JPH03211868A - 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム - Google Patents
樹脂封止型半導体装置用リードフレームInfo
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- JPH03211868A JPH03211868A JP638790A JP638790A JPH03211868A JP H03211868 A JPH03211868 A JP H03211868A JP 638790 A JP638790 A JP 638790A JP 638790 A JP638790 A JP 638790A JP H03211868 A JPH03211868 A JP H03211868A
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は樹脂封止型半導体装置用リードフレームの構造
に関するものである。
に関するものである。
(従来の技術)
従来、このような分野の技術としては、例えば以下に示
すようなものがあった。
すようなものがあった。
第2図はかかる従来の樹脂封止型半導体装置用リードフ
レームの平面図である。
レームの平面図である。
この図に示すように、このリードフレームは、ガイドレ
ール部lと、セクションバー部(図示なし)と、これら
から延在して一体に設けられる複数のり一部3と、半導
体素子が搭載されてダイスボンドされるダイパッド4と
、該ダイパッド4から延在して一体に設けられる支持部
(例えば、鉄ニツケル合金、銅合金等)5と、複数のリ
ード3間を一体化するダムバー6により構成されている
。
ール部lと、セクションバー部(図示なし)と、これら
から延在して一体に設けられる複数のり一部3と、半導
体素子が搭載されてダイスボンドされるダイパッド4と
、該ダイパッド4から延在して一体に設けられる支持部
(例えば、鉄ニツケル合金、銅合金等)5と、複数のリ
ード3間を一体化するダムバー6により構成されている
。
このようなリードフレームの形状は、金属板をエツチン
グ或いはプレス加工することにより形成し、その後、必
要に応じて各種の表面処理(例えば、金メツキ、銀メツ
キ等)を行い、更に、多ピンリードフレーム等において
は、リードのバタツキを抑えるため、リード3や支持部
5に、第3図に示すようなポリイミド等のテープ7を接
着させるようにしている。そして、このリードフレーム
を用いて、半導体装置を構成するには、第4図に示すよ
うに、リードフレームのダイパッド4上に半導体素子8
をダイスボンドし、この半導体素子8上のリード導出を
行うべき電極乃至は端子と、これらに対応するり一部3
とを金属細線9を介して接続し、半導体素子8、ダイパ
ッド4、金属細線9、リード3と金属細線9との接続部
等を覆うように樹脂モールドを施す、その後、ダムバー
6を各リード3から切り離し、更に、各リード3をガイ
ドレール部l或いはセクションバー部から切り離して、
互いに電気的に分離し、必要な形にリード3を屈曲させ
、支持部5を樹脂モールドの外面に沿って切断し、ガイ
トレール部1とセクションバー部を排除する。
グ或いはプレス加工することにより形成し、その後、必
要に応じて各種の表面処理(例えば、金メツキ、銀メツ
キ等)を行い、更に、多ピンリードフレーム等において
は、リードのバタツキを抑えるため、リード3や支持部
5に、第3図に示すようなポリイミド等のテープ7を接
着させるようにしている。そして、このリードフレーム
を用いて、半導体装置を構成するには、第4図に示すよ
うに、リードフレームのダイパッド4上に半導体素子8
をダイスボンドし、この半導体素子8上のリード導出を
行うべき電極乃至は端子と、これらに対応するり一部3
とを金属細線9を介して接続し、半導体素子8、ダイパ
ッド4、金属細線9、リード3と金属細線9との接続部
等を覆うように樹脂モールドを施す、その後、ダムバー
6を各リード3から切り離し、更に、各リード3をガイ
ドレール部l或いはセクションバー部から切り離して、
互いに電気的に分離し、必要な形にリード3を屈曲させ
、支持部5を樹脂モールドの外面に沿って切断し、ガイ
トレール部1とセクションバー部を排除する。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上記構成の樹脂封止型半導体装置用リー
ドフレームにおいては、第5図(a)に示すように、ダ
イパッド4、リード3などが一体的に同一の材料で形成
されている。そのため、モールド樹脂(15〜20X1
0−”/’C)と熱膨張係数の差が大きいリードフレー
ム材料(例えば、42AIIoy合金)を用いると、第
5図(b)に示すように、温度サイクル試験によりダイ
パッド4の裏面にモールド樹脂10との剥N11が生し
、ついには、第5図(c)に示すように、パッケージク
ランク12が発生するという問題があった。
ドフレームにおいては、第5図(a)に示すように、ダ
イパッド4、リード3などが一体的に同一の材料で形成
されている。そのため、モールド樹脂(15〜20X1
0−”/’C)と熱膨張係数の差が大きいリードフレー
ム材料(例えば、42AIIoy合金)を用いると、第
5図(b)に示すように、温度サイクル試験によりダイ
パッド4の裏面にモールド樹脂10との剥N11が生し
、ついには、第5図(c)に示すように、パッケージク
ランク12が発生するという問題があった。
また、逆に、モールド樹脂10と熱膨張係数の差の少な
いリードフレーム材料〔例えば、Cu合金(17X10
−’/’C) )を用いると、ダイパッド4の裏面での
剥離は生じ難く、パッケージクランクは起こり難いが、
熱膨張係数が42^1 joy等に比べ大きいので、ワ
イヤボンド工程での熱履歴により、リードがバタつき、
ワイヤボンドできないという問題があった。
いリードフレーム材料〔例えば、Cu合金(17X10
−’/’C) )を用いると、ダイパッド4の裏面での
剥離は生じ難く、パッケージクランクは起こり難いが、
熱膨張係数が42^1 joy等に比べ大きいので、ワ
イヤボンド工程での熱履歴により、リードがバタつき、
ワイヤボンドできないという問題があった。
本発明は、以上述べたモールド樹脂とリードフレーム材
料の熱膨張係数の差が大きいため、パッケージクランク
が発生するという問題点と、モールド樹脂とリードフレ
ーム材料の熱膨張係数の差を小さくしたリードフレーム
材料を使用した場合、ワイヤボンド工程の熱処理により
、リードがバタつき、ワイヤボンドできないという問題
点を除去するため、支持部を排除し、リードフレームを
ガイドレール部、セクションバー部と共に一体に設けら
れた部分と、ダイパッドに分離し、グイバンドをリード
に施した絶縁物(テープ712いは絶縁性接着剤)で保
持し、それぞれの部分に異なった材料を用い、信転性(
耐温度サイクル性)に優れ、かつワイヤボンダ性に優れ
た樹脂封止型半導体装置用リードフレームを提供するこ
とを目的とする。
料の熱膨張係数の差が大きいため、パッケージクランク
が発生するという問題点と、モールド樹脂とリードフレ
ーム材料の熱膨張係数の差を小さくしたリードフレーム
材料を使用した場合、ワイヤボンド工程の熱処理により
、リードがバタつき、ワイヤボンドできないという問題
点を除去するため、支持部を排除し、リードフレームを
ガイドレール部、セクションバー部と共に一体に設けら
れた部分と、ダイパッドに分離し、グイバンドをリード
に施した絶縁物(テープ712いは絶縁性接着剤)で保
持し、それぞれの部分に異なった材料を用い、信転性(
耐温度サイクル性)に優れ、かつワイヤボンダ性に優れ
た樹脂封止型半導体装置用リードフレームを提供するこ
とを目的とする。
(課題を解決するための手段)
本発明は、上記目的を達成するために、樹脂封止型半導
体装置用リードフレームにおいて、ダイパ・7ド部と、
該ダイパッド部の材料とは異なる材料からなるガイドレ
ール部、セクションバー部、及びこれらから延在して一
体に設けられたリードとを設け、該リードと前記ダイパ
ッドとの間を絶縁物により固定するようにしたものであ
る。
体装置用リードフレームにおいて、ダイパ・7ド部と、
該ダイパッド部の材料とは異なる材料からなるガイドレ
ール部、セクションバー部、及びこれらから延在して一
体に設けられたリードとを設け、該リードと前記ダイパ
ッドとの間を絶縁物により固定するようにしたものであ
る。
(作用)
本発明によれば、上記のように構成したので、グイパッ
ド部分には樹脂モールドと熱膨張係数の近い材料(例え
ば、銅系合金や50A11oy )を用い、リード部分
には熱膨張係数の小さい材料(42AIIoy)を用い
ることができるので、ダイパッドの裏面での剥離は生し
難く、しかもワイヤボンド工程での熱履歴によるリード
のバタつきもない。
ド部分には樹脂モールドと熱膨張係数の近い材料(例え
ば、銅系合金や50A11oy )を用い、リード部分
には熱膨張係数の小さい材料(42AIIoy)を用い
ることができるので、ダイパッドの裏面での剥離は生し
難く、しかもワイヤボンド工程での熱履歴によるリード
のバタつきもない。
従って、耐温度サイクル性の向上とワイヤボンド性の向
上を図ることができる。
上を図ることができる。
(実施例)
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第1図は本発明の実施例を示す樹脂封止型半導体装置用
リードフレームの平面図である。
リードフレームの平面図である。
図に示すように、このリードフレームは、ガイドレール
部11と半導体素子(図示なし)を搭載し、ダイスボン
ドするダイパッド部14と、該グイバンド部14の近傍
に内端が配置されるように、ガイドレール部11及びセ
クションバー部(図示なし)から延在して一体に設けら
れた複数のリード13と、該リード13とダイバンド部
14の切除片14aに接着されるテープ17と、樹脂モ
ールドの流れを止めるダムバー16等で構成される。こ
こで、ダイバンド部14とガイドレール部11及びセク
ションバー部から延在して一体に設けられたリード13
は、それぞれ異なった材料で構成されており、グイバン
ド部14の材料は、モールド樹脂と熱膨張係数の近い材
料(例えば、銅系合金や50AIIoy )を用い、ガ
イドレール部11及びセクションバー部から延在して一
体に設けられた複数のリード13の材料Aは、熱膨張係
数の小さい材料(例えば、42AIIoy合金α−4〜
5 Xl0−’/’C)で構成さている。更に、ダイパ
ッド部14とガイドレール部11及びセクションバー部
から延在して一体に設けられた複数のり一部13の部分
は、テープ17により接続されている。
部11と半導体素子(図示なし)を搭載し、ダイスボン
ドするダイパッド部14と、該グイバンド部14の近傍
に内端が配置されるように、ガイドレール部11及びセ
クションバー部(図示なし)から延在して一体に設けら
れた複数のリード13と、該リード13とダイバンド部
14の切除片14aに接着されるテープ17と、樹脂モ
ールドの流れを止めるダムバー16等で構成される。こ
こで、ダイバンド部14とガイドレール部11及びセク
ションバー部から延在して一体に設けられたリード13
は、それぞれ異なった材料で構成されており、グイバン
ド部14の材料は、モールド樹脂と熱膨張係数の近い材
料(例えば、銅系合金や50AIIoy )を用い、ガ
イドレール部11及びセクションバー部から延在して一
体に設けられた複数のリード13の材料Aは、熱膨張係
数の小さい材料(例えば、42AIIoy合金α−4〜
5 Xl0−’/’C)で構成さている。更に、ダイパ
ッド部14とガイドレール部11及びセクションバー部
から延在して一体に設けられた複数のり一部13の部分
は、テープ17により接続されている。
図においては、テープ17はリードフレームの裏面から
接着されているが、これに限定されるものではなく、裏
面からでもそれらの両方でもどちらでも良い。また、テ
ープ17の形状もリード13とダイバンド部14の両方
に接着し、ダイパッド部14が保持されれば、いかなる
形状、いかなる絶縁性材料でも良い、更に、ダイバンド
部14のテープ17との接着部をつぶし、接着面積を増
せばより効果的である。
接着されているが、これに限定されるものではなく、裏
面からでもそれらの両方でもどちらでも良い。また、テ
ープ17の形状もリード13とダイバンド部14の両方
に接着し、ダイパッド部14が保持されれば、いかなる
形状、いかなる絶縁性材料でも良い、更に、ダイバンド
部14のテープ17との接着部をつぶし、接着面積を増
せばより効果的である。
そして、上記のそれぞれの部分はエツチングあるいはプ
レス加工することによって形成し、必要に応して各種の
メツキ(金メツキ、銀メンキ等)を施すことができる。
レス加工することによって形成し、必要に応して各種の
メツキ(金メツキ、銀メンキ等)を施すことができる。
また、ダイパッド部14は存在するので、絶縁テープの
みによる支持とは相違し、半導体素子は安定に支持され
ると共に、半導体素子の部分を容易に接地電位にするこ
とができる。
みによる支持とは相違し、半導体素子は安定に支持され
ると共に、半導体素子の部分を容易に接地電位にするこ
とができる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
(発明の効果)
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、次のよ
うな効果を奏することができる。
うな効果を奏することができる。
リードフレームをガイドレール部及びセクションバー部
から延在して一体に設けられた部分と、ダイパッド部と
で構成し、それぞれに異なった材料を用いるようにした
ので、ダイバンド部には樹脂モールドと熱膨張係数の近
い材料を用い、リード部分では熱膨張係数の小さい材料
を用いることができ、耐温度サイクル性の向上とワイヤ
ポンド性の向上を図ることができる。
から延在して一体に設けられた部分と、ダイパッド部と
で構成し、それぞれに異なった材料を用いるようにした
ので、ダイバンド部には樹脂モールドと熱膨張係数の近
い材料を用い、リード部分では熱膨張係数の小さい材料
を用いることができ、耐温度サイクル性の向上とワイヤ
ポンド性の向上を図ることができる。
第1図は本発明の実施例を示す樹脂封止型半導体装置用
リードフレームの平面図、第2図は従来の樹脂封止型半
導体装置用リードフレームの平面図、第3図はそのリー
ドフレームにテープを貼った状態を示す平面図、第4図
はそのリードフレームに半導体素子を実装した状態を示
す平面図、第5図は従来技術の問題点説明図である。 11・・・ガイドレール部、13・・・リード、14・
・・ダイバンド部、14a・・・切除片、16・・・ダ
ムバー、17・・・テープ。
リードフレームの平面図、第2図は従来の樹脂封止型半
導体装置用リードフレームの平面図、第3図はそのリー
ドフレームにテープを貼った状態を示す平面図、第4図
はそのリードフレームに半導体素子を実装した状態を示
す平面図、第5図は従来技術の問題点説明図である。 11・・・ガイドレール部、13・・・リード、14・
・・ダイバンド部、14a・・・切除片、16・・・ダ
ムバー、17・・・テープ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (a)ダイパッド部と、 (b)該ダイパッド部の材料とは異なる材料からなるガ
イドレール部、セクションバー部、及びこれらから延在
して一体に設けられたリードとを設け、(c)該リード
と前記ダイパッド部との間を絶縁物により固定するよう
にしたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置用リード
フレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP638790A JPH03211868A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP638790A JPH03211868A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03211868A true JPH03211868A (ja) | 1991-09-17 |
Family
ID=11636969
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP638790A Pending JPH03211868A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03211868A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100799200B1 (ko) * | 2001-08-10 | 2008-01-29 | 삼성테크윈 주식회사 | 리이드 프레임 및 그것의 제조 방법 |
-
1990
- 1990-01-17 JP JP638790A patent/JPH03211868A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100799200B1 (ko) * | 2001-08-10 | 2008-01-29 | 삼성테크윈 주식회사 | 리이드 프레임 및 그것의 제조 방법 |
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