JPH0369110A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0369110A JPH0369110A JP20618189A JP20618189A JPH0369110A JP H0369110 A JPH0369110 A JP H0369110A JP 20618189 A JP20618189 A JP 20618189A JP 20618189 A JP20618189 A JP 20618189A JP H0369110 A JPH0369110 A JP H0369110A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- cup
- wafer
- semiconductor substrate
- baffles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 101100327917 Caenorhabditis elegans chup-1 gene Proteins 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板にレジストを塗布する半導体装置に
関し、特に塗布処理を行なうカップの構造に関する。
関し、特に塗布処理を行なうカップの構造に関する。
従来、この種の半導体製造装置のカップは、第３図の断
面図に示すように、真空チャック１１に吸着されたウェ
ハー１０にレジストを滴下して回転塗布する際、ウェハ
ー１０の周囲を囲んでいるだけとなっていた。
面図に示すように、真空チャック１１に吸着されたウェ
ハー１０にレジストを滴下して回転塗布する際、ウェハ
ー１０の周囲を囲んでいるだけとなっていた。
上述した従来の半導体製造装置は、回転するウェハーか
ら振り飛ばされたレジストが、カップの壁面に衝突して
レジストの飛沫が跳ね返り、ウェハーの表面に再付着す
るという欠点がある。
ら振り飛ばされたレジストが、カップの壁面に衝突して
レジストの飛沫が跳ね返り、ウェハーの表面に再付着す
るという欠点がある。
本発明は、半導体基板の表面にレジストを滴下し、カッ
プ内でウェハーを高速で回転させてレジストを塗布する
半導体製造装置において、半導体基板から振り飛ばされ
たレジストがカップの壁面に当って出来る飛沫の跳ね返
りを阻止する羽根板を有する半導体製造装置である。
プ内でウェハーを高速で回転させてレジストを塗布する
半導体製造装置において、半導体基板から振り飛ばされ
たレジストがカップの壁面に当って出来る飛沫の跳ね返
りを阻止する羽根板を有する半導体製造装置である。
第１図は本発明の第１の実施例の縦断面図である。ウェ
ハー２は真空チャック３に固定されて回転する。カップ
１は、側面と下部から排気されているので、ウェハーか
ら振り飛ばされたレジストが衝突して発生する飛沫は、
バッフル４の間と下部から排出される。又、バッフルに
当ったレジストは、カップの底に落ちてドレインから排
出される。バッフル４は、同一形状の皿状リングを数段
に重ねた羽根板構造をなしている。
ハー２は真空チャック３に固定されて回転する。カップ
１は、側面と下部から排気されているので、ウェハーか
ら振り飛ばされたレジストが衝突して発生する飛沫は、
バッフル４の間と下部から排出される。又、バッフルに
当ったレジストは、カップの底に落ちてドレインから排
出される。バッフル４は、同一形状の皿状リングを数段
に重ねた羽根板構造をなしている。
第２図は本発明の第２の実施例の縦断面図である。バッ
フル８は、上部に行く程開口部が広くなっている。カッ
プ５もバッフル８に合わせて上部が広くなっている。こ
の実施例では、バッフルの内径端（ウェハーのある内側
〉から垂れ落ちてくるレジストは下側のバッフルに受は
取られ、内側に落ちることがないので、真空チャック７
を汚したりすることがなく、新たな飛沫の発生を防止す
ることができるという利点がある。
フル８は、上部に行く程開口部が広くなっている。カッ
プ５もバッフル８に合わせて上部が広くなっている。こ
の実施例では、バッフルの内径端（ウェハーのある内側
〉から垂れ落ちてくるレジストは下側のバッフルに受は
取られ、内側に落ちることがないので、真空チャック７
を汚したりすることがなく、新たな飛沫の発生を防止す
ることができるという利点がある。
以上説明したように本発明は、カップの内側にバッフル
を設けて排気することで、レジストの飛沫による半導体
回路パターンの不良を防止し歩留りを向上できる効果が
ある。
を設けて排気することで、レジストの飛沫による半導体
回路パターンの不良を防止し歩留りを向上できる効果が
ある。
第１図は本発明の第１の実施例の縦断面図、第２図は本
発明の第２の実施例の縦断面図、第３図は従来のカップ
部の断面図である。 １．５．９・・・カップ、２，６．１０・・・ウェハー
３．７．１１・・・真空チャック、４．８・・・バッフ
ル。
発明の第２の実施例の縦断面図、第３図は従来のカップ
部の断面図である。 １．５．９・・・カップ、２，６．１０・・・ウェハー
３．７．１１・・・真空チャック、４．８・・・バッフ
ル。
Claims (1)
- 半導体基板の表面にレジストを滴下し、カップ内でウェ
ハーを高速で回転させてレジストを塗布する半導体製造
装置において、半導体基板から振り飛ばされたレジスト
がカップの壁面に当って出来る飛沫の跳ね返りを阻止す
る羽根板を有する事を特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20618189A JPH0369110A (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20618189A JPH0369110A (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0369110A true JPH0369110A (ja) | 1991-03-25 |
Family
ID=16519158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20618189A Pending JPH0369110A (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0369110A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5863328A (en) * | 1996-02-15 | 1999-01-26 | Singulus Technologies Gmbh | Device for surface coating or lacquering of substrates |
| JP2003000672A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-07 | Fuji Iryoki:Kk | 美顔器 |
| JP2009168953A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Kamakura Koki Kk | 双眼鏡 |
| JP2009291584A (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Masakazu Morisato | 蒸気浴方法及び装置 |
-
1989
- 1989-08-08 JP JP20618189A patent/JPH0369110A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5863328A (en) * | 1996-02-15 | 1999-01-26 | Singulus Technologies Gmbh | Device for surface coating or lacquering of substrates |
| JP2003000672A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-07 | Fuji Iryoki:Kk | 美顔器 |
| JP2009168953A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Kamakura Koki Kk | 双眼鏡 |
| JP2009291584A (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Masakazu Morisato | 蒸気浴方法及び装置 |
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