JPH03252201A - 帯域減衰フィルタ - Google Patents
帯域減衰フィルタInfo
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- JPH03252201A JPH03252201A JP5036890A JP5036890A JPH03252201A JP H03252201 A JPH03252201 A JP H03252201A JP 5036890 A JP5036890 A JP 5036890A JP 5036890 A JP5036890 A JP 5036890A JP H03252201 A JPH03252201 A JP H03252201A
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- Japan
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- electrodes
- electrode
- outer conductor
- inner conductor
- auxiliary
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）産業上の利用分野
この発明は、一体型ＴＥＭモード誘電体共振器を用いた
帯域減衰フィルタに関する。
帯域減衰フィルタに関する。
山）従来の技術
従来より例えばデュプレクサの受信フィルタとして、一
般にコムライン型空胴型共振器や半畳軸型空胴共振器な
どが用いられてきた。また、より小型化の要求される用
途にはＴＥＭモードの誘電体共振器によるフィルタが用
いられている。
般にコムライン型空胴型共振器や半畳軸型空胴共振器な
どが用いられてきた。また、より小型化の要求される用
途にはＴＥＭモードの誘電体共振器によるフィルタが用
いられている。
例えば帯域減衰フィルタとして、一体型ＴＥＭモード誘
電体共振器を用いたものが発明（米国特許第４．８２３
．０９８号）されている。
電体共振器を用いたものが発明（米国特許第４．８２３
．０９８号）されている。
上記帯域減衰フィルタの等価回路を第６図に示す、第６
図においてＤＲｌ、ＤＲ２，ＤＲ３はそれぞれＴＥＭモ
ードの誘電体共振器、ＳＬＩ、ＳＬ２はそれぞれ一体型
ＴＥＭモード誘電体共振器の開放端面にパターン形成さ
れたλ／４ストリップラインである。また、Ｃ１，Ｃ２
，Ｃ３は各共振器の内導体とストリップラインＳＬＩ、
ＳＬ２間に生じるキャパシタである。
図においてＤＲｌ、ＤＲ２，ＤＲ３はそれぞれＴＥＭモ
ードの誘電体共振器、ＳＬＩ、ＳＬ２はそれぞれ一体型
ＴＥＭモード誘電体共振器の開放端面にパターン形成さ
れたλ／４ストリップラインである。また、Ｃ１，Ｃ２
，Ｃ３は各共振器の内導体とストリップラインＳＬＩ、
ＳＬ２間に生じるキャパシタである。
以上のように構成したことにより、誘電体共振器ＤＲＩ
、ＤＲ２およびＤＲ３のそれぞれの共振周波数を減衰極
とする帯域減衰特性が得られる。
、ＤＲ２およびＤＲ３のそれぞれの共振周波数を減衰極
とする帯域減衰特性が得られる。
（Ｃ）発明が解決しようとする課題
ところが、前述した一体型Ｔ Ｅ Ｍモード誘電体共振
器の開放端面にλ／４ストリップラインを形成した帯域
減衰フィルタにおいては、誘電体共振器全体が小型にな
るほど、その開放端面のスペースも狭くなり、λ／４長
のストリップラインの形成も困難となる。このことが一
体型ＴＥＭモード誘電体共振器からなる帯域減衰フィル
タの小型化を阻む要因となる。
器の開放端面にλ／４ストリップラインを形成した帯域
減衰フィルタにおいては、誘電体共振器全体が小型にな
るほど、その開放端面のスペースも狭くなり、λ／４長
のストリップラインの形成も困難となる。このことが一
体型ＴＥＭモード誘電体共振器からなる帯域減衰フィル
タの小型化を阻む要因となる。
この発明の目的は、一体型ＴＥＭモード誘電体共振器の
開放端面に対するλ／４ストリップラインの形成を不要
として、より小型で安価な帯域減衰フィルタを提供する
ことにある。
開放端面に対するλ／４ストリップラインの形成を不要
として、より小型で安価な帯域減衰フィルタを提供する
ことにある。
（ｄ）課題を解決するための手段
この発明の帯域減衰フィルタは、誘電体ブロックの内部
に複数の内導体を設け、外側面に外導体を形成した一体
型ＴＥＭモード誘電体共振器と、基板表面または上記誘
電体共振器の表面に上記各内導体との間および上記外導
体との間にそれぞれキャパシタンスを生じさせる補助電
極を形成し、これらの各補助電極間をインダクタンス素
子を介して接続したことを特徴とする。
に複数の内導体を設け、外側面に外導体を形成した一体
型ＴＥＭモード誘電体共振器と、基板表面または上記誘
電体共振器の表面に上記各内導体との間および上記外導
体との間にそれぞれキャパシタンスを生じさせる補助電
極を形成し、これらの各補助電極間をインダクタンス素
子を介して接続したことを特徴とする。
（ｅ）作用
この発明の帯域減衰フィルタでは、誘電体ブロックの内
部に複数の内導体が設けられ、外側面に外導体が形成さ
れて一体型ＴＥＭモード誘電体共振器が構成される。こ
の誘電体共振器の表面または別に設けた基板表面に設け
られた補助電極によって、誘電体共振器の各内導体と補
助電極間および各補助電極と外導体間にそれぞれキャパ
シタンスが生じる。また、各補助電極間がインダクタン
ス素子により結合される。
部に複数の内導体が設けられ、外側面に外導体が形成さ
れて一体型ＴＥＭモード誘電体共振器が構成される。こ
の誘電体共振器の表面または別に設けた基板表面に設け
られた補助電極によって、誘電体共振器の各内導体と補
助電極間および各補助電極と外導体間にそれぞれキャパ
シタンスが生じる。また、各補助電極間がインダクタン
ス素子により結合される。
上記構成の帯域減衰フィルタを等価回路で示せば第２図
のようになる。第２図においてＤＲｌ。
のようになる。第２図においてＤＲｌ。
ＤＲ２およびＤＲ３はそれぞれＴＥＭモード誘電体共振
器であり、単一の誘電体ブロックに構成されている。共
振器ＤＰＩの内導体と補助電極間には両者間に生じるキ
ャパシタ（，１１が構成され、その補助電極と外導体間
には、その両者間に生じるキャパシタＣ２１が構成され
る。同様に共振器ＤＲ２の内導体と補助電極およびその
補助電極と外導体間にそれぞれキャパシタＣ１２および
Ｃ２２が構成され、共振器ＤＲ３の内導体と補助電極間
およびその補助電極と外導体間にそれぞれキャパシタＣ
１３およびＣ２３が構成される。そしてため、共振器Ｄ
Ｒ１，ＤＲ２およびＤＲ３の各共振周波数を減衰極とす
る帯域減衰フィルタ特性が得られる。
器であり、単一の誘電体ブロックに構成されている。共
振器ＤＰＩの内導体と補助電極間には両者間に生じるキ
ャパシタ（，１１が構成され、その補助電極と外導体間
には、その両者間に生じるキャパシタＣ２１が構成され
る。同様に共振器ＤＲ２の内導体と補助電極およびその
補助電極と外導体間にそれぞれキャパシタＣ１２および
Ｃ２２が構成され、共振器ＤＲ３の内導体と補助電極間
およびその補助電極と外導体間にそれぞれキャパシタＣ
１３およびＣ２３が構成される。そしてため、共振器Ｄ
Ｒ１，ＤＲ２およびＤＲ３の各共振周波数を減衰極とす
る帯域減衰フィルタ特性が得られる。
また、このようにλ／４ストリップラインをインダクタ
ンス素子（Ｌｌ、Ｌ２など）とキャパシタ（Ｃ１１，Ｃ
２１，Ｃ１２，Ｃ２２，Ｃ１３゜Ｃ２３など）からなる
集中定数回路に置き換えたことにより、各内導体間の距
離を短縮したより小型の一体型ＴＥＭモード誘電体共振
器からなる帯域減衰フィルタを構成することができる。
ンス素子（Ｌｌ、Ｌ２など）とキャパシタ（Ｃ１１，Ｃ
２１，Ｃ１２，Ｃ２２，Ｃ１３゜Ｃ２３など）からなる
集中定数回路に置き換えたことにより、各内導体間の距
離を短縮したより小型の一体型ＴＥＭモード誘電体共振
器からなる帯域減衰フィルタを構成することができる。
（ｆ）実施例
この発明の第１の実施例に係る帯域減衰フィルタの外観
斜視図を第１図に示す。第１図においてｌは全体が略直
方体の誘電体ブロックであり、図に示すように、対向す
る２面間を貫通する３つの貫通孔２ａ、 ２ｂ、２Ｃ
を等間隔に形成している。これらの貫通孔の内壁にはそ
れぞれ内導体３ａ３ｂ、３ｃを形成している。また、誘
電体ブロック１の４側面および底面に外導体５を形成し
、底面部において内導体３ａ、３ｂ、３ｃを外導体５に
接続している。このことによって図における上面を開放
端面、底面を短絡端面とする３つのＴＥＭモード誘電体
共振器として作用する。誘電体共振器の開放端面には、
内導体の開放端部から引き出した内導体引出電極４ａ、
４ｂ、４ｃをそれぞれ形成し、外導体５から引き出した
外導体引出電極６を形成している。この外導体引出電極
６と内導体引出電極４ａ、４ｂ、４ｃのそれぞれ中間位
置に補助電極７ａ、７ｂ、７ｃをそれぞれ形成している
。従って内導体引出電極４ａ、４ｂ、４Ｃと補助電極７
ａ、７ｂ、７ｃ間にそれぞれキャパシタンスが生じ、補
助電極７ａ、７ｂ、７ｃと外導体引出電極６間にもそれ
ぞれキャパシタンスが生じる０以上のように誘電体ブロ
ック１の各部に所定パターンの電極を形成した後、図に
示すように、補助電極７ａと７ｂ間にインダクタンス素
子Ｌ１、また補助電極７ｂと７ｃ間にインダクタンス素
子Ｌ２をそれぞれ半田付けなどにより接続する。
斜視図を第１図に示す。第１図においてｌは全体が略直
方体の誘電体ブロックであり、図に示すように、対向す
る２面間を貫通する３つの貫通孔２ａ、 ２ｂ、２Ｃ
を等間隔に形成している。これらの貫通孔の内壁にはそ
れぞれ内導体３ａ３ｂ、３ｃを形成している。また、誘
電体ブロック１の４側面および底面に外導体５を形成し
、底面部において内導体３ａ、３ｂ、３ｃを外導体５に
接続している。このことによって図における上面を開放
端面、底面を短絡端面とする３つのＴＥＭモード誘電体
共振器として作用する。誘電体共振器の開放端面には、
内導体の開放端部から引き出した内導体引出電極４ａ、
４ｂ、４ｃをそれぞれ形成し、外導体５から引き出した
外導体引出電極６を形成している。この外導体引出電極
６と内導体引出電極４ａ、４ｂ、４ｃのそれぞれ中間位
置に補助電極７ａ、７ｂ、７ｃをそれぞれ形成している
。従って内導体引出電極４ａ、４ｂ、４Ｃと補助電極７
ａ、７ｂ、７ｃ間にそれぞれキャパシタンスが生じ、補
助電極７ａ、７ｂ、７ｃと外導体引出電極６間にもそれ
ぞれキャパシタンスが生じる０以上のように誘電体ブロ
ック１の各部に所定パターンの電極を形成した後、図に
示すように、補助電極７ａと７ｂ間にインダクタンス素
子Ｌ１、また補助電極７ｂと７ｃ間にインダクタンス素
子Ｌ２をそれぞれ半田付けなどにより接続する。
以上のように構成したことにより第２図の等価回路で示
すような帯域減衰フィルタが構成される。第１図と第２
図はそれぞれ次のように対応する。ＤＰＩは内導体３ａ
、外導体５および誘電体ブロック１からなるＴＥＭモー
ド誘電体共振器である。信号入力端子ＩＮは補助電極７
ａであり、Ｃ１１は補助電極７ａと外導体引出電極６間
に生じるキャパシタ、Ｃ２１は補助電極７ａと内導体引
出電極４ａ間に生じるキャパシタである。同様にＤＲ２
は内導体３ｂ、外導体５および誘電体ブロックｌからな
るＴＥＭモード誘電体共振器であり、Ｃ１２は内導体引
出電極４ｂと補助電極７ｂ間に生じるキャパシタ、Ｃ２
２は補助電極７ｂと外導体引出電極６間に生じるキャパ
シタである。同様にＤＲ３は内導体３ｃと外導体５およ
び誘電体ブロック１からなるＴＥＭモード誘電体共振器
であり、Ｃ１３は内導体引出電極４ｃと補助電極７Ｃ間
に生じるキャパシタ、Ｃ２３は補助電極７ｃと外導体引
出電極６間に生じるキャパシタである。またこの補助電
極７ｃが出力端子ＯＵＴとなる以上のように、一体型Ｔ
ＥＭモード誘電体共振器自体が小型になっても、電極パ
ターンによって集中定数回路のキャパシタンスを構成し
、また集中定数回路素子としてのインダクタンス素子を
接続することによって一体型ＴＥＭモード誘電体共振器
を用いた帯域減衰フィルタを構成することができる。
すような帯域減衰フィルタが構成される。第１図と第２
図はそれぞれ次のように対応する。ＤＰＩは内導体３ａ
、外導体５および誘電体ブロック１からなるＴＥＭモー
ド誘電体共振器である。信号入力端子ＩＮは補助電極７
ａであり、Ｃ１１は補助電極７ａと外導体引出電極６間
に生じるキャパシタ、Ｃ２１は補助電極７ａと内導体引
出電極４ａ間に生じるキャパシタである。同様にＤＲ２
は内導体３ｂ、外導体５および誘電体ブロックｌからな
るＴＥＭモード誘電体共振器であり、Ｃ１２は内導体引
出電極４ｂと補助電極７ｂ間に生じるキャパシタ、Ｃ２
２は補助電極７ｂと外導体引出電極６間に生じるキャパ
シタである。同様にＤＲ３は内導体３ｃと外導体５およ
び誘電体ブロック１からなるＴＥＭモード誘電体共振器
であり、Ｃ１３は内導体引出電極４ｃと補助電極７Ｃ間
に生じるキャパシタ、Ｃ２３は補助電極７ｃと外導体引
出電極６間に生じるキャパシタである。またこの補助電
極７ｃが出力端子ＯＵＴとなる以上のように、一体型Ｔ
ＥＭモード誘電体共振器自体が小型になっても、電極パ
ターンによって集中定数回路のキャパシタンスを構成し
、また集中定数回路素子としてのインダクタンス素子を
接続することによって一体型ＴＥＭモード誘電体共振器
を用いた帯域減衰フィルタを構成することができる。
次に第２の実施例□に係る帯域減衰フィルタの斜視図を
第３図に示す、第３図において８ａと８ｂは内導体形成
用貫通孔２ａと２ｂおよび２ｃの各中間位置で各貫通孔
に並行に貫通する角孔である。この２つの貫通孔８ａと
８ｂの内壁には外導体５と外導体引出電極６に連続する
アース電極９ａ９ｂを形成している。その他の構成は第
１図に示したものと同様である。このように各共振器間
にアース電極を設けたことにより、共振器の開放端面に
おけるストレ容量や誘電率の不均一による各共振器間の
結合を完全に防止して、減衰特性の劣化を防止すること
ができる。
第３図に示す、第３図において８ａと８ｂは内導体形成
用貫通孔２ａと２ｂおよび２ｃの各中間位置で各貫通孔
に並行に貫通する角孔である。この２つの貫通孔８ａと
８ｂの内壁には外導体５と外導体引出電極６に連続する
アース電極９ａ９ｂを形成している。その他の構成は第
１図に示したものと同様である。このように各共振器間
にアース電極を設けたことにより、共振器の開放端面に
おけるストレ容量や誘電率の不均一による各共振器間の
結合を完全に防止して、減衰特性の劣化を防止すること
ができる。
次に、第３の実施例に係る帯域減衰フィルタの斜視図を
第４図に示す。第４図において１は誘電体ブロックであ
り、先の実施例と同様に３つの内導体形成用貫通孔２ａ
、２ｂ、２ｃを形成し、その内壁に内導体３ａ、３ｂ、
３ｃを形成している。また誘電体ブロック１の４側面お
よび底面（同図における後方）には外導体５を形成し、
底面において内導体３ａ、３ｂ、３ｃを外導体５に接続
している。各共振器の一側面（図における上面）には開
放端面付近において外導体５の一部を分離させて補助電
極７ａ、７ｂ、７ｃとしてそれぞれ内導体３ａ、３ｂ、
３ｃに対応させて形成している。従って内導体３ａ、３
ｂ、３ｃと補助電極７ａ、７ｂ、７ｃ間にそれぞれキャ
パシタンス（第２図の等価回路におけるＣ１ｌ、Ｃ１２
，Ｃ１３）が生じる。また、補助電極７ａ、７ｂ、７ｃ
と外導体５間にそれぞれキャパシタンス（第２図の等価
回路におけるＣ２１．Ｃ２２，Ｃ２３）が生じる。そし
て補助電極７ａと７ｂ間にインダクタンス素子Ｌ１、補
助電極７ｂと７ｃ間にインダクタンス素子Ｌ２をそれぞ
れ半田付けなどにより接続することによって、補助電極
７ａと７０を信号の入出力端子とする帯域減衰フィルタ
が構成される。
第４図に示す。第４図において１は誘電体ブロックであ
り、先の実施例と同様に３つの内導体形成用貫通孔２ａ
、２ｂ、２ｃを形成し、その内壁に内導体３ａ、３ｂ、
３ｃを形成している。また誘電体ブロック１の４側面お
よび底面（同図における後方）には外導体５を形成し、
底面において内導体３ａ、３ｂ、３ｃを外導体５に接続
している。各共振器の一側面（図における上面）には開
放端面付近において外導体５の一部を分離させて補助電
極７ａ、７ｂ、７ｃとしてそれぞれ内導体３ａ、３ｂ、
３ｃに対応させて形成している。従って内導体３ａ、３
ｂ、３ｃと補助電極７ａ、７ｂ、７ｃ間にそれぞれキャ
パシタンス（第２図の等価回路におけるＣ１ｌ、Ｃ１２
，Ｃ１３）が生じる。また、補助電極７ａ、７ｂ、７ｃ
と外導体５間にそれぞれキャパシタンス（第２図の等価
回路におけるＣ２１．Ｃ２２，Ｃ２３）が生じる。そし
て補助電極７ａと７ｂ間にインダクタンス素子Ｌ１、補
助電極７ｂと７ｃ間にインダクタンス素子Ｌ２をそれぞ
れ半田付けなどにより接続することによって、補助電極
７ａと７０を信号の入出力端子とする帯域減衰フィルタ
が構成される。
次に第４の実施例に係る帯域減衰フィルタの斜視図を第
５図に示す。第５図において１は３つの内導体形成用貫
通孔を備える誘電体ブロックであり、その貫通孔に内導
体３ａ、３ｂ、３ｃを形成し、誘電体ブロック１の４側
面および底面（図における後方面）に外導体５を形成し
ている。この実施例では補助電極などを誘電体共振器の
表面には形成せず、別の基板上に設けている。同図にお
いて１０は誘電体基板であり、その表面に内導体３ ａ
＝ ３ ｂ ＋ ３ ｃの開放端部を引き出す内
導体引出電極１１ａ、ｌｌｂ、ｌｌｃを形成している。
５図に示す。第５図において１は３つの内導体形成用貫
通孔を備える誘電体ブロックであり、その貫通孔に内導
体３ａ、３ｂ、３ｃを形成し、誘電体ブロック１の４側
面および底面（図における後方面）に外導体５を形成し
ている。この実施例では補助電極などを誘電体共振器の
表面には形成せず、別の基板上に設けている。同図にお
いて１０は誘電体基板であり、その表面に内導体３ ａ
＝ ３ ｂ ＋ ３ ｃの開放端部を引き出す内
導体引出電極１１ａ、ｌｌｂ、ｌｌｃを形成している。
同図においては概略的に表しているが、これらの内導体
引出電極と内導体間は接続用端子などにより接続する。
引出電極と内導体間は接続用端子などにより接続する。
基板１０の表面には、さらにアース電極１３を形成し、
このアース電極１３と内導体引出電極１１ａ、ｌｌｂ、
ｌｌｃの中間位置に補助電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃを
それぞれ形成している。従って内導体引出電極１１ａ、
１１ｂｌｉｅと補助電極１２ａ、１２ｂ、１２ａ間には
それぞれキャパシタンス（第２図の等価回路におけるＣ
１ｌ、Ｃ１２，Ｃ１３）が生じる。また、補助電極１２
ａ、ｌ ２−ｅ−，１２Ｃとアース電極１３間にはそれ
ぞれキャパシタンス（第２図におけるＣ２１．Ｃ２２，
Ｃ２３）が生じる。補助電極１２ａと１２ｂ間にはイン
ダクタンス素子Ｌ１、補助電極１２ｂと１２ａ間にはイ
ンダクタンスＬ２を接続している。このようにして補助
電極１２ａと１２ｃを信号の入出力端子とする帯域減衰
フィルタが構成される。
このアース電極１３と内導体引出電極１１ａ、ｌｌｂ、
ｌｌｃの中間位置に補助電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃを
それぞれ形成している。従って内導体引出電極１１ａ、
１１ｂｌｉｅと補助電極１２ａ、１２ｂ、１２ａ間には
それぞれキャパシタンス（第２図の等価回路におけるＣ
１ｌ、Ｃ１２，Ｃ１３）が生じる。また、補助電極１２
ａ、ｌ ２−ｅ−，１２Ｃとアース電極１３間にはそれ
ぞれキャパシタンス（第２図におけるＣ２１．Ｃ２２，
Ｃ２３）が生じる。補助電極１２ａと１２ｂ間にはイン
ダクタンス素子Ｌ１、補助電極１２ｂと１２ａ間にはイ
ンダクタンスＬ２を接続している。このようにして補助
電極１２ａと１２ｃを信号の入出力端子とする帯域減衰
フィルタが構成される。
尚、以上に示した実施例は何れも帯域減衰フィルタ特性
のみを有するフィルタを例としたが、−体型ＴＥＭモー
ド誘電体共振器の一部に本発明の帯域減衰フィルタを構
成し、その他の領域に帯域通過フィルタを構成した一体
型フィルタとすることも可能である。
のみを有するフィルタを例としたが、−体型ＴＥＭモー
ド誘電体共振器の一部に本発明の帯域減衰フィルタを構
成し、その他の領域に帯域通過フィルタを構成した一体
型フィルタとすることも可能である。
（ｇ）発明の効果
この発明によれば、複数の誘電体同軸共振器を用いたも
のに比較して部品数が少なく低コストで製作することが
できる。また、λ／４ストリフプラインに制約されずに
、より小型の一体型ＴＥＭモード誘電体共振器を用いる
ことができ、小型で安価な帯域減衰フィルタが得られる
。
のに比較して部品数が少なく低コストで製作することが
できる。また、λ／４ストリフプラインに制約されずに
、より小型の一体型ＴＥＭモード誘電体共振器を用いる
ことができ、小型で安価な帯域減衰フィルタが得られる
。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の第１の実施例に係る帯域減衰フィル
タの斜視図、第２図はこの発明の第１〜第４の実施例に
係る帯域減衰フィルタの等価回路図である。第３図、第
４図および第５図はこの発明の第２、第３および第４の
実施例に係る帯域減衰フィルタの斜視図である。第６図
は従来の帯域減衰フィルタの等価回路図である。 −誘電体ブロック、 ａ〜２Ｃ−内導体形成用貫通孔、 ａ〜３Ｃ−内導体、 ａ 〜４ｃ、ｌｌａ 〜１ｌｃ−内導体引金山し電極、 一外導体、 一外導体引出電極、 ａ、９ｂ、１３ａ−アース電極、 ａ〜７ｃ、１２ａ 〜１２ｃ−補助電極、ａ、９ｂ−ア
ース電極形成用貫通孔、 〇−誘電体基板。 ａ 第 １ 図
タの斜視図、第２図はこの発明の第１〜第４の実施例に
係る帯域減衰フィルタの等価回路図である。第３図、第
４図および第５図はこの発明の第２、第３および第４の
実施例に係る帯域減衰フィルタの斜視図である。第６図
は従来の帯域減衰フィルタの等価回路図である。 −誘電体ブロック、 ａ〜２Ｃ−内導体形成用貫通孔、 ａ〜３Ｃ−内導体、 ａ 〜４ｃ、ｌｌａ 〜１ｌｃ−内導体引金山し電極、 一外導体、 一外導体引出電極、 ａ、９ｂ、１３ａ−アース電極、 ａ〜７ｃ、１２ａ 〜１２ｃ−補助電極、ａ、９ｂ−ア
ース電極形成用貫通孔、 〇−誘電体基板。 ａ 第 １ 図
Claims (1)
- （１）誘電体ブロックの内部に複数の内導体を設け、外
側面に外導体を形成した一体型ＴＥＭモード誘電体共振
器と、 基板表面または上記誘電体共振器の表面に上記各内導体
との間および上記外導体との間にそれぞれキャパシタン
スを生じさせる補助電極を形成し、これらの各補助電極
間をインダクタンス素子を介して接続したことを特徴と
する帯域減衰フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5036890A JPH03252201A (ja) | 1990-03-01 | 1990-03-01 | 帯域減衰フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5036890A JPH03252201A (ja) | 1990-03-01 | 1990-03-01 | 帯域減衰フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03252201A true JPH03252201A (ja) | 1991-11-11 |
Family
ID=12856947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5036890A Pending JPH03252201A (ja) | 1990-03-01 | 1990-03-01 | 帯域減衰フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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1990
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