JPH03215812A - マトリクス光スイッチ - Google Patents
マトリクス光スイッチInfo
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- JPH03215812A JPH03215812A JP1052290A JP1052290A JPH03215812A JP H03215812 A JPH03215812 A JP H03215812A JP 1052290 A JP1052290 A JP 1052290A JP 1052290 A JP1052290 A JP 1052290A JP H03215812 A JPH03215812 A JP H03215812A
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Landscapes
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、マトリクス状に配列された光路のおのおのの
途中に設置したミラーで光を反射させ、光路を切り替え
ることにより、自由にかつ低損失に接続・切替できる多
端子マトリクス光スイッチに関するものである。
途中に設置したミラーで光を反射させ、光路を切り替え
ることにより、自由にかつ低損失に接続・切替できる多
端子マトリクス光スイッチに関するものである。
(従来の技術)
第4図は、文献rNONBLOcKING 8 x 8
0PTICALMATRIX SWITCH FOR
FIBER−OPTIC COMMUNICATIO
N,ELECTRONICS LETTERS, VO
L.16,NO.lL, pp.422−423(19
80)Jなどにみられるような、従来のこの種の71・
リクス光スイッチの基本構成を示した平面図である。第
4図に示す光スイッチは、光ファイバ1−1.1−2の
端部とレンズ2−1.1−2の相対位置を固定して、ビ
ームコリメータ3−1,3−2を作り、その光路の途中
にマトリクス状に配設したミラー4を介して、レンズ2
−1. 22が対向するように設置して、ミラー4を
ソレノイドアクチュエー夕で紙面に垂直に上/下動させ
ることによって、光ビーム5を反射/通過させ、光ビー
ム5を任意の光ファイバ1−1.1−2に接続・切替す
るように構成したマトリクス光スイッチである。
0PTICALMATRIX SWITCH FOR
FIBER−OPTIC COMMUNICATIO
N,ELECTRONICS LETTERS, VO
L.16,NO.lL, pp.422−423(19
80)Jなどにみられるような、従来のこの種の71・
リクス光スイッチの基本構成を示した平面図である。第
4図に示す光スイッチは、光ファイバ1−1.1−2の
端部とレンズ2−1.1−2の相対位置を固定して、ビ
ームコリメータ3−1,3−2を作り、その光路の途中
にマトリクス状に配設したミラー4を介して、レンズ2
−1. 22が対向するように設置して、ミラー4を
ソレノイドアクチュエー夕で紙面に垂直に上/下動させ
ることによって、光ビーム5を反射/通過させ、光ビー
ム5を任意の光ファイバ1−1.1−2に接続・切替す
るように構成したマトリクス光スイッチである。
(発明が解決しようとする課題)
しかし、第4図の構成によるマトリクス光スイッチには
、以下の課題があり、低損失化、小型高密度化、かつ多
端子化が難しかった。すなわち(1)損失は、ビームコ
リメータ3−1を構成する光ファイバ1−1とレンズ2
−1の各軸間の軸ずれ・角度ずれ、ビームコリメータ3
−1とビームコリメータ3−2との軸ずれ・角度ずれ、
およびミラー4自体の製作精度(角度など)とミラー4
の設置精度(角度など)などで決定される。現状の機構
・部品の製作技術では、光ビーム入射角度誤差を可成り
吸収できる五角プリズムを用いても、損失が大きくなる
問題がある。たとえば、ビームコリメータ3−1.3−
2を構成する光ファイバ1−1 (1−2)とレンズl
−1 (1−2)の各軸間の軸ずれ2μm1レンズ2−
1.2−2間の一3 角度ずれ10−3ラジアン、およびミラー4の角度誤差
2X10−”ラジアンという機構・部品精度で、スポッ
トサイズ5μmの単一モードファイバと焦点距離1.5
mmのレンズを用いて平行ビーム系を構成する場合、光
ファイバ1−1.1−2間の損失は、回折損失OdBの
条件で計算すると、約10dBと大きくなる場合が出て
くる。損失を低減するため、軸ずれ・角度ずれをすべて
の行または列について人手で最適に調整することは極め
て困難であり、結局、損失が大きくなる場合が相当数出
てくる問題がある。
、以下の課題があり、低損失化、小型高密度化、かつ多
端子化が難しかった。すなわち(1)損失は、ビームコ
リメータ3−1を構成する光ファイバ1−1とレンズ2
−1の各軸間の軸ずれ・角度ずれ、ビームコリメータ3
−1とビームコリメータ3−2との軸ずれ・角度ずれ、
およびミラー4自体の製作精度(角度など)とミラー4
の設置精度(角度など)などで決定される。現状の機構
・部品の製作技術では、光ビーム入射角度誤差を可成り
吸収できる五角プリズムを用いても、損失が大きくなる
問題がある。たとえば、ビームコリメータ3−1.3−
2を構成する光ファイバ1−1 (1−2)とレンズl
−1 (1−2)の各軸間の軸ずれ2μm1レンズ2−
1.2−2間の一3 角度ずれ10−3ラジアン、およびミラー4の角度誤差
2X10−”ラジアンという機構・部品精度で、スポッ
トサイズ5μmの単一モードファイバと焦点距離1.5
mmのレンズを用いて平行ビーム系を構成する場合、光
ファイバ1−1.1−2間の損失は、回折損失OdBの
条件で計算すると、約10dBと大きくなる場合が出て
くる。損失を低減するため、軸ずれ・角度ずれをすべて
の行または列について人手で最適に調整することは極め
て困難であり、結局、損失が大きくなる場合が相当数出
てくる問題がある。
(2)回折損失OdBとなる最大光路長はレンズの焦点
距離で決定されること、また、光ビーム5は、ビームウ
エストを越えると、回折により光路長とともに立体的に
広がって行くことのため、光路長が受光レンズ径や損失
から制限され、多端子化には限度がある。たとえば上記
(1)の計算例の場合、レンズとして球レンズを用い、
行間または列間のピッチがレンズ径で決まるとした場合
、約10dBの損失を許容しても、マトリクス光スイッ
チの端子=4 数が10×IOに制限される問題がある。
距離で決定されること、また、光ビーム5は、ビームウ
エストを越えると、回折により光路長とともに立体的に
広がって行くことのため、光路長が受光レンズ径や損失
から制限され、多端子化には限度がある。たとえば上記
(1)の計算例の場合、レンズとして球レンズを用い、
行間または列間のピッチがレンズ径で決まるとした場合
、約10dBの損失を許容しても、マトリクス光スイッ
チの端子=4 数が10×IOに制限される問題がある。
(3)マトリクス状に設置する光学部品や機構部品を、
小型かつ高精度に製作するには限度があり、光スイッチ
を小型高密度化できない問題がある。
小型かつ高精度に製作するには限度があり、光スイッチ
を小型高密度化できない問題がある。
特に、長期的に損失再現性を確保するため機構部品の摩
擦による劣化を小さくするように製作する場合、寸法が
大きくなる問題がある。また、ミラー4を移動させるた
め、各切替・接続点ごとにソレノイドアクチュエータを
用いる場合、行間または列間のピッチを小さくしてソレ
ノイドアクチュエータを高密度配置にすると、磁気が隣
接するソレノイドアクチュエー夕に漏れ、接続・切替に
誤動作を発生し、マトリクス光スイッチの小型高密度化
できない問題がある。
擦による劣化を小さくするように製作する場合、寸法が
大きくなる問題がある。また、ミラー4を移動させるた
め、各切替・接続点ごとにソレノイドアクチュエータを
用いる場合、行間または列間のピッチを小さくしてソレ
ノイドアクチュエータを高密度配置にすると、磁気が隣
接するソレノイドアクチュエー夕に漏れ、接続・切替に
誤動作を発生し、マトリクス光スイッチの小型高密度化
できない問題がある。
(4) ソレノイドアクチュエー夕とミラー4の必要
個数は、ともに、行数と列数の積となり、たとえば端子
数100 XIOOのマトリクス光スイッチでも、必要
部品が各1万個となり、加工精度や組立精度のばらつき
による光損失、および量的に経済性が問題である。これ
に対して、ミラーを行または列5一 ごとに移動させるミラー1軸移動機構を導入して経済化
しようとすると、ミラー1軸移動機構の寸法が大きくな
り、その結果、行間または列間のピッチが大きくなり、
高密度化できなかったり、ミラー設定位置精度がばらつ
き、損失が大きくばらつく場合がでてきたり、切替時間
が少なくともミラー移動時間の分だけ長くなる問題があ
る。
個数は、ともに、行数と列数の積となり、たとえば端子
数100 XIOOのマトリクス光スイッチでも、必要
部品が各1万個となり、加工精度や組立精度のばらつき
による光損失、および量的に経済性が問題である。これ
に対して、ミラーを行または列5一 ごとに移動させるミラー1軸移動機構を導入して経済化
しようとすると、ミラー1軸移動機構の寸法が大きくな
り、その結果、行間または列間のピッチが大きくなり、
高密度化できなかったり、ミラー設定位置精度がばらつ
き、損失が大きくばらつく場合がでてきたり、切替時間
が少なくともミラー移動時間の分だけ長くなる問題があ
る。
本発明の課題は、上記問題点に鑑み、大規模マトリクス
で任意の光ファイバ間において、ミラーの反射により切
替・接続でき、低損失で、かつ小型高密度で、かつ多端
子のマトリクス光スイッチを提供することにある。
で任意の光ファイバ間において、ミラーの反射により切
替・接続でき、低損失で、かつ小型高密度で、かつ多端
子のマトリクス光スイッチを提供することにある。
(課題を解決するための手段)
本発明のマトリクス光スイッチには、格子状に形成した
導波路、導波路の交差部に形成したミラー挿入空間用ギ
ャップ、ミラーを支持する弾性変形梁、弾性変形梁上に
形成した導波路内伝搬光を反射させるミラー、弾性変形
梁上に形成した弾性変形梁を撓ませミラーを微小移動さ
せるアクチュエー夕、およびアクチュエー夕用電極を半
導体プ6− ロセス技術でマトリクス状に形成したマトリクス板と、
導波路交差部で対向しているコア端面間とミラー部に充
満したマッチングオイルと、アクチュエータ駆動装置と
を備えた。
導波路、導波路の交差部に形成したミラー挿入空間用ギ
ャップ、ミラーを支持する弾性変形梁、弾性変形梁上に
形成した導波路内伝搬光を反射させるミラー、弾性変形
梁上に形成した弾性変形梁を撓ませミラーを微小移動さ
せるアクチュエー夕、およびアクチュエー夕用電極を半
導体プ6− ロセス技術でマトリクス状に形成したマトリクス板と、
導波路交差部で対向しているコア端面間とミラー部に充
満したマッチングオイルと、アクチュエータ駆動装置と
を備えた。
(作 用)
光は空間伝搬から導波路伝搬となり、導波路交差部に設
けるミラー挿入空間用ギャップを除いて、常に導波路内
に閉じ込められ、光路長の制限が大幅に緩和され、光ス
イッチを多端子化できる。また、マッチングオイルによ
りフレネル損失がなく、導波路部で軸ずれ・角度ずれが
なく、かつ導波路の光軸に対するミラー角度を高精度に
設定でき、損失が小さい。また、導波路交差部にミラー
、ミラー支持用弾性変形梁、およびアクチュエー夕を小
型高密度に作製できる。また、ミラーは、機械的に摺動
することなく、弾性変形梁の撓みによってコア端面間に
移動し、ミラーの設定位置精度が劣化せず、接続・切替
による損失のばらつきが長期的に少ない。
けるミラー挿入空間用ギャップを除いて、常に導波路内
に閉じ込められ、光路長の制限が大幅に緩和され、光ス
イッチを多端子化できる。また、マッチングオイルによ
りフレネル損失がなく、導波路部で軸ずれ・角度ずれが
なく、かつ導波路の光軸に対するミラー角度を高精度に
設定でき、損失が小さい。また、導波路交差部にミラー
、ミラー支持用弾性変形梁、およびアクチュエー夕を小
型高密度に作製できる。また、ミラーは、機械的に摺動
することなく、弾性変形梁の撓みによってコア端面間に
移動し、ミラーの設定位置精度が劣化せず、接続・切替
による損失のばらつきが長期的に少ない。
(実施例)
第1図は、本発明のマトリクス光スイ・ソチのスイッチ
ング部の一実施例の断面図である。第1図において、S
i基板6上に作られた導波路7 Ci、ミラー挿入空間
用ギャップ8(たとえば、幅10μm)を挟んで、コア
9−1.9−2の軸が一致するように対向している。ミ
ラー4がミラー挿入空間用ギャップ8内に移動できるよ
うに、かつコア9−1.9−2の軸とミラー4の面が4
5度をなすように、Si基板6、ミラー4 (たとえば
、厚さ4μm)と弾性変形粱10(たとえば、1400
μmX200μm×5μm)を形成している。弾性変形
粱10の」二番こCよ、Aβ(たとえば、厚さ0.5μ
m)を蒸着L,A1層11−1の上に(ユニモルフ)圧
電素子となるZnOをスパッタリングで付け、ZnO層
12(たとえ(よ、厚さ10μm)の上にAnを蒸着し
てΔβ層11−2を形成する。二つのAAの層11−1
. 11−24よ、圧電素子ZnO層l2の電極となる
。また、少なくとも、コア9−1.9−2の間とミラー
4部は、屈折率かコア9−1.9−2と同等のシリコー
ンオイノレ13で満たし、フレネル損失が発生しないよ
うにしている。圧電素子ZnO層l2の駆動調節装置1
4は、Al層11−1. 11−2の電極間に印加する
電圧の大きさを調節して弾性変形粱10の歪量を、すな
わち、ミラー4がミラー挿入空間用ギャップ8内に移動
し、コア9−1または9−2内伝搬光を反射させるに必
要なミラー移動量(たとえば、数十μm程度)を調節す
る。ただし、弾性変形粱10とZnO層12およびAj
l’層11−1. 11−2の寸法、さらに圧電素子Z
nO層12に印加する電圧の大きさは、ミラー移動量に
応じて決める。第2図は、第1図の平面図で、スイッチ
ング部をマトリクス状に形成した場合の説明図である。
ング部の一実施例の断面図である。第1図において、S
i基板6上に作られた導波路7 Ci、ミラー挿入空間
用ギャップ8(たとえば、幅10μm)を挟んで、コア
9−1.9−2の軸が一致するように対向している。ミ
ラー4がミラー挿入空間用ギャップ8内に移動できるよ
うに、かつコア9−1.9−2の軸とミラー4の面が4
5度をなすように、Si基板6、ミラー4 (たとえば
、厚さ4μm)と弾性変形粱10(たとえば、1400
μmX200μm×5μm)を形成している。弾性変形
粱10の」二番こCよ、Aβ(たとえば、厚さ0.5μ
m)を蒸着L,A1層11−1の上に(ユニモルフ)圧
電素子となるZnOをスパッタリングで付け、ZnO層
12(たとえ(よ、厚さ10μm)の上にAnを蒸着し
てΔβ層11−2を形成する。二つのAAの層11−1
. 11−24よ、圧電素子ZnO層l2の電極となる
。また、少なくとも、コア9−1.9−2の間とミラー
4部は、屈折率かコア9−1.9−2と同等のシリコー
ンオイノレ13で満たし、フレネル損失が発生しないよ
うにしている。圧電素子ZnO層l2の駆動調節装置1
4は、Al層11−1. 11−2の電極間に印加する
電圧の大きさを調節して弾性変形粱10の歪量を、すな
わち、ミラー4がミラー挿入空間用ギャップ8内に移動
し、コア9−1または9−2内伝搬光を反射させるに必
要なミラー移動量(たとえば、数十μm程度)を調節す
る。ただし、弾性変形粱10とZnO層12およびAj
l’層11−1. 11−2の寸法、さらに圧電素子Z
nO層12に印加する電圧の大きさは、ミラー移動量に
応じて決める。第2図は、第1図の平面図で、スイッチ
ング部をマトリクス状に形成した場合の説明図である。
第2図において、弾性変形粱10は、隣接する弾性変形
粱10と互いに直交するように配設することにより、弾
性変形粱10を長くして、塑性変形させることなく、ミ
ラー移動量を確保できる構造にしている。また導波路7
に隣接して、AA層11L 11−2の電極への配線孔
15を設け、電極と圧電素子ZnO層12の駆動調節装
置l4を結線する構造にしている。第3図は、第9− 1図の導波路を除いて、Si基板を上方からみたときの
ミラー移動機構の平面図である。第3図において、弾性
変形梁10の両側面は、Si基板6を貫通する通し穴I
6にし、第1図示すマトリクス板17の表面と裏面は、
ミラー挿入空間用ギャップ8と配線穴15を介して連通
し、シリコーンオイル13が自在に移動できる構造にし
ている。これにより、弾性変形梁10の導波路7側とS
i基板6側の圧力差によって、弾性変形梁lOが撓まな
い構造にしている。
粱10と互いに直交するように配設することにより、弾
性変形粱10を長くして、塑性変形させることなく、ミ
ラー移動量を確保できる構造にしている。また導波路7
に隣接して、AA層11L 11−2の電極への配線孔
15を設け、電極と圧電素子ZnO層12の駆動調節装
置l4を結線する構造にしている。第3図は、第9− 1図の導波路を除いて、Si基板を上方からみたときの
ミラー移動機構の平面図である。第3図において、弾性
変形梁10の両側面は、Si基板6を貫通する通し穴I
6にし、第1図示すマトリクス板17の表面と裏面は、
ミラー挿入空間用ギャップ8と配線穴15を介して連通
し、シリコーンオイル13が自在に移動できる構造にし
ている。これにより、弾性変形梁10の導波路7側とS
i基板6側の圧力差によって、弾性変形梁lOが撓まな
い構造にしている。
次に、上記構成による導波路内伝搬光のスイッチング動
作を説明する。第1図において、圧電素子ZnO層12
の駆動調節装置14によって、電圧をl層11−1.
11−2の電極間に印加し圧電素子ZnO層l2を屈曲
させると、ミラー4を支持している弾性変形梁10の中
央部が導波路7の下部に接触する直前まで、弾性変形梁
10が撓み、ミラー4がミラー挿入空間用ギャップ8内
に向かって移動し、ミラー4は導波路7に対して位置決
めされる。このとき、導波路7の交差部において、ミラ
ー挿入空間用ギャップ8部のシリコーンオイル13を透
過し10 ていた伝搬光はミラー4で反射し、直交した導波路にス
イッチングされる。逆に、圧電素子ZnO層12の駆動
調節装置l4で、電圧印加をやめると、圧電素子ZnO
層12の歪(屈曲)がなくなり、したがって、弾性変形
梁10の撓みが元に戻り、ミラー4はミラー挿入空間用
ギャップ8の外へ向かって移動する。このとき、導波路
交差部において、ミラー4で反射していた伝搬光は、ミ
ラー挿入空間用ギャップ8のシリコーンオイル13を透
過し、直進するようになり、スイッチングが解除される
。
作を説明する。第1図において、圧電素子ZnO層12
の駆動調節装置14によって、電圧をl層11−1.
11−2の電極間に印加し圧電素子ZnO層l2を屈曲
させると、ミラー4を支持している弾性変形梁10の中
央部が導波路7の下部に接触する直前まで、弾性変形梁
10が撓み、ミラー4がミラー挿入空間用ギャップ8内
に向かって移動し、ミラー4は導波路7に対して位置決
めされる。このとき、導波路7の交差部において、ミラ
ー挿入空間用ギャップ8部のシリコーンオイル13を透
過し10 ていた伝搬光はミラー4で反射し、直交した導波路にス
イッチングされる。逆に、圧電素子ZnO層12の駆動
調節装置l4で、電圧印加をやめると、圧電素子ZnO
層12の歪(屈曲)がなくなり、したがって、弾性変形
梁10の撓みが元に戻り、ミラー4はミラー挿入空間用
ギャップ8の外へ向かって移動する。このとき、導波路
交差部において、ミラー4で反射していた伝搬光は、ミ
ラー挿入空間用ギャップ8のシリコーンオイル13を透
過し、直進するようになり、スイッチングが解除される
。
次に、圧電素子ZnO層12などアクチュエータの駆動
力と弾性変形梁10( 1400μm X 200μm
X5μm)の撓みの目安を考える。また、梁の両端が固
定され、かつ梁の中央に0.1gの力が加わる条件で、
梁の中央の撓み、すなわちミラー4の移動量を求めると
、約70μmとなる。駆動力は、梁の中央の換算で、0
.1g以下で、十分なミラー移動量が得られる。
力と弾性変形梁10( 1400μm X 200μm
X5μm)の撓みの目安を考える。また、梁の両端が固
定され、かつ梁の中央に0.1gの力が加わる条件で、
梁の中央の撓み、すなわちミラー4の移動量を求めると
、約70μmとなる。駆動力は、梁の中央の換算で、0
.1g以下で、十分なミラー移動量が得られる。
なお以上の説明では、ユニモルフ圧電素子であるZnO
層l2で弾性変形梁lOを撓ませた場合を説明−11 したが、ZnO層12を2枚作り、バイモルフ圧電素子
として用いてもよい。一方、バイメタルの原理よって発
熱抵抗で駆動力を得てもよい。
層l2で弾性変形梁lOを撓ませた場合を説明−11 したが、ZnO層12を2枚作り、バイモルフ圧電素子
として用いてもよい。一方、バイメタルの原理よって発
熱抵抗で駆動力を得てもよい。
以上のように、導波路交差部のピッチ1mm以下、切り
換え電圧数十ボルトで切替時間0. 05s程度、端子
数100 XIOO程度のマトリクス光スイッチを構成
できる。また、導波路形成技術の進歩などにより、導波
路における損失が低減してきており、端子数100 X
IOOの光スイッチの損失は約3. 5dB以下となる
。
換え電圧数十ボルトで切替時間0. 05s程度、端子
数100 XIOO程度のマトリクス光スイッチを構成
できる。また、導波路形成技術の進歩などにより、導波
路における損失が低減してきており、端子数100 X
IOOの光スイッチの損失は約3. 5dB以下となる
。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明の71・リクス光スイッチ
は、光が導波路内に閉じ込められ、光路長の制限が小さ
くなり、多端子化できる。またマッチングオイルにより
フレネル損失がなく、導波路部で軸ずれ・角度ずれがな
く、かつ導波路の光軸に対するミラー角度を高精度に設
定でき、損失が小さい。また導波路交差部にミラー、ミ
ラー支持用弾性変形梁、アクチュエー夕を、半導体製作
プロセス技術(エッチング、接合技術など)により、1
2− 小型高密度に作製できる。またミラーは、機械的に摺動
ずることなくコア端面間に移動し、ミラーの設定位置精
度は劣化せず、接続・切替による損失のばらつきが長期
的に少ない。このように、機械的摺動部がないこと、半
導体製作プロセス技術を駆使してSi基板を複雑な3次
元構造に加工する技術が普及してきていることなどによ
って、上記マトリクス光スイッチは多端子化、低損失化
、小型高密度化が可能であり、また量産性があり、した
がって経済化が可能である。
は、光が導波路内に閉じ込められ、光路長の制限が小さ
くなり、多端子化できる。またマッチングオイルにより
フレネル損失がなく、導波路部で軸ずれ・角度ずれがな
く、かつ導波路の光軸に対するミラー角度を高精度に設
定でき、損失が小さい。また導波路交差部にミラー、ミ
ラー支持用弾性変形梁、アクチュエー夕を、半導体製作
プロセス技術(エッチング、接合技術など)により、1
2− 小型高密度に作製できる。またミラーは、機械的に摺動
ずることなくコア端面間に移動し、ミラーの設定位置精
度は劣化せず、接続・切替による損失のばらつきが長期
的に少ない。このように、機械的摺動部がないこと、半
導体製作プロセス技術を駆使してSi基板を複雑な3次
元構造に加工する技術が普及してきていることなどによ
って、上記マトリクス光スイッチは多端子化、低損失化
、小型高密度化が可能であり、また量産性があり、した
がって経済化が可能である。
第1図は本発明のマトリクス光スイッチのスイッチング
部の一実施例の断面図、 第2図は第1図の平面図で、スイッチング部をマトリク
ス状に形成した場合の説明図、第3図は第1図の導波路
を除いて、Si基板を上方からみたときのミラー移動機
構の平面図、第4図は従来のマトリクス光スイッチの基
本構成を示す平面図である。 11,i2・・・光ファイバ 1 3一 2−1.2−2・・・レンズ 3−1.3−2・・・ビームコリメータ4・・・ミラー
訃・・ビーム6・・・Si基板
7・・・導波路8・・・ミラー挿入空間用ギャップ 9−1.9−2・・・コア IO・・・弾性変形梁11
−1. 11−2・AI層 12−ZnO層l3・・
・シリコーンオイル 14・・・駆動調節装置15・・
・配線穴 16・・・通し穴17・・・マト
リクス板
部の一実施例の断面図、 第2図は第1図の平面図で、スイッチング部をマトリク
ス状に形成した場合の説明図、第3図は第1図の導波路
を除いて、Si基板を上方からみたときのミラー移動機
構の平面図、第4図は従来のマトリクス光スイッチの基
本構成を示す平面図である。 11,i2・・・光ファイバ 1 3一 2−1.2−2・・・レンズ 3−1.3−2・・・ビームコリメータ4・・・ミラー
訃・・ビーム6・・・Si基板
7・・・導波路8・・・ミラー挿入空間用ギャップ 9−1.9−2・・・コア IO・・・弾性変形梁11
−1. 11−2・AI層 12−ZnO層l3・・
・シリコーンオイル 14・・・駆動調節装置15・・
・配線穴 16・・・通し穴17・・・マト
リクス板
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、マトリクス状に配列された光路のおのおのの途中に
設置したミラーで光を反射させ、光路を切り替える多端
子マトリクス光スイッチにおいて、 格子状に形成した導波路、導波路の交差部に設けたミラ
ー挿入空間用ギャップ、ミラーを指示す弾性変形梁、弾
性変形梁上に形成した導波路内伝搬光を反射させるミラ
ー、弾性変形梁上に形成した弾性変形梁を撓ませミラー
を微小移動させるアクチュエータおよびアクチュエータ
用電極をマトリクス状に形成したマトリクス板と、 導波路交差部で対向しているコア端面間とミラー部に充
満したマッチングオイルと、 アクチュエータ駆動装置と を備えたことを特徴とするマトリクス光スイッチ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1052290A JPH03215812A (ja) | 1990-01-22 | 1990-01-22 | マトリクス光スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1052290A JPH03215812A (ja) | 1990-01-22 | 1990-01-22 | マトリクス光スイッチ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03215812A true JPH03215812A (ja) | 1991-09-20 |
Family
ID=11752577
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1052290A Pending JPH03215812A (ja) | 1990-01-22 | 1990-01-22 | マトリクス光スイッチ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03215812A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1089108A2 (en) * | 1999-09-28 | 2001-04-04 | Agilent Technologies Inc | Optical switches using micromirrors in trenches and integrated optical waveguides |
WO2001051973A1 (en) * | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Corning Incorporated | Mems optical switch and method of manufacture |
EP1189092A2 (en) * | 2000-09-06 | 2002-03-20 | Japan Aviation Electronics Industry, Limited | Electrostatically operated optical switch |
KR100417405B1 (ko) * | 2001-10-30 | 2004-02-05 | 엘지전자 주식회사 | 압전 구동형 광스위치 |
US6989919B2 (en) | 2003-05-29 | 2006-01-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Scanning apparatus |
US10816733B2 (en) * | 2016-04-01 | 2020-10-27 | Intel Corporation | Piezoelectrically actuated mirrors for optical communications |
-
1990
- 1990-01-22 JP JP1052290A patent/JPH03215812A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1089108A2 (en) * | 1999-09-28 | 2001-04-04 | Agilent Technologies Inc | Optical switches using micromirrors in trenches and integrated optical waveguides |
JP2001142008A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-05-25 | Agilent Technol Inc | 光学的スイッチング素子 |
EP1089108A3 (en) * | 1999-09-28 | 2004-01-21 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | Optical switches using micromirrors in trenches and integrated optical waveguides |
WO2001051973A1 (en) * | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Corning Incorporated | Mems optical switch and method of manufacture |
EP1189092A2 (en) * | 2000-09-06 | 2002-03-20 | Japan Aviation Electronics Industry, Limited | Electrostatically operated optical switch |
EP1189092A3 (en) * | 2000-09-06 | 2003-01-02 | Japan Aviation Electronics Industry, Limited | Electrostatically operated optical switch |
US6625343B2 (en) | 2000-09-06 | 2003-09-23 | Japan Aviation Electronics Industry Limited | Optical switch |
SG118086A1 (en) * | 2000-09-06 | 2006-01-27 | Japan Avionic Electronics Indu | Optical switch |
KR100417405B1 (ko) * | 2001-10-30 | 2004-02-05 | 엘지전자 주식회사 | 압전 구동형 광스위치 |
US6989919B2 (en) | 2003-05-29 | 2006-01-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Scanning apparatus |
US10816733B2 (en) * | 2016-04-01 | 2020-10-27 | Intel Corporation | Piezoelectrically actuated mirrors for optical communications |
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