JPH03252508A - Alignment method - Google Patents
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Landscapes
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造分野におけるフォトリソグ
ラフィ工程において、高精度にマスクの位置合わせを行
うためのアライメント方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an alignment method for aligning a mask with high precision in a photolithography process in the field of manufacturing semiconductor devices.
本発明は、基体上に形成されたアライメント・マークか
ら反射されるアライメント光をフォトディテクタにより
検出してマスクの位置合わせを行うアライメント方法に
おいて、前記アライメント光の波長領域に感度を有する
光退色材料層を介して該アライメント光を受光すること
により、受光光の強度に応じて生成されるアライメント
信号のSN比を向上させようとするものである。The present invention provides an alignment method in which a photodetector detects alignment light reflected from an alignment mark formed on a substrate to align a mask, and the present invention provides a photobleaching material layer sensitive to the wavelength region of the alignment light. By receiving the alignment light through the optical fiber, the SN ratio of the alignment signal generated according to the intensity of the received light is improved.
近年、半導体装置の高集積化が進むにつれてデザインル
ールはますます微細化し、これに伴うマスクの位置合わ
せ、すなわちアライメントにも精度の向上が求められて
いる。In recent years, as semiconductor devices have become more highly integrated, design rules have become increasingly finer, and along with this, there has been a demand for improved accuracy in mask positioning, that is, alignment.
一般にアライメントは、ウェハ上に形成されたアライメ
ント・マークにアライメント用の光線を照射し、その反
射光をフォトディテクタで検出することにより行われる
。このときのアライメント光の光源としては、g線(波
長436nm)、 h線(波長405nm)、 i
線(波長365nm)等のフオドリソグラフィ用の露光
光源と共通の光源か、あるいはHe−Neレーザー(波
長632.8nm)等、露光光源とは別の光源が使用さ
れる。アライメントの精度には、デザインルールの1/
3〜1/4程度の厳しさが要求される。したがって、S
N比の高いアライメント信号を鋭敏に検出することが極
めて重要となる。Generally, alignment is performed by irradiating an alignment mark formed on a wafer with an alignment light beam and detecting the reflected light with a photodetector. The light sources for the alignment light at this time include g-line (wavelength 436 nm), h-line (wavelength 405 nm), i
A light source common to the exposure light source for photolithography, such as a line (wavelength: 365 nm), or a light source different from the exposure light source, such as a He-Ne laser (wavelength: 632.8 nm), is used. The alignment accuracy requires 1/1 of the design rule.
Approximately 3 to 1/4 degree of severity is required. Therefore, S
It is extremely important to sensitively detect alignment signals with a high N ratio.
一般に、フォトディテクタにより検出されたアライメン
ト光(反射光)の強度分布は、第5図に示されるような
パターンを示す。図中、縦軸は光強度、横軸はフォトデ
ィテクタへのアライメント光の入射角度(いずれも任意
目盛)を表す、中央部の主ピークは、アライメント・マ
ークから反射された光に対応する検出信号成分、すなわ
ちアライメント信号である。アライメント・マークとし
ては、通常幾つかの微細なパターン(たとえば7個の正
方形)が等間隔で一列に配列される等の回折格子パター
ンが使用されるので、上記主ピークが表すものは実際に
は該パターンによる回折光の合成である。また、その両
脇に現れている小さいピークは、アライメント・マーク
の周辺部からの乱反射に起因する雑音成分である。ここ
で、上記雑音成分のピーク値がアライメント信号のピー
ク値の50%を越えなければ、実用的な精度で検出を行
うことができる。Generally, the intensity distribution of alignment light (reflected light) detected by a photodetector shows a pattern as shown in FIG. In the figure, the vertical axis represents the light intensity, and the horizontal axis represents the angle of incidence of the alignment light on the photodetector (all scales are arbitrary).The main peak in the center is the detected signal component corresponding to the light reflected from the alignment mark. , that is, an alignment signal. As an alignment mark, a diffraction grating pattern is usually used, such as several fine patterns (for example, 7 squares) arranged in a line at equal intervals, so what the main peak above actually represents is This is the synthesis of diffracted light by the pattern. Moreover, the small peaks appearing on both sides are noise components caused by diffused reflection from the periphery of the alignment mark. Here, if the peak value of the noise component does not exceed 50% of the peak value of the alignment signal, detection can be performed with practical accuracy.
しかしながら、従来のアライメント−7法においては、
アライメント・マーク周4υ下地表面の状態やアライメ
ント・マーク自身の高さによるSN比の低下が問題とな
っている。However, in the conventional alignment-7 method,
The problem is that the signal-to-noise ratio decreases due to the condition of the underlying surface of the alignment mark circumference 4υ and the height of the alignment mark itself.
たとえば、配線層としてアルミニウム膜が全面に被着形
成されてなる基体上でアライメント・マークの検出を行
う場合、上記アルミニウム膜の表面凹凸に起因する乱反
射により雑音成分が増大し、目的とするアライメント信
号が相対的に弱められ易い。For example, when detecting alignment marks on a substrate with an aluminum film deposited on the entire surface as a wiring layer, noise components increase due to diffused reflection caused by the uneven surface of the aluminum film, and the target alignment signal cannot be detected. is relatively easy to weaken.
また、アライメント・マークはデバイスの各部を形成す
るための材料層をパターニングする際に同時に形成され
るものであるため、該材料層の層厚によっては高さが不
足することがある。このような場合には、アライメント
・マークからの回折光強度が弱くなるためにやはりSN
比が低下する他、主ピークの半値幅も増大し、検出精度
が低下する。Further, since the alignment mark is formed at the same time as patterning the material layer for forming each part of the device, the height may be insufficient depending on the thickness of the material layer. In such a case, the intensity of the diffracted light from the alignment mark becomes weak, so the SN
In addition to the decrease in the ratio, the half-width of the main peak also increases, resulting in a decrease in detection accuracy.
そこで、本発明は上述の問題点を解決し、アライメント
信号のSN比を向上させると共に半値幅を減少させるこ
とにより、アライメントの精度を向上させることを目的
とする。SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and improve alignment accuracy by improving the S/N ratio of an alignment signal and decreasing the half-width.
本発明者は、上述の目的を達成するために検討を行った
ところ、アライメント光の照射により退色する光退色性
化合物を適当な基材に保持させ、これをフォトディテク
タの受光部の前段に配設すれば、アライメント光の強度
に応じて光退色性化合物が退色するので上記の基材は一
種のノイズ・カット°フィルタとして機能し得ることを
見出し、本発明を完成するに至ったものである。The inventor of the present invention conducted studies to achieve the above-mentioned object, and found that a photobleachable compound that fades when irradiated with alignment light is held on a suitable base material, and this is placed in front of the light receiving part of a photodetector. The inventors discovered that the photobleachable compound fades in color depending on the intensity of the alignment light, and thus the above substrate can function as a kind of noise-cutting filter, leading to the completion of the present invention.
すなわち、本発明にかかるアライメント方法は、基体上
に形成されたアライメント・マークからフォトディテク
タに至る光路上の中途部にアライメント光の波長領域に
感度を有する光退色材料層を配設して該アライメント光
の検出を行うことを特徴とするものである。That is, in the alignment method according to the present invention, a photobleaching material layer sensitive to the wavelength region of the alignment light is disposed midway on the optical path from the alignment mark formed on the substrate to the photodetector, and the alignment light is It is characterized by detecting.
本発明では、フォトディテクタの前段にフィルターとし
て光退色材料層が配設されるが、この光退色材料層には
アライメント光を吸収して退色する光退色性化合物が使
用される。ここで、退色とは、アライメント光に対して
光学的に透明となることを意味する。したがって、光退
色性化合物としては、元来の吸収スペクトルが可視光域
に存在して退色が肉眼的に確認できるものに限られず、
アライメント光の吸収により吸収極大波長λ1.8がシ
フトするようなものであって良い。しかし、前者はいわ
ゆるフォトクロミック化合物として広く知られているも
のであり、特に実用性が高いと考えられる。In the present invention, a photobleaching material layer is provided as a filter before the photodetector, and this photobleaching material layer uses a photobleaching compound that absorbs alignment light and fades the color. Here, fading means becoming optically transparent to alignment light. Therefore, photobleachable compounds are not limited to those whose original absorption spectrum exists in the visible light range and whose color fading can be confirmed with the naked eye;
It may be such that the absorption maximum wavelength λ1.8 is shifted due to absorption of the alignment light. However, the former is widely known as a so-called photochromic compound and is considered to be particularly practical.
上記フォトクロミック化合物にはHg5Silz。The photochromic compound is Hg5Silz.
TiOt+ Z n S等の無機フォトクロミック化
合物や、ビイミダゾリル系、ニトロン系、スピロピラン
系、ジヒドロインドリジン系、フルギド系。Inorganic photochromic compounds such as TiOt+ZnS, biimidazolyl, nitrone, spiropyran, dihydroindolizine, and fulgide.
芳香族多環化合物系、チオインジゴ系、ビオローゲン系
等の有機フォトクロミック化合物が知られているが、こ
れらの中から使用するアライメント光の波長領域に感度
を有し退色するものを適宜選択して使用する。退色によ
り光退色材料層の光透過率が30%程度増大することが
、実用上好ましい。Organic photochromic compounds such as aromatic polycyclic compounds, thioindigo compounds, viologen compounds, etc. are known, but among these, one that is sensitive to the wavelength range of the alignment light used and that fades should be appropriately selected and used. . It is practically preferable that the light transmittance of the photobleaching material layer increases by about 30% due to color fading.
光退色材料層は、上記光退色性化合物を適当な基材に保
持させてなるものである。かかる基材としては、剛体基
板、可撓性フィルム等の様々な形態のものが考えられる
が、使用されるアライメント光に対して光学的に透明で
あることが必要である。たとえば、アライメント光とし
て紫外線が使用される場合には、石英、硼珪酸ガラス、
アクリル樹脂、ポリスチレン等が使用される。また、基
材に光退色性化合物を保持させるには、基材中に分散さ
せても良いし、また基材上に塗布、蒸着。The photobleaching material layer is formed by holding the above photobleaching compound on a suitable base material. Such a base material may be in various forms, such as a rigid substrate or a flexible film, but it must be optically transparent to the alignment light used. For example, when ultraviolet light is used as alignment light, quartz, borosilicate glass,
Acrylic resin, polystyrene, etc. are used. Furthermore, in order to retain the photobleaching compound in the base material, it may be dispersed in the base material, or it may be coated or vapor-deposited on the base material.
スパッタリング等の方法で薄膜状に形成しても良い。It may be formed into a thin film by a method such as sputtering.
本発明において特にフォトクロミンク化合物を利用する
場合、フォトクロミズムは可逆反応であるから、信幀性
および耐久性が保証される範囲内において光退色材料層
を可逆的に使用することができる。この場合、加熱、も
しくはアライメント光とは異なる波長における光照射を
行えば、退色状態を着色状態に戻すための再生が速やか
に可能となる。In the present invention, especially when a photochromic compound is used, since photochromism is a reversible reaction, the photobleaching material layer can be used reversibly within a range where reliability and durability are guaranteed. In this case, heating or irradiation with light at a wavelength different from that of the alignment light makes it possible to quickly regenerate the faded state to the colored state.
本発明は、光退色性材料のフォトン・モードもしくはヒ
ート・モードによる退色現象を光学フィルターに適用し
たものである。ここで、光退色性材料の退色の程度は入
射光量の大小に依存する。The present invention applies the photobleaching phenomenon of a photobleaching material to an optical filter. Here, the degree of color fading of the photobleaching material depends on the amount of incident light.
したがって、たとえばフォトクロミック化合物を含む光
退色材料層に一定の強度分布を有する光が入射すると、
入射光量が大きい部位はど単位時間内における退色の進
行度が大きく、その部位における光退色材料層の透過率
を大とすることができる。しかし、入射光量の小さい部
位においてはフォトクロミック化合物が余り退色しない
ので、光退色材料層の透過率を十分に増大させるには至
らない。Therefore, for example, when light with a certain intensity distribution is incident on a photobleaching material layer containing a photochromic compound,
In a region where the amount of incident light is large, the degree of fading within a unit time is large, and the transmittance of the photobleaching material layer in that region can be increased. However, since the photochromic compound does not fade much in areas where the amount of incident light is small, it is not possible to sufficiently increase the transmittance of the photobleaching material layer.
かかる光退色材料層をアライメントに応用した場合、ア
ライメント・マークからの強い反射光成分と周辺部から
の弱い乱反射成分が同時に入射すると、上記光退色材料
層は反射光成分を選択的に透過させ乱反射成分を遮断す
るフィルターとして機能することになる。したがって、
フォトディテクタにより検出される光の強度分布パター
ンは、たとえば第4図に示されるように、急峻な主ピー
クと低レベルに抑えられた雑音成分を有するものとなる
。これにより、アライメントの精度は大幅に向上する。When such a photobleaching material layer is applied to alignment, when a strong reflected light component from the alignment mark and a weak diffusely reflected light component from the peripheral area are simultaneously incident, the photobleaching material layer selectively transmits the reflected light component and diffuses the reflected light component. It will function as a filter to block out the components. therefore,
The intensity distribution pattern of light detected by the photodetector has a steep main peak and a noise component suppressed to a low level, as shown in FIG. 4, for example. This greatly improves alignment accuracy.
なお、半導体装置の製造分野において光退色性材料層を
使用する技術については、たとえば特開昭63−272
030号公報にも記載がみられるが、この技術はフォト
レジストへのマスクパターンの転写に際して光退色材料
層を介した露光を行うことにより光学コントラストの向
上を図るものであり、本発明とは目的および効果を異と
するものである。Note that the technology for using a photobleachable material layer in the field of manufacturing semiconductor devices is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-272.
As described in No. 030, this technique aims to improve optical contrast by performing exposure through a photobleaching material layer when transferring a mask pattern to a photoresist, and the purpose of the present invention is to and have different effects.
以下、本発明の好適な実施例について、図面を参照しな
がら説明する。Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
本実施例は、アライメント光としてHe−Neレーザー
(波長632.8 nm) 、光退色材料層としてガラ
ス板上にスピロベンゾチオビラン系色素が塗布されてな
る光退色フィルターを使用した例である。This example uses a He-Ne laser (wavelength: 632.8 nm) as the alignment light and a photobleaching filter made of a glass plate coated with a spirobenzothiobilane dye as the photobleaching material layer.
本実施例で使用したスピロベンゾチオビラン系色素は6
−ニトロ−1°、3’、3°−トリメチルスピロ[2H
−1−ベンゾチオビラン−2,2”−インドリン1であ
り、次式で示されるように、加熱もしくは光照射により
無色のスピロピラン型と有色(極大吸収波長λwrsx
= 680nm)のメロシアニン型との間で可逆的構
造変化を行うフォトクロミック化合物である。The spirobenzothiobilane dye used in this example was 6
-Nitro-1°,3',3°-trimethylspiro[2H
-1-benzothiobilane-2,2''-indoline 1, which is a colorless spiropyran type and a colored one (maximum absorption wavelength λwrsx) by heating or light irradiation, as shown by the following formula.
It is a photochromic compound that undergoes a reversible structural change with the merocyanine type (= 680 nm).
(以下余白)
ここで、スピロピラン型からメロシアニン型への変化、
すなわち発色は紫外線照射(360nm)により進行す
る。逆の変化、すなわち退色は、80〜100°C程度
の加熱によるか、またはメロシアニン型化合物の吸収ス
ペクトルが550nm付近から近赤外領域にかけて幅広
く存在することを利用して半導体レーザー、He−Ne
レーザー等による光照射を行うことにより進行させるこ
とができる。(Margin below) Here, the change from spiropyran type to merocyanine type,
That is, color development progresses by ultraviolet irradiation (360 nm). The opposite change, that is, fading, can be achieved by heating to about 80 to 100°C, or by utilizing the fact that the absorption spectrum of merocyanine-type compounds exists broadly from around 550 nm to the near-infrared region.
The progress can be made by irradiating light with a laser or the like.
本実施例では、光退色材料層の初期状態が上記メロシア
ニン型、アライメント光の吸収により退色した状態がス
ピロピラン型にそれぞれ対応する。In this example, the initial state of the photobleaching material layer corresponds to the merocyanine type, and the state where the color fades due to absorption of alignment light corresponds to the spiropyran type.
上記スピロベンゾチオピラン系色素を使用して光退色フ
ィルターを作成するには、上記色素をシクロヘキサノン
−テトラヒドロフラン混合溶媒に溶解した溶液を石英基
板上に塗布し、乾燥させた。To create a photobleaching filter using the spirobenzothiopyran dye, a solution of the dye dissolved in a cyclohexanone-tetrahydrofuran mixed solvent was applied onto a quartz substrate and dried.
この後、紫外線の全面照射により全体を緑色に発色させ
た。Thereafter, the entire surface was irradiated with ultraviolet light to develop a green color.
このフィルターを実際のアライメントに適用した。第1
図に示されるように、基板(1)上に凸状のアライメン
ト・マーク(2)が形成された基体の上方にHe−Ne
レーザー光源(3)が配設されてなり、さらに該He−
Neレーザー光源(3)の近傍に反射光を検出するため
のフォトディテクタ(4)が配設されてなる装置構成に
おいて、上記アライメント・マーク(2)からフォトデ
ィテクタ(4)に至る光路上の中途部に上述のようにし
て作成された光退色フィルター(5)をセットした。こ
の状態でHe−Neレーザーの照射を行ったところ、光
退色フィルター(5)上の入射光強度の最も高い部位に
おいて最も強く退色が進んで光透過率が大幅に増大した
が、それ以外の部位では退色の程度は少なかった。その
結果、透過光の見掛は上のコントラストが増大し、フォ
トディテクタ(4)の検出結果にもとづいて生成された
アライメント信号は、第4図に示されるような急峻でS
N比の高いパターンを示した。上記光退色フィルター(
5)は、高圧水銀ランプを用いた紫外線の一括照射によ
り元の色相に戻った。This filter was applied to the actual alignment. 1st
As shown in the figure, He-Ne was placed above the substrate (1) on which convex alignment marks (2) were formed.
A laser light source (3) is provided, and the He-
In a device configuration in which a photodetector (4) for detecting reflected light is disposed near the Ne laser light source (3), a light beam is placed in the middle of the optical path from the alignment mark (2) to the photodetector (4). The photobleaching filter (5) prepared as described above was set. When irradiated with He-Ne laser in this state, the color fading progressed most strongly in the area on the photobleaching filter (5) where the incident light intensity was highest, and the light transmittance increased significantly, but other areas The degree of discoloration was small. As a result, the apparent contrast of the transmitted light increases, and the alignment signal generated based on the detection result of the photodetector (4) has a steep S
A pattern with a high N ratio was shown. The above photobleaching filter (
5) returned to its original hue by batch irradiation with ultraviolet rays using a high-pressure mercury lamp.
ところで、本発明では光退色材料層の形態や設置態様等
の工夫により、連続処理および繰り返し使用を可能とす
ることができる。By the way, in the present invention, continuous processing and repeated use can be made possible by devising the form and installation mode of the photobleaching material layer.
たとえば、使用済み部位を紫外線照射により再生しなが
ら連続的な繰り返し使用を行う方法を第2図に示す、光
退色フィルター(11)はやや横長に形成されており、
適当なガイド部材および搬送機構(いずれも図示せず、
)等により、該光退色フィルター(11)の両端部に配
設された一対の再生機構(12a) 、 (12b)の
間でアライメント光の光路と垂直な方向(図中矢印X方
向)に沿って往復動可能な状態に保持されている。いま
、上記光退色フィルター(11)が実線で示される位置
にあるとき、図中向かって右端部がアライメント光の光
路上にあり、ここでアライメント作業に伴って退色が生
ずる。その後、この光退色フィルター(11)を図中点
線で示される位置まで移動させて使用済みの右端部を再
生機構(12b)の内部に収容すると、ここで高圧水銀
ランプ等による紫外線照射が行われ、着色状態が回復さ
れる。同様の動作は1回のアライメント作業が終了する
たびに再生機構(12a) 、 (12b)内で交互に
行われ、連続的操作が可能となると共に光退色フィルタ
ー(11)の繰り返し使用が可能となる。For example, the photobleaching filter (11) shown in Fig. 2 shows a method of continuously and repeatedly using a used part while regenerating it by irradiating it with ultraviolet rays.
Appropriate guide members and transport mechanisms (none of which are shown)
), etc., between the pair of reproduction mechanisms (12a) and (12b) disposed at both ends of the photobleaching filter (11) along the direction perpendicular to the optical path of the alignment light (direction of arrow X in the figure). It is held in a state where it can reciprocate. Now, when the photobleaching filter (11) is at the position shown by the solid line, the right end in the figure is on the optical path of the alignment light, and fading occurs here along with the alignment work. Thereafter, this photobleaching filter (11) is moved to the position shown by the dotted line in the figure and the used right end is stored inside the regeneration mechanism (12b), where ultraviolet irradiation is performed using a high-pressure mercury lamp or the like. , the colored state is restored. Similar operations are performed alternately within the regeneration mechanisms (12a) and (12b) every time one alignment operation is completed, making continuous operation possible and making it possible to repeatedly use the photobleaching filter (11). Become.
あるいは、第3図に示すように、光退色材料層の基材と
してポリスチレン等からなる可撓性フィルムを使用して
光退色テープ(21)を構成し、適当なガイド部材(2
2)および壱回機横(23)により走行させながら使用
済みの部位を光路上から順次退去させるようにしても良
い、この場合も、使用済みの光退色テープ(21)を巻
き戻しながら紫外線照射を行えば、再生使用が可能とな
る。Alternatively, as shown in FIG. 3, a flexible film made of polystyrene or the like is used as a base material for the photobleaching material layer to constitute a photobleaching tape (21), and a suitable guide member (21) is constructed.
2) and the side of the first recycler (23) may be used to sequentially remove the used parts from the optical path while the machine is running.In this case as well, the used photofading tape (21) is irradiated with ultraviolet light while being rewound. If you do this, you can reuse it.
以上の説明からも明らかなように、本発明によれば光退
色材料層のフィルター効果によりアライメント信号の立
ち上がりおよびSN比が大幅に改善されるので、極めて
鋭敏で精度の高いアライメントが可能となる。したがっ
て、本発明をたとえば高集積度を有する半導体装置の製
造に適用すれば、信幀性、生産性3歩留り等が大幅に向
上する。As is clear from the above description, according to the present invention, the rise of the alignment signal and the S/N ratio are significantly improved due to the filter effect of the photobleaching material layer, so that extremely sensitive and highly accurate alignment is possible. Therefore, if the present invention is applied to, for example, the manufacture of highly integrated semiconductor devices, reliability, productivity, yield, etc. will be significantly improved.
11
第1図は本発明のアライメント方法を説明する模式図、
第2図は光退色材料層の再生使用法の一例を説明する模
式図、第3図は光退色材料層の再生使用法の他の例を説
明する模式図である。第4図は本発明のアライメント方
法におけるアライメント光の強度分布を示すグラフ、第
5図は従来のアライメント方法におけるアライメント光
の強度分布を示すグラフである。
・・・ 光退色テープFIG. 1 is a schematic diagram explaining the alignment method of the present invention,
FIG. 2 is a schematic diagram illustrating an example of how the photobleaching material layer can be recycled, and FIG. 3 is a schematic diagram illustrating another example of how the photobleaching material layer can be recycled. FIG. 4 is a graph showing the intensity distribution of alignment light in the alignment method of the present invention, and FIG. 5 is a graph showing the intensity distribution of alignment light in the conventional alignment method.・・・ Photobleaching tape
Claims (1)
ディテクタに至る光路上の中途部にアライメント光の波
長領域に感度を有する光退色材料層を配設して該アライ
メント先の検出を行うことを特徴とするアライメント方
法。An alignment characterized in that a photobleaching material layer sensitive to the wavelength region of the alignment light is disposed midway on the optical path from the alignment mark formed on the substrate to the photodetector to detect the alignment destination. Method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2049637A JPH03252508A (en) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | Alignment method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2049637A JPH03252508A (en) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | Alignment method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03252508A true JPH03252508A (en) | 1991-11-11 |
Family
ID=12836731
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2049637A Pending JPH03252508A (en) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | Alignment method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03252508A (en) |
-
1990
- 1990-03-02 JP JP2049637A patent/JPH03252508A/en active Pending
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