JPH03245727A - スナバー回路 - Google Patents
スナバー回路Info
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- JPH03245727A JPH03245727A JP4158890A JP4158890A JPH03245727A JP H03245727 A JPH03245727 A JP H03245727A JP 4158890 A JP4158890 A JP 4158890A JP 4158890 A JP4158890 A JP 4158890A JP H03245727 A JPH03245727 A JP H03245727A
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- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
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- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、トランジスタ、GTO,FET等のスイッ
チング素子のオフ時に発生する過電圧を抑制するスナバ
−回路に関するものである。
チング素子のオフ時に発生する過電圧を抑制するスナバ
−回路に関するものである。
第10図は例えば文献 r E 1ectric Ma
chinesand Power Systems、
8 : 321−332 Jの第324ページに記載さ
れたこの種従来のスナバ−回路を設けたチョッパ回路を
示す回路図である。
chinesand Power Systems、
8 : 321−332 Jの第324ページに記載さ
れたこの種従来のスナバ−回路を設けたチョッパ回路を
示す回路図である。
図において、(1)は直流電源、(2)は誘導性の負荷
、(3)は負荷(2)と直列となって直流電源(1)に
接続されたスイッチング素子としてのトランジスタ、(
4)および(5)は相互に直列となって負荷(2)と並
列に接続されたそれぞれフリーホイルダイオードおよび
リアクトルで、このリアクトル(5)はフリーホイルダ
イオード(4)のりカバリ−電流の時間変化率d i
/ d tを抑制するための小容量のもので、場合によ
っては配線の浮遊インダクタンスで代用される。<6)
、(7)および(8)はそれぞれダイオード、抵抗およ
びコンデンサで、相互に図に示すように結線されトラン
ジスタ(3)のコレクターエミッタ間に接続されており
、通常CRDスナバ−と呼ばれてトランジスタ(3)の
オフ時に発生する過電圧を抑えて電圧面からトランジス
タ(3)を保護する目的で設けられている。
、(3)は負荷(2)と直列となって直流電源(1)に
接続されたスイッチング素子としてのトランジスタ、(
4)および(5)は相互に直列となって負荷(2)と並
列に接続されたそれぞれフリーホイルダイオードおよび
リアクトルで、このリアクトル(5)はフリーホイルダ
イオード(4)のりカバリ−電流の時間変化率d i
/ d tを抑制するための小容量のもので、場合によ
っては配線の浮遊インダクタンスで代用される。<6)
、(7)および(8)はそれぞれダイオード、抵抗およ
びコンデンサで、相互に図に示すように結線されトラン
ジスタ(3)のコレクターエミッタ間に接続されており
、通常CRDスナバ−と呼ばれてトランジスタ(3)の
オフ時に発生する過電圧を抑えて電圧面からトランジス
タ(3)を保護する目的で設けられている。
次に動作、特にトランジスタ(3)のオフ時の動作につ
いて説明する。ここで、直流電源(1)の電圧をVB、
トランジスタ(3)のコレクターエミッタ間の電圧をV
CE、コンデンサ(8)の電圧をvc、負荷(2)に
流れる電流をIL、リアクトル(5)に流れる電流をi
Ls、トランジスタ(3)に流れる電流をIc、コンデ
ンサ(8)に流れる電流をtcとする。また、負荷(2
)は誘導性負荷であり、その電流■1は短かいスイッチ
ング時間においては変化しないものとする。
いて説明する。ここで、直流電源(1)の電圧をVB、
トランジスタ(3)のコレクターエミッタ間の電圧をV
CE、コンデンサ(8)の電圧をvc、負荷(2)に
流れる電流をIL、リアクトル(5)に流れる電流をi
Ls、トランジスタ(3)に流れる電流をIc、コンデ
ンサ(8)に流れる電流をtcとする。また、負荷(2
)は誘導性負荷であり、その電流■1は短かいスイッチ
ング時間においては変化しないものとする。
第11図は、一連の動作を時間領域の異なる3つのモー
ドに区分し、それぞれのモードにおける等価回路を示し
たもので、第12図は各電圧、電流の波形を示したもの
である。
ドに区分し、それぞれのモードにおける等価回路を示し
たもので、第12図は各電圧、電流の波形を示したもの
である。
時刻t<tOではトランジスタ(3)はオンの状態で電
流■C(=IL)は一定となっている。
流■C(=IL)は一定となっている。
次に、時刻1=1.でトランジスタ(3)がオフ動作を
開始するとモード1の領域に入り、電流Ieは減少して
いき、この場合にも一定である電流It、どの差、即ち
(IL Ic )はコンデンサ(8)に充電々流とし
て流入する。トランジスタ(3)の電圧VCEが時刻t
= t oから立上り、次第に上昇して時刻1=1.
で電圧V CE = V Bとなるとフリーホイルダイ
オード(4)に順方向電圧が印加されて導通しモード2
の領域に入る。
開始するとモード1の領域に入り、電流Ieは減少して
いき、この場合にも一定である電流It、どの差、即ち
(IL Ic )はコンデンサ(8)に充電々流とし
て流入する。トランジスタ(3)の電圧VCEが時刻t
= t oから立上り、次第に上昇して時刻1=1.
で電圧V CE = V Bとなるとフリーホイルダイ
オード(4)に順方向電圧が印加されて導通しモード2
の領域に入る。
ここでは、リアクトル(5)とコンデンサ(8)との直
列回路が形成された等価回路となり、コンデンサ(8)
の電圧Vc (ここではVc =V。。)が正弦波状
に上昇し、時刻1=1.で電圧■。Il:Vp (最
大値)となり、同時にリアクトル(5)の電流i4が電
流ILと等しくなってモード3の領域に入る。
列回路が形成された等価回路となり、コンデンサ(8)
の電圧Vc (ここではVc =V。。)が正弦波状
に上昇し、時刻1=1.で電圧■。Il:Vp (最
大値)となり、同時にリアクトル(5)の電流i4が電
流ILと等しくなってモード3の領域に入る。
モード3(t>t2)では、コンデンサ(8)に充電さ
れた電圧Vpは抵抗(7)およびリアクトル(5)を通
して放電され、トランジスタ(3)の電圧VCEは振動
しながらやがて電圧VBとなり、リアクトル(5)の電
流iLsは振動しながらやがて負荷(2)のt流ILと
一致する。
れた電圧Vpは抵抗(7)およびリアクトル(5)を通
して放電され、トランジスタ(3)の電圧VCEは振動
しながらやがて電圧VBとなり、リアクトル(5)の電
流iLsは振動しながらやがて負荷(2)のt流ILと
一致する。
以上のように、トランジスタ(3)の電圧■。0はCR
Dスナバ−回路により最大Vpに抑えられ、そして、こ
の電圧および電流の立上りはコンデンサ(8)の容量に
依存する。従って、この電圧値Vpがトランジスタ(3
)の定格値を越えることがないよう、コンデンサ(8)
の容量等が設定される訳である。
Dスナバ−回路により最大Vpに抑えられ、そして、こ
の電圧および電流の立上りはコンデンサ(8)の容量に
依存する。従って、この電圧値Vpがトランジスタ(3
)の定格値を越えることがないよう、コンデンサ(8)
の容量等が設定される訳である。
従来のスナバ−回路は以上のように構成されているので
、トランジスタ(3)に発生する過電圧Vpはスナバ−
回路のコンデンサ(8)の容量に大きく依存し、この電
圧Vpを低く抑えるためには、コンデンサ(8)の容量
を増大する必要があり、これに伴い抵抗(7)で消費さ
れる電力損失も増大するという問題点があった。勿論、
コンデンサ(8)の容量が不十分であれば過電圧Vpが
増大するため定格電圧の高いトランジスタ(3)を採用
する必要があり、大幅なコスト高を招きオフ動作時のス
イッチング損失も増大して冷却面でも不利になる。
、トランジスタ(3)に発生する過電圧Vpはスナバ−
回路のコンデンサ(8)の容量に大きく依存し、この電
圧Vpを低く抑えるためには、コンデンサ(8)の容量
を増大する必要があり、これに伴い抵抗(7)で消費さ
れる電力損失も増大するという問題点があった。勿論、
コンデンサ(8)の容量が不十分であれば過電圧Vpが
増大するため定格電圧の高いトランジスタ(3)を採用
する必要があり、大幅なコスト高を招きオフ動作時のス
イッチング損失も増大して冷却面でも不利になる。
この発明は以上のような問題点を解消するためになされ
たもので、コンデンサの容量を特に大きくすることなく
スイッチング素子のオフ時に発生する過電圧を電源電圧
以下に抑えることができるスナバ−回路を得ることを目
的とする。
たもので、コンデンサの容量を特に大きくすることなく
スイッチング素子のオフ時に発生する過電圧を電源電圧
以下に抑えることができるスナバ−回路を得ることを目
的とする。
〔課題を解決するための手段および作用〕この発明に係
るスナバ−回路は、ダイオードとコンデンサとの直列体
をフリーホイルダイオードと並列に接続し、更に抵抗を
上記ダイオードと並列に接続したものである。
るスナバ−回路は、ダイオードとコンデンサとの直列体
をフリーホイルダイオードと並列に接続し、更に抵抗を
上記ダイオードと並列に接続したものである。
スイッチング素子のオフ時点までに充電されていたコン
デンサは、スイッチング素子のオフと同時に放電を開始
し、その放電電流により、負荷電流を一定に保持する。
デンサは、スイッチング素子のオフと同時に放電を開始
し、その放電電流により、負荷電流を一定に保持する。
しかし、スイッチング素子の電圧が電源電圧と等しくな
った時点で、負荷電流は上記コンデンサからフリーホイ
ルダイオードに転流するので、以後定常状態となり、ス
イッチング素子の電圧は電源電圧を越えることはない。
った時点で、負荷電流は上記コンデンサからフリーホイ
ルダイオードに転流するので、以後定常状態となり、ス
イッチング素子の電圧は電源電圧を越えることはない。
また、上記スナバ−回路のコンデンサと並列にダイオー
ドを追加接続した場合には、実際のスナバ−回路には存
在し得る浮遊インダクタンスとコンデンサとで形成され
る直列回路による高周波振動電流の発生が、この新たに
追加したダイオードで防止される。
ドを追加接続した場合には、実際のスナバ−回路には存
在し得る浮遊インダクタンスとコンデンサとで形成され
る直列回路による高周波振動電流の発生が、この新たに
追加したダイオードで防止される。
第1図はこの発明の一実施例によるスナバ−回路を設け
たチョッパ回路を示す回路図である。図において、(1
)ないしく5)は従来と同一のもので説明を省略する。
たチョッパ回路を示す回路図である。図において、(1
)ないしく5)は従来と同一のもので説明を省略する。
この実施例ではダイオード(9)、抵抗(10)および
コンデンサ(11)からなるCRDスナバ−はフリーホ
イルダイオード(4)と並列に接続されている。
コンデンサ(11)からなるCRDスナバ−はフリーホ
イルダイオード(4)と並列に接続されている。
次に動作を第2図を参照して説明する。先ず、時刻1<
1.ではトランジスタ(3)はオンの状態で、コンデン
サ(11)は抵抗(10)を介して充電されている。
1.ではトランジスタ(3)はオンの状態で、コンデン
サ(11)は抵抗(10)を介して充電されている。
次に時刻t ” t oでトランジスタ(3)がオフの
動作を開始するとモード1の領域に入り、トランジスタ
(3)の電流Icは徐々に減少し、負荷(2)の電流I
Lとの差(I、−Ic)はコンデンサ(11)の放電電
流icとしてダイオード(9)およびリアクトル(5)
を介して流れる。
動作を開始するとモード1の領域に入り、トランジスタ
(3)の電流Icは徐々に減少し、負荷(2)の電流I
Lとの差(I、−Ic)はコンデンサ(11)の放電電
流icとしてダイオード(9)およびリアクトル(5)
を介して流れる。
この放電に伴いコンデンサ(11)の電圧Vcはそれま
での直流型R(1)の電圧VBから次第に低下する。こ
の間、トランジスタ(3)の電圧V CEは、直流電源
(1)の電圧VBからコンデンサ(11)の電圧Vcを
差引いた値にリアクトル(5)での電圧Ls−di/d
tを加えた値となり、電圧Vcの低下とともに上昇する
。但し、Lsはりアクドル(5)のインダクタンスを示
す。
での直流型R(1)の電圧VBから次第に低下する。こ
の間、トランジスタ(3)の電圧V CEは、直流電源
(1)の電圧VBからコンデンサ(11)の電圧Vcを
差引いた値にリアクトル(5)での電圧Ls−di/d
tを加えた値となり、電圧Vcの低下とともに上昇する
。但し、Lsはりアクドル(5)のインダクタンスを示
す。
このコンデンサ(11〉の電圧Vcが時刻t=t!で零
になるとモード2の領域に入り、同時にフリーホイルダ
イオード(4)に順方向電圧が印加されてフリーホイル
ダイオード(4)が導通する。即ち、負荷(2)の電流
ILがコンデンサ(11)からフリーホイルダイオード
(4)に転流する。
になるとモード2の領域に入り、同時にフリーホイルダ
イオード(4)に順方向電圧が印加されてフリーホイル
ダイオード(4)が導通する。即ち、負荷(2)の電流
ILがコンデンサ(11)からフリーホイルダイオード
(4)に転流する。
この転流が時刻1=12で完了するとモード3の領域と
なり、以後トランジスタ(3)オフの定常状態となる。
なり、以後トランジスタ(3)オフの定常状態となる。
従って、トランジスタ(3)の電圧VCEは最大直流電
源(1)の電圧V8の大きさに留まり、更にトランジス
タ(3)のオフ前にコンデンサ(11)に蓄えられてい
たエネルギーがトランジスタ(3)のオフ時に抵抗(1
0)で消費されることがない。
源(1)の電圧V8の大きさに留まり、更にトランジス
タ(3)のオフ前にコンデンサ(11)に蓄えられてい
たエネルギーがトランジスタ(3)のオフ時に抵抗(1
0)で消費されることがない。
もっとも、トランジスタ(3)のオフ前でのコンデンサ
(11)の充電時にその充電電流が抵抗(10)に流れ
て損失を発生することになるが、この場合の充電電圧は
直流電源(1)の電圧VBに留まり、従来の場合のよう
な過電圧■ρを伴う充電にはならないので、上記損失も
従来に比較して大幅に減少する。
(11)の充電時にその充電電流が抵抗(10)に流れ
て損失を発生することになるが、この場合の充電電圧は
直流電源(1)の電圧VBに留まり、従来の場合のよう
な過電圧■ρを伴う充電にはならないので、上記損失も
従来に比較して大幅に減少する。
ところで、第4図は本質的に第1図の回路と同一である
が、実際の配線回路として構成した場合に存在し得る浮
遊インダクタンスを考慮したものである。即ち、インダ
クタンス値Lxを有する浮遊インダクタンス(12)が
リアクトル(5)とダイオード(9)との間に存在して
いる場合を想定したものである。
が、実際の配線回路として構成した場合に存在し得る浮
遊インダクタンスを考慮したものである。即ち、インダ
クタンス値Lxを有する浮遊インダクタンス(12)が
リアクトル(5)とダイオード(9)との間に存在して
いる場合を想定したものである。
この浮遊インダクタンス(12)の存在のため、第2(
2I第3図で示したモード2以降の現象に差が生じるこ
とになる。
2I第3図で示したモード2以降の現象に差が生じるこ
とになる。
以下、この場合の動作を第5図の等価回路および第6図
の波形図により説明する。時刻1=1Xでフリーホイル
ダイオード(4)に順方向電圧が印加され、負荷(2)
の電流ILがコンデンサ(11)からフリーホイルダイ
オード(4)に転流する。この時、コンデンサ(11)
は浮遊インダクタンスく12)の作用によりそれまでと
は逆方向の極性に充電される。従って、第6図に示すよ
うに、コンデンサ(11)の電流icが小さくなって零
になった時点1=1α以後は浮遊インダクタンス(12
)とコンデンサ(11)との直列回路による振動現象が
生じる。なお、コンデンサ(L、1)の電流tcの反転
はダイオード(9)のりカバリ−作用によるが、この振
動現象は抵抗(10)等におけるエネルギー損失で減衰
し時刻1=1.で定常状態に落着くことになる。この間
、コンデンサ(11)の電流icの振動に伴いフリ−ホ
イルダイオード(4)の電流iDも振動するまた、上記
振動の周波数fxは次式で表わされる。
の波形図により説明する。時刻1=1Xでフリーホイル
ダイオード(4)に順方向電圧が印加され、負荷(2)
の電流ILがコンデンサ(11)からフリーホイルダイ
オード(4)に転流する。この時、コンデンサ(11)
は浮遊インダクタンスく12)の作用によりそれまでと
は逆方向の極性に充電される。従って、第6図に示すよ
うに、コンデンサ(11)の電流icが小さくなって零
になった時点1=1α以後は浮遊インダクタンス(12
)とコンデンサ(11)との直列回路による振動現象が
生じる。なお、コンデンサ(L、1)の電流tcの反転
はダイオード(9)のりカバリ−作用によるが、この振
動現象は抵抗(10)等におけるエネルギー損失で減衰
し時刻1=1.で定常状態に落着くことになる。この間
、コンデンサ(11)の電流icの振動に伴いフリ−ホ
イルダイオード(4)の電流iDも振動するまた、上記
振動の周波数fxは次式で表わされる。
fx=1/2yr−rU”;薯7で−
但し、上式でCはコンデンサ(11)のキャパシタンス
である。
である。
浮遊インダクタンス(12)のインダクタンスLxは非
常に小さいので、fxは極めて高い周波数となる。この
結果、トランジスタ(3)のオフ時にこの高周波の振動
電流が流れ、これが高周波雑音となって誘導障害を引き
起すことになる。
常に小さいので、fxは極めて高い周波数となる。この
結果、トランジスタ(3)のオフ時にこの高周波の振動
電流が流れ、これが高周波雑音となって誘導障害を引き
起すことになる。
第7図はこの点の対策を施したもので、第1図の実施例
と異なるのは、コンデンサ(11)と並列にダイオード
(13)が追加接続されている点である。
と異なるのは、コンデンサ(11)と並列にダイオード
(13)が追加接続されている点である。
以下、このダイオードく13)を追加することによって
現象が異なることになるモード2以降の動作について説
明する。
現象が異なることになるモード2以降の動作について説
明する。
第8図は、このモード2 <tl<t<t2)における
等価回路、第9図はその時の各電圧、電流波形を示すも
のである0時刻1=14でフリーホイルダイオード(4
)に順方向電圧が印加されるとコンデンサ(11)の電
流icはフリーホイルダイオード(4)への転流を開始
する。しかし、この時、コンデンサ(11)と並列に接
続されたダイオード(13)にも順方向電圧がかかり、
このダイオード(13)が導通してコンデンサ(11)
の電流icは瞬時に零となる。
等価回路、第9図はその時の各電圧、電流波形を示すも
のである0時刻1=14でフリーホイルダイオード(4
)に順方向電圧が印加されるとコンデンサ(11)の電
流icはフリーホイルダイオード(4)への転流を開始
する。しかし、この時、コンデンサ(11)と並列に接
続されたダイオード(13)にも順方向電圧がかかり、
このダイオード(13)が導通してコンデンサ(11)
の電流icは瞬時に零となる。
即ち、浮遊インダクタンス(12)に流れる電流は、コ
ンデンサ(11)からダイオード(13)に即乾流し、
このダイオード(13)の電流i。
ンデンサ(11)からダイオード(13)に即乾流し、
このダイオード(13)の電流i。
とフリーホイルダイオード(4)の電流iDとの和が負
荷(2)の電流ILと等しくなる。
荷(2)の電流ILと等しくなる。
コンデンサ(11)に蓄えられていたエネルギーは、ダ
イオード(13)が導通する時点でなくなっており、一
方、浮遊インダクタンス(12)に蓄えられていたエネ
ルギーは、ダイオード(9)およびダイオードく13)
のオン損失(順方向電圧降下分と電流との積)として消
費されている。
イオード(13)が導通する時点でなくなっており、一
方、浮遊インダクタンス(12)に蓄えられていたエネ
ルギーは、ダイオード(9)およびダイオードく13)
のオン損失(順方向電圧降下分と電流との積)として消
費されている。
従って、第5図、第6図で示したようなコンデンサ(1
1)と浮遊インダクタンス(12)とによる振動現象は
発生しないことになる。そして、時刻1=12でダイオ
ード(13)の電流iyは零となり、フリーホイルダイ
オード(4)への転流が完了する。
1)と浮遊インダクタンス(12)とによる振動現象は
発生しないことになる。そして、時刻1=12でダイオ
ード(13)の電流iyは零となり、フリーホイルダイ
オード(4)への転流が完了する。
このように、ダイオード(13)を設けることにより、
トランジスタ(3)のオフ時における高周波振動電流の
発生が防止されE M r (E 1ectr。
トランジスタ(3)のオフ時における高周波振動電流の
発生が防止されE M r (E 1ectr。
Magnetic I nterference)対策
として極めて有効となる。
として極めて有効となる。
なお、以上の説明では各ダイオードの順方向電圧降下(
Vp )の大小については触れていないが、ダイオード
(9)、ダイオード(13)の電圧降下VFに比較して
フリーホイルダイオード(4)の電圧降下VFが高い場
合には、例えばダイオード(9)またはダイオード(1
3)を複数個の直列体で構成してその合成電圧降下をフ
リーホイルダイオードく4)のそれより高めることによ
り、フリーホイルダイオード(4)への転流時点をダイ
オード(13)へのそれより先になるようにすれば、ダ
イオード(9)やダイオード(13)の電流容量を比較
的低く抑えることができる。
Vp )の大小については触れていないが、ダイオード
(9)、ダイオード(13)の電圧降下VFに比較して
フリーホイルダイオード(4)の電圧降下VFが高い場
合には、例えばダイオード(9)またはダイオード(1
3)を複数個の直列体で構成してその合成電圧降下をフ
リーホイルダイオードく4)のそれより高めることによ
り、フリーホイルダイオード(4)への転流時点をダイ
オード(13)へのそれより先になるようにすれば、ダ
イオード(9)やダイオード(13)の電流容量を比較
的低く抑えることができる。
また、上記各実施例ではスイッチング素子としてトラン
ジスタを使用した場合について示したが、GTOやFE
T等の他の種類のスイッチング素子であってもこの発明
は同様に適用することができ同等の効果を奏する。
ジスタを使用した場合について示したが、GTOやFE
T等の他の種類のスイッチング素子であってもこの発明
は同様に適用することができ同等の効果を奏する。
以上のように、この発明では、ダイオード、抵抗、コン
デンサからなる所定のスナバ−回路を負荷のフリーホイ
ルダイオードと並列に接続したので、スイッチング素子
のオフ時に発生する電圧が最大、電源電圧の範囲にとど
まり、そのスイッチング損失も低減する。また、オフ時
の上記コンデンサに係る振動電流による損失の発生もな
い。
デンサからなる所定のスナバ−回路を負荷のフリーホイ
ルダイオードと並列に接続したので、スイッチング素子
のオフ時に発生する電圧が最大、電源電圧の範囲にとど
まり、そのスイッチング損失も低減する。また、オフ時
の上記コンデンサに係る振動電流による損失の発生もな
い。
更に、上記スナバ−回路のコンデンサと並列にダイオー
ドを追加接続したものでは、実際のスナバ−回路には存
在し得る浮遊インダクタンスとコンデンサとによる高周
波振動電流の発生が防止され誘導障害等の弊害が解消さ
れる。
ドを追加接続したものでは、実際のスナバ−回路には存
在し得る浮遊インダクタンスとコンデンサとによる高周
波振動電流の発生が防止され誘導障害等の弊害が解消さ
れる。
第1図はこの発明の一実施例によるスナバ−回路を設け
たチョッパ回路を示す回路図、第2図はその動作を説明
するための区分した各モード毎の等価回路図、第3図は
その電圧電流波形図、第4図は浮遊インダクタンスを考
慮した場合の回路図、第5図および第6図は第4図の回
路の動作を説明するためのそれぞれ等価回路図および電
圧電流波形図、第7図は他の実施例によるものを示す回
路図、第8図および第9図は第7図の回路の動作を説明
するためのそれぞれ等価回路図および電圧電流波形図、
第10図は従来のスナバ−回路を設けたチョッパ回路を
示す回路図、第11図は第10図に対応する各モード毎
の等価回路図、第12図はその電圧電流波形図である。 図において、く1)は直流電源、(2)は負荷、(3)
はスイッチング素子としてのトランジスタ、(4)はフ
リーホイルダイオード、(9)<13)はダイオード、
(10)は抵抗、(11)はコンデンサである。 なお、 各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
たチョッパ回路を示す回路図、第2図はその動作を説明
するための区分した各モード毎の等価回路図、第3図は
その電圧電流波形図、第4図は浮遊インダクタンスを考
慮した場合の回路図、第5図および第6図は第4図の回
路の動作を説明するためのそれぞれ等価回路図および電
圧電流波形図、第7図は他の実施例によるものを示す回
路図、第8図および第9図は第7図の回路の動作を説明
するためのそれぞれ等価回路図および電圧電流波形図、
第10図は従来のスナバ−回路を設けたチョッパ回路を
示す回路図、第11図は第10図に対応する各モード毎
の等価回路図、第12図はその電圧電流波形図である。 図において、く1)は直流電源、(2)は負荷、(3)
はスイッチング素子としてのトランジスタ、(4)はフ
リーホイルダイオード、(9)<13)はダイオード、
(10)は抵抗、(11)はコンデンサである。 なお、 各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- (1)負荷とスイッチング素子とを直列にして電源に接
続し、更に上記負荷と並列にフリーホイルダイオードを
接続したチョッパ回路における上記スイッチング素子の
オフ時に発生する過電圧を抑制するものにおいて、 ダイオードとコンデンサとの直列体を上記フリーホイル
ダイオードと並列に接続し、更に抵抗を上記ダイオード
と並列に接続してなるスナバー回路。 - (2)請求項1記載のスナバー回路のコンデンサと並列
にダイオードを追加接続したことを特徴とするスナバー
回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4158890A JPH03245727A (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | スナバー回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4158890A JPH03245727A (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | スナバー回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03245727A true JPH03245727A (ja) | 1991-11-01 |
Family
ID=12612584
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4158890A Pending JPH03245727A (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | スナバー回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03245727A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1028527A2 (en) * | 1999-02-12 | 2000-08-16 | GATE S.p.A. | A circuit for driving inductive loads |
US7626838B2 (en) | 2006-01-13 | 2009-12-01 | Omron Corporation | Inverter circuit with switching deadtime synchronized sample and hold current detection |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59188373A (ja) * | 1983-04-06 | 1984-10-25 | Hitachi Ltd | 自己消弧型半導体素子のスナバ回路 |
JPS62221865A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-29 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | エネルギ−還元回路 |
JPH01283066A (ja) * | 1988-05-02 | 1989-11-14 | Mitsubishi Electric Corp | Gtoインバータのスナバ回路 |
JPH01311870A (ja) * | 1988-06-08 | 1989-12-15 | Fuji Electric Co Ltd | 高周波インバータ回路 |
-
1990
- 1990-02-21 JP JP4158890A patent/JPH03245727A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS59188373A (ja) * | 1983-04-06 | 1984-10-25 | Hitachi Ltd | 自己消弧型半導体素子のスナバ回路 |
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JPH01311870A (ja) * | 1988-06-08 | 1989-12-15 | Fuji Electric Co Ltd | 高周波インバータ回路 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1028527A2 (en) * | 1999-02-12 | 2000-08-16 | GATE S.p.A. | A circuit for driving inductive loads |
EP1028527A3 (en) * | 1999-02-12 | 2004-05-12 | GATE S.p.A. | A circuit for driving inductive loads |
US7626838B2 (en) | 2006-01-13 | 2009-12-01 | Omron Corporation | Inverter circuit with switching deadtime synchronized sample and hold current detection |
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