric field strength, and Rc: second-order electro-optical constant.
(1)式によれば、位相差rがmπ(mは奇数)の時に
Ioが最大となり(即ち、アパーチャエレメント9が開
いたオン状態となる)、位相差Fがm′π(m’は偶数
)の時にIoが最小となる(即ち、アパーチャエレメン
ト9が閉じたオフ状態となる)。According to equation (1), Io is maximum when the phase difference r is mπ (m is an odd number) (that is, the aperture element 9 is in the open and on state), and the phase difference F is m'π (m' is an odd number). (even number), Io is at its minimum (that is, the aperture element 9 is closed and in the OFF state).
よって、複数のアパーチャエレメント9について各々の
電極10を介して個別に電圧印加を制御することにより
、任意のアパーチャエレメント9を開閉(オン・オフ)
制御、即ちアパーチャ量を可変制御することができる。Therefore, by individually controlling voltage application to a plurality of aperture elements 9 via each electrode 10, any aperture element 9 can be opened/closed (on/off).
In other words, the aperture amount can be variably controlled.
第3図では、中心4個のアパーチャエレメント9が開か
れ残りの4個のアパーチャエレメント9が閉じられた場
合の出射光の光強度分布の一例を符号13部分に示す。In FIG. 3, a portion 13 shows an example of the light intensity distribution of the emitted light when the central four aperture elements 9 are opened and the remaining four aperture elements 9 are closed.
これにより、レーザ記録装置においては1画素内でドツ
ト径を可変させ得ることになる。This allows the dot diameter to be varied within one pixel in the laser recording apparatus.
ここに、このようなアパーチャ素子lを駆動させるため
には駆動用のIC等が必要であり、可変アパーチャ素子
14としては第4図に示すように実装される。まず、光
透過領域7(アパーチャエレメント9)部分に対して開
口部15が形成された基板(セラミック基板)16が用
意され、開口部15位置上に7バーチヤ素子1が接着剤
により実装固定されるとともに、両側に駆動用のICl
7も実装固定される。そして、これらのIC17と各電
極10との間はボンディングワイヤ18により接続され
る。具体的には、電極10側に対しては溝4,5部分に
てそのボンディングにボンディングされ、ICI 7側
に対しては基板16上に設けられたポンディングパッド
部にボンディングされる。このような可変アパーチャ素
子14の前後に偏光子11と検光子12とを配置するこ
とにより、入射レーザビームを任意ドツト径に制御した
状態で出射レーザビームとして取出すことができる。Here, in order to drive such an aperture element 1, a driving IC or the like is required, and the variable aperture element 14 is mounted as shown in FIG. First, a substrate (ceramic substrate) 16 in which an opening 15 is formed in the light transmitting region 7 (aperture element 9) is prepared, and the seven vertices elements 1 are mounted and fixed on the opening 15 using an adhesive. In addition, ICl for driving is installed on both sides.
7 is also fixedly mounted. These ICs 17 and each electrode 10 are connected by bonding wires 18. Specifically, the electrode 10 side is bonded to the grooves 4 and 5, and the ICI 7 side is bonded to the bonding pad portion provided on the substrate 16. By arranging the polarizer 11 and the analyzer 12 before and after the variable aperture element 14, the incident laser beam can be extracted as an output laser beam while controlling the dot diameter to be arbitrary.
しかして、ドツト径可変のレーザプリンタとしては、第
1図に示すように構成される。まず、画素情報に応じて
変調駆動されるレーザ光源として半導体レーザ20が設
けられている。この半導体レーザ20から出射されるレ
ーザビーム光路上に前記可変アパーチャ素子14が配設
されるが、両者間には半導体レーザ20からの出射光を
平行光とさせるカップリングレンズ21、レーザビーム
の偏光方向を副走査方向に対して456とさせるλ/2
板22、及び可変アパーチャ素子14上にレーザビーム
を絞り込んで入射させるシリンダレンズ23が介在され
ている。ここに、可変アパーチャ素子14は複数個のア
パーチャエレメント9が副走査方向に並ぶように配設さ
れる。可変アパーチャ素子14の出射側には、ビーム変
換するためのレンズ24及びシリンダレンズ25を経て
、レーザビームを主走査方向に偏向走査させるための偏
向器なるポリゴンミラー26が設けられている。ポリゴ
ンミラー26の出射側には偏向されたレーザビームを被
走査媒体(例えば感光体)27面上に結像させる結像光
学素子としてのトロイダルfθレンズ28が設けられて
いる。A variable dot diameter laser printer is constructed as shown in FIG. First, a semiconductor laser 20 is provided as a laser light source that is modulated and driven according to pixel information. The variable aperture element 14 is disposed on the optical path of the laser beam emitted from the semiconductor laser 20, and between the two is a coupling lens 21 that converts the light emitted from the semiconductor laser 20 into parallel light, and a coupling lens 21 that polarizes the laser beam. λ/2 that makes the direction 456 with respect to the sub-scanning direction
A cylinder lens 23 is interposed to focus the laser beam onto the plate 22 and the variable aperture element 14. Here, the variable aperture element 14 is arranged such that a plurality of aperture elements 9 are lined up in the sub-scanning direction. On the output side of the variable aperture element 14, a polygon mirror 26 serving as a deflector is provided to deflect and scan the laser beam in the main scanning direction via a lens 24 for beam conversion and a cylinder lens 25. A toroidal fθ lens 28 is provided on the output side of the polygon mirror 26 as an imaging optical element that forms an image of the deflected laser beam onto the surface of a scanned medium (for example, a photoreceptor) 27.
ここに、本実施例にあっては、可変アパーチャ素子14
と被走査媒体27面とが、結像の共役関係にあるように
位置設定されている。即ち、可変アパーチャ素子14面
が被走査媒体27面上に結像される関係であり、アパー
チャ量が被走査媒体27面上に正確に再現されて副走査
方向のドツト径が可変されることになる。Here, in this embodiment, the variable aperture element 14
and the surface of the scanned medium 27 are positioned so that they are in a conjugate relationship for image formation. That is, the surface of the variable aperture element 14 is imaged on the surface of the medium 27 to be scanned, and the aperture amount is accurately reproduced on the surface of the medium 27 to be scanned, so that the dot diameter in the sub-scanning direction can be varied. Become.
第5図は、このドツト径可変の様子の一例を示すもので
ある。即ち、画素情報に応じて半導体レーザ20を駆動
制御すると同時に、画素情報の濃淡に応じて可変アパー
チャ素子14におけるアパーチャ量(開かれるアパーチ
ャエレメント9の状態)を可変制御することにより、図
示のように副走査方向にドツト径が可変された多値階調
記録が可能となる。FIG. 5 shows an example of how the dot diameter is varied. That is, by driving and controlling the semiconductor laser 20 according to the pixel information and at the same time variably controlling the aperture amount (the state of the aperture element 9 to be opened) in the variable aperture element 14 according to the density of the pixel information, as shown in the figure. Multi-level gradation recording in which the dot diameter is varied in the sub-scanning direction becomes possible.
この場合、可変アパーチャ素子14による副走査方向の
ドツト径変化だけでなく、半導体レーザ20を第6図に
示すようにパルス幅変調駆動させるようにすれば、主走
査方向にもドツト径の可変されたより高度な多値階調記
録が可能となる。In this case, in addition to changing the dot diameter in the sub-scanning direction by the variable aperture element 14, if the semiconductor laser 20 is driven by pulse width modulation as shown in FIG. 6, the dot diameter can also be changed in the main scanning direction. This enables more advanced multilevel gradation recording.
なお、第5図や第6図に示す駆動方式において、半導体
レーザ20を多値情報に応じて光強度変調駆動させるよ
うにしてもよい。このような光強度変調も組合せること
により、より高度な多値階調記録が可能となる。In addition, in the driving method shown in FIG. 5 or FIG. 6, the semiconductor laser 20 may be driven by optical intensity modulation according to multilevel information. By combining such light intensity modulation, more sophisticated multilevel gradation recording becomes possible.
なお、可変アパーチャ素子14用のアパーチャ素子とし
ては、第2図のものに限らず、例えば第7図や第8図に
示すものであってもよい。Note that the aperture element for the variable aperture element 14 is not limited to the one shown in FIG. 2, but may be one shown in FIG. 7 or FIG. 8, for example.
第7図は、アパーチャ素子31に関し、両面が光学研磨
された厚さ600pmのPLZTなる電気光学結晶32
を用い、その両面に光透過領域3、溝4,5,8、電極
膜7等を形成し、両面にアパーチャエレメント9及び電
極lOを形成したものである(裏面側は符号にダッシュ
r′」を付して示す)。この場合、アパーチャエレメン
ト9及び電極10は表裏で重複しないように交互に配列
形成される。これによれば、両面利用により表裏双方の
アパーチャエレメント9の配列間隔が密となり、片面の
みの配列の場合に比して光損失が低減されるとともに、
高密度化も可能となる。FIG. 7 shows an electro-optic crystal 32 made of PLZT having a thickness of 600 pm and having both sides optically polished, regarding the aperture element 31.
A light transmitting area 3, grooves 4, 5, 8, an electrode film 7, etc. are formed on both sides, and an aperture element 9 and an electrode 10 are formed on both sides (the back side has a dash r' in the code). ). In this case, the aperture elements 9 and the electrodes 10 are arranged alternately on the front and back so that they do not overlap. According to this, by using both sides, the arrangement interval of the aperture elements 9 on both the front and back sides becomes dense, and light loss is reduced compared to the case of arrangement on only one side.
High density is also possible.
第8図は、アパーチャ素子33に関し、両面が光学研磨
されたPLZTなる電気光学結晶34の一面に溝4,5
.8を形成せずに直接電極35を個別に形成しく電極膜
7形成後のエツチング等による)、左右の電極35間が
アパーチャエレメント36となるようにしたものである
。この場合も、第7図に準じてアパーチャエレメント3
6を両面に交互に形成するようにしてもよい。Regarding the aperture element 33, FIG.
.. In this embodiment, the electrodes 35 are directly formed individually without forming the electrode film 7 (by etching, etc. after the electrode film 7 is formed), and the aperture element 36 is formed between the left and right electrodes 35. In this case as well, the aperture element 3
6 may be formed alternately on both sides.
発明の効果
本発明は、上述したように、レーザ光源、光偏向器、結
像光学素子とともに、複数のアパーチャエレメントを有
して入射レーザビームに対するアパーチャ量が可変制御
される可変アパーチャ素子を用いて構成したので、被走
査媒体上に結像される1画素毎のドツト径を、可変アパ
ーチャ素子のアパーチャ量に応じて可変できるものであ
り、よって、可変アパーチャ素子においてアパーチャエ
レメントを開閉制御してアパーチャ量を可変させればよ
く、応答速度の速いドツト径可変が可能で、かつ、アパ
ーチャエレメントによりアパーチャ量の変化量を大きく
することもでき、ドツト径を大きく可変させることがで
き、効果的な多値階調記録が可能なものである。Effects of the Invention As described above, the present invention uses a laser light source, a light deflector, an imaging optical element, and a variable aperture element that has a plurality of aperture elements and whose aperture amount for an incident laser beam is variably controlled. With this configuration, the dot diameter of each pixel that is imaged on the scanned medium can be varied according to the aperture amount of the variable aperture element. It is possible to change the dot diameter with a fast response speed, and it is also possible to increase the amount of change in the aperture amount using an aperture element, making it possible to greatly vary the dot diameter. Value gradation recording is possible.
9・・・アパーチャエレメント、14・・・可変アパー
チャ素子、20・・・光源、26・・・偏向器、27・
・・被走査媒体、28・・・結像光学素子9... Aperture element, 14... Variable aperture element, 20... Light source, 26... Deflector, 27...
...Scanned medium, 28...Imaging optical element
図面は本発明の一実施例を示すもので、第1図(a)は
レーザプリンタの光学系の概略正面図、同図(b)はそ
の概略平面図、第2図(a)はアパーチャ素子を示す概
略正面図、同図(b)はその概略平面図、第3図は動作
原理を示す概略側面図、第4図(a)可変アパーチャ素
子を示す概略正面図、同図(b)はその概略平面図、第
5図は可変ドツト径の例を示す説明図、第6図は可変ド
ツト径の変形例を示す説明図、第7図(a)はアパーチ
ャ素子の変形例を示す概略正面図、同図(b)はその概
略平面図、第8図(a)はアパーチャ素子の異なる変形
例を示す概略正面図、同図(b)はその概略平面図であ
る。The drawings show one embodiment of the present invention; FIG. 1(a) is a schematic front view of the optical system of a laser printer, FIG. 2(b) is a schematic plan view thereof, and FIG. Fig. 3 is a schematic side view showing the operating principle, Fig. 4 (a) is a schematic front view showing the variable aperture element, Fig. 4 (b) is a schematic front view showing the variable aperture element, A schematic plan view thereof, FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of a variable dot diameter, FIG. 6 is an explanatory diagram showing a modification example of the variable dot diameter, and FIG. 7(a) is a schematic front view showing a modification example of the aperture element. 8(b) is a schematic plan view thereof, FIG. 8(a) is a schematic front view showing different modifications of the aperture element, and FIG. 8(b) is a schematic plan view thereof.
Claims (1)
入射レーザビームに対するアパーチャ量が可変制御され
る可変アパーチャ素子と、この可変アパーチャ素子から
の出射レーザビームを偏向走査させる光偏向器と、偏向
されたレーザビームを被走査媒体上に結像させる結像光
学素子とよりなることを特徴とするレーザ記録装置。A laser light source, a variable aperture element that has a plurality of aperture elements and whose aperture amount for an incident laser beam is variably controlled, an optical deflector that deflects and scans an output laser beam from the variable aperture element, and a deflected laser. A laser recording device comprising: an imaging optical element that images a beam onto a scanned medium.
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-
1989
- 1989-08-18 JP JP1212631A patent/JP2902002B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02175267A (en) * | 1988-12-28 | 1990-07-06 | Fujitsu Ltd | recording device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2902002B2 (en) | 1999-06-07 |
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