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JPH03245727A - スナバー回路 - Google Patents

スナバー回路

Info

Publication number
JPH03245727A
JPH03245727A JP4158890A JP4158890A JPH03245727A JP H03245727 A JPH03245727 A JP H03245727A JP 4158890 A JP4158890 A JP 4158890A JP 4158890 A JP4158890 A JP 4158890A JP H03245727 A JPH03245727 A JP H03245727A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diode
capacitor
voltage
current
transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4158890A
Other languages
English (en)
Inventor
Sueo Sakata
坂田 末男
Yasuhiro Yabunishi
康弘 藪西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP4158890A priority Critical patent/JPH03245727A/ja
Publication of JPH03245727A publication Critical patent/JPH03245727A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、トランジスタ、GTO,FET等のスイッ
チング素子のオフ時に発生する過電圧を抑制するスナバ
−回路に関するものである。
〔従来の技術〕
第10図は例えば文献 r E 1ectric Ma
chinesand Power Systems、 
8 : 321−332 Jの第324ページに記載さ
れたこの種従来のスナバ−回路を設けたチョッパ回路を
示す回路図である。
図において、(1)は直流電源、(2)は誘導性の負荷
、(3)は負荷(2)と直列となって直流電源(1)に
接続されたスイッチング素子としてのトランジスタ、(
4)および(5)は相互に直列となって負荷(2)と並
列に接続されたそれぞれフリーホイルダイオードおよび
リアクトルで、このリアクトル(5)はフリーホイルダ
イオード(4)のりカバリ−電流の時間変化率d i 
/ d tを抑制するための小容量のもので、場合によ
っては配線の浮遊インダクタンスで代用される。<6)
、(7)および(8)はそれぞれダイオード、抵抗およ
びコンデンサで、相互に図に示すように結線されトラン
ジスタ(3)のコレクターエミッタ間に接続されており
、通常CRDスナバ−と呼ばれてトランジスタ(3)の
オフ時に発生する過電圧を抑えて電圧面からトランジス
タ(3)を保護する目的で設けられている。
次に動作、特にトランジスタ(3)のオフ時の動作につ
いて説明する。ここで、直流電源(1)の電圧をVB、
トランジスタ(3)のコレクターエミッタ間の電圧をV
 CE、コンデンサ(8)の電圧をvc、負荷(2)に
流れる電流をIL、リアクトル(5)に流れる電流をi
Ls、トランジスタ(3)に流れる電流をIc、コンデ
ンサ(8)に流れる電流をtcとする。また、負荷(2
)は誘導性負荷であり、その電流■1は短かいスイッチ
ング時間においては変化しないものとする。
第11図は、一連の動作を時間領域の異なる3つのモー
ドに区分し、それぞれのモードにおける等価回路を示し
たもので、第12図は各電圧、電流の波形を示したもの
である。
時刻t<tOではトランジスタ(3)はオンの状態で電
流■C(=IL)は一定となっている。
次に、時刻1=1.でトランジスタ(3)がオフ動作を
開始するとモード1の領域に入り、電流Ieは減少して
いき、この場合にも一定である電流It、どの差、即ち
(IL  Ic )はコンデンサ(8)に充電々流とし
て流入する。トランジスタ(3)の電圧VCEが時刻t
 = t oから立上り、次第に上昇して時刻1=1.
で電圧V CE = V Bとなるとフリーホイルダイ
オード(4)に順方向電圧が印加されて導通しモード2
の領域に入る。
ここでは、リアクトル(5)とコンデンサ(8)との直
列回路が形成された等価回路となり、コンデンサ(8)
の電圧Vc  (ここではVc =V。。)が正弦波状
に上昇し、時刻1=1.で電圧■。Il:Vp  (最
大値)となり、同時にリアクトル(5)の電流i4が電
流ILと等しくなってモード3の領域に入る。
モード3(t>t2)では、コンデンサ(8)に充電さ
れた電圧Vpは抵抗(7)およびリアクトル(5)を通
して放電され、トランジスタ(3)の電圧VCEは振動
しながらやがて電圧VBとなり、リアクトル(5)の電
流iLsは振動しながらやがて負荷(2)のt流ILと
一致する。
以上のように、トランジスタ(3)の電圧■。0はCR
Dスナバ−回路により最大Vpに抑えられ、そして、こ
の電圧および電流の立上りはコンデンサ(8)の容量に
依存する。従って、この電圧値Vpがトランジスタ(3
)の定格値を越えることがないよう、コンデンサ(8)
の容量等が設定される訳である。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来のスナバ−回路は以上のように構成されているので
、トランジスタ(3)に発生する過電圧Vpはスナバ−
回路のコンデンサ(8)の容量に大きく依存し、この電
圧Vpを低く抑えるためには、コンデンサ(8)の容量
を増大する必要があり、これに伴い抵抗(7)で消費さ
れる電力損失も増大するという問題点があった。勿論、
コンデンサ(8)の容量が不十分であれば過電圧Vpが
増大するため定格電圧の高いトランジスタ(3)を採用
する必要があり、大幅なコスト高を招きオフ動作時のス
イッチング損失も増大して冷却面でも不利になる。
この発明は以上のような問題点を解消するためになされ
たもので、コンデンサの容量を特に大きくすることなく
スイッチング素子のオフ時に発生する過電圧を電源電圧
以下に抑えることができるスナバ−回路を得ることを目
的とする。
〔課題を解決するための手段および作用〕この発明に係
るスナバ−回路は、ダイオードとコンデンサとの直列体
をフリーホイルダイオードと並列に接続し、更に抵抗を
上記ダイオードと並列に接続したものである。
スイッチング素子のオフ時点までに充電されていたコン
デンサは、スイッチング素子のオフと同時に放電を開始
し、その放電電流により、負荷電流を一定に保持する。
しかし、スイッチング素子の電圧が電源電圧と等しくな
った時点で、負荷電流は上記コンデンサからフリーホイ
ルダイオードに転流するので、以後定常状態となり、ス
イッチング素子の電圧は電源電圧を越えることはない。
また、上記スナバ−回路のコンデンサと並列にダイオー
ドを追加接続した場合には、実際のスナバ−回路には存
在し得る浮遊インダクタンスとコンデンサとで形成され
る直列回路による高周波振動電流の発生が、この新たに
追加したダイオードで防止される。
〔実施例〕
第1図はこの発明の一実施例によるスナバ−回路を設け
たチョッパ回路を示す回路図である。図において、(1
)ないしく5)は従来と同一のもので説明を省略する。
この実施例ではダイオード(9)、抵抗(10)および
コンデンサ(11)からなるCRDスナバ−はフリーホ
イルダイオード(4)と並列に接続されている。
次に動作を第2図を参照して説明する。先ず、時刻1<
1.ではトランジスタ(3)はオンの状態で、コンデン
サ(11)は抵抗(10)を介して充電されている。
次に時刻t ” t oでトランジスタ(3)がオフの
動作を開始するとモード1の領域に入り、トランジスタ
(3)の電流Icは徐々に減少し、負荷(2)の電流I
Lとの差(I、−Ic)はコンデンサ(11)の放電電
流icとしてダイオード(9)およびリアクトル(5)
を介して流れる。
この放電に伴いコンデンサ(11)の電圧Vcはそれま
での直流型R(1)の電圧VBから次第に低下する。こ
の間、トランジスタ(3)の電圧V CEは、直流電源
(1)の電圧VBからコンデンサ(11)の電圧Vcを
差引いた値にリアクトル(5)での電圧Ls−di/d
tを加えた値となり、電圧Vcの低下とともに上昇する
。但し、Lsはりアクドル(5)のインダクタンスを示
す。
このコンデンサ(11〉の電圧Vcが時刻t=t!で零
になるとモード2の領域に入り、同時にフリーホイルダ
イオード(4)に順方向電圧が印加されてフリーホイル
ダイオード(4)が導通する。即ち、負荷(2)の電流
ILがコンデンサ(11)からフリーホイルダイオード
(4)に転流する。
この転流が時刻1=12で完了するとモード3の領域と
なり、以後トランジスタ(3)オフの定常状態となる。
従って、トランジスタ(3)の電圧VCEは最大直流電
源(1)の電圧V8の大きさに留まり、更にトランジス
タ(3)のオフ前にコンデンサ(11)に蓄えられてい
たエネルギーがトランジスタ(3)のオフ時に抵抗(1
0)で消費されることがない。
もっとも、トランジスタ(3)のオフ前でのコンデンサ
(11)の充電時にその充電電流が抵抗(10)に流れ
て損失を発生することになるが、この場合の充電電圧は
直流電源(1)の電圧VBに留まり、従来の場合のよう
な過電圧■ρを伴う充電にはならないので、上記損失も
従来に比較して大幅に減少する。
ところで、第4図は本質的に第1図の回路と同一である
が、実際の配線回路として構成した場合に存在し得る浮
遊インダクタンスを考慮したものである。即ち、インダ
クタンス値Lxを有する浮遊インダクタンス(12)が
リアクトル(5)とダイオード(9)との間に存在して
いる場合を想定したものである。
この浮遊インダクタンス(12)の存在のため、第2(
2I第3図で示したモード2以降の現象に差が生じるこ
とになる。
以下、この場合の動作を第5図の等価回路および第6図
の波形図により説明する。時刻1=1Xでフリーホイル
ダイオード(4)に順方向電圧が印加され、負荷(2)
の電流ILがコンデンサ(11)からフリーホイルダイ
オード(4)に転流する。この時、コンデンサ(11)
は浮遊インダクタンスく12)の作用によりそれまでと
は逆方向の極性に充電される。従って、第6図に示すよ
うに、コンデンサ(11)の電流icが小さくなって零
になった時点1=1α以後は浮遊インダクタンス(12
)とコンデンサ(11)との直列回路による振動現象が
生じる。なお、コンデンサ(L、1)の電流tcの反転
はダイオード(9)のりカバリ−作用によるが、この振
動現象は抵抗(10)等におけるエネルギー損失で減衰
し時刻1=1.で定常状態に落着くことになる。この間
、コンデンサ(11)の電流icの振動に伴いフリ−ホ
イルダイオード(4)の電流iDも振動するまた、上記
振動の周波数fxは次式で表わされる。
fx=1/2yr−rU”;薯7で− 但し、上式でCはコンデンサ(11)のキャパシタンス
である。
浮遊インダクタンス(12)のインダクタンスLxは非
常に小さいので、fxは極めて高い周波数となる。この
結果、トランジスタ(3)のオフ時にこの高周波の振動
電流が流れ、これが高周波雑音となって誘導障害を引き
起すことになる。
第7図はこの点の対策を施したもので、第1図の実施例
と異なるのは、コンデンサ(11)と並列にダイオード
(13)が追加接続されている点である。
以下、このダイオードく13)を追加することによって
現象が異なることになるモード2以降の動作について説
明する。
第8図は、このモード2 <tl<t<t2)における
等価回路、第9図はその時の各電圧、電流波形を示すも
のである0時刻1=14でフリーホイルダイオード(4
)に順方向電圧が印加されるとコンデンサ(11)の電
流icはフリーホイルダイオード(4)への転流を開始
する。しかし、この時、コンデンサ(11)と並列に接
続されたダイオード(13)にも順方向電圧がかかり、
このダイオード(13)が導通してコンデンサ(11)
の電流icは瞬時に零となる。
即ち、浮遊インダクタンス(12)に流れる電流は、コ
ンデンサ(11)からダイオード(13)に即乾流し、
このダイオード(13)の電流i。
とフリーホイルダイオード(4)の電流iDとの和が負
荷(2)の電流ILと等しくなる。
コンデンサ(11)に蓄えられていたエネルギーは、ダ
イオード(13)が導通する時点でなくなっており、一
方、浮遊インダクタンス(12)に蓄えられていたエネ
ルギーは、ダイオード(9)およびダイオードく13)
のオン損失(順方向電圧降下分と電流との積)として消
費されている。
従って、第5図、第6図で示したようなコンデンサ(1
1)と浮遊インダクタンス(12)とによる振動現象は
発生しないことになる。そして、時刻1=12でダイオ
ード(13)の電流iyは零となり、フリーホイルダイ
オード(4)への転流が完了する。
このように、ダイオード(13)を設けることにより、
トランジスタ(3)のオフ時における高周波振動電流の
発生が防止されE M r (E 1ectr。
Magnetic I nterference)対策
として極めて有効となる。
なお、以上の説明では各ダイオードの順方向電圧降下(
Vp )の大小については触れていないが、ダイオード
(9)、ダイオード(13)の電圧降下VFに比較して
フリーホイルダイオード(4)の電圧降下VFが高い場
合には、例えばダイオード(9)またはダイオード(1
3)を複数個の直列体で構成してその合成電圧降下をフ
リーホイルダイオードく4)のそれより高めることによ
り、フリーホイルダイオード(4)への転流時点をダイ
オード(13)へのそれより先になるようにすれば、ダ
イオード(9)やダイオード(13)の電流容量を比較
的低く抑えることができる。
また、上記各実施例ではスイッチング素子としてトラン
ジスタを使用した場合について示したが、GTOやFE
T等の他の種類のスイッチング素子であってもこの発明
は同様に適用することができ同等の効果を奏する。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明では、ダイオード、抵抗、コン
デンサからなる所定のスナバ−回路を負荷のフリーホイ
ルダイオードと並列に接続したので、スイッチング素子
のオフ時に発生する電圧が最大、電源電圧の範囲にとど
まり、そのスイッチング損失も低減する。また、オフ時
の上記コンデンサに係る振動電流による損失の発生もな
い。
更に、上記スナバ−回路のコンデンサと並列にダイオー
ドを追加接続したものでは、実際のスナバ−回路には存
在し得る浮遊インダクタンスとコンデンサとによる高周
波振動電流の発生が防止され誘導障害等の弊害が解消さ
れる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例によるスナバ−回路を設け
たチョッパ回路を示す回路図、第2図はその動作を説明
するための区分した各モード毎の等価回路図、第3図は
その電圧電流波形図、第4図は浮遊インダクタンスを考
慮した場合の回路図、第5図および第6図は第4図の回
路の動作を説明するためのそれぞれ等価回路図および電
圧電流波形図、第7図は他の実施例によるものを示す回
路図、第8図および第9図は第7図の回路の動作を説明
するためのそれぞれ等価回路図および電圧電流波形図、
第10図は従来のスナバ−回路を設けたチョッパ回路を
示す回路図、第11図は第10図に対応する各モード毎
の等価回路図、第12図はその電圧電流波形図である。 図において、く1)は直流電源、(2)は負荷、(3)
はスイッチング素子としてのトランジスタ、(4)はフ
リーホイルダイオード、(9)<13)はダイオード、
(10)は抵抗、(11)はコンデンサである。 なお、 各図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)負荷とスイッチング素子とを直列にして電源に接
    続し、更に上記負荷と並列にフリーホイルダイオードを
    接続したチョッパ回路における上記スイッチング素子の
    オフ時に発生する過電圧を抑制するものにおいて、 ダイオードとコンデンサとの直列体を上記フリーホイル
    ダイオードと並列に接続し、更に抵抗を上記ダイオード
    と並列に接続してなるスナバー回路。
  2. (2)請求項1記載のスナバー回路のコンデンサと並列
    にダイオードを追加接続したことを特徴とするスナバー
    回路。
JP4158890A 1990-02-21 1990-02-21 スナバー回路 Pending JPH03245727A (ja)

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