JPH0369203A - 電圧制御発振器 - Google Patents
電圧制御発振器Info
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- JPH0369203A JPH0369203A JP1205490A JP20549089A JPH0369203A JP H0369203 A JPH0369203 A JP H0369203A JP 1205490 A JP1205490 A JP 1205490A JP 20549089 A JP20549089 A JP 20549089A JP H0369203 A JPH0369203 A JP H0369203A
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- coil
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- parallel
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Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/326—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator the resonator being an acoustic wave device, e.g. SAW or BAW device
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、自動車電話等において使用される電圧制御
発振器に関する。
発振器に関する。
「従来の技術」
従来、この種の電圧制御発振器(以下、vCOという)
においては、共振回路のインピーダンス素子にセラミッ
クスによる誘電体共振器等が用l、)られていた。しか
し、近年、自動車電話等の小型化か要求され、これに伴
い、共振回路のインピーダンス素子に弾性表面波共振器
(以下5AW−Rという)を用いたものが開発されつつ
ある。
においては、共振回路のインピーダンス素子にセラミッ
クスによる誘電体共振器等が用l、)られていた。しか
し、近年、自動車電話等の小型化か要求され、これに伴
い、共振回路のインピーダンス素子に弾性表面波共振器
(以下5AW−Rという)を用いたものが開発されつつ
ある。
第6図はこの5AW−Rを用いたvCOの構成例を示す
回路図であり、この図において、lは制御電圧入力端子
、2はチョークコイル、3は可変容量ダイオード、4は
コンデンサ、5は5AWR,6は伸張コイル、7は直流
カットコンデンサ、8はトランジスタ、9.lOは帰還
コンデンサ、11は接地コンデンサ、12は出力コンデ
ンサ、13は出力端子である。このような構成において
、制御電圧入力端子!へ印加する電圧を変化させると、
可変容量ダイオード3の容量が変化し、この変化に応じ
て伸張コイル6.5AW−R・5.コンデンサ4.可変
容量ダイオード3によって構成される共振回路の共振周
波数が変化し、したがって、VCOの発振周波数が変化
する。
回路図であり、この図において、lは制御電圧入力端子
、2はチョークコイル、3は可変容量ダイオード、4は
コンデンサ、5は5AWR,6は伸張コイル、7は直流
カットコンデンサ、8はトランジスタ、9.lOは帰還
コンデンサ、11は接地コンデンサ、12は出力コンデ
ンサ、13は出力端子である。このような構成において
、制御電圧入力端子!へ印加する電圧を変化させると、
可変容量ダイオード3の容量が変化し、この変化に応じ
て伸張コイル6.5AW−R・5.コンデンサ4.可変
容量ダイオード3によって構成される共振回路の共振周
波数が変化し、したがって、VCOの発振周波数が変化
する。
第7図に5AW−Rの等価回路を示し、また、第8図に
5AW−Rのリアクタンス特性(実線A1)を示す。第
8図において、横軸は周波数、縦軸はりアクタンスであ
る。また、横軸より上は特性が誘導性であることを意味
し、下は特性が容量性であることを意味している。また
、周波数Isは5AW−4が直列共振状態となる周波数
、周波数rpは5AW−Rが並列共振状態となる周波数
である。いま、可変容量ダイオード3の容量の変化幅を
図に示す△Cとすると、可変容量ダイオード3と5AW
−R・5の直列回路が共振する場合、SA W −、R
・5のインダクタンスの変化幅が図に示す△Lとなり、
VCOの発振周波数の変化幅が図に示す△rとなる。
5AW−Rのリアクタンス特性(実線A1)を示す。第
8図において、横軸は周波数、縦軸はりアクタンスであ
る。また、横軸より上は特性が誘導性であることを意味
し、下は特性が容量性であることを意味している。また
、周波数Isは5AW−4が直列共振状態となる周波数
、周波数rpは5AW−Rが並列共振状態となる周波数
である。いま、可変容量ダイオード3の容量の変化幅を
図に示す△Cとすると、可変容量ダイオード3と5AW
−R・5の直列回路が共振する場合、SA W −、R
・5のインダクタンスの変化幅が図に示す△Lとなり、
VCOの発振周波数の変化幅が図に示す△rとなる。
「発明が解決しようとする課題」
ところで、自動車電話等においては、VCOの発振周波
数が800〜900MHzであり、周波数変化幅△rと
して、25〜33MHzが要求され、さらに、C/N(
搬送波信号レベル/雑音レベル比)特性も一定値以上が
要求される。
数が800〜900MHzであり、周波数変化幅△rと
して、25〜33MHzが要求され、さらに、C/N(
搬送波信号レベル/雑音レベル比)特性も一定値以上が
要求される。
従来、変化幅△rを大とするため、第6図に示す伸張コ
イル6(あるいは、マイクロストリップライン)を5A
W−R・5にシリーズに挿入していた。この伸張コイル
6を挿入すると、5AWR・5+伸張コイル6のリアク
タンス特性が第8図に示す破線A2のようになり、直列
共振周波数fsが低下し、VCOの発振周波数の変化幅
△rが△「1に拡大する。しかしながら、伸張コイル6
として大きなインダクタンスのものを用いると、共振回
路のQが低下し、この結果C/Nが低下する問題があっ
た。
イル6(あるいは、マイクロストリップライン)を5A
W−R・5にシリーズに挿入していた。この伸張コイル
6を挿入すると、5AWR・5+伸張コイル6のリアク
タンス特性が第8図に示す破線A2のようになり、直列
共振周波数fsが低下し、VCOの発振周波数の変化幅
△rが△「1に拡大する。しかしながら、伸張コイル6
として大きなインダクタンスのものを用いると、共振回
路のQが低下し、この結果C/Nが低下する問題があっ
た。
この発明は上述した事情に鑑みてなされたもので、C/
Nを大きく低下させることなく、しがち充分な発振周波
数の変化幅を得ることができる電圧制御発振器を提供す
ることを目的としている。
Nを大きく低下させることなく、しがち充分な発振周波
数の変化幅を得ることができる電圧制御発振器を提供す
ることを目的としている。
「課題を解決するための手段」
第1発明は、共振回路にインピーダンス素子および可変
容量の直列回路を用いた電圧制御発振器において、前記
インピーダンス素子として弾性表面波素子およびインダ
クタの並列回路を用いたことを特徴とする。
容量の直列回路を用いた電圧制御発振器において、前記
インピーダンス素子として弾性表面波素子およびインダ
クタの並列回路を用いたことを特徴とする。
また、第2発明は、上記のインピーダンス素子として複
数の弾性表面波素子の並列回路を用いたことを特徴とし
ている。
数の弾性表面波素子の並列回路を用いたことを特徴とし
ている。
「作用」
第1発明によれば、第2図に示すように、5AW−Rお
よびインダクタの並列回路が並列共振状態となる周波数
fpが、5AW−Rのみの場合より高周波側にずれ(周
波数rp+参照)、これによって変化幅△fが拡大する
。また、第2発明によれば、第4図の実線A4に示すよ
うに、リアクタンス特性線の形状が変化し、これによっ
て変化幅△rが拡大する。
よびインダクタの並列回路が並列共振状態となる周波数
fpが、5AW−Rのみの場合より高周波側にずれ(周
波数rp+参照)、これによって変化幅△fが拡大する
。また、第2発明によれば、第4図の実線A4に示すよ
うに、リアクタンス特性線の形状が変化し、これによっ
て変化幅△rが拡大する。
「実施例」
以下、図面を参照してこの発明の実施例について説明す
る。
る。
第1図はこの発明の第1の実施例の構成を示す回路図で
あり、この図において第6図の各部と対応する部分には
同一の符号を付しである。この図に示す回路が第6図の
回路と異なる点は、第6図における伸張コイル6が設け
られておらず、代わりに5AW−R・5に並列にコイル
21が設けられている点である。
あり、この図において第6図の各部と対応する部分には
同一の符号を付しである。この図に示す回路が第6図の
回路と異なる点は、第6図における伸張コイル6が設け
られておらず、代わりに5AW−R・5に並列にコイル
21が設けられている点である。
第2図における破線AIは前述した5AW−R・5のリ
アクタンス特性図、また、実線A3は5AW−R・5お
よびコイル21の並列回路のりアクタンス特性図である
。この図に示すように、コイル21を挿入すると、直列
共振状態となる周波数rpが高周波側にずれ(周波数r
p+参照)、これによって変化幅△rが△f2に拡大す
る。また、この実施例によれば、コイル21を挿入した
ことによって、発振周波数が高周波側にずれるので、5
AWRを構成する電極ピッチを小さくすることなく高い
周波数を発振できるため低周波側にずれる第6図の回路
に比較し、5AW−Rが製作し易くなる利点がある。
アクタンス特性図、また、実線A3は5AW−R・5お
よびコイル21の並列回路のりアクタンス特性図である
。この図に示すように、コイル21を挿入すると、直列
共振状態となる周波数rpが高周波側にずれ(周波数r
p+参照)、これによって変化幅△rが△f2に拡大す
る。また、この実施例によれば、コイル21を挿入した
ことによって、発振周波数が高周波側にずれるので、5
AWRを構成する電極ピッチを小さくすることなく高い
周波数を発振できるため低周波側にずれる第6図の回路
に比較し、5AW−Rが製作し易くなる利点がある。
なお、上記実施例において、5AW−R・5およびコイ
ル2Iの並列回路と、コンデンサ7との間に比較的イン
ダクタンスの小さい伸張コイルまたはマイクロストリッ
プラインを挿入してもよい。
ル2Iの並列回路と、コンデンサ7との間に比較的イン
ダクタンスの小さい伸張コイルまたはマイクロストリッ
プラインを挿入してもよい。
また、コイル21に代えてマイクロストリップラインを
用いてもよい。
用いてもよい。
第3図はこの発明の第2の実施例の構成を示す回路図で
あり、この図に示す実施例が第1図に示す実施例と異な
る点は、5AW−R・5とコイル21の並列回路に代え
て、特性が揃った5AWR・22および5AW−R23
の並列回路が用いられている点である。
あり、この図に示す実施例が第1図に示す実施例と異な
る点は、5AW−R・5とコイル21の並列回路に代え
て、特性が揃った5AWR・22および5AW−R23
の並列回路が用いられている点である。
第4図の実線A4は5AW−R22,23の並列回路の
りアクタンス特性を示し、破線Alは5AW−R1個の
りアクタンス特性を示している。
りアクタンス特性を示し、破線Alは5AW−R1個の
りアクタンス特性を示している。
この図に示すように、2個の5AW−Rを並列接続して
も、直列共振周波数fsおよび並列共振周波数rpは1
個の場合と変わらない。しかし、特性線が図に示すよう
に湾曲し、これにより、変化幅△rを△r3に拡大する
ことができる。また、!個の5AW−RのQは、第7図
の等価回路において、Q−ωL/R・・・・・・(1) なる式によって表されるが、2個並列に接続された場合
、上記(1)式において L−L/2R→几/2 となり、したがって、Qの値は変わらない。すなわち、
上記第2の実施例によれば、Qの値を全く低下させるこ
となく、したがって、C/Nを低下させることなく、変
化幅△「を拡大することができる。
も、直列共振周波数fsおよび並列共振周波数rpは1
個の場合と変わらない。しかし、特性線が図に示すよう
に湾曲し、これにより、変化幅△rを△r3に拡大する
ことができる。また、!個の5AW−RのQは、第7図
の等価回路において、Q−ωL/R・・・・・・(1) なる式によって表されるが、2個並列に接続された場合
、上記(1)式において L−L/2R→几/2 となり、したがって、Qの値は変わらない。すなわち、
上記第2の実施例によれば、Qの値を全く低下させるこ
となく、したがって、C/Nを低下させることなく、変
化幅△「を拡大することができる。
なお、5AW−R22,23の並列回路とコンデンサ7
との間に、比較的インダクタンスの小さい伸張コイル(
またはマイクロストリップライン)を挿入してもよい。
との間に、比較的インダクタンスの小さい伸張コイル(
またはマイクロストリップライン)を挿入してもよい。
この場合、第5図に示すように、直列共振周波数fsh
(fszまで低下し、したがって、第3図の回路よりさ
らに変化幅を拡大することができる(△f4参照)。ま
た、5AW−R22゜23の並列回路にさらにコイルま
たはマイクロストリップラインを並列に接続してもよい
。また、上記実施例は5AW−Rを2個並列に接続して
いるが、並列の個数は3個以上でもよい。
(fszまで低下し、したがって、第3図の回路よりさ
らに変化幅を拡大することができる(△f4参照)。ま
た、5AW−R22゜23の並列回路にさらにコイルま
たはマイクロストリップラインを並列に接続してもよい
。また、上記実施例は5AW−Rを2個並列に接続して
いるが、並列の個数は3個以上でもよい。
「発明の効果」
以上説明したように、この発明によれば、共振回路のQ
を低下させることなく、したがってC/Nを低下させる
ことなく、充分大きな発振周波数の変化幅を得ることが
できる効果がある。
を低下させることなく、したがってC/Nを低下させる
ことなく、充分大きな発振周波数の変化幅を得ることが
できる効果がある。
第1図はこの発明の第1の実施例の構成を示す回路図、
第2図は第1図における5AW−R5およびコイル21
の並列回路のリアクタンス特性を示す図、第3図はこの
発明の第2の実施例の構成を示す回路図、第4図は第3
図における5AWR22,23の並列回路のりアクタン
ス特性を示す図、第5図は5AW−R22,23の並列
回路に直列に伸張コイルを挿入した場合のりアクタンス
特性を示す図、第6図は従来の■COの構成例を示す回
路図、第7図は5AW−Hの等価回路図、第8図は5A
W−Rのリアクタンス特性、5AWRおよび伸張コイル
の直列回路のリアクタンス特性を示す図である。 ノ7クタ゛ノス 第1図 第2図 3・・・・・・可変容量ダイオード、5,22.23・
・・・・・5AW−r(,2+・・・・・・コイル、第
3図 第4図 ノアフタ〉ス 第5図 ノアクタフス 第6図
第2図は第1図における5AW−R5およびコイル21
の並列回路のリアクタンス特性を示す図、第3図はこの
発明の第2の実施例の構成を示す回路図、第4図は第3
図における5AWR22,23の並列回路のりアクタン
ス特性を示す図、第5図は5AW−R22,23の並列
回路に直列に伸張コイルを挿入した場合のりアクタンス
特性を示す図、第6図は従来の■COの構成例を示す回
路図、第7図は5AW−Hの等価回路図、第8図は5A
W−Rのリアクタンス特性、5AWRおよび伸張コイル
の直列回路のリアクタンス特性を示す図である。 ノ7クタ゛ノス 第1図 第2図 3・・・・・・可変容量ダイオード、5,22.23・
・・・・・5AW−r(,2+・・・・・・コイル、第
3図 第4図 ノアフタ〉ス 第5図 ノアクタフス 第6図
Claims (2)
- (1)共振回路にインピーダンス素子および可変容量の
直列回路を用いた電圧制御発振器において、前記インピ
ーダンス素子として弾性表面波素子およびインダクタの
並列回路を用いたことを特徴とする電圧制御発振器。 - (2)共振回路にインピーダンス素子および可変容量の
直列回路を用いた電圧制御発振器において、前記インピ
ーダンス素子として複数の弾性表面波素子の並列回路を
用いたことを特徴とする電圧制御発振器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1205490A JPH0369203A (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | 電圧制御発振器 |
US07/525,933 US5043681A (en) | 1989-08-08 | 1990-05-18 | Voltage controlled oscillator including a saw resonator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1205490A JPH0369203A (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | 電圧制御発振器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0369203A true JPH0369203A (ja) | 1991-03-25 |
Family
ID=16507720
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1205490A Pending JPH0369203A (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | 電圧制御発振器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5043681A (ja) |
JP (1) | JPH0369203A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100501016B1 (ko) * | 1996-06-20 | 2005-11-08 | 소니 가부시끼 가이샤 | 발진회로 |
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---|---|---|---|---|
US5105162A (en) * | 1991-06-20 | 1992-04-14 | United Technologies Automotive | Electrically tuned RF receiver, apparatus and method therefor |
US5329256A (en) * | 1993-06-30 | 1994-07-12 | Motorola, Inc. | Tunable oscillator having a non-reflective saw resonator |
DE19634622B4 (de) * | 1996-08-27 | 2005-05-12 | Epcos Ag | In seiner Resonanzfrequenz abstimmbarer Butler-Oszillator |
US6239664B1 (en) * | 1999-03-05 | 2001-05-29 | Rf Monolithics, Inc. | Low phase noise, wide tuning range oscillator utilizing a one port saw resonator and method of operation |
US6914493B2 (en) | 2001-03-08 | 2005-07-05 | Rf Monolithics, Inc. | Noise resistant low phase noise, frequency tracking oscillators and methods of operating the same |
FR2864729B1 (fr) * | 2003-12-29 | 2006-05-05 | St Microelectronics Sa | Resonateur acoustique integrable , et procede d'integration d'un tel resonateur |
FR2864733A1 (fr) * | 2003-12-29 | 2005-07-01 | St Microelectronics Sa | Boucle a verrouillage de phase integrable dotee d'un resonateur acoustique |
FR2864726B1 (fr) * | 2003-12-29 | 2007-12-07 | St Microelectronics Sa | Boucle a verrouillage d'amplitude integrable dotee d'un resonateur acoustique |
FR2864727B1 (fr) * | 2003-12-29 | 2007-05-11 | St Microelectronics Sa | Circuit electronique comportant un resonateur destine a etre integre dans un produit semi-conducteur |
FR2864728B1 (fr) * | 2003-12-29 | 2007-12-07 | St Microelectronics Sa | Circuit electronique integre comportant un resonateur accordable |
FR2883432B1 (fr) * | 2005-03-18 | 2008-02-22 | St Microelectronics Sa | Circuit de filtrage accordable en frequence integrable, comportant un jeu de resonateurs baw |
FR2888060A1 (fr) * | 2005-07-01 | 2007-01-05 | St Microelectronics Sa | Circuit de filtrage passe-bande dote de resonateurs acoustiques |
FR2904492A1 (fr) * | 2006-07-28 | 2008-02-01 | St Microelectronics Sa | Circuit de filtrage dote de resonateurs acoustiques |
FR2905042B1 (fr) * | 2006-08-17 | 2008-12-12 | St Microelectronics Sa | Circuit electronique integre comportant un resonnateur accordable |
FR2905041A1 (fr) * | 2006-08-17 | 2008-02-22 | St Microelectronics Sa | Circuit de capacite negative pour applications hautes frequences |
US7642871B2 (en) * | 2006-09-14 | 2010-01-05 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave oscillator and method of varying frequency thereof |
FR2920612B1 (fr) * | 2007-09-03 | 2009-12-04 | St Microelectronics Sa | Circuit d'accord en frequence pour filtre treillis |
US8339220B2 (en) * | 2009-09-16 | 2012-12-25 | Lojack Operating Company, Lp | Surface acoustic wave resonator filter |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4011526A (en) * | 1976-01-05 | 1977-03-08 | Motorola, Inc. | Temperature compensated surface acoustic wave oscillator |
JPS53145595A (en) * | 1977-05-25 | 1978-12-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Elastic surface wave oscillator |
US4581592A (en) * | 1983-05-03 | 1986-04-08 | R F Monolithics, Inc. | Saw stabilized oscillator with controlled pull-range |
JP2511007B2 (ja) * | 1986-11-05 | 1996-06-26 | 株式会社日立製作所 | 補助蒸気装置 |
US4924195A (en) * | 1989-06-19 | 1990-05-08 | At&T Bell Laboratories | Crystal oscillator with broad tuning capability |
-
1989
- 1989-08-08 JP JP1205490A patent/JPH0369203A/ja active Pending
-
1990
- 1990-05-18 US US07/525,933 patent/US5043681A/en not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5043681A (en) | 1991-08-27 |
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