JPH0327498A - 消勢可能な周波数分割トランスポンダタグ - Google Patents
消勢可能な周波数分割トランスポンダタグInfo
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- JPH0327498A JPH0327498A JP1190705A JP19070589A JPH0327498A JP H0327498 A JPH0327498 A JP H0327498A JP 1190705 A JP1190705 A JP 1190705A JP 19070589 A JP19070589 A JP 19070589A JP H0327498 A JPH0327498 A JP H0327498A
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- G08B13/24—Electrical actuation by interference with electromagnetic field distribution
- G08B13/2402—Electronic Article Surveillance [EAS], i.e. systems using tags for detecting removal of a tagged item from a secure area, e.g. tags for detecting shoplifting
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- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は一般に周波数分割するトランスポンダを含む存
在検出システム、特に予め定められた磁界強度範囲内の
磁界の存在しているときに周波数分割する磁気機械的材
料の活性ストリップを含むタイプの周波数分割するトラ
ンスポンダの消勢に関する。
在検出システム、特に予め定められた磁界強度範囲内の
磁界の存在しているときに周波数分割する磁気機械的材
料の活性ストリップを含むタイプの周波数分割するトラ
ンスポンダの消勢に関する。
[従来技術]
このタイプの周波数分割トランスポンダは、米国特許第
4,727,360号明細書に記載されている。
4,727,360号明細書に記載されている。
ここに記載されたトランスポンダは、磁化されたときに
トランスポンダによって周波数分割を可能にする予め定
められた磁界強度範囲内にある磁気機械的材料のストリ
ップをバイアスする磁気機械的材料のバイアスストリッ
プを有する存在・検出・システムタグに含まれている。
トランスポンダによって周波数分割を可能にする予め定
められた磁界強度範囲内にある磁気機械的材料のストリ
ップをバイアスする磁気機械的材料のバイアスストリッ
プを有する存在・検出・システムタグに含まれている。
[発明の解訣すべき課題]
前記明細書の技術によると、ここに記載された周波数分
割トランスポンダは磁気材料のバイアスストリップから
の消磁によって消勢される。しかしながらバイアススト
リップが消磁された後でさえ、磁気機楓的材料の活姓ス
トリップは予め定められた磁界強度範囲内にある周囲磁
界の存在している場合は依然として周波数分割する。あ
る位置において、地球磁Wの桔東である周囲の磁先は予
め定められた磁界強度範囲内にある。上記のタイプの周
波数分割トランスポンダを含む./j在・検出・システ
ムタグは監視区域内で検出される品物への取{・Jけに
適用される。監視区域内の周凹磁異が予め定められた磁
異強度範囲内にある場合、パイアスストリップが消勢さ
れた後でさえ誤った(j ?’+E検出が生じる。
割トランスポンダは磁気材料のバイアスストリップから
の消磁によって消勢される。しかしながらバイアススト
リップが消磁された後でさえ、磁気機楓的材料の活姓ス
トリップは予め定められた磁界強度範囲内にある周囲磁
界の存在している場合は依然として周波数分割する。あ
る位置において、地球磁Wの桔東である周囲の磁先は予
め定められた磁界強度範囲内にある。上記のタイプの周
波数分割トランスポンダを含む./j在・検出・システ
ムタグは監視区域内で検出される品物への取{・Jけに
適用される。監視区域内の周凹磁異が予め定められた磁
異強度範囲内にある場合、パイアスストリップが消勢さ
れた後でさえ誤った(j ?’+E検出が生じる。
[課題解決のための手段]
本発明は周波数分割トランスポンダが周囲磁界の強度に
かかわらず決定的に消勢されることかできる存([・検
出システムタグを提供する。本発明のタグは、予め定め
られた磁界強度範囲内にあるように磁気的にバイアスさ
れたとき、第1の予め定められた周波数の周波数分割さ
れた商である第2の予め定められた周波数の電磁放I1
波を放η,lすることによって第1の予め定められた周
波数の電磁放射による励起に応答する磁気材料の活性ス
トリップを含む周波数分割トランスポンダと、磁化され
たときだけ予め定められた磁界強度範囲内にあるように
磁気材料の活性ストリップをバイアスするために磁気材
料の活仕ストリップに関連して99 配置された磁気材料の第1のバイアスストリップと、予
め定められた磁界強度範囲外であり、それによって磁気
材料の第1および第2のバイアスストリップが共に磁化
されたとき磁気材料の活性ストリップが第1の予め定め
られた周波数の電磁放射による励起に応答して第2の予
め定められた周波数の電磁放ロ・1波を放射することを
阻止するように活性ストリップをさらにバイアスするた
めに磁気材料の活性ストリップに関連して配置された磁
気材料の媚2のバイアスストリップとを含む。
かかわらず決定的に消勢されることかできる存([・検
出システムタグを提供する。本発明のタグは、予め定め
られた磁界強度範囲内にあるように磁気的にバイアスさ
れたとき、第1の予め定められた周波数の周波数分割さ
れた商である第2の予め定められた周波数の電磁放I1
波を放η,lすることによって第1の予め定められた周
波数の電磁放射による励起に応答する磁気材料の活性ス
トリップを含む周波数分割トランスポンダと、磁化され
たときだけ予め定められた磁界強度範囲内にあるように
磁気材料の活性ストリップをバイアスするために磁気材
料の活仕ストリップに関連して99 配置された磁気材料の第1のバイアスストリップと、予
め定められた磁界強度範囲外であり、それによって磁気
材料の第1および第2のバイアスストリップが共に磁化
されたとき磁気材料の活性ストリップが第1の予め定め
られた周波数の電磁放射による励起に応答して第2の予
め定められた周波数の電磁放ロ・1波を放射することを
阻止するように活性ストリップをさらにバイアスするた
めに磁気材料の活性ストリップに関連して配置された磁
気材料の媚2のバイアスストリップとを含む。
本発明はさらに監視区域に第1の予め定められた周波数
の電磁放射信号を送信する手段と、前のパラグラフにお
いて詳細に説明されたタグと、監視区域内における第2
の予め定められた周波数の電磁放射を検出する手段と、
および第2のバイアスストリップを磁化してタグの周波
数分割トランスポンダを消勢する手段とを含む存在検出
システムを堤供する。
の電磁放射信号を送信する手段と、前のパラグラフにお
いて詳細に説明されたタグと、監視区域内における第2
の予め定められた周波数の電磁放射を検出する手段と、
および第2のバイアスストリップを磁化してタグの周波
数分割トランスポンダを消勢する手段とを含む存在検出
システムを堤供する。
[実施例]
第1図および第2図を参照すると、本発明の夕10
グの好ましい失施例は.5′になる周波数で周波数分割
するバッテリイのない運搬可能な第1および恥2の周波
数分割トランスポンダ12, +4を含むコード化され
たタグ10である。第1の周波数分割トランスポンダl
2は予め定められた磁界強度範囲内にあるように磁気的
にバイアスされたとき、第1の予め定められた周波数の
周波数分割された商である第2の予め定められた周波数
の電磁放射波を族射することによって第1の予め定めら
れた周波数の電磁放射による励起に応答する磁気材料の
活性ストリップ12である。
するバッテリイのない運搬可能な第1および恥2の周波
数分割トランスポンダ12, +4を含むコード化され
たタグ10である。第1の周波数分割トランスポンダl
2は予め定められた磁界強度範囲内にあるように磁気的
にバイアスされたとき、第1の予め定められた周波数の
周波数分割された商である第2の予め定められた周波数
の電磁放射波を族射することによって第1の予め定めら
れた周波数の電磁放射による励起に応答する磁気材料の
活性ストリップ12である。
第2の周波数分割トランスポンダ14は予め定められた
磁界強度範囲内にあるように磁気的にバイアスされたと
き、第3の予め定められた周波数の周波数分割された商
である第4の予め定められた周波数の電磁放射波を放f
A1することによって狛3の予め定められた周波数の電
磁族射による励起に応答する磁気材料の第2の活性スト
リップJ4である。
磁界強度範囲内にあるように磁気的にバイアスされたと
き、第3の予め定められた周波数の周波数分割された商
である第4の予め定められた周波数の電磁放射波を放f
A1することによって狛3の予め定められた周波数の電
磁族射による励起に応答する磁気材料の第2の活性スト
リップJ4である。
磁気材料の第1の活性ストリップ12はリボンの11
ディメンションに応じて第1の予め定められた周波数の
1/2に等しい磁気機城的な共振周波数“f1”を限定
する横方向の一輔性の磁気シ゛4方性を有する低い保磁
力の磁気ひずみアモルファス磁気材料の薄く平坦なリボ
ンであり、予め定められた磁界強度範囲内の磁気バイア
スフィールドの存在において、リボンは周波数“2f1
”の周波数分割された商である第2の予め定められた周
波数の電磁放射波を送信することによって周波数“2f
+”の電磁bk射の検出に応答する。
1/2に等しい磁気機城的な共振周波数“f1”を限定
する横方向の一輔性の磁気シ゛4方性を有する低い保磁
力の磁気ひずみアモルファス磁気材料の薄く平坦なリボ
ンであり、予め定められた磁界強度範囲内の磁気バイア
スフィールドの存在において、リボンは周波数“2f1
”の周波数分割された商である第2の予め定められた周
波数の電磁放射波を送信することによって周波数“2f
+”の電磁bk射の検出に応答する。
磁気材料の第2の活性ストリップ14はリボンのディメ
ンションに応じて第3の予め定められた周波数の172
に等しい磁気機械的共振周波数“f2を眼定する横方向
の一軸性の磁気異方性を有する低い保磁力の磁気ひずみ
アモルファス磁気材料の薄く平坦なリボンであり、予め
定められた磁界強度範囲内の磁気バイアスフィールドの
存在において、リボンは周波数“2f2”の周波数分割
された商である第4の予め定められた周波数の電磁放射
波を伝送することによって周波数” 2 f 2”の1
2 電磁放射の検出に応答する。
ンションに応じて第3の予め定められた周波数の172
に等しい磁気機械的共振周波数“f2を眼定する横方向
の一軸性の磁気異方性を有する低い保磁力の磁気ひずみ
アモルファス磁気材料の薄く平坦なリボンであり、予め
定められた磁界強度範囲内の磁気バイアスフィールドの
存在において、リボンは周波数“2f2”の周波数分割
された商である第4の予め定められた周波数の電磁放射
波を伝送することによって周波数” 2 f 2”の1
2 電磁放射の検出に応答する。
第1および第2の活性ストリップが共に同一の磁気材料
である場合、それらは異なる磁気機城的な共振周波数f
,,f2を限定するためにy4なるディメンションであ
る。
である場合、それらは異なる磁気機城的な共振周波数f
,,f2を限定するためにy4なるディメンションであ
る。
適切な低い保磁力の磁気ひすみアモルファス磁気材料お
よび処理、並びに活性ストリップ12. 14としてそ
れらを利用可能にするためのそのディメンション化は前
記の米国特許第4,727,360号明細書に記載され
ている。
よび処理、並びに活性ストリップ12. 14としてそ
れらを利用可能にするためのそのディメンション化は前
記の米国特許第4,727,360号明細書に記載され
ている。
タグ10はさらに磁気材料の第1および筆2のハイアス
ストリップ1G, [1を含む。両方のバイアスストリ
ップ16. 18は2つの后性ストリップ12. 1
4と同じ平面に位置され、2つの活性ストリップl21
4の間に設けられ、4つのストリップ12, 14.
1[i,18は全て同じ方向に向けられている。
ストリップ1G, [1を含む。両方のバイアスストリ
ップ16. 18は2つの后性ストリップ12. 1
4と同じ平面に位置され、2つの活性ストリップl21
4の間に設けられ、4つのストリップ12, 14.
1[i,18は全て同じ方向に向けられている。
磁気材料の第1のバイアスストリップ16は、磁化され
たときに予め定められた磁界強度範囲内にあるように磁
気材料の第1および第2の活性ストリップをバイアスす
るために磁気材料の第1およ13 び第2の活性ストリップ12. 14に関連して設けら
れている。
たときに予め定められた磁界強度範囲内にあるように磁
気材料の第1および第2の活性ストリップをバイアスす
るために磁気材料の第1およ13 び第2の活性ストリップ12. 14に関連して設けら
れている。
磁気材料の第2のバイアスストリップ18は予め定めら
れた磁界強度範囲外であり、それによって磁気材料の第
1および第2のバイアスストリップ16. 18が共に
磁化されたとき磁気材料の活性ストリップ12. 14
が第1および第2の予め定められた周波数の電磁放射に
よる励起に応答して第2および第4の予め定められた周
波数の電磁放射波を放射することを阻止するように第1
および第2の活性ストリップをさらにバイアスするため
に磁気材料の第1および第2の活性ストリップ12.
14に関連して設けられている。
れた磁界強度範囲外であり、それによって磁気材料の第
1および第2のバイアスストリップ16. 18が共に
磁化されたとき磁気材料の活性ストリップ12. 14
が第1および第2の予め定められた周波数の電磁放射に
よる励起に応答して第2および第4の予め定められた周
波数の電磁放射波を放射することを阻止するように第1
および第2の活性ストリップをさらにバイアスするため
に磁気材料の第1および第2の活性ストリップ12.
14に関連して設けられている。
第1および第2のバイアスストリップ1[i, 18は
、第1のバイアスストリップ16が第2のストリップ1
8を磁化せずに第1および第2のトランスポンダを付勢
するように磁化されることができるように異なる磁気特
性および光なるディメンションを有する。
、第1のバイアスストリップ16が第2のストリップ1
8を磁化せずに第1および第2のトランスポンダを付勢
するように磁化されることができるように異なる磁気特
性および光なるディメンションを有する。
タグ10の製遣の処理中、第1のハイアスストリ1 4
ップ16は永久磁石上を通過させられることによって磁
化される。永久磁石のディメンションは第2のバイアス
ストリップ18か磁気的な影響を受けないように選択さ
れる。通常、永久磁石の幅は第2のバイアスストリップ
l8が磁気的な影響を受けないことを保証するように制
御されている。
化される。永久磁石のディメンションは第2のバイアス
ストリップ18か磁気的な影響を受けないように選択さ
れる。通常、永久磁石の幅は第2のバイアスストリップ
l8が磁気的な影響を受けないことを保証するように制
御されている。
磁気材料の第1のバイアスストリップ16にJ 17J
な拐料は、B.=90[10ガウスおよび2乃至5ミル
厚の0.65乃至1.0%のカーボンスチールリボンで
ある。磁気材料の第2のバイアスストリップl8に適り
Jな+1料は、B , = 10,500ガウス(最小
)および9ミル厚のア一ノクロム( A rnokro
mc) 3 (アーノルドエンジニアリングから市販さ
れている)である。第1および第2のバイアスストリッ
プ16,18は同一の幅および長さであってもよい。
な拐料は、B.=90[10ガウスおよび2乃至5ミル
厚の0.65乃至1.0%のカーボンスチールリボンで
ある。磁気材料の第2のバイアスストリップl8に適り
Jな+1料は、B , = 10,500ガウス(最小
)および9ミル厚のア一ノクロム( A rnokro
mc) 3 (アーノルドエンジニアリングから市販さ
れている)である。第1および第2のバイアスストリッ
プ16,18は同一の幅および長さであってもよい。
第2図を参照すると、タグ10は第1および第2の活性
ストリップ12. 14を含むための空洞22および2
4と、第1および第2のバイアスストリップ16.18
を含むための空洞26および28を限定するハウジング
20を含む。
ストリップ12. 14を含むための空洞22および2
4と、第1および第2のバイアスストリップ16.18
を含むための空洞26および28を限定するハウジング
20を含む。
1 5
ハウジング20はペーパーカバー30、ペーパーヘース
32およびスペーサ34を含む。活性ストリップ12.
14はハウジング空洞22. 24の内部で拘束され
ずに自由に振動することができなければならず、それら
の各空洞22. 24の壁から力学的圧力を与えられて
はならない。この要求に対する例外はその中央の節点で
一滴のシリコン接着剤により各ストリップ12. 14
を固定することである。空洞22. 24の大きさは各
活性ストリップ12. 14の大きさよりも少し大きい
ことだけか必要である。バイアスストリップIll,
18は自由に運動する必要はなく、接着剤によりハウジ
ング20に直接的に付着されるか、またはハウジング2
0の層30. 32間に挾まれることができる。
32およびスペーサ34を含む。活性ストリップ12.
14はハウジング空洞22. 24の内部で拘束され
ずに自由に振動することができなければならず、それら
の各空洞22. 24の壁から力学的圧力を与えられて
はならない。この要求に対する例外はその中央の節点で
一滴のシリコン接着剤により各ストリップ12. 14
を固定することである。空洞22. 24の大きさは各
活性ストリップ12. 14の大きさよりも少し大きい
ことだけか必要である。バイアスストリップIll,
18は自由に運動する必要はなく、接着剤によりハウジ
ング20に直接的に付着されるか、またはハウジング2
0の層30. 32間に挾まれることができる。
第1および第2の1・ランスポンダの活性ストリップ1
2. 14は共に第1のバイアスストリップl6を永久
的に磁化することによって周波数分割を可能にするよう
に付勢される。
2. 14は共に第1のバイアスストリップl6を永久
的に磁化することによって周波数分割を可能にするよう
に付勢される。
タグ10は第3図の仔作検出システムにおいて使用され
る。このシステムはタク10、送信機36、検1 6 出システム38および磁化装置40を含む。磁気機城的
な共振周波数の災なる組合せを有する活性ストリップ1
2. 14の5%なる組合せは、コード化されたタグ
lOを特有のものにするように異なるタグに含まれる。
る。このシステムはタク10、送信機36、検1 6 出システム38および磁化装置40を含む。磁気機城的
な共振周波数の災なる組合せを有する活性ストリップ1
2. 14の5%なる組合せは、コード化されたタグ
lOを特有のものにするように異なるタグに含まれる。
送信機36は監視区域44に送信される信号42を供給
する。送信信号41は各活性ストリップ12,l4の特
有の磁気機械的共振周波数の2倍の各周波数を含む予め
定められた周波数範囲にわたって掃引され、検出システ
ム38は監視区域44中のタグlOの存在を検出するた
めに第1および第2の活性ストリップ12. 14の特
有の共振周波数の電磁信号46を検出する。
する。送信信号41は各活性ストリップ12,l4の特
有の磁気機械的共振周波数の2倍の各周波数を含む予め
定められた周波数範囲にわたって掃引され、検出システ
ム38は監視区域44中のタグlOの存在を検出するた
めに第1および第2の活性ストリップ12. 14の特
有の共振周波数の電磁信号46を検出する。
別の実施例において、検出システム38は監視区域44
中のタグIOの存在を検出するために第1および第2の
活性ストリップ12. 14の特有の磁気機械的共振周
波数の音波を検出する。
中のタグIOの存在を検出するために第1および第2の
活性ストリップ12. 14の特有の磁気機械的共振周
波数の音波を検出する。
トランスポンダ12. 14を消勢するために、タグは
予め定められた磁界強度範囲外であり、それによって磁
気材料の第1および第2のバイアスストリップ16.
18が具に磁化されたとき共振周波数の17 2倍の周波数の電磁放射による励起に応答してそれら特
4−iの磁気機楓的共振周波数て′1−G磁放射肢を放
射することを阻止するように活性ストリップ1214を
さらにバイアスするために第2のハイアスストリップl
8を永久的に磁化するように磁化装置40によって制御
されている。
予め定められた磁界強度範囲外であり、それによって磁
気材料の第1および第2のバイアスストリップ16.
18が具に磁化されたとき共振周波数の17 2倍の周波数の電磁放射による励起に応答してそれら特
4−iの磁気機楓的共振周波数て′1−G磁放射肢を放
射することを阻止するように活性ストリップ1214を
さらにバイアスするために第2のハイアスストリップl
8を永久的に磁化するように磁化装置40によって制御
されている。
第1および第2のバイアスストリップ16. 18か共
に磁化された後、タグ10は第1および第2のハイアス
ストリップl[f, 1Bの両方を消磁し、第1のバイ
アスストリップ16だけを再磁化することによってその
周波数分割モードで動作するように再度付勢されること
ができる。タグlOはまた第2のバイアスストリップ1
8だけの消磁によって再付勢されることができる。これ
は、タグlOが消磁装置中に挿入されたときに第2のバ
イアスストリップ18の磁化だけを除去するように位置
された消磁コイルを有する消磁装置を使用することによ
って達成されることかできる。
に磁化された後、タグ10は第1および第2のハイアス
ストリップl[f, 1Bの両方を消磁し、第1のバイ
アスストリップ16だけを再磁化することによってその
周波数分割モードで動作するように再度付勢されること
ができる。タグlOはまた第2のバイアスストリップ1
8だけの消磁によって再付勢されることができる。これ
は、タグlOが消磁装置中に挿入されたときに第2のバ
イアスストリップ18の磁化だけを除去するように位置
された消磁コイルを有する消磁装置を使用することによ
って達成されることかできる。
本発明はまた磁気材料の第1および第2のバイアススト
リップ16. 18との組合せにおいて磁気材18 料の単一の活性ストリップ12を含む!1i 1.ラ
ンスポンダを有するコード化されていないタグに適川さ
れることができる。
リップ16. 18との組合せにおいて磁気材18 料の単一の活性ストリップ12を含む!1i 1.ラ
ンスポンダを有するコード化されていないタグに適川さ
れることができる。
第1図は、消勢可能な周波数分割トランスポンダを含む
存在検出システムタグの好ましい実施例を示す。 第2図は第1図のタグの素子のハウジング内における配
置を示す。 第3図は本発明による7rI勢可能な周波数分割トラン
スポンダを含む存在検出システムを示す。 IO・・・タグ、12. 14・・・周波数分割l・ラ
ンスポンダ、16. 18・・・バイアスストリップ
、20・・・ハウジング、36・・・送信機、38・・
・検出システム、40・・・磁化装置。
存在検出システムタグの好ましい実施例を示す。 第2図は第1図のタグの素子のハウジング内における配
置を示す。 第3図は本発明による7rI勢可能な周波数分割トラン
スポンダを含む存在検出システムを示す。 IO・・・タグ、12. 14・・・周波数分割l・ラ
ンスポンダ、16. 18・・・バイアスストリップ
、20・・・ハウジング、36・・・送信機、38・・
・検出システム、40・・・磁化装置。
Claims (9)
- (1)予め定められた磁界強度範囲内にあるように磁気
的にバイアスされたとき、第1の予め定められた周波数
の周波数分割された商である第2の予め定められた周波
数の電磁放射波を放射することによって第1の予め定め
られた周波数の電磁放射による励起に応答する磁気材料
の活性ストリップを含む周波数分割トランスポンダと、 磁化されたときだけ予め定められた磁界強度範囲内にあ
るように磁気材料の活性ストリップをバイアスするため
に磁気材料の活性ストリップに関連して配置された磁気
材料の第1のバイアスストリップと、 予め定められた磁界強度範囲外にあり、それによって磁
気材料の第1および第2のバイアスストリップが共に磁
化されたとき磁気材料の活性ストリップが第1の予め定
められた周波数の電磁放射による励起に応答して第2の
予め定められた周波数の電磁放射波を放射することを阻
止するように活性ストリップをさらにバイアスするため
に磁気材料の活性ストリップに関連して配置された磁気
材料の第2のバイアスストリップとを含む監視区域内で
検出される品物へ取付けるためのタグ。 - (2)磁気材料の第1および第2のバイアスストリップ
は異なる磁気特性を有する請求項1記載のタグ。 - (3)磁気材料の第1および第2のバイアスストリップ
は異なるディメンションを有する請求項1または2記載
のタグ。 - (4)磁気材料の活性ストリップは、リボンのディメン
ションに応じて第1の予め定められた周波数の1/2に
等しい磁気機械的な共振周波数“f_1”を限定する横
方向の一軸性の磁気異方性を有する低保磁力の磁気ひず
みアモルファス磁気材料の薄く平坦なリボンであり、リ
ボンが予め定められた磁界強度範囲内において磁気バイ
アスフィールドの存在において、リボンは周波数“2f
_1”の周波数分割された商である第2の予め定められ
た周波数の電磁放射波を送信することによって周波数“
2f_1”の電磁放射波の検出に応答する請求項1記載
のタグ。 - (5)予め定められた磁界強度範囲内にあるように磁気
的にバイアスされたとき、第1の予め定められた周波数
の周波数分割された商である第2の予め定められた周波
数の電磁放射波を放射することによって第1の予め定め
られた周波数の電磁放射による励起に応答する磁気材料
の第1の活性ストリップを含む第1の周波数分割トラン
スポンダと、 予め定められた磁界強度範囲内にあるように磁気的にバ
イアスされたとき、第3の予め定められた周波数の周波
数分割された商である第4の予め定められた周波数の電
磁放射波を放射することによって第3の予め定められた
周波数の電磁放射による励起に応答する磁気材料の第2
の活性ストリップを含む第2の周波数分割トランスポン
ダと、磁化されたとき予め定められた磁界強度範囲内に
あるように磁気材料の第1および第2の活性ストリップ
をバイアスするために磁気材料の第1および第2の活性
ストリップに関連して配置された磁気材料の第1のバイ
アスストリップと、 予め定められた磁界強度範囲外にあり、それによって磁
気材料の第1および第2のバイアスストリップが共に磁
化されたとき磁気材料の第1および第2の活性ストリッ
プが第1および第2の予め定められた周波数の電磁放射
による励起に応答して第2および第4の予め定められた
周波数の電磁放射波をそれぞれ放射することを阻止する
ように第1および第2の活性ストリップをさらにバイア
スするために磁気材料の活性ストリップに関連して配置
された磁気材料の第2のバイアスストリップとを含む監
視区域内で検出される品物へ取付けるためのコード化さ
れたタグ。 - (6)磁気材料の第1および第2のバイアスストリップ
は異なる磁気特性を有する請求項5記載のタグ。 - (7)磁気材料の第1および第2のバイアスストリップ
は異なるディメンションを有する請求項5または6記載
のタグ。 - (8)磁気材料の第1の活性ストリップは、リボンのデ
ィメンションに応じて第1の予め定められた周波数の1
/2に等しい磁気機械的共振周波数“f_1”を限定す
る横方向の一軸性の磁気異方性を有する低保磁力の磁気
ひずみアモルファス磁気材料の薄く平坦なリボンであり
、予め定められた磁界強度範囲内の磁気バイアスフィー
ルドの存在において、リボンは周波数“2f_1”の周
波数分割された商である第2の予め定められた周波数の
電磁放射波を送信することによって周波数“2f_1”
の電磁放射波の検出に応答し、磁気材料の第2の活性ス
トリップは、リボンのディメンションに応じて第3の予
め定められた周波数の1/2に等しい磁気機械的な共振
周波数“f_2”を限定する横方向の一軸性の磁気異方
性を有する低保磁力の磁気ひずみアモルファス磁気材料
の薄く平坦なリボンであり、予め定められた磁界強度範
囲内の磁気バイアスフィールドの存在において、リボン
は周波数“2f_2”の周波数分割された商である第4
の予め定められた周波数の電磁放射波を送信することに
よって周波数“2f_2”の電磁放射波の検出に応答す
る請求項6記載のタグ。 - (9)監視区域に第1の予め定められた周波数の電磁放
射信号を送信する手段と、 予め定められた磁界強度範囲内にあるように磁気的にバ
イアスされたとき、第1の予め定められた周波数の周波
数分割された商である第2の予め定められた周波数の電
磁放射波を放射することによって第1の予め定められた
周波数の電磁放射による励起に応答する磁気材料の活性
ストリップを含む周波数分割トランスポンダと、第1の
バイアスストリップが磁化されたときだけ予め定められ
た磁界強度範囲内にあるように磁気材料の活性ストリッ
プをバイアスするために磁気材料の活性ストリップに関
連して配置された磁気材料の第1のバイアスストリップ
と、予め定められた磁界強度範囲外にあり、それによっ
て磁気材料の第1および第2のバイアスストリップが共
に磁化されたとき磁気材料の活性ストリップが第1の予
め定められた周波数の電磁放射による励起に応答して第
2の予め定められた周波数の電磁放射波を放射すること
を阻止するように活性ストリップをさらにバイアスする
ために磁気材料の活性ストリップに関連して配置された
磁気材料の第2のバイアスストリップとを含む監視区域
内で検出される品物へ取付けるためのタグと、 監視区域内において第2の予め定められた周波数の電子
放射を検出する手段と、 第2のバイアスストリップを磁化する手段とを含む存在
検出システム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US224.326 | 1988-07-26 | ||
US07/224,326 US4882569A (en) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | Deactivatable fequency-dividing-transponder tag |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0327498A true JPH0327498A (ja) | 1991-02-05 |
Family
ID=22840175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1190705A Pending JPH0327498A (ja) | 1988-07-26 | 1989-07-25 | 消勢可能な周波数分割トランスポンダタグ |
Country Status (8)
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---|---|
US (1) | US4882569A (ja) |
EP (1) | EP0352936B1 (ja) |
JP (1) | JPH0327498A (ja) |
AT (1) | ATE108036T1 (ja) |
AU (1) | AU610741B2 (ja) |
CA (1) | CA1328683C (ja) |
DE (1) | DE68916490T2 (ja) |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2008510225A (ja) * | 2004-08-11 | 2008-04-03 | センサーマティック・エレクトロニクス・コーポレーション | 電子式物品監視に使用される磁気機械式マーカーの非活性化 |
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1988
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-
1989
- 1989-07-12 DE DE68916490T patent/DE68916490T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-07-12 EP EP89307071A patent/EP0352936B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-12 AT AT89307071T patent/ATE108036T1/de not_active IP Right Cessation
- 1989-07-21 NO NO89892989A patent/NO892989L/no unknown
- 1989-07-24 CA CA000606456A patent/CA1328683C/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-07-25 JP JP1190705A patent/JPH0327498A/ja active Pending
- 1989-07-25 AU AU38898/89A patent/AU610741B2/en not_active Ceased
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EP0352936B1 (en) | 1994-06-29 |
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