JPH03292777A - 光集積回路 - Google Patents
光集積回路Info
- Publication number
- JPH03292777A JPH03292777A JP2094512A JP9451290A JPH03292777A JP H03292777 A JPH03292777 A JP H03292777A JP 2094512 A JP2094512 A JP 2094512A JP 9451290 A JP9451290 A JP 9451290A JP H03292777 A JPH03292777 A JP H03292777A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- diffraction grating
- conductivity type
- type
- photodetector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光通信に利用される光集積回路に関し、特に双
方向光通信を目的とした半導体集積回路に関する。
方向光通信を目的とした半導体集積回路に関する。
光通信システムは、長距離、大容量を特徴とした幹線系
光通信システムから、短・中距離、中容量の加入者網、
またはＬＡＮにまで浸透しはじめている。加入者系光通
信システムでは、コストを低減することが第１に求めら
れ、そのため、１本の光ファイバで双方向通信システム
を実現することが求められる。
光通信システムから、短・中距離、中容量の加入者網、
またはＬＡＮにまで浸透しはじめている。加入者系光通
信システムでは、コストを低減することが第１に求めら
れ、そのため、１本の光ファイバで双方向通信システム
を実現することが求められる。
双方向光通信システムとして考えられる主な方式を第２
図（ａ）〜（ｄ）に示す、２本の光ファィバを用いた双
方向伝送方式（第２図（ａ））では光ファイバのコスト
が高く、方向性結合器を用いた同一波長双方向伝送方式
（第２図（Ｃ））では、光の反射が特性を劣化させると
いう欠点がある。また、ピンポン伝送方式（第２図（ｄ
〉）では、電気回路が複雑になるという欠点がある。し
たがって、波長多重（ＷＤＭ）双方向伝送方式（第２図
（ｂ））が双方向光通信システムとして有望である。
図（ａ）〜（ｄ）に示す、２本の光ファィバを用いた双
方向伝送方式（第２図（ａ））では光ファイバのコスト
が高く、方向性結合器を用いた同一波長双方向伝送方式
（第２図（Ｃ））では、光の反射が特性を劣化させると
いう欠点がある。また、ピンポン伝送方式（第２図（ｄ
〉）では、電気回路が複雑になるという欠点がある。し
たがって、波長多重（ＷＤＭ）双方向伝送方式（第２図
（ｂ））が双方向光通信システムとして有望である。
従来のＷＤＭ双方向光通信システムの端末の構成を第３
図に示す。この場合、基本的に波長フィルタ（分配器）
３１、半導体レーザ３２、光検出器３３が必要である。
図に示す。この場合、基本的に波長フィルタ（分配器）
３１、半導体レーザ３２、光検出器３３が必要である。
現在、波長フィルタは非常に高価な部品であり、また、
３つの部品の光軸調整は非常に精密に調整されなければ
ならず、莫大な工数を組立に必要としていた。また、波
長フィルタの大きさを小さくすることは難しく、システ
ム全体として装置を小型化することが難しかった。
３つの部品の光軸調整は非常に精密に調整されなければ
ならず、莫大な工数を組立に必要としていた。また、波
長フィルタの大きさを小さくすることは難しく、システ
ム全体として装置を小型化することが難しかった。
そこで、本発明の目的は、低価格で、小型の双方向光通
信用デバイスを提供することにある。
信用デバイスを提供することにある。
前述の課題を解決するために、本発明では半導体製光集
積回路を提供する０本発明における第１の光集積回路は
、１次の回折格子及び２次の回折格子を周期的に形成し
た第１導電型半導体基板上に、１次の回折格子上には第
１導電型光導波層、活性層、第２導電型クラッド層より
なる分布帰還型半導体レーザが形成され、かつ、前記２
次の回折格子上には第１導電型層、光吸収層、第２導電
型層より成る光検出器が形成され、１次回折格子上の分
布帰還型半導体レーザと、２次回折格子上の光検出器は
電気的に分離されていることを特徴とする構成になって
いる。また、本発明における光集積回路は、前述の光集
積回路の２次回折格子近くの第１導電型半導体基板が回
折格子付近まで平坦にエツチングされて薄くなっており
、かつ、エツチングされて薄くなった第１導電型半導体
基板裏面にも電極が形成されていることを特徴としてい
る。
積回路を提供する０本発明における第１の光集積回路は
、１次の回折格子及び２次の回折格子を周期的に形成し
た第１導電型半導体基板上に、１次の回折格子上には第
１導電型光導波層、活性層、第２導電型クラッド層より
なる分布帰還型半導体レーザが形成され、かつ、前記２
次の回折格子上には第１導電型層、光吸収層、第２導電
型層より成る光検出器が形成され、１次回折格子上の分
布帰還型半導体レーザと、２次回折格子上の光検出器は
電気的に分離されていることを特徴とする構成になって
いる。また、本発明における光集積回路は、前述の光集
積回路の２次回折格子近くの第１導電型半導体基板が回
折格子付近まで平坦にエツチングされて薄くなっており
、かつ、エツチングされて薄くなった第１導電型半導体
基板裏面にも電極が形成されていることを特徴としてい
る。
次に、本発明の作用を第４図を参照にして説明する。２
次の回折格子に、回折格子に整合した光が回折格子に対
し平行に入射すると、光の入射方向に光が反射するばか
りではなく、２次の回折格子に対し、垂直方向に光は放
射する。一方、２次の回折格子に整合しない光は、反射
せずに若干減水して透過する。回折格子に垂直に放射す
る光の回折効率は、回折格子の形状、光導波層の組成等
により異なるが１０％程度の回折効率は得られることが
知られている。
次の回折格子に、回折格子に整合した光が回折格子に対
し平行に入射すると、光の入射方向に光が反射するばか
りではなく、２次の回折格子に対し、垂直方向に光は放
射する。一方、２次の回折格子に整合しない光は、反射
せずに若干減水して透過する。回折格子に垂直に放射す
る光の回折効率は、回折格子の形状、光導波層の組成等
により異なるが１０％程度の回折効率は得られることが
知られている。
いま、２次の回折格子４１のピッチを波長１゜３μｍの
光波に、１次の回折格子４２のピッチを波長１．５μｍ
帯の光波に整合するよう設定すると、２次の回折格子に
入射した１ ３μｍ帯の光の一部４６は、回折格子に垂
直に放射し、光吸収層４３にて光電変換され、光電流と
して検出される。また、２次の回折格子に入射した１、
３μｍ帯の光のほとんど４７は、反射されるため、分布
帰還型半導体レーザの活性層４つまで至らず、従って、
半導体レーザの発振に悪影響を及ぼすことはない さら
に、２次の回折格子４１の近くに、エツチングと電極形
成により、良好な反射鏡が存在する構造では、回折格子
と垂直方向の放射光の回折効率が高まり、光検出器の感
度を上げることが可能となる。
光波に、１次の回折格子４２のピッチを波長１．５μｍ
帯の光波に整合するよう設定すると、２次の回折格子に
入射した１ ３μｍ帯の光の一部４６は、回折格子に垂
直に放射し、光吸収層４３にて光電変換され、光電流と
して検出される。また、２次の回折格子に入射した１、
３μｍ帯の光のほとんど４７は、反射されるため、分布
帰還型半導体レーザの活性層４つまで至らず、従って、
半導体レーザの発振に悪影響を及ぼすことはない さら
に、２次の回折格子４１の近くに、エツチングと電極形
成により、良好な反射鏡が存在する構造では、回折格子
と垂直方向の放射光の回折効率が高まり、光検出器の感
度を上げることが可能となる。
一方、分布帰還型半導体レーザ側の１次の回折格子４２
は、１．５μｍ帯の光波に整合しているため、１．５μ
ｍ帯の光波４８が放出される。
は、１．５μｍ帯の光波に整合しているため、１．５μ
ｍ帯の光波４８が放出される。
１３μｍ帯２次の回折格子に到達した１、５μｍ帯の光
は、１３μｍ帯２次の回折格子には回折せず、はとんど
透過する。さらに、受光側の光電流と分布帰還型半導体
レーザの変調電流とは半絶縁層４４で分離されているた
め、光電流を良好に検出することができる。
は、１３μｍ帯２次の回折格子には回折せず、はとんど
透過する。さらに、受光側の光電流と分布帰還型半導体
レーザの変調電流とは半絶縁層４４で分離されているた
め、光電流を良好に検出することができる。
以上述べたように、本発明よるＷＤＭ双方向光通信用光
集積回路により、低価格で小型のＷＤＭ双方向光通信シ
ステムを実現できる。
集積回路により、低価格で小型のＷＤＭ双方向光通信シ
ステムを実現できる。
〔実施例〕
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）は本発明の光集積回路の一実施例を示す断
面図である。硫黄（Ｓ）ドーピングＮ型（１００）イン
ジウム燐（ＩｎＰ）基板１０上に、１．５５μｍ帯用回
折格子１１（ピッチ２４２０人）を長さ３００μｍ、１
．３μｍ帯２次回折格子１２（ピッチ４０６０人）を長
さ１００μｍ、電子線ビーム露光によりフォトレジスト
上に描画し、基板を化学エツチングして半導体基板表面
に回折格子１１．１２を形成する。次に、１．５５μｍ
帯用回折格子１２上に、長さ３００μｍにわたり、Ｎ型
光導波層１３（組成：ＩｎＧａＡｓＰ （人、＝１．３
μｍ） 、厚み０．２μｍ）−活性層１４（組成： Ｉ
ｎＧａＡｓＰ （λ、＝１．５５μｍ）、厚み０．１
５μｍ＞、Ｐ型クラッド層１５（組成：ＩｎＰ、厚み：
２．ｃｚｍ）、Ｐ型コンタクト層１６（組成： Ｉ
ｎＧａＡｓ、厚み１０．２μｍ）を順次、気相成長法（
ＶＰＥ）法により選択成長して分布帰還半導体レーザを
形成する。次に、１．３μｍ帯２次回折格子１２上に、
長さ１００μｍにわたりＮ型光導波層１７（組成： Ｉ
ｎＧａＡｓＰ （λ、＝１．２μｍ） 、厚み０．２
μｍ） 、Ｎ型光導波層１８（組成：ＩｎＧａＡｓＰ（
λ、＝１．３μｍ）、厚み０．１５μｍ）、Ｎ型クラッ
ド層１９（組成：ＩｎＰ、厚み１μｍ）、ノンドープ光
吸収層２０（組成：ＩｎＧａＡｓ、厚み０．５μｍ）、
Ｐ型コンタクト層２１（組成：ＩｎＧａＡｓ、厚み１０
．２μｍ）を順次ＶＰＥにより選択的に気相成長して光
検出器を形成する。さらに、分布帰還型半導体レーザと
、光検出器の間、５０μｍにわたり、Ｎ型半導体基板に
至る深さにまでエツチングした後、その部分に鉄（Ｆｅ
）ドープＩｎＰ２３（厚み０．５μｍ）、鉄ドープＩｎ
ＧａＡｓＰ層２４（厚み０．１５μｍ） 、鉄ドープＩ
ｎＰ層２３（厚み２．２μｍ）をＶＰＨにより選択的に
気相成長する。さらに光の単一モード化を実現するため
に、幅約１，５μｍのメサストライプを〈０１１〉方向
に化学エツチングにより形成し、エツチングを施した部
分を鉄ドープＩｎＰにより埋め込み成長する。埋め込み
成長後、Ｎ型ＩｎＰ基板を厚み約１５０μｍにまで研磨
する。最後に、図示の如くＰ側電極２６、Ｎ側電極２７
、無反射コーティングＭ２８を形成して光集積回路とす
る。
面図である。硫黄（Ｓ）ドーピングＮ型（１００）イン
ジウム燐（ＩｎＰ）基板１０上に、１．５５μｍ帯用回
折格子１１（ピッチ２４２０人）を長さ３００μｍ、１
．３μｍ帯２次回折格子１２（ピッチ４０６０人）を長
さ１００μｍ、電子線ビーム露光によりフォトレジスト
上に描画し、基板を化学エツチングして半導体基板表面
に回折格子１１．１２を形成する。次に、１．５５μｍ
帯用回折格子１２上に、長さ３００μｍにわたり、Ｎ型
光導波層１３（組成：ＩｎＧａＡｓＰ （人、＝１．３
μｍ） 、厚み０．２μｍ）−活性層１４（組成： Ｉ
ｎＧａＡｓＰ （λ、＝１．５５μｍ）、厚み０．１
５μｍ＞、Ｐ型クラッド層１５（組成：ＩｎＰ、厚み：
２．ｃｚｍ）、Ｐ型コンタクト層１６（組成： Ｉ
ｎＧａＡｓ、厚み１０．２μｍ）を順次、気相成長法（
ＶＰＥ）法により選択成長して分布帰還半導体レーザを
形成する。次に、１．３μｍ帯２次回折格子１２上に、
長さ１００μｍにわたりＮ型光導波層１７（組成： Ｉ
ｎＧａＡｓＰ （λ、＝１．２μｍ） 、厚み０．２
μｍ） 、Ｎ型光導波層１８（組成：ＩｎＧａＡｓＰ（
λ、＝１．３μｍ）、厚み０．１５μｍ）、Ｎ型クラッ
ド層１９（組成：ＩｎＰ、厚み１μｍ）、ノンドープ光
吸収層２０（組成：ＩｎＧａＡｓ、厚み０．５μｍ）、
Ｐ型コンタクト層２１（組成：ＩｎＧａＡｓ、厚み１０
．２μｍ）を順次ＶＰＥにより選択的に気相成長して光
検出器を形成する。さらに、分布帰還型半導体レーザと
、光検出器の間、５０μｍにわたり、Ｎ型半導体基板に
至る深さにまでエツチングした後、その部分に鉄（Ｆｅ
）ドープＩｎＰ２３（厚み０．５μｍ）、鉄ドープＩｎ
ＧａＡｓＰ層２４（厚み０．１５μｍ） 、鉄ドープＩ
ｎＰ層２３（厚み２．２μｍ）をＶＰＨにより選択的に
気相成長する。さらに光の単一モード化を実現するため
に、幅約１，５μｍのメサストライプを〈０１１〉方向
に化学エツチングにより形成し、エツチングを施した部
分を鉄ドープＩｎＰにより埋め込み成長する。埋め込み
成長後、Ｎ型ＩｎＰ基板を厚み約１５０μｍにまで研磨
する。最後に、図示の如くＰ側電極２６、Ｎ側電極２７
、無反射コーティングＭ２８を形成して光集積回路とす
る。
第１図（ｂ）に示した光集積回路を実現する場合には、
２次の回折格子１２の下の領域２５のＮ型半導体基板を
化学エツチングにより、厚み１０μｍ位になるまでエツ
チングする。光集積回路のプロセスは！＆後にＰ側２６
及びＮ側２７のｔｆ！を形成して終了する。
２次の回折格子１２の下の領域２５のＮ型半導体基板を
化学エツチングにより、厚み１０μｍ位になるまでエツ
チングする。光集積回路のプロセスは！＆後にＰ側２６
及びＮ側２７のｔｆ！を形成して終了する。
上記実施例では分布帰還型半導体レーザと光検出器の電
気的分離に、半絶縁性半導体を用いたが、この他の方法
、例えば溝分離（エアー分離）構造、ｐｎ接合分離構造
等でもよい。また、溝に半絶縁性半導体を埋め込む替り
に絶縁体（ＳｉＣ２，Ｓｉ３Ｎ４等）を埋め込んでよも
い。
気的分離に、半絶縁性半導体を用いたが、この他の方法
、例えば溝分離（エアー分離）構造、ｐｎ接合分離構造
等でもよい。また、溝に半絶縁性半導体を埋め込む替り
に絶縁体（ＳｉＣ２，Ｓｉ３Ｎ４等）を埋め込んでよも
い。
以上説明したように、本発明によれば、低価格で小型の
双方向光通信用光集積回路を実現することができる。
双方向光通信用光集積回路を実現することができる。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明による光ｊ［回路の一実
施例の構造を示す断面図である。第２図（ａ）〜（ｄ）
は双方向光通信システムの伝送方式を示した概略図であ
る。（ａ＞は２本の光ファイバを用いた双方向伝送方式
を示す図、（ｂ）は波長多重双方向伝送方式を示す図、
（ｃ）は方向性結合器を用いた同一波長双方向伝送方式
を示す図、（ｄ）はビンボン伝送方式を示す図である。 第３図は従来、の波長多重双方向光通信システムにおけ
る端末の構成例を説明するための概略図である。第４図
は本発明による光集積回路の動作原理を説明するための
概略図である。 １０・・・半導体基板、１１・・１次の回折格子、１２
・・・２次の回折格子、１３・・・光導波層、１４・・
・活性層、１５・・・クラッド層、１６・・・コンタク
ト層、１７・・・光導波層、１８・・・光導波層、１９
・・・クラッド層、２０・・・光吸収層、２１・・・コ
ンタクト層、２３・・・半絶縁性半導体層、２４・・・
半絶縁性光導波層、２５・・・半導体基板エツチング領
域、２６・・・電極、２７・・・電極、２８・・・無反
射コーテイング膜、３１・・・波長フィルタ、３２・・
・半導体レーザ、３３・・・光検出器、４１・・・２次
の回折格子、４２・・・１次の回折格子、４３・・・光
吸収層、４４・・・半絶縁性半導体層、４６・・・２次
の回折格子による回折光、４７・・・２次の回折格子に
よる回折光、４８・・・半導体レーザからの出射光、４
９・・・活性層。
施例の構造を示す断面図である。第２図（ａ）〜（ｄ）
は双方向光通信システムの伝送方式を示した概略図であ
る。（ａ＞は２本の光ファイバを用いた双方向伝送方式
を示す図、（ｂ）は波長多重双方向伝送方式を示す図、
（ｃ）は方向性結合器を用いた同一波長双方向伝送方式
を示す図、（ｄ）はビンボン伝送方式を示す図である。 第３図は従来、の波長多重双方向光通信システムにおけ
る端末の構成例を説明するための概略図である。第４図
は本発明による光集積回路の動作原理を説明するための
概略図である。 １０・・・半導体基板、１１・・１次の回折格子、１２
・・・２次の回折格子、１３・・・光導波層、１４・・
・活性層、１５・・・クラッド層、１６・・・コンタク
ト層、１７・・・光導波層、１８・・・光導波層、１９
・・・クラッド層、２０・・・光吸収層、２１・・・コ
ンタクト層、２３・・・半絶縁性半導体層、２４・・・
半絶縁性光導波層、２５・・・半導体基板エツチング領
域、２６・・・電極、２７・・・電極、２８・・・無反
射コーテイング膜、３１・・・波長フィルタ、３２・・
・半導体レーザ、３３・・・光検出器、４１・・・２次
の回折格子、４２・・・１次の回折格子、４３・・・光
吸収層、４４・・・半絶縁性半導体層、４６・・・２次
の回折格子による回折光、４７・・・２次の回折格子に
よる回折光、４８・・・半導体レーザからの出射光、４
９・・・活性層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、１次の回折格子と２次の回折格子が、互いの回折格
子の凹凸を平行にして前記凹凸が周期的に連なる方向に
連らなって第１導電型半導体基板表面に形成され、１次
の回折格子上に第１導電型光導波層、活性層、第２導電
型クラッド層が少くとも積層されて分布帰還型半導体レ
ーザが形成され、前記２次の回折格子上に第１導電型層
、光吸収層、第２導電型層が少くとも積層されて光検出
器が形成され、前記分布帰還型半導体レーザと光検出器
とが電気的に分離されていることを特徴とする光集積回
路。 ２、請求項１記載の光集積回路において、２次の回折格
子が形成された領域の第１導電型半導体基板の厚さが１
次の回折格子が形成された領域の第１導電型半導体基板
の厚さよりも薄く、かつ、厚さの薄い領域の第１導電型
半導体基板裏面にも電極が形成されていることを特徴と
する光集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2094512A JPH03292777A (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | 光集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2094512A JPH03292777A (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | 光集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03292777A true JPH03292777A (ja) | 1991-12-24 |
Family
ID=14112377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2094512A Pending JPH03292777A (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | 光集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03292777A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0645654A1 (fr) * | 1993-09-24 | 1995-03-29 | France Telecom | Procédé de réalisation d'une structure intégrée monolithique incorporant des composants opto-électroniques et structure ainsi réalisée |
-
1990
- 1990-04-10 JP JP2094512A patent/JPH03292777A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0645654A1 (fr) * | 1993-09-24 | 1995-03-29 | France Telecom | Procédé de réalisation d'une structure intégrée monolithique incorporant des composants opto-électroniques et structure ainsi réalisée |
| FR2710455A1 (fr) * | 1993-09-24 | 1995-03-31 | Ghirardi Frederic | Procédé de réalisation d'une structure intégrée monolithique incorporant des composants opto-électroniques et structure ainsi réalisée. |
| EP0967503A1 (fr) * | 1993-09-24 | 1999-12-29 | France Telecom | Procédé de réalisation d'une structure integrée monolithique incorporant des composants opto-électroniques et structures ainsi réalisée |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5452118A (en) | Optical heterodyne receiver for fiber optic communications system | |
| Kishino et al. | Resonant cavity-enhanced (RCE) photodetectors | |
| EP0642236B1 (en) | Free space optical transmission system | |
| US5805755A (en) | Self-aligned transition from ridge to buried heterostructure waveguide, especially for multi-wavelength laser array integration | |
| JP2684605B2 (ja) | 双方向性光通信または信号伝送のための集積光デバイス | |
| US5825047A (en) | Optical semiconductor device | |
| US5144637A (en) | Inline diplex lightwave transceiver | |
| CN110401105B (zh) | 单片集成的窄线宽激光器及制作方法 | |
| JPH05507175A (ja) | 光・電気装置 | |
| JPH04254380A (ja) | モノリシック集積光増幅器及び光検出器 | |
| CN102694050A (zh) | 光接收器 | |
| JPH08234033A (ja) | 集積型光制御素子およびその作製方法、並びにそれを備えた光集積回路素子および光集積回路装置 | |
| EP1670105B1 (en) | Surface emitting laser device including optical sensor and optical waveguide device employing the same | |
| CN109830891A (zh) | 一种窄线宽半导体激光器 | |
| US7031587B2 (en) | Waveguide type photoreceptor device with particular thickness ratio | |
| US6808957B1 (en) | Method for improving a high-speed edge-coupled photodetector | |
| JPH09283786A (ja) | 導波路型半導体受光素子とその製造方法 | |
| JPH03292777A (ja) | 光集積回路 | |
| JP2865699B2 (ja) | 受光装置 | |
| JP3445226B2 (ja) | 方向性結合器、光変調器、及び波長選択器 | |
| Wanlin et al. | High responsivity side illuminated AlGaInAs PIN photodiode for 40 Gbit/s-40 GHz applications | |
| JPH03292776A (ja) | 光集積回路 | |
| JP2836050B2 (ja) | 光波長フィルター及びそれを用いた装置 | |
| US20020197016A1 (en) | Photodetector having a waveguide and resonant coupler and a method of manufacture therefor | |
| JP3887738B2 (ja) | 半導体光集積回路装置及びその製造方法 |