[go: up one dir, main page]

JPH03214658A - Multiple-structure buffer cell - Google Patents

Multiple-structure buffer cell

Info

Publication number
JPH03214658A
JPH03214658A JP1013190A JP1013190A JPH03214658A JP H03214658 A JPH03214658 A JP H03214658A JP 1013190 A JP1013190 A JP 1013190A JP 1013190 A JP1013190 A JP 1013190A JP H03214658 A JPH03214658 A JP H03214658A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
buffer cell
buffer
pads
buffers
disposed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1013190A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koichi Hatakeyama
耕一 畠山
Goji Muramatsu
剛司 村松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP1013190A priority Critical patent/JPH03214658A/en
Publication of JPH03214658A publication Critical patent/JPH03214658A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To improve the utilization ratio of a chip of super LSI by providing a plurality of buffers disposed in series in the direction of the long side of a buffer cell and pads disposed in series along the direction of the short side. CONSTITUTION:A plurality of buffers 103 and 104 are disposed in the direction of the long side of a buffer cell 105, while pads 101 and 102 in the same number with the buffers are disposed in the direction of the short side of the buffer cell 105 along the short side thereof. In one buffer cell, in other words, a plurality of pads are disposed along the short side of the buffer cell so that an interval between them is as narrow as possible and, in addition, a plurality of buffers are disposed vertically to the direction of disposition of the pads. When the buffer cell thus constructed is disposed in a very large scale integration, a space between an internal circuit of the very large scale integration and the buffer cell can be made smaller than usual. According to this constitution, the buffer cell can be disposed in a narrower area in the very large scale integration and the utilization ratio of the chip in the very large scale integration can be improved.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ この発明は、超LSIのレイアウトに用いる周辺バッフ
ァセルの構造に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] This invention relates to the structure of a peripheral buffer cell used in the layout of a very large scale integrated circuit.

[従来の技術] 超LSIのレイアウトに用いる従来の周辺バッファセル
について図を参照しながら以下に説明する。
[Prior Art] A conventional peripheral buffer cell used in the layout of a VLSI will be described below with reference to the drawings.

第4図に従来の周辺バッファセルが2個並んだ状聾を示
す。2個のバッファセル205および206は、同じ形
状および構造をしている。バツファセル205には、バ
ッファ203とパツド201が配置されている。バッフ
ァセル205およびバッファ203は矩形であり、パツ
ド201は正方形である。バッファ203は、バツファ
セル205内において、その短辺がバッファセル205
の短辺の一方に近接するように配置されている。
FIG. 4 shows a conventional hearing device in which two peripheral buffer cells are arranged side by side. The two buffer cells 205 and 206 have the same shape and structure. A buffer 203 and a pad 201 are arranged in the buffer cell 205 . Buffer cell 205 and buffer 203 are rectangular, and pad 201 is square. The buffer 203 has its short side within the buffer cell 205.
is placed close to one of the short sides of the

また、パッド201は、バッファセル205内にあって
、バッファセル205の他方の短辺に面し、バッファ2
03とバツファセル205の短辺の間の中央に配置され
ている。同様に、バツファセル206にはバッファ20
4とパッド202が配置されている。なお通常、パッド
はバッファに比べかなり小さい。
Further, the pad 201 is located within the buffer cell 205 and faces the other short side of the buffer cell 205.
03 and the short side of the buffer cell 205. Similarly, the buffer cell 206 includes a buffer 20
4 and a pad 202 are arranged. Note that pads are typically much smaller than buffers.

このように構成されたバッファセル205および206
を同方向にして、その長辺をくっつけるようにして並べ
ると、第4図のようになる。このとき、隣り合うパッド
201とパッド202の中心の間隔は、バソファセル2
05もしくはハツファセル206の短辺の長さに等しく
なる。また、超LSIのレイアウトにバッファセルを多
数配列するときにも、第4図に示すように、バッファセ
ル間をくっつけて、パッドおよびバッファが互いに隣り
合うよう配列していくことになる。
Buffer cells 205 and 206 configured in this way
If you arrange them in the same direction with their long sides touching, it will look like Figure 4. At this time, the distance between the centers of the adjacent pads 201 and 202 is
05 or the length of the short side of the face cell 206. Furthermore, when arranging a large number of buffer cells in the layout of a VLSI, the buffer cells are arranged so that the pads and buffers are adjacent to each other, with the buffer cells being brought together, as shown in FIG.

[発明が解決しようとする課8] このようにして、超LSIにバッファセルが多数配置さ
れた状態を第5図に示す。
[Problem 8 to be Solved by the Invention] FIG. 5 shows a state in which a large number of buffer cells are arranged in a VLSI in this manner.

超LSI211の中央には、正方形の内部回路212が
配置されている。この内部回路212を取り囲むように
、多数のバッファセル205が超LSIに配置されてい
る。この配置において、バッファセル205は、内部回
路212の各辺の方向に従って各辺に対して1列ずつ配
列されている。
In the center of the VLSI 211, a square internal circuit 212 is arranged. A large number of buffer cells 205 are arranged in the VLSI so as to surround this internal circuit 212. In this arrangement, the buffer cells 205 are arranged in one column for each side according to the direction of each side of the internal circuit 212.

この列で、バッファセル205は、第4図で示したよう
に、バッファセル205の長辺をくっつけるようにして
並べられている。
In this column, the buffer cells 205 are arranged so that the long sides of the buffer cells 205 are joined together, as shown in FIG.

一方、上述したような1列ではなく複数列バッファセル
205を配置しようとすると、バッファセル同士のパッ
ドにボンディ,ングするワイヤー間でショーI・するお
それがある。そこで超LSIに、より多くのバッファセ
ル205を配列したいならば、第5図に示すように、内
部回路212より離れた位置に、バッファセル205を
内部回路212の各辺に対し1列ずつ配置することにな
る。
On the other hand, if a plurality of columns of buffer cells 205 are arranged instead of one column as described above, there is a risk of show I between the wires bonded to the pads of the buffer cells. Therefore, if you want to arrange more buffer cells 205 in a VLSI, as shown in FIG. I will do it.

また、所定の数だけバッファセルが、第5図に示すよう
に1列ずつ環状に配置され、その内側に内部回路がある
場合、内部回路が小さいとバッファセルと内部回路の間
に大きな隙間ができる。
Furthermore, if a predetermined number of buffer cells are arranged in a ring in one row as shown in Figure 5, and there is an internal circuit inside the buffer cells, if the internal circuit is small, there will be a large gap between the buffer cells and the internal circuit. can.

いずれにせよ、従来は内部回路とバッファセルが離れて
大きな隙間ができてしまい、超LSIのチップの利用率
が悪いという問題点があった。そこで、この発明は」二
連した問題点を解決するためになされたもので、超LS
Iのチップの利用率を向上することを目的とする。
In any case, conventionally there was a problem in that the internal circuit and the buffer cell were separated, creating a large gap, resulting in poor utilization of the VLSI chip. Therefore, this invention was made to solve the two problems.
The purpose is to improve the utilization rate of I's chips.

[課題を解決するための手段] この発明は、複数のバッファと複数のバッファと同数の
パッドを備える矩形のバッファセルであって、バッファ
セルの長辺の方向に直列に配置される複数のバッファと
、バッファセルの短辺に沿って、短辺の方向に直列に配
置されるパッドとを備える多重構造バッファセルである
[Means for Solving the Problems] The present invention provides a rectangular buffer cell having a plurality of buffers and the same number of pads as the plurality of buffers, the plurality of buffers being arranged in series in the direction of the long side of the buffer cell. and pads arranged in series along the short sides of the buffer cell in the direction of the short sides.

なお、バッファセルの短辺に沿って配置される複数のパ
ッドについては、パッドの間隔ができるだけ狭くなるよ
うに配置すれば、この発明の目的をより効果的に達成す
ることができる。
Note that the object of the present invention can be more effectively achieved by arranging the plurality of pads arranged along the short sides of the buffer cell so that the spacing between the pads is as narrow as possible.

「作用コ この発明の多重構造バッファセルでは、複数のバッファ
をバッファセルの長辺の方向に配置し、バッファセルと
同数のパッドをバッファセルの短辺に沿って短辺の方向
に配置する。すなわち、1つのバッファセルの中に、複
数のパッドをその間隔ができるだけ狭くなるように、バ
ッファセルの短辺に沿って配置し、しかも、パッドの配
置の方向に垂直にバッファを複数個配置する。したかっ
て、従来のように、バッファセルの一辺の幅にパッドと
バッファを1個ずつ配置していたのに対し、この発明で
は、バッファセルの一辺の幅に複数のパッドとバッファ
を配置する。
In the multi-structure buffer cell of the present invention, a plurality of buffers are arranged in the direction of the long side of the buffer cell, and the same number of pads as the buffer cells are arranged in the direction of the short side of the buffer cell. That is, a plurality of pads are arranged in one buffer cell along the short side of the buffer cell so that the spacing between them is as narrow as possible, and moreover, a plurality of buffers are arranged perpendicular to the direction in which the pads are arranged. Therefore, in contrast to the conventional method in which one pad and one buffer are arranged in each width of one side of the buffer cell, in this invention, a plurality of pads and buffers are arranged in one width of one side of the buffer cell. .

この発明の多重構造バッファセルを前述したよ5 うに、超LSIに内部回路を取り囲むよう配置するとき
、バッファセルの一辺の幅に複数のパッドトハッファを
配置することができるので、内部回路から従来と同じ距
離だけ離れたところにバッファセルを同じ数だけ配置す
れば、従来より数倍のバッファおよびパッドを配置する
ことになる。そこて、従来より、より近いところにバッ
ファセルを並べて配置し、従来と同数のバッファおよび
パッドを配置することができる。その結果、従来に比べ
内部回路とバッファセルの間の隙間がより小さくなる。
As mentioned above, when the multi-structure buffer cell of the present invention is arranged in a VLSI so as to surround the internal circuit, a plurality of pad huffers can be arranged in the width of one side of the buffer cell, so that the internal circuit can be separated from the conventional one. If the same number of buffer cells are placed at the same distance from each other, the number of buffers and pads will be several times larger than in the past. Therefore, the buffer cells can be arranged closer to each other than in the past, and the same number of buffers and pads can be arranged as in the past. As a result, the gap between the internal circuit and the buffer cell becomes smaller than before.

このとき、狭められた隙間の面積が、パッドの配列の方
向と垂直の方向に従来より新たにバッファを配列するこ
とで増える面積よりも大きければ、従来に比べより狭い
領域にバッファセルを超LSIに配置したことになる。
At this time, if the area of the narrowed gap is larger than the area increased by newly arranging buffers in the direction perpendicular to the direction of pad arrangement, then the buffer cells can be placed in a narrower area than before in the ultra-LSI. It would have been placed in

このようにして、超LSIのチップ利用率の向上を図る
ことができる。
In this way, it is possible to improve the chip utilization rate of the VLSI.

[実施例] この発明に従う多重構造バッファセルで、2個ノハッフ
ァおよび2個のパッドを有するものにつ6 いて、以下に図面を参照しながら説明する。
[Embodiment] A multi-structure buffer cell according to the present invention having two pads and two pads will be described below with reference to the drawings.

第1図は、この発明に従う一実施例のバッファセルを示
す平面図である。バッファセル105は矩形で、その中
に矩形のバッファ103および104ならびに、正方形
のパッド].o1および1o2が配置されている。矩形
のバッファ1.04は、その短辺がバッファセル105
の短辺の一方に近接するように、バッファセル105内
に配置されている。さらに、もう1つのバッファ103
は、バッファセル105の長辺に沿って、バッファ10
4に近接するよう配置されている。一方、バッファセル
105の他方の短辺とバッファセル103の間には、バ
ッド101および102がバッファセル105の短辺に
沿って適当な間隔で並べられて配置されている。
FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a buffer cell according to the present invention. Buffer cell 105 is rectangular and contains rectangular buffers 103 and 104 and square pads]. o1 and 1o2 are arranged. The rectangular buffer 1.04 has its short side as the buffer cell 105.
The buffer cell 105 is arranged in the buffer cell 105 so as to be close to one of the short sides of the buffer cell 105 . Furthermore, another buffer 103
along the long side of the buffer cell 105.
It is located close to 4. On the other hand, between the other short side of buffer cell 105 and buffer cell 103, pads 101 and 102 are arranged along the short side of buffer cell 105 at appropriate intervals.

このように構成されたバッファセル105と同じものを
、超LSIに並べて配置する場合について以下に述べる
A case where the same buffer cells 105 configured as described above are arranged side by side in a VLSI will be described below.

第2図は、第1図で示したバッファセルを超LSIに配
置した状態を示す平面図である。超LSI111の中央
には、正方形の内部回路]−12が配置され、内部回路
112を取り囲むように、バッファセル105か32個
配置されている。これらのバッファセルは、内部回路1
12の各辺の方向に従って、各辺に対し8個ずつ、バッ
ファセルの長辺同士をくっつけるようにして並べられて
いる。
FIG. 2 is a plan view showing a state in which the buffer cell shown in FIG. 1 is arranged in a VLSI. A square internal circuit ]-12 is arranged in the center of the VLSI 111, and 32 buffer cells 105 are arranged so as to surround the internal circuit 112. These buffer cells are internal circuit 1
12, eight buffer cells are arranged for each side, with the long sides of the buffer cells touching each other.

これに対し、従来の技術に従い、この実施例と同じ形状
および大きさのバッファとパッドを1個ずつ有するバッ
ファセルを、第2図で示した超LSIと同じ機能を持た
せるように超LSIに配置すると、第3図のようになる
。バッファセル305の中には、パッドおよびバッファ
が]−個ずつしかないので、内部回路312の各辺に対
し、16個ずつ、合計64個のバッファセルを内部回路
3]−2を囲むように配置させなければならない。第2
図と第3図を比較して明らかなように、この発明に従う
実施例の超LSIIIIは、従来の技術に従う超L S
 I 3 1. 1に比べ、内部回路とバッファセルと
の隙間が大幅に削減されている。そして、超LSIII
Iの面積は、超LSI311の面積に比べ小さくなって
いる。したがって、この実施例では従来に比べ、チップ
の利用率が向上されている。
On the other hand, according to the conventional technology, a buffer cell having one buffer and one pad each having the same shape and size as this embodiment is fabricated into a VLSI so as to have the same function as the VLSI shown in FIG. Once placed, it will look like Figure 3. Since there are only ]- pads and buffers in the buffer cell 305, 16 buffer cells are placed on each side of the internal circuit 312, for a total of 64 buffer cells, so as to surround the internal circuit 3]-2. must be placed. Second
As is clear from a comparison between the figure and FIG.
I 3 1. Compared to 1, the gap between the internal circuit and the buffer cell is significantly reduced. And super LSIII
The area of I is smaller than that of the VLSI 311. Therefore, in this embodiment, the chip utilization rate is improved compared to the prior art.

なお、この発明に従う実施例では、2個の矩形のバッフ
ァと2個の正方形のパッドを有するバッファセルについ
て説明したが、バッファおよびパッドの形状にかかわら
ず、複数個のバッファおよびバッファと同数のパッドを
配置したバッファセルを適宜形成させることができる。
In the embodiment according to the present invention, a buffer cell having two rectangular buffers and two square pads has been described. A buffer cell can be formed as appropriate.

このとき、バッファセルに配置されるパッドの間隔をで
きるだり短くすれば、この発明の目的をより効果的に達
成することができる。
At this time, the object of the present invention can be more effectively achieved by reducing the spacing between the pads arranged in the buffer cell as much as possible.

[発明の効果] この発明の多重構造バッファセルは、これヲ超LSIに
配置するに際し、超LSIの内部回路とバッファセルと
の隙間を従来に比べ、より小さくすることができる。こ
のことによって、超LSIにおいて、より狭い領域にバ
ッファセルを配置することかでき、超LSIのチップ利
用率の向上を9 図ることができる。また、チップ利用率か向上ずれば、
より小さいチップで超LSIを作製することができるの
で、超LSIのコス1・を低減することができる。
[Effects of the Invention] When the multi-structure buffer cell of the present invention is placed in a VLSI, the gap between the internal circuit of the VLSI and the buffer cell can be made smaller than in the past. As a result, the buffer cells can be arranged in a narrower area in the VLSI, and the chip utilization rate of the VLSI can be improved. Also, if the chip utilization rate improves,
Since a VLSI can be manufactured using a smaller chip, the cost of the VLSI can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、この発明に従う実施例のバッファセルを示す
平面図である。 第2図は、この発明に従う実施例のバッファセルを超L
SIに配置した状態を示す平面図である。 第3図は、従来のバッファセルを用いて、第2図で示し
た超LSIと同じ機能を有する超LSIを形成させた状
態を示す平面図である。 第4図は、従来のバッファセルを示す平面図である。 第5図は、従来のバッファセルを多数超LSIの周辺に
配置させた状態を示す平面図である。 図において、]01、]02、201および202はパ
ッド、103、104、203および204はバッファ
、]05、205、206および305はバッファセル
、111、2]1および310 ]]は超LSI、 1 12、 212および312は 内部回路を示す。
FIG. 1 is a plan view showing a buffer cell of an embodiment according to the present invention. FIG. 2 shows a buffer cell according to an embodiment of the present invention with ultra-L
FIG. 3 is a plan view showing a state where it is placed in SI. FIG. 3 is a plan view showing a state in which a VLSI having the same function as the VLSI shown in FIG. 2 is formed using a conventional buffer cell. FIG. 4 is a plan view showing a conventional buffer cell. FIG. 5 is a plan view showing a state in which a large number of conventional buffer cells are arranged around a VLSI. In the figure, ]01, ]02, 201 and 202 are pads, 103, 104, 203 and 204 are buffers, ]05, 205, 206 and 305 are buffer cells, 111, 2]1 and 310 ]] are very LSIs, 1 12, 212 and 312 indicate internal circuits.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 複数のバッファと前記複数のバッファと同数のパッドを
備える矩形のバッファセルであって、前記バッファセル
の長辺の方向に直列に配置される前記複数のバッファと
、 前記バッファセルの短辺に沿って、前記短辺の方向に直
列に配置される前記パッドとを備える多重構造バッファ
セル。
[Scope of Claims] A rectangular buffer cell comprising a plurality of buffers and the same number of pads as the plurality of buffers, the plurality of buffers arranged in series in the direction of a long side of the buffer cell, the buffer along a short side of the cell, the pads being arranged in series in the direction of the short side.
JP1013190A 1990-01-18 1990-01-18 Multiple-structure buffer cell Pending JPH03214658A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1013190A JPH03214658A (en) 1990-01-18 1990-01-18 Multiple-structure buffer cell

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1013190A JPH03214658A (en) 1990-01-18 1990-01-18 Multiple-structure buffer cell

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03214658A true JPH03214658A (en) 1991-09-19

Family

ID=11741734

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1013190A Pending JPH03214658A (en) 1990-01-18 1990-01-18 Multiple-structure buffer cell

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03214658A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6721933B2 (en) 2000-11-10 2004-04-13 Seiko Epson Corporation Input/output cell placement method and semiconductor device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02244755A (en) * 1989-03-17 1990-09-28 Hitachi Ltd LSI

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02244755A (en) * 1989-03-17 1990-09-28 Hitachi Ltd LSI

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6721933B2 (en) 2000-11-10 2004-04-13 Seiko Epson Corporation Input/output cell placement method and semiconductor device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0519989B2 (en)
JPH03214658A (en) Multiple-structure buffer cell
JPH0274046A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPS62194640A (en) Semiconductor integrated circuit using bump mounting
JPS59197151A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPH063826B2 (en) Block layout around standard cells
JPS5935448A (en) Master slice integrated circuit device
JPS63273332A (en) Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device
JPH04171756A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPS61225845A (en) semiconductor equipment
JPS59145542A (en) Large-scale integrated circuit
JPH0384952A (en) Plane layout structure of semiconductor chip
JPH0760855B2 (en) Integrated circuit device
JPS56129341A (en) Semiconductor integrated circuit device
JP4034120B2 (en) Semiconductor device
JPS6276735A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPH0332044A (en) Semiconductor integrated circuit
JPS58200570A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPH04368175A (en) Master slice lsi
JPS59167036A (en) semiconductor integrated circuit
JPH0286167A (en) Master slice integrated circuit device
JPS58182841A (en) Monolithic integrated circuit
JPS6076135A (en) Semiconductor wafer
JPH0296352A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPS63265446A (en) gate array integrated circuit