JPH03214703A - サーミスタ素子 - Google Patents
サーミスタ素子Info
- Publication number
- JPH03214703A JPH03214703A JP2009937A JP993790A JPH03214703A JP H03214703 A JPH03214703 A JP H03214703A JP 2009937 A JP2009937 A JP 2009937A JP 993790 A JP993790 A JP 993790A JP H03214703 A JPH03214703 A JP H03214703A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor
- resin
- thermistor element
- resistor
- mol
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は例えば家庭用電気機器や自動車分野に使用され
る温度検知用N T C (NegaLive Tem
perature Coefficient)サーミス
タ素子に係り、特に経時変化の小さい高信軌性のNTC
サーミスタ素子に関する。
る温度検知用N T C (NegaLive Tem
perature Coefficient)サーミス
タ素子に係り、特に経時変化の小さい高信軌性のNTC
サーミスタ素子に関する。
従来のNTCサーミスタ素子はマンガン、ニソケル、コ
バルト等の2〜3種の金属元素の混合モル比合計が10
0%になるよう選ばれた上記金属元素の酸化物から成る
サーミスタ用組成物を使用して形成されていた。
バルト等の2〜3種の金属元素の混合モル比合計が10
0%になるよう選ばれた上記金属元素の酸化物から成る
サーミスタ用組成物を使用して形成されていた。
これらのものは特性の汎用性はあるが、長時間使用する
と抵抗値の変化率が大きいという問題点がある。
と抵抗値の変化率が大きいという問題点がある。
またサーミスタ素子を周囲雰囲気から保護するなどの目
的で樹脂被覆した樹脂被覆タイプのものは、使用温度領
域の拡大化及び高温化等に従って、抵抗値の経時変化の
より少ない高信頼性のサーミスタ用組成物が要求されて
いるが、従来の組成物では高信顛性を確保することが出
来なかった。
的で樹脂被覆した樹脂被覆タイプのものは、使用温度領
域の拡大化及び高温化等に従って、抵抗値の経時変化の
より少ない高信頼性のサーミスタ用組成物が要求されて
いるが、従来の組成物では高信顛性を確保することが出
来なかった。
従って本発明の目的は、長時間の使用や使用温度領域が
広い場合でも、抵抗値の変化が少なく、安定した特性を
発揮するNTCサーミスタ素子を提供するものである。
広い場合でも、抵抗値の変化が少なく、安定した特性を
発揮するNTCサーミスタ素子を提供するものである。
〔課題を解決するだめの手段及び作用〕上記目的を達成
するため、本発明者は鋭意研究の結果、サーミスタ用組
成物として、マンガン15〜85モル%、ニッケル0〜
80モル%、コハルト0〜85モル%のうちから2種ま
たは3種の金属元素を混合して、その混合モル比合計が
100%になるよう選ばれた上記金属元素の酸化物に、
酸化クロム: 0.01〜30.0重景%酸化鉄 :
0.01〜60.0重量%をそれぞれ添加したサーミ
スク用組成物から成るサーミスタ抵抗体を樹脂被覆した
NTCサーミスタ素子が、経時変化の少ない高信頼性の
あるサーミスタ素子であることを見出した。
するため、本発明者は鋭意研究の結果、サーミスタ用組
成物として、マンガン15〜85モル%、ニッケル0〜
80モル%、コハルト0〜85モル%のうちから2種ま
たは3種の金属元素を混合して、その混合モル比合計が
100%になるよう選ばれた上記金属元素の酸化物に、
酸化クロム: 0.01〜30.0重景%酸化鉄 :
0.01〜60.0重量%をそれぞれ添加したサーミ
スク用組成物から成るサーミスタ抵抗体を樹脂被覆した
NTCサーミスタ素子が、経時変化の少ない高信頼性の
あるサーミスタ素子であることを見出した。
本発明を実施例に基づき詳細に説明する。
第1図に実施例のNTCサーミスタ素子の構成断面図を
示す。
示す。
第1図において、1はサーミスク抵抗体、2は電極、3
はハンダ、4はリード線、5は樹脂を示す。
はハンダ、4はリード線、5は樹脂を示す。
本実施例で使用するサーミスタ抵抗体1の主成分である
マンガン、ニソケル、コバルトの各々の元素比率を変え
ることにより、サーミスク素子の比抵抗及びサーミスタ
定数(B定数)を広範囲にコンI・ロールできるが、サ
ーミスタ素子の回路とのマッチングや焼結性、製造上の
バラツキが小さいこと、即ち変動係数が3%以下である
ことなどの条件を考慮するとその組成範囲は限定される
。
マンガン、ニソケル、コバルトの各々の元素比率を変え
ることにより、サーミスク素子の比抵抗及びサーミスタ
定数(B定数)を広範囲にコンI・ロールできるが、サ
ーミスタ素子の回路とのマッチングや焼結性、製造上の
バラツキが小さいこと、即ち変動係数が3%以下である
ことなどの条件を考慮するとその組成範囲は限定される
。
第1表に主成分の組成比を変化させたサーミスタ素子の
諸特性を示す。
諸特性を示す。
第1表
マンガンが15モル%未満では、第1表より明らかなよ
うに、変動係数が3%より大きくなる(試料No.10
参照)。また85モル%をこえると変動係数は3%以下
であるが焼結性が悪くなまた第1表より明らかなように
、ニソケルが80モル%をこえると変動係数が3%をこ
える(試料NO.9参照)。
うに、変動係数が3%より大きくなる(試料No.10
参照)。また85モル%をこえると変動係数は3%以下
であるが焼結性が悪くなまた第1表より明らかなように
、ニソケルが80モル%をこえると変動係数が3%をこ
える(試料NO.9参照)。
コハルトは85モル%をこえると焼結性が悪くな淋。
従って、焼結が可能で製造上のハラツキ(変動係数)の
小さい組成範囲は下記のようになる。
小さい組成範囲は下記のようになる。
マンガン:15〜85モル%
ニソケル: 0〜80モル%
コバルト: 0〜85モル%
第1表の如き組成のサーミスタ用組成物を用いて第1図
に示す如き構成のNTCサーミスタ素子を形成する方法
について説明する。
に示す如き構成のNTCサーミスタ素子を形成する方法
について説明する。
出発材料として、高純度の四三酸化マンガン、酸化ニソ
ケル、酸化コバルトのうちから2〜3種と、酸化クロム
、酸化鉄を最終組成が第2表に示す如き組成となるよう
に所定量配合し、ボールミルによって20時間湿式混合
する。
ケル、酸化コバルトのうちから2〜3種と、酸化クロム
、酸化鉄を最終組成が第2表に示す如き組成となるよう
に所定量配合し、ボールミルによって20時間湿式混合
する。
これを100〜200℃で乾燥させた後、800〜10
00゜Cで2時間仮焼成し、この焼成物を粉砕機により
微粉末とする。
00゜Cで2時間仮焼成し、この焼成物を粉砕機により
微粉末とする。
この仮焼成粉末に、純水とPVA (ポリビニルアルコ
ール)等の適当なハインダを加えて混合し、例えば直径
3m、厚さ1.41−前後のディスク状に加圧成形し1
200〜1400゜Cで本焼成する。
ール)等の適当なハインダを加えて混合し、例えば直径
3m、厚さ1.41−前後のディスク状に加圧成形し1
200〜1400゜Cで本焼成する。
本焼成したサーミスタ抵抗体1の両面に電極2、2を形
成した後、リード線4、4をハンダ3により固着する。
成した後、リード線4、4をハンダ3により固着する。
このサーミスク抵抗体1とリード線4、4を樹脂5 (
例えばフェノール樹脂又はエポキシ樹脂)で被覆して、
NTCサーミスタ素子を完成する。この樹脂5は、熱伝
導率が1.0kcal/mh℃以下のものであることが
よい。
例えばフェノール樹脂又はエポキシ樹脂)で被覆して、
NTCサーミスタ素子を完成する。この樹脂5は、熱伝
導率が1.0kcal/mh℃以下のものであることが
よい。
このようにして得られたNTCサーミスタ素子の比抵抗
や25℃と85℃における抵抗値を測定し、この温度間
のサーミスタ定数(B定数)を算出した。また高温保管
条件、例えば160゜Cで2000時間後の抵抗値の変
化率も測定し、第2表の如き結果を得た。
や25℃と85℃における抵抗値を測定し、この温度間
のサーミスタ定数(B定数)を算出した。また高温保管
条件、例えば160゜Cで2000時間後の抵抗値の変
化率も測定し、第2表の如き結果を得た。
箪2裏
第2表において、その試料No,は第1表のものと共通
であり、同一の試料No,内ではその添加物の組成を変
化させている。添加物の酸化鉄、酸化クロムの純度は9
9.9%以上であり、変動係数、抵抗値変化率は次式で
与えられる。
であり、同一の試料No,内ではその添加物の組成を変
化させている。添加物の酸化鉄、酸化クロムの純度は9
9.9%以上であり、変動係数、抵抗値変化率は次式で
与えられる。
変動係数一(標準偏差値/平均値)XiOO%、抵抗値
変化率一(Rt−Ro)/RoX1 00%但しRt:
t時間後の抵抗値 Ro;初期抵抗値 第2表から明らかな如く、添加物を全く含まない組成物
は変動係数は小さいが、その抵抗値変化率は15%をこ
え、経時変化が大きい(試料No,2−1、5−1、7
−1、8−1、11−1参照)一方、酸化クロム、酸化
鉄が0.01重量%以上添加されると、変動係数が3%
以下で、抵抗値変化率も8%以下で、抵抗値の経時変化
の小さい非常に信顛性の高いサーミスク素子を得ること
ができる。
変化率一(Rt−Ro)/RoX1 00%但しRt:
t時間後の抵抗値 Ro;初期抵抗値 第2表から明らかな如く、添加物を全く含まない組成物
は変動係数は小さいが、その抵抗値変化率は15%をこ
え、経時変化が大きい(試料No,2−1、5−1、7
−1、8−1、11−1参照)一方、酸化クロム、酸化
鉄が0.01重量%以上添加されると、変動係数が3%
以下で、抵抗値変化率も8%以下で、抵抗値の経時変化
の小さい非常に信顛性の高いサーミスク素子を得ること
ができる。
しかし、酸化クロムの添加量が30重量%をごえると、
または酸化鉄の添加量が60重量%をこえると、変動係
数が3%以上となる。
または酸化鉄の添加量が60重量%をこえると、変動係
数が3%以上となる。
本発明の如く構成することにより、汎用特性か容易に得
られ、且つ2000時間保管後の抵抗値変化率が8%以
下と経時変化が大変小さい上、変動係数の小さな信頼性
の高い樹脂被覆型のNTCサーミスタ素子を得ることが
できる。
られ、且つ2000時間保管後の抵抗値変化率が8%以
下と経時変化が大変小さい上、変動係数の小さな信頼性
の高い樹脂被覆型のNTCサーミスタ素子を得ることが
できる。
第1図は本発明の実施例のNTCサーミスタ素子の構造
断面図である。 1−サーミスタ抵抗体、 2一電極、 3−ハンダ、 4 リード線、5−樹脂。
断面図である。 1−サーミスタ抵抗体、 2一電極、 3−ハンダ、 4 リード線、5−樹脂。
Claims (2)
- (1)NTCサーミスタ素子において、 マンガン15〜85モル%、ニッケル0〜80モル%、
コバルト0〜85モル%のうち、2種または3種の金属
元素を混合し、その混合比合計が100%になるように
選ばれた上記金属元素の酸化物に、 酸化クロム:0.01〜30.0重量% 酸化鉄 :0.01〜60.0重量% をそれぞれ添加した組成物をサーミスタ抵抗体として使
用するとともに、このサーミスタ抵抗体の両面に電極を
形成し、この電極にリード線を導電材料を介して接着固
定し、該接着固定したサーミスタ抵抗体及びリード線の
一部を樹脂で被覆し、更に樹脂で被覆したことを特徴と
するサーミスタ素子。 - (2)前記被覆樹脂は、熱伝導率が1.0kcal/m
h℃以下の樹脂であることを特徴とする請求項(1)記
載のサーミスタ素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009937A JPH03214703A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | サーミスタ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009937A JPH03214703A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | サーミスタ素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03214703A true JPH03214703A (ja) | 1991-09-19 |
Family
ID=11733935
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009937A Pending JPH03214703A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | サーミスタ素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03214703A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0635852A2 (en) * | 1993-07-19 | 1995-01-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor ceramic device |
EP0789366A2 (en) * | 1996-02-06 | 1997-08-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductive ceramic composition having negative temperature coefficient of resistance |
WO1998058392A1 (en) * | 1997-06-17 | 1998-12-23 | Thermometrics, Inc. | Growth of nickel-iron-manganese-chromium oxide single crystals |
US5936513A (en) * | 1996-08-23 | 1999-08-10 | Thermometrics, Inc. | Nickel-iron-manganese oxide single crystals |
US6076965A (en) * | 1996-06-17 | 2000-06-20 | Therometrics, Inc. | Monocrystal of nickel-cobalt-manganese oxide having a cubic spinel structure, method of growth and sensor formed therefrom |
US6099164A (en) * | 1995-06-07 | 2000-08-08 | Thermometrics, Inc. | Sensors incorporating nickel-manganese oxide single crystals |
WO2011086850A1 (ja) * | 2010-01-12 | 2011-07-21 | 株式会社村田製作所 | Ntcサーミスタ用半導体磁器組成物およびntcサーミスタ |
CN102285789A (zh) * | 2011-05-31 | 2011-12-21 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 一种含铅四元系负温度系数热敏电阻器 |
-
1990
- 1990-01-19 JP JP2009937A patent/JPH03214703A/ja active Pending
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0635852A3 (en) * | 1993-07-19 | 1996-04-10 | Murata Manufacturing Co | Ceramic semiconductor device. |
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US6125529A (en) * | 1996-06-17 | 2000-10-03 | Thermometrics, Inc. | Method of making wafer based sensors and wafer chip sensors |
US6076965A (en) * | 1996-06-17 | 2000-06-20 | Therometrics, Inc. | Monocrystal of nickel-cobalt-manganese oxide having a cubic spinel structure, method of growth and sensor formed therefrom |
US5936513A (en) * | 1996-08-23 | 1999-08-10 | Thermometrics, Inc. | Nickel-iron-manganese oxide single crystals |
US6027246A (en) * | 1997-06-17 | 2000-02-22 | Thermometrics, Inc. | Monocrystal of nickel-cobalt-manganese-copper oxide having cubic spinel structure and thermistor formed therefrom |
WO1998058392A1 (en) * | 1997-06-17 | 1998-12-23 | Thermometrics, Inc. | Growth of nickel-iron-manganese-chromium oxide single crystals |
WO2011086850A1 (ja) * | 2010-01-12 | 2011-07-21 | 株式会社村田製作所 | Ntcサーミスタ用半導体磁器組成物およびntcサーミスタ |
JPWO2011086850A1 (ja) * | 2010-01-12 | 2013-05-16 | 株式会社村田製作所 | Ntcサーミスタ用半導体磁器組成物およびntcサーミスタ |
US8547198B2 (en) | 2010-01-12 | 2013-10-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor ceramic composition for NTC thermistors and NTC thermistor |
CN102285789A (zh) * | 2011-05-31 | 2011-12-21 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 一种含铅四元系负温度系数热敏电阻器 |
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