JPH03283621A - 多層配線構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置、特に多層配線構造に関する。

〔従来の技術〕

従来の、この種の多層配線構造を第４図に示す６図にお
いて１０２は下地と半導体基板内素子配線との間の絶縁
膜で、　１０３，１０１１は各々下位配線（アルミニウ
ム）、上位配線（アルミニウム）、また１０４は層間絶
縁膜であって、下位配線１０３と上位配線１０Ｂとの接
続はコンタクト孔１０５でなされている。

〔発明が解決しようとする！！Ｉｔ） ところで、近年微細化、高集積化が進みコンタクト孔と
下位配線との合わせマージンが小さくなってきている。

このような状況において上述した従来の配線の接続では
第５図でＢで示すように、コンタクト孔１０５の一部が
下位配線１０３からずれることがある。そして、コンタ
クト孔！０５の酸化膜エツチングは拡散プロセスのばら
つき等を考えオーバエツチングするので。

下位配＠１０３下の絶縁Ｍ１０２もエツチングされてし
まう、このため、より下位の配線（図示していない）ま
たは基板とショートすることがあり、半導体装置の歩留
り、信頼性を下げるといった欠点があった。

本発明の目的は、上記の欠点を除去した多層配線構造を
提供することにある。

（ｆａｌｌを解決するための手段〕 本発明の多層配線構造は、上位配線と下位配線とが、層
間絶縁膜のエツチングにより形成されるコンタクト孔を
介して、接続されるものであるが、前記下位配線の下方
の、少なくとも前記コンタクト孔を含む領域に前記エツ
チングに対する耐性を有する絶ＩｊｋｌＩが設けるよう
にしている。

〔作用〕

下位配線上に層間絶縁膜を形成してから、エツチングに
よりコンタクト孔を形成する際に、コンタクト孔が下位
配線端部より外れて形成されるような場合があっても、
下位配線下のエツチング耐性の絶縁膜の存在によって、
下位配線より下方にある絶縁膜等にクラックが生ずるこ
とがない、したがって、コンタクト孔を介して上位・下
位配線を接続する際に、下位配線下の配線１例えば半導
体基板の素子配線と短絡する事故は生じない。

（実施例〕 以下１図面を参照して、本発明の一実施例につき説明す
る。１８１図は、実施例の多層配線構造を製造する工程
を示すもので、先ず同図（ａ）のように、半導体基板ｌ
上に１図示していないが、下地１例えば素子分離領域、
拡散層領域、トランジスタ領域等を形成した後、第１の
層間絶縁膜である酸化ｇ２を約５．Ｇｏｏλ形成する。

その後、窒化シリコン膜３を周知のｃＶＤ法やプラズマ
法等で形成する。この窒化シリコン［Ｉ３がエツチング
耐性の絶縁膜である。

次に同図（ｂ）のように、下位配線（アルミニウム）４
を５，０ＯＯＡから１０，０ＯＯＡ形成し、第２の層間
絶縁膜である酸化膜５をプラズマ法やスパッタ法等で５
，０ＯＯＡ　−１０，０ＯＯＡ　３１　！する。

そして、酸化膜５上にホトレジストを被着後。

周知のホトリソグラフィ技術により、コンタクト部位の
ホトレジストに開口を設けた後、同図（Ｃ）のように、
ドライエツチングにより酸化膜５にコンタクト孔６を形
成する。その後上位配線７をアルミニウムで約１０，０
ＯＯＡ形成する。

このような方法で配線の接続をしておくことにより１例
えば第２図にＡで示すように、コンタクト孔６がずれて
下位配＃１１４からはずれた場合にも、コンタクト孔６
をエツチング時に窒化シリコン膜のエツチングレートが
酸化膜に比べて非常に小さい為、窒化シリコン膜はほと
んどエツチングされない、このため、より下位の配線又
は基板までコンタクト孔が開孔することはない。

次に、別の実施例につき説明する。第２の実施例は、第
３図の縦断面図に示す構造であって、窒化シリコン膜３
はコンタクト孔６下部にのみ形成されている。この実施
例では１例えば下位配線４と、より下位の配線とを接続
するコンタクト孔の形成が従来と全く同一に出来るとい
う利点がある。

〔発°明の効果〕

以上説明したように、本発明は下位配線と上位配線とを
接続するコンタクト孔下にコンタクト孔エツチングの際
、エツチング耐性のある絶縁膜を設けることにより、よ
り下位の配線とのショートを防止できる効果があり高歩
留りの半導体装置を提供できる。

なお１本発明の実施例では耐エツチング性のある絶縁膜
を窒化シリコン膜で説明したが下位配線上の第２の層間
絶縁膜とエツチングレートの違う絶縁膜であれば何でも
使用できることは明らかである。

また、下位配線とコンタクト孔の合わせマージンは設計
時より第２図のようにマイナスマージンでもかまわない
。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例の縦断面図、
第２図は第１図においてコンタクト孔がずれた場合を示
す縦断面図、第３図は別の実施例の縦断面図、第４図、
第５図は従来例の縦断面図である。 ３・・・窒化シリコン膜 （エツチング耐性絶縁膜）、 ４・・・下位配線、 ５・・・酸化膜 （層間絶縁膜） ６・・・コンタク ト　孔、 ７・・・上位配線。 特 許 出 願 人 日 本 電 気 株２式 ％式％

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　上位配線と下位配線とが、層間絶縁膜のエッチングに
   より形成されるコンタクト孔を介して、接続される多層
   配線構造において、前記下位配線の下方の、少なくとも
   前記コンタクト孔を含む領域に前記エッチングに対する
   耐性を有する絶縁膜が設けてあることを特徴とする半導
   体装置の多層配線構造。