JPH0348614B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0348614B2 JPH0348614B2 JP59205154A JP20515484A JPH0348614B2 JP H0348614 B2 JPH0348614 B2 JP H0348614B2 JP 59205154 A JP59205154 A JP 59205154A JP 20515484 A JP20515484 A JP 20515484A JP H0348614 B2 JPH0348614 B2 JP H0348614B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- slit
- piece
- movable
- piezoelectric element
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/02—Details
- H01J49/06—Electron- or ion-optical arrangements
- H01J49/067—Ion lenses, apertures, skimmers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は質量分析装置などで使用されるスリツ
ト機構に関し、特にそのスリツト幅を真空室の外
部から変えることのできるスリツト機構に関する
ものである。
ト機構に関し、特にそのスリツト幅を真空室の外
部から変えることのできるスリツト機構に関する
ものである。
(従来の技術)
分析装置、特に真空中で分析を行なう装置に使
用されている従来のスリツト機構は、機械式可変
幅スリツトか固定幅スリツトが殆んどである。
用されている従来のスリツト機構は、機械式可変
幅スリツトか固定幅スリツトが殆んどである。
機械式可変幅スリツトは、真空室外のノブの回
転により直線運動をするシヤフトを真空シール機
構を介して真空室内に導入し、そのシヤフトの先
端に一対のスリツト片の一方のスリツト片を取り
つけて可動とし、他方の固定されたスリツト片と
の間にスリツトを形成したものであり、そのスリ
ツト幅の変更は、ノブを回してシヤフトを直線運
動させることにより行なう。
転により直線運動をするシヤフトを真空シール機
構を介して真空室内に導入し、そのシヤフトの先
端に一対のスリツト片の一方のスリツト片を取り
つけて可動とし、他方の固定されたスリツト片と
の間にスリツトを形成したものであり、そのスリ
ツト幅の変更は、ノブを回してシヤフトを直線運
動させることにより行なう。
固定幅スリツトは真空室内に幅寸法の異なつた
複数個のスリツトを用意しておき、真空室外の電
動アクチユエータによりそのうちの最適幅寸法の
スリツトを選択して所定位置へ移動させるもので
ある。
複数個のスリツトを用意しておき、真空室外の電
動アクチユエータによりそのうちの最適幅寸法の
スリツトを選択して所定位置へ移動させるもので
ある。
(発明が解決しようとする問題点)
機械式可変幅スリツトや固定幅スリツトは可動
部の真空シールや、回転運動を直線運動に変換す
る機構を必要とするので、構造が複雑になる。
部の真空シールや、回転運動を直線運動に変換す
る機構を必要とするので、構造が複雑になる。
また、機械式可変幅スリツトは分析装置の自動
化を推進する上で支障になる。
化を推進する上で支障になる。
本発明は真空室の外部から内部へ電気信号のみ
を送り、その電気信号により真空室内でスリツト
幅を制御することが可能で、かつ構造の簡単なス
リツト機構を提供することを目的とするものであ
る。
を送り、その電気信号により真空室内でスリツト
幅を制御することが可能で、かつ構造の簡単なス
リツト機構を提供することを目的とするものであ
る。
(問題を解決するための手段)
本発明のスリツト機構は、その一対のスリツト
片の少なくとも一方が可動であつて、その可動の
スリツト片(以下スリツト可動片という)はバイ
モルフ形圧電素子の先端部に取り付けられ、その
バイモルフ形圧電素子の基端部は支持体に固定さ
れ、そのバイモルフ形圧電素子に電圧を印加する
ことにより、一対のスリツト片のスリツト幅を変
更させる。
片の少なくとも一方が可動であつて、その可動の
スリツト片(以下スリツト可動片という)はバイ
モルフ形圧電素子の先端部に取り付けられ、その
バイモルフ形圧電素子の基端部は支持体に固定さ
れ、そのバイモルフ形圧電素子に電圧を印加する
ことにより、一対のスリツト片のスリツト幅を変
更させる。
(作用)
バイモルフ形圧電素子は印加される電界に応じ
て変位するため、その圧電素子に取りつけられて
いるスリツト可動片もともに変位し、そのスリツ
ト可動片と対向してスリツトを形成している他方
のスリツト片との間の相対距離、すなわちスリツ
ト幅が印加電界に応じたものになる。
て変位するため、その圧電素子に取りつけられて
いるスリツト可動片もともに変位し、そのスリツ
ト可動片と対向してスリツトを形成している他方
のスリツト片との間の相対距離、すなわちスリツ
ト幅が印加電界に応じたものになる。
(実施例)
第1図はバイモルフ形圧電素子を使用した一実
施例を表わし、同図A、同図B及び同図Cはそれ
ぞれ平面図、正面図及び側面図である。
施例を表わし、同図A、同図B及び同図Cはそれ
ぞれ平面図、正面図及び側面図である。
2はスリツトSを形成する一対のスリツト片の
一方をなす固定されたスリツト片(以下スリツト
固定片という)で、金属製支持体4に固定されて
いる。6はスリツトSを構成する一対のスリツト
片の他方をなすスリツト可動片で、その一部に溝
8が設けられ、この溝8にバイモルフ形圧電素子
10の先端部が嵌め込まれ接着剤により固着され
ることにより、スリツト可動片6がバイモルフ形
圧電素子10の先端部に取りつけられている。バ
イモルフ形圧電素子10はスリツト可動片6とス
リツト固定片2とが対向してスリツトSを形成す
るように、その基端部が金属製クランパ12によ
り支持体4に固定されている。
一方をなす固定されたスリツト片(以下スリツト
固定片という)で、金属製支持体4に固定されて
いる。6はスリツトSを構成する一対のスリツト
片の他方をなすスリツト可動片で、その一部に溝
8が設けられ、この溝8にバイモルフ形圧電素子
10の先端部が嵌め込まれ接着剤により固着され
ることにより、スリツト可動片6がバイモルフ形
圧電素子10の先端部に取りつけられている。バ
イモルフ形圧電素子10はスリツト可動片6とス
リツト固定片2とが対向してスリツトSを形成す
るように、その基端部が金属製クランパ12によ
り支持体4に固定されている。
バイモルフ形圧電素子10は中間電極を挟んで
同一方向に分極した2枚の圧電素子が貼り合わさ
れて構成されており、金属製の支持体4とクラン
パ12を両圧電素子に共通の一方の電極とし、中
間電極との間に所定の電界が印加されるようにな
つている。
同一方向に分極した2枚の圧電素子が貼り合わさ
れて構成されており、金属製の支持体4とクラン
パ12を両圧電素子に共通の一方の電極とし、中
間電極との間に所定の電界が印加されるようにな
つている。
14はスリツト可動片6の位置を検出する位置
センサとしてのホトインタラプタで、支持体4に
固定されており、その対向する発光部と受光部と
の間隙16にはスリツト可動片6の一部18が挿
入され、その部分18が発光部から受光部への光
を遮ることによりスリツト可動片6の位置が検出
される。
センサとしてのホトインタラプタで、支持体4に
固定されており、その対向する発光部と受光部と
の間隙16にはスリツト可動片6の一部18が挿
入され、その部分18が発光部から受光部への光
を遮ることによりスリツト可動片6の位置が検出
される。
第2図に本実施例に使用されるスリツト幅制御
系の一例を示す。
系の一例を示す。
20はスリツト幅設定信号と位置センサ14か
らの位置信号とを入力し、両信号を比較してバイ
モルフ形圧電素子10に加える最適な直流電圧の
基になる直流電圧(以下制御電圧という)を発生
させるための制御回路であり、高い増幅率の比例
要素を含んでいるが、オフセツトを完全にとり除
く必要のある場合には、さらに積分要素を含めて
もよい。22は直流電圧発生回路で、制御回路2
0からの信号を受けてバイモルフ形圧電素子10
を駆動するに必要な直流高電圧を発生し、バイモ
ルフ形圧電素子10に印加する。
らの位置信号とを入力し、両信号を比較してバイ
モルフ形圧電素子10に加える最適な直流電圧の
基になる直流電圧(以下制御電圧という)を発生
させるための制御回路であり、高い増幅率の比例
要素を含んでいるが、オフセツトを完全にとり除
く必要のある場合には、さらに積分要素を含めて
もよい。22は直流電圧発生回路で、制御回路2
0からの信号を受けてバイモルフ形圧電素子10
を駆動するに必要な直流高電圧を発生し、バイモ
ルフ形圧電素子10に印加する。
本実施例の動作を第1図及び第2図により説明
する。いまスリツト可動片6が第1図で実線で示
される状態にあるものとして、スリツト幅を他の
所望の一定幅に変えるためにそれに対応したスリ
ツト幅設定信号を制御回路20に入力すると、制
御回路20でそのスリツト幅設定信号と位置セン
サ14からの信号とが比較され、直流電圧発生回
路22からバイモルフ形圧電素子10へ所定の直
流電圧が印加されて、バイモルフ形圧電素子10
が例えば第1図に鎖線で示される状態に変位しス
リツト可動片6も変位する。このスリツト可動片
6の位置は位置センサ14により検出され、その
検出信号が制御回路20へフイードバツクされる
ことにより、スリツト可動片6の位置が所望の設
定位置になるように精度よく制御される。
する。いまスリツト可動片6が第1図で実線で示
される状態にあるものとして、スリツト幅を他の
所望の一定幅に変えるためにそれに対応したスリ
ツト幅設定信号を制御回路20に入力すると、制
御回路20でそのスリツト幅設定信号と位置セン
サ14からの信号とが比較され、直流電圧発生回
路22からバイモルフ形圧電素子10へ所定の直
流電圧が印加されて、バイモルフ形圧電素子10
が例えば第1図に鎖線で示される状態に変位しス
リツト可動片6も変位する。このスリツト可動片
6の位置は位置センサ14により検出され、その
検出信号が制御回路20へフイードバツクされる
ことにより、スリツト可動片6の位置が所望の設
定位置になるように精度よく制御される。
第2図における直流電圧発生回路の例を第3図
〜第5図に示す。
〜第5図に示す。
第3図の例は発振用IC24と逓倍電圧回路2
6とからなるものである。制御回路20の出力信
号である直流の制御電圧を発振用IC24の電源
電圧として入力して低電圧の交流信号を作り、そ
の交流出力信号を逓倍電圧回路26に入力して昇
圧し、整流し、平滑化する。
6とからなるものである。制御回路20の出力信
号である直流の制御電圧を発振用IC24の電源
電圧として入力して低電圧の交流信号を作り、そ
の交流出力信号を逓倍電圧回路26に入力して昇
圧し、整流し、平滑化する。
ここで、発振用IC24としては、直流の供給
電源電圧を広範囲(例えば5〜15V程度)にとれ
るものが適する。また、逓倍電圧回路26は何段
にも重ねて使用することができる。
電源電圧を広範囲(例えば5〜15V程度)にとれ
るものが適する。また、逓倍電圧回路26は何段
にも重ねて使用することができる。
第4図の例は発振用IC24からの低電圧交流
信号をトランス28により昇圧した後、整流平滑
回路30により直流電圧にするものである。
信号をトランス28により昇圧した後、整流平滑
回路30により直流電圧にするものである。
また、第5図の例は第4図と同じく発振用IC
24からの低電圧交流信号をトランス28で昇圧
した後、逓倍電圧回路26により更に昇圧し、整
流平滑を行なうものである。
24からの低電圧交流信号をトランス28で昇圧
した後、逓倍電圧回路26により更に昇圧し、整
流平滑を行なうものである。
これらの直流電圧発生回路の例において、発振
用ICを使用すると制御系の構成が簡単になり小
型化する利点があるが、発振用ICに代えてトラ
ンジスタ、抵抗、コンデンサなどの個別部品を組
み合せて構成された発振回路を使用してもよい。
用ICを使用すると制御系の構成が簡単になり小
型化する利点があるが、発振用ICに代えてトラ
ンジスタ、抵抗、コンデンサなどの個別部品を組
み合せて構成された発振回路を使用してもよい。
再び第1図に戻つて説明すると、この実施例で
は一対のスリツト片の一方は可動、他方は固定と
しているが、両スリツト片を2個のバイモルフ形
圧電素子でそれぞれ支持してともに可動になるよ
うにしてもよい。その場合、第1図の実施例と同
じスリツト幅変化量を生じさせるには、バイモル
フ形圧電素子に印加される電圧は約1/2で済む利
点がある。
は一対のスリツト片の一方は可動、他方は固定と
しているが、両スリツト片を2個のバイモルフ形
圧電素子でそれぞれ支持してともに可動になるよ
うにしてもよい。その場合、第1図の実施例と同
じスリツト幅変化量を生じさせるには、バイモル
フ形圧電素子に印加される電圧は約1/2で済む利
点がある。
第1図の実施例では位置センサ14としてホト
インタラプタを使用しているが、他の位置センサ
を使用してもよい。そして、位置センサ14を使
用するとスリツト幅制御が精度よく行なわれる利
点がある。しかしながら、スリツト幅制御が粗く
てもよい場合には位置センサを省くことができ
る。その場合、制御回路20はスリツト幅設定値
のみを入力して制御電圧を発生するような回路構
成とすればよい。
インタラプタを使用しているが、他の位置センサ
を使用してもよい。そして、位置センサ14を使
用するとスリツト幅制御が精度よく行なわれる利
点がある。しかしながら、スリツト幅制御が粗く
てもよい場合には位置センサを省くことができ
る。その場合、制御回路20はスリツト幅設定値
のみを入力して制御電圧を発生するような回路構
成とすればよい。
また、第1図において、バイモルフ形圧電素子
10への印加電圧がスリツト通過ビームに影響を
及ぼす場合には、例えばバイモルフ形圧電素子1
0の全外周部に導電性塗料を塗布し、接地するよ
うにすればよい。
10への印加電圧がスリツト通過ビームに影響を
及ぼす場合には、例えばバイモルフ形圧電素子1
0の全外周部に導電性塗料を塗布し、接地するよ
うにすればよい。
(発明の効果)
本発明のスリツトはスリツト幅を電気信号のみ
で制御できるので装置の自動化に有効である。そ
して、バイモルフ形圧電素子によりスリツト片を
直接動かすので、その構造は簡単であり、しかも
低い印加電圧でスリツト幅の変更を行なうことが
できる。
で制御できるので装置の自動化に有効である。そ
して、バイモルフ形圧電素子によりスリツト片を
直接動かすので、その構造は簡単であり、しかも
低い印加電圧でスリツト幅の変更を行なうことが
できる。
真空室の外部から内部へは電気信号を送るだけ
でよいので、真空シール部は電気信号授受用コネ
クタとすることができ、この点でも構造が簡単に
なる。
でよいので、真空シール部は電気信号授受用コネ
クタとすることができ、この点でも構造が簡単に
なる。
第1図A、同図B及び同図Cは本発明の一実施
例を示すそれぞれ平面図、正面図及び側面図、第
2図は同実施例のスリツト幅制御系を示すブロツ
ク図、第3図ないし第5図はそれぞれ第2図にお
ける直流電圧発生回路の例を示すブロツク図であ
る。 2……スリツト固定片、6……スリツト可動
片、10……バイモルフ形圧電素子。
例を示すそれぞれ平面図、正面図及び側面図、第
2図は同実施例のスリツト幅制御系を示すブロツ
ク図、第3図ないし第5図はそれぞれ第2図にお
ける直流電圧発生回路の例を示すブロツク図であ
る。 2……スリツト固定片、6……スリツト可動
片、10……バイモルフ形圧電素子。
Claims (1)
- 1 少くとも一方のスリツト片が可動で一対のス
リツト片によつてスリツトを形成する機構におい
て、前記可動のスリツト片がバイモルフ形圧電素
子の先端部に取り付けられ、前記バイモルフ形圧
電素子の基端部は支持体に固定され、前記バイモ
ルフ形圧電素子に電圧を印加することにより、前
記一対のスリツト片のスリツト幅を変更させるこ
とを特徴とするスリツト機構。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59205154A JPS6182649A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | スリツト機構 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59205154A JPS6182649A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | スリツト機構 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6182649A JPS6182649A (ja) | 1986-04-26 |
JPH0348614B2 true JPH0348614B2 (ja) | 1991-07-25 |
Family
ID=16502311
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59205154A Granted JPS6182649A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | スリツト機構 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6182649A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63127200A (ja) * | 1986-11-17 | 1988-05-31 | 株式会社島津製作所 | スリツト装置 |
DE10323922A1 (de) | 2003-05-22 | 2004-12-16 | Carl Zeiss Jena Gmbh | Einstellbares Pinhole |
DE10323923A1 (de) * | 2003-05-22 | 2004-12-16 | Carl Zeiss Jena Gmbh | Einstellbares Pinhole, insbesondere für ein Laser-Scanning-Mikroskop |
CN109001116B (zh) * | 2018-08-02 | 2020-09-29 | 佛山市方垣机仪设备有限公司 | 一种入射狭缝调节机构及应用其的原子发射光谱仪 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60177542A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-11 | Murata Mfg Co Ltd | 質量分析装置 |
-
1984
- 1984-09-29 JP JP59205154A patent/JPS6182649A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60177542A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-11 | Murata Mfg Co Ltd | 質量分析装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6182649A (ja) | 1986-04-26 |
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