JPH036669B2 - - Google Patents
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- JPH036669B2 JPH036669B2 JP59021962A JP2196284A JPH036669B2 JP H036669 B2 JPH036669 B2 JP H036669B2 JP 59021962 A JP59021962 A JP 59021962A JP 2196284 A JP2196284 A JP 2196284A JP H036669 B2 JPH036669 B2 JP H036669B2
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、ガリウムと砒素とを含む化合物半
導体を有する半導体装置及びその製造方法に関す
るものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a semiconductor device having a compound semiconductor containing gallium and arsenic, and a method for manufacturing the same.
従来、砒化ガリウム（GaAs）のようなガリウ
ムと砒素とを含む化合物半導体を基体とする半導
体装置の該化合物半導体と接する電極や配線に
は、単体金属又はタングステン硅化物のような金
属硅化物が使われている。特に、シヨツトキダイ
オードの電極などにおいては、ダイオードの評価
パラメータとしてのｎ値が小さいアルミニウムな
どの単体金属が好ましい。
Conventionally, elemental metals or metal silicides such as tungsten silicide have been used for electrodes and wiring in contact with the compound semiconductor of semiconductor devices based on compound semiconductors containing gallium and arsenic such as gallium arsenide (GaAs). It is being said. In particular, for the electrode of a Schottky diode, a single metal such as aluminum, which has a small n value as a diode evaluation parameter, is preferable.
しかし、単体金属を半導体表面に直接接触させ
る構造の電極の場合、高温においてもガリウムと
砒素とを含む化合物半導体と反応しない電極を形
成することが困難であるため、高温処理をする必
要があるときはｎ値が急激に増大してしまう。こ
のため、高温での熱処理を要するGaAs集積回路
等の半導体装置の製造においては、高温でも安定
な金属を含む化合物を電極材料として用いる必要
がある。このような観点から、ガリウムと砒素と
を含む化合物半導体と高温で比較的反応しにくい
電極材料として、これまでタングステン硅化物等
の金属硅化物が広く用いられてきた。また、配線
材料においても高温で安定な材料が好ましいこと
から、同時に金属硅化物が利用されてきた。 However, in the case of electrodes with a structure in which a single metal is brought into direct contact with the semiconductor surface, it is difficult to form an electrode that does not react with a compound semiconductor containing gallium and arsenic even at high temperatures, so high-temperature treatment is necessary. In this case, the n value increases rapidly. Therefore, in the manufacture of semiconductor devices such as GaAs integrated circuits that require heat treatment at high temperatures, it is necessary to use compounds containing metals that are stable even at high temperatures as electrode materials. From this point of view, metal silicides such as tungsten silicide have been widely used as electrode materials that are relatively difficult to react with compound semiconductors containing gallium and arsenic at high temperatures. Further, since it is preferable to use a material that is stable at high temperatures as a wiring material, metal silicides have also been used.
しかし、これらの金属硅化物を電極又は配線の
材料として用いたとしても、800℃以上になると、
ガリウムと砒素とを含む化合物半導体との反応を
避けることはできない。そのため、800℃以上で
高温熱処理を行なう場合には、製造条件のわずか
な相違が、熱処理後の電極又は配線の特性の大き
な変化となつて現われてしまい、特性の良好な半
導体装置を安定に製造することが困難であつた。 However, even if these metal silicides are used as materials for electrodes or wiring, at temperatures above 800℃,
Reactions with compound semiconductors containing gallium and arsenic cannot be avoided. Therefore, when performing high-temperature heat treatment at temperatures above 800°C, slight differences in manufacturing conditions will result in large changes in the characteristics of electrodes or wiring after heat treatment, making it difficult to stably manufacture semiconductor devices with good characteristics. It was difficult to do so.
さらに、金属単体や従来の金属硅化物は酸化し
やすいため、高温熱処理は還元雰囲気中で行なう
必要があり、通常、水素またはアルシス雰囲気中
で行なうので、その毒性や爆発性のために作業上
きわめて危険を伴うものであつた。 Furthermore, since metals and conventional metal silicides are easily oxidized, high-temperature heat treatment must be carried out in a reducing atmosphere, and is usually carried out in a hydrogen or ALS atmosphere, which is extremely difficult to work with due to its toxicity and explosive properties. It was dangerous.
本発明は、このような問題点に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、ガリウムと砒素とを含
む化合物半導体と直接接触する電極又は配線の特
性が熱処理に対しても安定した半導体装置を得る
こと及びその製造方法を得ることにある。
The present invention has been made in view of these problems, and its purpose is to provide a semiconductor device in which the characteristics of electrodes or wiring that are in direct contact with a compound semiconductor containing gallium and arsenic are stable even when subjected to heat treatment. The objective is to obtain a method for producing the same.
かかる目的を達成するために、本発明は、電極
又は配線材料として窒素を添加した金属硅化物を
用いたものである。また、この窒素を添加した金
属硅化物から成る電極又は配線を形成するため
に、金属硅化物をターゲツトとし、窒素ガスを含
むアルゴンガス中でスパツタリングを行うもので
ある。 In order to achieve this object, the present invention uses a nitrogen-doped metal silicide as an electrode or wiring material. Furthermore, in order to form electrodes or wiring made of the metal silicide to which nitrogen is added, sputtering is performed in argon gas containing nitrogen gas using the metal silicide as a target.
以下、本発明を実施例とともに詳細に説明す
る。
Hereinafter, the present invention will be explained in detail together with examples.
第１図は、本発明に係る半導体装置の第１実施
例であるシヨツトキダイオード１０を示す断面図
である。ガリウムと砒素とを含む化合物半導体で
あるｎ形GaAs基板１２の上には、窒素を添加し
たタングステン硅化物層によるシヨツトキ電極１
４及びオーミツク電極１６が直接接触して形成さ
れている。 FIG. 1 is a sectional view showing a shotgun diode 10 which is a first embodiment of a semiconductor device according to the present invention. On the n-type GaAs substrate 12, which is a compound semiconductor containing gallium and arsenic, there is a shot electrode 1 made of a tungsten silicide layer doped with nitrogen.
4 and ohmic electrode 16 are formed in direct contact with each other.
このシヨツトキ電極１４は次のようなスパツタ
リング法により形成する。すなわち、ターゲツト
にタングステン硅化物を用い、アルゴンガス中に
窒素ガスを混合して、反応性スパツタ法により、
ｎ形GaAs基板上に窒素を添加したタングステン
硅化物を堆積させる。その後、〔CF4＋O2〕プラ
ズマ・エツチングにより、電極パターニングを行
なう。 This shot electrode 14 is formed by the following sputtering method. That is, using tungsten silicide as a target, mixing nitrogen gas with argon gas, and using the reactive sputtering method,
Tungsten silicide doped with nitrogen is deposited on an n-type GaAs substrate. Thereafter, electrode patterning is performed by [CF 4 +O 2 ] plasma etching.
第２図は、本発明に係る半導体装置の第２実施
例であるシヨツトキダイオード２０の断面図であ
る。この図において、第１図と同一の部分には同
一の符号を付してある。ｎ形GaAs基板１２の上
に、シヨツトキ電極２２とオーミツク電極１６と
が形成されている。シヨツトキ電極２２は２層構
造となつており、基板１２に接する第１層２４は
窒素を添加したタングステン硅化物から成り、そ
の層の厚さは200Åである。第２層２６はタング
ステン硅化物層であり、その層の厚さは1800Åで
ある。 FIG. 2 is a sectional view of a shotgun diode 20 which is a second embodiment of the semiconductor device according to the present invention. In this figure, the same parts as in FIG. 1 are given the same reference numerals. On the n-type GaAs substrate 12, a shot electrode 22 and an ohmic electrode 16 are formed. The shot electrode 22 has a two-layer structure, and the first layer 24 in contact with the substrate 12 is made of nitrogen-doped tungsten silicide and has a thickness of 200 Å. The second layer 26 is a tungsten silicide layer with a thickness of 1800 Å.
本実施例では、窒素を添加したタングステン硅
化物を第１層とし、その上に電気抵抗が小さく、
かつ、高温熱処理時にGaAs基板１２及び第１層
２４と反応しにくい材料としてタングステン硅化
物を堆積し、２層構造としているので、対熱性を
高く維持しつつ電極の電気抵抗を低くすることが
できるものである。 In this example, the first layer is tungsten silicide doped with nitrogen, and on top of that is a layer of low electrical resistance.
In addition, since tungsten silicide is deposited as a material that does not easily react with the GaAs substrate 12 and the first layer 24 during high-temperature heat treatment, resulting in a two-layer structure, the electrical resistance of the electrode can be lowered while maintaining high heat resistance. It is something.
第３図及び第４図は、本実施例のシヨツトキダ
イオードのｎ値及びシヨツトキバリア高さについ
ての熱処理温度に対する関係を示したものであ
る。両図において、破線は、スパツタリングター
ゲツトにタングステン硅化物を用い、アルゴンガ
ス圧５ｍTorr、放電電力100Wの条件でスパツタ
法により製作したタングステン硅化物をシヨツト
キ電極としたシヨツトキダイオードとしての従来
装置の場合を示したものであり、実線は、本実施
例すなわち第２図に示すシヨツトキダイオード２
０の場合を示したものである。なお、ここにおけ
るシヨツトキダイオード２０の第１層２４は全ガ
ス圧を一定（５ｍTorr）にして３％の窒素ガス
を混合し、タングステン硅化物をターゲツトとし
て反応性スパツタ法により製作したものである。 FIGS. 3 and 4 show the relationship between the n value and the shottock barrier height of the shottock diode of this example with respect to the heat treatment temperature. In both figures, the broken line indicates the conventional device as a shot diode, which was manufactured by the sputtering method using tungsten silide as a sputtering target, argon gas pressure of 5 mTorr, and discharge power of 100 W. The solid line indicates the case of the shot diode 2 of this embodiment, that is, the shot diode 2 shown in FIG.
This shows the case of 0. The first layer 24 of the Schottky diode 20 here was fabricated by a reactive sputtering method using tungsten silicide as a target by mixing 3% nitrogen gas with the total gas pressure kept constant (5 mTorr).
第３図に示すように、従来装置（破線）の場合
は、800℃を越えたところから急激にｎ値が増加
しているのに対し、本実施例装置（実線）では、
その傾斜はほとんど変化せず、450℃におけるｎ
値との差はわずかである。このことから、800℃
以上においても、窒素を添加したタングステン硅
化物は、ガリウムと硅化とを含む化合物半導体と
反応しないことがわかる。 As shown in Fig. 3, in the case of the conventional device (dashed line), the n value increases rapidly after the temperature exceeds 800°C, whereas in the device of this embodiment (solid line),
Its slope hardly changes, and n at 450℃
The difference between the two values is small. From this, 800℃
The above also shows that tungsten silicide added with nitrogen does not react with a compound semiconductor containing gallium and silicide.
また、本実施例装置は、従来装置に比べてｎ値
の値が450℃あたりの低温時においても低く、そ
の点でもすぐれていることがわかる（ｎ値が１に
近いほど優れている）。 It can also be seen that the device of this embodiment has a lower n value than the conventional device even at a low temperature of around 450° C., and is superior in this respect (the closer the n value is to 1, the better).
第４図からは、本実施例装置（実線）のシヨツ
トキバリア高さも熱処理温度の影響を受けにくい
ことがわかる。しかも、従来装置（破線）に比べ
てシヨツトキバリア高さが高く、例えば、装置を
論理回路に適用する際には論理振幅を広く採れる
のでＳ／Ｎの点で優れた素子を得ることができ
る。 From FIG. 4, it can be seen that the shot barrier height of the apparatus of this embodiment (solid line) is also not easily affected by the heat treatment temperature. Furthermore, the shot barrier height is higher than that of the conventional device (broken line), and when the device is applied to a logic circuit, for example, a wide logic amplitude can be obtained, so an element with an excellent S/N ratio can be obtained.
第３図及び第４図から共通に言えることは、本
実施例装置は従来装置に比べて素子製造工程にお
いて温度の許容範囲が大きいということが明らか
である。 What can be said in common from FIGS. 3 and 4 is that the apparatus of this embodiment has a wider temperature tolerance range in the element manufacturing process than the conventional apparatus.
なお、本実施例装置の製作にあたり、窒素ガス
の混合比を３％としたが、これを１％として第１
層２４の中への窒素の添加量を変えた場合でも、
第３図及び第４図に示したと同様の特性を得るこ
とができた。 In addition, in manufacturing the device of this example, the mixing ratio of nitrogen gas was set to 3%, but this was set to 1% and the first
Even if the amount of nitrogen added into the layer 24 is changed,
Characteristics similar to those shown in FIGS. 3 and 4 could be obtained.
第５図は、本実施例装置を800℃、20分の熱処
理工程を経て製作した場合のシヨツトキバリア高
さの窒素ガス流量比に対する関係を示したもので
ある。同図から判るように、窒素添加量の増加に
伴つてシヨツトキバリア高さは増加する。これを
ICのシヨツトキゲート電極等に応用した場合に
は、ドレイン電流の変化量を大きくとることがで
き、次段の電流駆動能力が向上し、特性の優れた
素子が得られる。 FIG. 5 shows the relationship between the shot barrier height and the nitrogen gas flow rate ratio when the device of this embodiment was manufactured through a heat treatment process at 800° C. for 20 minutes. As can be seen from the figure, the shot barrier height increases as the amount of nitrogen added increases. this
When applied to shot gate electrodes of ICs, the amount of change in drain current can be increased, the current driving ability of the next stage is improved, and an element with excellent characteristics can be obtained.
また、第１層２４の窒素を添加したタングステ
ン硅化物層の厚さ200Åとしたが、これを2000Å
とした場合でも850℃、20分の熱処理に対し安定
であることを確認した。なお、窒素を添加したタ
ングステン硅化物層が薄い場合は、その分だけ反
応を阻止する効果が弱まると考えられるが、基本
的にはタングステン硅化物層のみの場合より安定
な電極が実現できる。さらに第２層２６をタング
ステン硅化物としたが、これをタングステンとし
た場合でも高温熱処理に対して安定であつた。 In addition, the thickness of the nitrogen-doped tungsten silicide layer of the first layer 24 was set to 200 Å, but this was changed to 200 Å.
It was confirmed that it is stable even when heat treated at 850℃ for 20 minutes. Note that if the tungsten silicide layer to which nitrogen is added is thin, the effect of inhibiting the reaction is thought to be weakened by that amount, but basically a more stable electrode can be realized than when only the tungsten silicide layer is used. Further, the second layer 26 was made of tungsten silicide, but even when tungsten was used, it was stable against high-temperature heat treatment.
第６図は、本発明の第３実施例の断面図を示す
ものであり、窒素を添加したタングステン硅化物
を、GaAs中に埋め込んだ構造を有する。なお、
ａは正面図であり、ｂは側面図である。図におい
て、５０，５８はオーミツク電極、５２はカリウ
ムと砒素とを含む化合物半導体としてのｎ形
GaAs層、５４は窒素を添加したタングステン硅
化物埋込電極、５６はn+＋GaAs層である。 FIG. 6 shows a cross-sectional view of a third embodiment of the present invention, which has a structure in which tungsten silicide doped with nitrogen is embedded in GaAs. In addition,
a is a front view and b is a side view. In the figure, 50 and 58 are ohmic electrodes, and 52 is an n-type compound semiconductor containing potassium and arsenic.
A GaAs layer, 54 is a tungsten silicide buried electrode doped with nitrogen, and 56 is an n + +GaAs layer.
この実施例では、GaAs層５２を途中までエピ
タキシヤル成長させたところで、前述の実施例と
同様の方法すなわちスパツタ法により電極５４を
形成し、再びGaAs層エピタキシヤル成長させて
埋込電極とするものである。エピタキシヤル成長
における成長温度は650℃程度であるが、第１及
び第２実施例と同様にこの温度では、窒素を添加
したタングステン硅化物はGaAsと反応せず、安
定したｎ値及びシヨツトキバリア高さをもつ良好
な素子を得ることができる。 In this embodiment, after the GaAs layer 52 is epitaxially grown halfway, the electrode 54 is formed by the same method as in the previous embodiment, that is, the sputtering method, and the GaAs layer is epitaxially grown again to form a buried electrode. It is. The growth temperature during epitaxial growth is approximately 650°C, but at this temperature, nitrogen-doped tungsten silicide does not react with GaAs, as in the first and second embodiments, resulting in stable n-value and shot barrier height. It is possible to obtain a good element having the following characteristics.
第７図は、本発明の第４実施例の断面図を示
す。本実施例では、窒素を添加したタングステン
硅化物を電極としてではなく、配線として用いた
ものである。図において、６０はｎ−GaAs層、
６２は半絶縁性GaAs層、６４は窒素を添加した
タングステン硅化物から成る埋込配線層、６６は
ｎ−GaAsエピタキシヤル成長層である。埋込配
線層６４は半絶縁性GaAs層に直接接触してい
る。 FIG. 7 shows a cross-sectional view of a fourth embodiment of the invention. In this example, tungsten silicide doped with nitrogen is used not as an electrode but as a wiring. In the figure, 60 is an n-GaAs layer;
62 is a semi-insulating GaAs layer, 64 is a buried wiring layer made of tungsten silicide added with nitrogen, and 66 is an n-GaAs epitaxial growth layer. The buried wiring layer 64 is in direct contact with the semi-insulating GaAs layer.
本実施例のように、窒素を添加したタングステ
ン硅化物層６４の周囲に、半絶縁性GaAs層６２
を成長させる場合も、第３実施例の場合と同様、
650℃程度では、GaAsとの反応が生じないため、
良好な素子となり、さらに、高性能なパーミアブ
ル・ベース・トランジスタや３次元GaAsIC等の
製作が可能である。 As in this embodiment, a semi-insulating GaAs layer 62 is placed around the nitrogen-doped tungsten silicide layer 64.
In the case of growing , as in the case of the third embodiment,
At around 650℃, no reaction with GaAs occurs, so
It becomes a good device, and it is also possible to manufacture high-performance permeable base transistors, three-dimensional GaAs ICs, etc.
なお、以上の第１ないし第４の実施例では金属
硅化物をタングステン硅化物としたが、これをタ
ンタル硅化物、モリブデン硅化物、ニオブ硅化物
とした場合でも、各金属硅化物に窒素を添加する
ことにより、耐熱性を約50℃程度向上させること
が実験により確認された。 In addition, in the above first to fourth embodiments, tungsten silicide was used as the metal silicide, but even when tantalum silicide, molybdenum silicide, or niobium silicide is used as the metal silicide, nitrogen may be added to each metal silicide. It has been confirmed through experiments that heat resistance can be improved by about 50°C by doing so.
さらに、ガリウムと砒素とを含む化合物半導体
がGaAsの場合について述べたが、AlGaAs系で
ある場合でも、電極系における反応は、ガリウム
と砒素の外方向拡散によつて支配されるので、本
発明は有効である。 Furthermore, although the case where the compound semiconductor containing gallium and arsenic is GaAs has been described, even when the compound semiconductor is AlGaAs-based, the reaction in the electrode system is dominated by the outward diffusion of gallium and arsenic. It is valid.
以上説明したように、本発明の半導体装置は、
ガリウムと砒素とを含む化合物半導体に接する電
極又は配線材料として窒素を添加した金属硅化物
を用いているので、化合物半導体と電極又は配線
とが高温においても反応せず、製造条件のきびし
い制約を負荷しなくとも特性の安定した半導体装
置とすることができる。また、取扱上安全なアル
ゴンガス雰囲気中で高温熱処理を施すことが可能
となる。
As explained above, the semiconductor device of the present invention has
Since nitrogen-added metal silicide is used as the electrode or wiring material in contact with the compound semiconductor containing gallium and arsenic, the compound semiconductor and the electrode or wiring do not react even at high temperatures, which imposes severe restrictions on manufacturing conditions. Even without this, a semiconductor device with stable characteristics can be obtained. Furthermore, it becomes possible to perform high-temperature heat treatment in an argon gas atmosphere that is safe to handle.
かかる効果を有することから、高温での熱処理
を要するプロセスを用いて、高速動作を行なう半
導体装置を製造することが可能となる。具体的に
は、例えば、GaAs集積回路のシヨツトキ・ゲー
ト電極に本発明を応用した場合、ゲート電極マス
クとしたイオン注入の後、不純物活性化のための
800℃、20分の熱処理を施すセルフアライン・プ
ロスセによつて、集積度が高く、高速で動作する
素子を実現することができる。 Because of this effect, it becomes possible to manufacture a semiconductor device that operates at high speed using a process that requires heat treatment at high temperatures. Specifically, for example, when the present invention is applied to a shot gate electrode of a GaAs integrated circuit, after ion implantation as a gate electrode mask, the
The self-aligning process, which involves heat treatment at 800°C for 20 minutes, makes it possible to create highly integrated devices that operate at high speed.
また、本発明を応用した半導体装置は、高温で
の安定性に優れているため、高信頼性を有すると
いう利点も兼ね備えている。したがつて、製造プ
ロセスは比較的低温であつても、衛生通信用半導
体装置等に本発明を応用した場合、高速動作と同
時に高信頼性が実現できる。 Further, since the semiconductor device to which the present invention is applied has excellent stability at high temperatures, it also has the advantage of having high reliability. Therefore, even if the manufacturing process is performed at a relatively low temperature, when the present invention is applied to a semiconductor device for sanitary communication, etc., high-speed operation and high reliability can be achieved at the same time.
また、本発明の製造方法は、金属硅化物をター
ゲツトとし、窒素ガスを含むアルゴンガス中でス
パツタリングを行なうので、窒素を添加した金属
硅化物から成る電極又は配線を形成できるだけで
なく窒素ガスの濃度を変えることによつて金属硅
化物中の窒素の割合を素子の目的に応じて容易に
変えることができる。 Furthermore, since the manufacturing method of the present invention targets metal silicide and performs sputtering in argon gas containing nitrogen gas, it is possible not only to form electrodes or wiring made of nitrogen-doped metal silicide, but also to increase the concentration of nitrogen gas. By changing the ratio of nitrogen in the metal silicide, the proportion of nitrogen in the metal silicide can be easily changed depending on the purpose of the device.
第１図は本発明の第１実施例であるシヨツトキ
ダイオードの断面図、第２図は第２実施例である
シヨツトキダイオードの断面図、第３図は熱処理
温度とｎ値の関係を示すグラフ、第４図は熱処理
温度とシヨツトキバリア高さとの関係を示すグラ
フ、第５図はシヨツトキバリア高さの窒素ガス流
量比に対する関係を示したグラフ、第６図は第３
実施例である埋込電極を有する半導体装置の断面
図、第７図は第４実施例である埋込配線を有する
半導体装置の断面図である。
１２，５２……ｎ−GaAs層、１４，２４，５
４……窒素を添加したタングステン硅化物から成
る電極層、６２……半絶縁体GaAs層、６４……
窒素を添加したタングステン硅化物から成る配線
層。
Fig. 1 is a cross-sectional view of a Schottky diode that is a first embodiment of the present invention, Fig. 2 is a cross-sectional view of a Schottky diode that is a second embodiment of the present invention, and Fig. 3 shows the relationship between heat treatment temperature and n value. Figure 4 is a graph showing the relationship between heat treatment temperature and shot barrier height, Figure 5 is a graph showing the relationship between shot barrier height and nitrogen gas flow rate ratio, and Figure 6 is a graph showing the relationship between shot barrier height and nitrogen gas flow rate ratio.
A cross-sectional view of a semiconductor device having a buried electrode according to an embodiment, and FIG. 7 is a cross-sectional view of a semiconductor device having a buried wiring according to a fourth embodiment. 12, 52... n-GaAs layer, 14, 24, 5
4... Electrode layer made of tungsten silicide doped with nitrogen, 62... Semi-insulating GaAs layer, 64...
A wiring layer made of tungsten silicide doped with nitrogen.
Claims (1)
導体を有する半導体装置において、前記化合物半
導体に接する電極又は配線層として窒素を添加し
た金属硅化物層を用いることを特徴とする半導体
装置。 ２ 少なくともガリウムと砒素とを含む化合物半
導体の上に、金属硅化物をターゲツトとし、窒素
ガスを混合したアルゴンガス雰囲気において電極
又は配線層をスパツタ法により形成することを特
徴とする半導体装置の製造方法。[Scope of Claims] 1. A semiconductor device having a compound semiconductor containing at least gallium and arsenic, characterized in that a metal silicide layer doped with nitrogen is used as an electrode or wiring layer in contact with the compound semiconductor. 2. A method for manufacturing a semiconductor device, which comprises forming an electrode or a wiring layer on a compound semiconductor containing at least gallium and arsenic using a sputtering method in an argon gas atmosphere mixed with nitrogen gas, using a metal silicide as a target. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59021962A JPS60173872A (en) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | Semiconductor device and manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59021962A JPS60173872A (en) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | Semiconductor device and manufacture thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60173872A JPS60173872A (en) | 1985-09-07 |
| JPH036669B2 true JPH036669B2 (en) | 1991-01-30 |
Family
ID=12069688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59021962A Granted JPS60173872A (en) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | Semiconductor device and manufacture thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60173872A (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62131452U (en) * | 1986-02-13 | 1987-08-19 | ||
| JPS6450527A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-27 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
| US5518958A (en) * | 1994-07-29 | 1996-05-21 | International Business Machines Corporation | Prevention of agglomeration and inversion in a semiconductor polycide process |
| US5449631A (en) * | 1994-07-29 | 1995-09-12 | International Business Machines Corporation | Prevention of agglomeration and inversion in a semiconductor salicide process |
-
1984
- 1984-02-10 JP JP59021962A patent/JPS60173872A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60173872A (en) | 1985-09-07 |
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| Date | Code | Title | Description |
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