JPH03200319A - 多結晶シリコンの形成方法 - Google Patents
多結晶シリコンの形成方法Info
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- JPH03200319A JPH03200319A JP34011789A JP34011789A JPH03200319A JP H03200319 A JPH03200319 A JP H03200319A JP 34011789 A JP34011789 A JP 34011789A JP 34011789 A JP34011789 A JP 34011789A JP H03200319 A JPH03200319 A JP H03200319A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路の製造方法に関し、特に電極
材料や抵抗体などの他、絶縁膜上での薄膜デバイス形成
に用いられる多結晶シリコン膜の形成方法に関する。
材料や抵抗体などの他、絶縁膜上での薄膜デバイス形成
に用いられる多結晶シリコン膜の形成方法に関する。
従来のこの種の多結晶シリコン膜形成方法においては、
シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜上、又はそれに替わ
る絶縁膜の上に減圧化学気相成長装置で原料ガスに５ｉ
Ｈｉを用いて、成長温度５８０℃以上の温度で多結晶シ
リコン膜を成長していた。
シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜上、又はそれに替わ
る絶縁膜の上に減圧化学気相成長装置で原料ガスに５ｉ
Ｈｉを用いて、成長温度５８０℃以上の温度で多結晶シ
リコン膜を成長していた。
上述した従来の多結晶シリコン膜形成方法では、シリコ
ン結晶粒はランダムな配向性をもち、例えば減圧下で成
長温度６２０〜６５０℃程度の温度で堆積した多結晶シ
リコン結晶粒は、約１００〜２０００人程度の結晶粒サ
イズをもち、多結晶シリコン膜表面の凹、凸も大きく、
膜垂直方向に約１００Å以上の粗れた表面をもっている
。このため、微細なデバイスや高集積度・高品質なデバ
イスを形成する場合、デバイス特性の低下（例えば、多
結晶シリコン上酸化膜耐圧低下や薄膜デバイスのリーク
特性悪化など）を招く欠点がある。
ン結晶粒はランダムな配向性をもち、例えば減圧下で成
長温度６２０〜６５０℃程度の温度で堆積した多結晶シ
リコン結晶粒は、約１００〜２０００人程度の結晶粒サ
イズをもち、多結晶シリコン膜表面の凹、凸も大きく、
膜垂直方向に約１００Å以上の粗れた表面をもっている
。このため、微細なデバイスや高集積度・高品質なデバ
イスを形成する場合、デバイス特性の低下（例えば、多
結晶シリコン上酸化膜耐圧低下や薄膜デバイスのリーク
特性悪化など）を招く欠点がある。
本発明の結晶の形成方法は絶縁膜基板上（一部単結晶シ
リコン表面があってもよい）にアモルファス・シリコン
を堆積し、アモルファス・シリコンの固相成長により結
晶化させて、多結晶シリコンを形成する方法において、
アモルファス・シリコンを結晶化させる前までにアモル
ファス・シリコンと絶縁膜基板界面の絶縁膜極表面層を
シリコンリッチな組成にする工程を有している。
リコン表面があってもよい）にアモルファス・シリコン
を堆積し、アモルファス・シリコンの固相成長により結
晶化させて、多結晶シリコンを形成する方法において、
アモルファス・シリコンを結晶化させる前までにアモル
ファス・シリコンと絶縁膜基板界面の絶縁膜極表面層を
シリコンリッチな組成にする工程を有している。
上述した従来の多結晶シリコンの形成方法に対し、本発
明では絶縁膜基板上（一部単結晶シリコン表面カアって
もよい）にアモルファスシリコンを堆積し、結晶化させ
て多結晶シリコンを形成すル方法において、アモルファ
ス・シリコンを結晶化させる前までに、アモルファス・
シリコンとの界面の絶縁膜極表面層をシリコン・リッチ
な組成をもつ状態にした後アモルファス・シリコンを結
晶化させて、シリコン膜の固相成長を行うことにより、
絶縁膜とアモルファス・シリコン膜界面の結晶化がスム
ースに行われ、従来の多結晶シリコンよりもシリコン結
晶粒が大きく、多結晶シリコン表面平坦性が良い多結晶
シリコンが形成できる。
明では絶縁膜基板上（一部単結晶シリコン表面カアって
もよい）にアモルファスシリコンを堆積し、結晶化させ
て多結晶シリコンを形成すル方法において、アモルファ
ス・シリコンを結晶化させる前までに、アモルファス・
シリコンとの界面の絶縁膜極表面層をシリコン・リッチ
な組成をもつ状態にした後アモルファス・シリコンを結
晶化させて、シリコン膜の固相成長を行うことにより、
絶縁膜とアモルファス・シリコン膜界面の結晶化がスム
ースに行われ、従来の多結晶シリコンよりもシリコン結
晶粒が大きく、多結晶シリコン表面平坦性が良い多結晶
シリコンが形成できる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の多結晶シリコン形成方法の一実施例の
縦断面図フローである。
縦断面図フローである。
図（ａ）にはシリコン基板１１の上にシリコン酸化膜１
２を形成し、このシリコン酸化膜の極表面層にシリコン
のイオン注入を行った領域１３を示す。次に図（ｂ）に
は図（ａ）に示した基板の上に減圧化学気相成長装置で
原料ガスにＳｉＨ４又はＳｉ２Ｈ６ガスを用いて、成長
温度５００℃でアモルファスシリコン１４を膜厚０．２
μｍ堆積したところを示す。
２を形成し、このシリコン酸化膜の極表面層にシリコン
のイオン注入を行った領域１３を示す。次に図（ｂ）に
は図（ａ）に示した基板の上に減圧化学気相成長装置で
原料ガスにＳｉＨ４又はＳｉ２Ｈ６ガスを用いて、成長
温度５００℃でアモルファスシリコン１４を膜厚０．２
μｍ堆積したところを示す。
次に図（ｃ）は上述した図（ｂ）に示した基板を窒素雰
囲気中で６００℃、２４時間の熱処理を行ったところを
示す。前記の極表面層にシリコンのイオン注入したシリ
コン酸化膜の熱処理後のシリコン酸化膜を１５に示す。
囲気中で６００℃、２４時間の熱処理を行ったところを
示す。前記の極表面層にシリコンのイオン注入したシリ
コン酸化膜の熱処理後のシリコン酸化膜を１５に示す。
またアモルファス・シリコンから結晶化した多結晶シリ
コン１６を示す。
コン１６を示す。
多結晶シリコン１６は、アモルファス・シリコンとの界
面のシリコン酸化膜極表面層がシリコン・リッチな組成
をもつためアモルファス・シリコンの結晶化の際にアモ
ルファス・シリコンとシリコン酸化膜界面の横方向の結
晶化がスムースに行われ、従来の多結晶シリコンよりも
シリコン結晶粒が大きくて、多結晶シリコン表面平坦性
が非常に良い多結晶シリコンが得られている。
面のシリコン酸化膜極表面層がシリコン・リッチな組成
をもつためアモルファス・シリコンの結晶化の際にアモ
ルファス・シリコンとシリコン酸化膜界面の横方向の結
晶化がスムースに行われ、従来の多結晶シリコンよりも
シリコン結晶粒が大きくて、多結晶シリコン表面平坦性
が非常に良い多結晶シリコンが得られている。
第２図には、本発明の他の実施例の縦断面図を、従来例
とあわせて示す。第２図（ａ）には従来の多結晶シリコ
ンを用いた薄膜ＭＯＳトランジスタの模式図を、（ｂ）
には本発明の多結晶シリコンを用いた薄膜ＭＯ３）ラン
ジスタの模式図を示す。
とあわせて示す。第２図（ａ）には従来の多結晶シリコ
ンを用いた薄膜ＭＯＳトランジスタの模式図を、（ｂ）
には本発明の多結晶シリコンを用いた薄膜ＭＯ３）ラン
ジスタの模式図を示す。
最初に第２図（ａ）の従来の多結晶シリコンを用いた薄
膜ＭＯ８）ランジスタ模式図から説明する。
膜ＭＯ８）ランジスタ模式図から説明する。
シリコン基板２１の上にシリコン酸化膜２２を９００℃
、水素−酸素燃焼法により膜厚０．２μｍ形成する。そ
の後、減圧化学気相成長装置で多結晶シリコン２３を成
長温度６５０℃で原料ガスにＳ ｉ Ｈ４を用いて堆積
する。さらに前記多結晶シリコンを９５０℃水素−酸素
燃焼法によりゲート酸化膜となるシリコン酸化膜２４を
膜厚０．０５μｍ形成する。次にゲート電極用多結晶シ
リコンを減圧化学気相成長装置で成長温度６５０℃、原
料ガスにＳ ｉ Ｈ４を用いて膜厚０．４μｍ堆積する
。次に、ゲート電極用多結晶シリコンに拡散法を用いて
不純物のＰを拡散する。さらにリソグラフィ技術、エツ
チング技術を用いて、ゲート電極用多結晶シリコン２５
を形成する。この後薄膜トランジスタ活性領域のチャネ
ル形成のためのＢＦ２イオン注入を加速電圧７０ＫｅＶ
、 ドース１．０Ｘ１０”ｃｍ−”の条件で行う。さら
に不純物活性化の熱処理を窒素雰囲気中、９００℃、３
０分の条件で行い、多結晶シリコン薄膜を用いた薄膜Ｍ
Ｏ３）ランジスタを形成している。
、水素−酸素燃焼法により膜厚０．２μｍ形成する。そ
の後、減圧化学気相成長装置で多結晶シリコン２３を成
長温度６５０℃で原料ガスにＳ ｉ Ｈ４を用いて堆積
する。さらに前記多結晶シリコンを９５０℃水素−酸素
燃焼法によりゲート酸化膜となるシリコン酸化膜２４を
膜厚０．０５μｍ形成する。次にゲート電極用多結晶シ
リコンを減圧化学気相成長装置で成長温度６５０℃、原
料ガスにＳ ｉ Ｈ４を用いて膜厚０．４μｍ堆積する
。次に、ゲート電極用多結晶シリコンに拡散法を用いて
不純物のＰを拡散する。さらにリソグラフィ技術、エツ
チング技術を用いて、ゲート電極用多結晶シリコン２５
を形成する。この後薄膜トランジスタ活性領域のチャネ
ル形成のためのＢＦ２イオン注入を加速電圧７０ＫｅＶ
、 ドース１．０Ｘ１０”ｃｍ−”の条件で行う。さら
に不純物活性化の熱処理を窒素雰囲気中、９００℃、３
０分の条件で行い、多結晶シリコン薄膜を用いた薄膜Ｍ
Ｏ３）ランジスタを形成している。
次に第２図（ｂ）に本発明の多結晶シリコンを用いた薄
膜ＭＯＳトランジスタ模式図について示す。
膜ＭＯＳトランジスタ模式図について示す。
シリコン基板２１の上にシリコン酸化膜を９００℃の水
素−酸素燃焼法により膜厚０．２μｍ形成し、さらにＳ
ｉイオン注入をシリコン酸化膜極表面層に行う。この後
、減圧化学気相成長装置でアモルファス・シリコンを成
長温度５００℃で原料ガスに８１２Ｈ６を用いて堆積す
る。次に前記アモルファス・シリコンにさらにＳｉイオ
ン注入を加速電圧１００ＫｅＶ、ドース１． ＯＸ １
０ ”ａｍ−２の条件で行った後、６００℃の窒素雰囲
気中で２４時間の熱処理を行いアモルファス・シリコン
を結晶化させて多結晶シリコン２７を形成する。次に、
前記の多結晶シリコンを９５０℃、水素−酸素燃焼法に
よりゲート酸化膜となるシリコン酸化膜２８を膜厚０．
０５μｍ形成する。さらに、減圧化学気相成長装置で成
長温度５００℃、原料ガスにＳｉ２Ｈ６を用いてアモル
ファス・シリコンを０．４μｍ堆積する。次に、ゲート
電極用多結晶シリコン形成前のアモルファス・シリコン
に拡散法を用いて不純物のＰを拡散する。Ｐ拡散条件は
原料ガスにｐｏｃρ３．温度９２０℃で１８分のＰ拡散
を行う。Ｐ拡散工程を終ることによって、前記アモルフ
ァス・シリコンは結晶化し、多結晶シリコンとなる。次
に、リングラフィ技術、エツチング技術を用いてゲート
電極用多結晶シリコン２９を形成する。この後、薄膜ト
ランジスタ活性領域のチャネル形成のためのＢＦ２イオ
ン注入を加速電圧７０ＫｅＶ、ドース１． ＯＸ １０
１５ｃｍ−２の条件で行う。さらに不純物活性化の熱処
理を窒素雰囲気中、９００℃、３０分の条件で行い多結
晶シリコン薄膜を用いた薄膜ＭＯ８）ランジスタを形成
している。
素−酸素燃焼法により膜厚０．２μｍ形成し、さらにＳ
ｉイオン注入をシリコン酸化膜極表面層に行う。この後
、減圧化学気相成長装置でアモルファス・シリコンを成
長温度５００℃で原料ガスに８１２Ｈ６を用いて堆積す
る。次に前記アモルファス・シリコンにさらにＳｉイオ
ン注入を加速電圧１００ＫｅＶ、ドース１． ＯＸ １
０ ”ａｍ−２の条件で行った後、６００℃の窒素雰囲
気中で２４時間の熱処理を行いアモルファス・シリコン
を結晶化させて多結晶シリコン２７を形成する。次に、
前記の多結晶シリコンを９５０℃、水素−酸素燃焼法に
よりゲート酸化膜となるシリコン酸化膜２８を膜厚０．
０５μｍ形成する。さらに、減圧化学気相成長装置で成
長温度５００℃、原料ガスにＳｉ２Ｈ６を用いてアモル
ファス・シリコンを０．４μｍ堆積する。次に、ゲート
電極用多結晶シリコン形成前のアモルファス・シリコン
に拡散法を用いて不純物のＰを拡散する。Ｐ拡散条件は
原料ガスにｐｏｃρ３．温度９２０℃で１８分のＰ拡散
を行う。Ｐ拡散工程を終ることによって、前記アモルフ
ァス・シリコンは結晶化し、多結晶シリコンとなる。次
に、リングラフィ技術、エツチング技術を用いてゲート
電極用多結晶シリコン２９を形成する。この後、薄膜ト
ランジスタ活性領域のチャネル形成のためのＢＦ２イオ
ン注入を加速電圧７０ＫｅＶ、ドース１． ＯＸ １０
１５ｃｍ−２の条件で行う。さらに不純物活性化の熱処
理を窒素雰囲気中、９００℃、３０分の条件で行い多結
晶シリコン薄膜を用いた薄膜ＭＯ８）ランジスタを形成
している。
第２図（ａ）に示した様に、従来の多結晶シリコンを用
いた場合、シリコン結晶粒サイズが小さく、多結晶シリ
コン表面の粗れが大きいため良質な多結晶シリコン上の
ゲート酸化膜が形成できない。
いた場合、シリコン結晶粒サイズが小さく、多結晶シリ
コン表面の粗れが大きいため良質な多結晶シリコン上の
ゲート酸化膜が形成できない。
ＭＯＳ）ランジスタのソース・ドレイン間のリーク電流
が大きい、キャリアの移動度が小さい。
が大きい、キャリアの移動度が小さい。
ホット・エレクトロンに対して弱いなどの問題点が生じ
ている。
ている。
これに対し、第２図（ｂ）に示した本発明の多結晶シリ
コンを用いることにより、シリコン結晶粒は非常に大き
く （従来の多結晶シリコ、ンはシリコン結晶粒サイズ
は約１００〜２００Å以上度であるのに対して本発明の
多結晶シリコンは１〜５μｍ程度である。）、多結晶シ
リコン表面平坦性も非常に良い（従来の多結晶シリコン
では、膜縦方向の粗れは約１００〜２００Å以上である
のに対し、本発明の多結晶シリコンでは約５０Å以下と
なっている。）ため、良質な多結晶シリコン上酸化膜の
形成が可能である（例えば、多結晶シリコン上酸化膜厚
が３５０Å以下でも酸化膜の絶縁破壊耐圧は９ Ｍ Ｖ
／ ａｍ以上を示す。）ことや、薄膜多結晶シリコン
ＭＯ８）ランジスタの電気特性が向上（例えば、通常の
減圧化学気相成長で形成した多結晶シリコンよりも電子
の移動度が５倍以上高く、０Ｎ１０ＦＦ電流比は２桁以
上向上）するなどの効果がある。
コンを用いることにより、シリコン結晶粒は非常に大き
く （従来の多結晶シリコ、ンはシリコン結晶粒サイズ
は約１００〜２００Å以上度であるのに対して本発明の
多結晶シリコンは１〜５μｍ程度である。）、多結晶シ
リコン表面平坦性も非常に良い（従来の多結晶シリコン
では、膜縦方向の粗れは約１００〜２００Å以上である
のに対し、本発明の多結晶シリコンでは約５０Å以下と
なっている。）ため、良質な多結晶シリコン上酸化膜の
形成が可能である（例えば、多結晶シリコン上酸化膜厚
が３５０Å以下でも酸化膜の絶縁破壊耐圧は９ Ｍ Ｖ
／ ａｍ以上を示す。）ことや、薄膜多結晶シリコン
ＭＯ８）ランジスタの電気特性が向上（例えば、通常の
減圧化学気相成長で形成した多結晶シリコンよりも電子
の移動度が５倍以上高く、０Ｎ１０ＦＦ電流比は２桁以
上向上）するなどの効果がある。
以上説明したように本発明は、絶縁膜基板上（一部単結
晶シリコン表面があってもよい。）にアモルファス・シ
リコンを堆積し、結晶化させて、多結晶シリコンを形成
する。このとき、アモルファス・シリコンを結晶化させ
る前までに、アモルファス・シリコンとの界面の絶縁膜
極表面層をシリコン・リッチな組成をもつ状態に形成し
、この後アモルファス・シリコンを結晶化させて、シリ
コン膜の固相成長を行うことにより、絶縁膜とアモルフ
ァス・シリコン膜界面の結晶化がスムースに行われ、従
来の多結晶シリコンよりもシリコン結晶粒が大きく多結
晶シリコン表面平坦性が非常に良い多結晶シリコンが形
成できる効果があり、さらに上記した本発明の多結晶シ
リコンを半導体集積回路に応用することにより、例えば
多結晶シリコン上酸化膜の耐圧向上や薄膜多結晶シリコ
ントランジスタの電気特性の向上、多結晶シリコン抵抗
の温度特性改善などができ、半導体デバイスの高性能化
、高集積化に効果がある。
晶シリコン表面があってもよい。）にアモルファス・シ
リコンを堆積し、結晶化させて、多結晶シリコンを形成
する。このとき、アモルファス・シリコンを結晶化させ
る前までに、アモルファス・シリコンとの界面の絶縁膜
極表面層をシリコン・リッチな組成をもつ状態に形成し
、この後アモルファス・シリコンを結晶化させて、シリ
コン膜の固相成長を行うことにより、絶縁膜とアモルフ
ァス・シリコン膜界面の結晶化がスムースに行われ、従
来の多結晶シリコンよりもシリコン結晶粒が大きく多結
晶シリコン表面平坦性が非常に良い多結晶シリコンが形
成できる効果があり、さらに上記した本発明の多結晶シ
リコンを半導体集積回路に応用することにより、例えば
多結晶シリコン上酸化膜の耐圧向上や薄膜多結晶シリコ
ントランジスタの電気特性の向上、多結晶シリコン抵抗
の温度特性改善などができ、半導体デバイスの高性能化
、高集積化に効果がある。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実旅例の多結晶シリ
コン膜形成方法の一フロセス実施例の縦断面図、第２図
（ａ）、 （ｂ）は本発明の他の実施例の多結晶シリコ
ンを用いた薄膜ＭＯ３）ランジスタ模式図を従来の多結
晶シリコンを用いた場合と合わせて示した図である。 第１図 １１・・・・・・シリコン基Ｌ１２・・・・・・シリコ
ン酸化膜、１３・・・・・・シリコン・イオン注入され
たシリコンＭ化膜、１４・・・・・・アモルファス・シ
リコン、１５・・・・・・極表面層にシリコン・イオン
注入されたシリコン酸化膜を熱処理した後のシリコン酸
化膜、１６・・・・・・アモルファス・シリコンから結
晶化シタ多結晶シリコン 第２図 ２１・・・・・・シリコン基板、２２・・・・・・シリ
コン酸化膜、２３・・・・・・従来の多結晶シリコン、
２３Ａ・・・・・・２３の多結晶シリコン薄膜中に形成
したチャネル（’／−ス）、２３Ｂ・・・・・・２３の
多結晶シリコン薄膜中に形成したチャネル（ドレイン）
、２４・・・・・・シリコン酸化膜、２５・・・・・・
ゲート電極用多結晶シリコン、２６・・・・・・極表面
層にシリコン・イオン注入したシリコン酸化膜を熱処理
した後のシリコン酸化膜、２７・・・・・・シリコン・
イオン注入したアモルファス・シリコンから結晶化した
多結晶シリコン、２７Ａ・・・・・・２７の多結晶シリ
コン薄膜中に形成したチャネル（ソース）、２７Ｂ・・
・・・・２７の多結晶シリコン薄膜中に形成したチャネ
ル（ドレイン）、２８・・・・・・シリコン酸化膜、２
９・・・・・・ゲート電極用多結晶シリコン。 卒１個 寅１／１
コン膜形成方法の一フロセス実施例の縦断面図、第２図
（ａ）、 （ｂ）は本発明の他の実施例の多結晶シリコ
ンを用いた薄膜ＭＯ３）ランジスタ模式図を従来の多結
晶シリコンを用いた場合と合わせて示した図である。 第１図 １１・・・・・・シリコン基Ｌ１２・・・・・・シリコ
ン酸化膜、１３・・・・・・シリコン・イオン注入され
たシリコンＭ化膜、１４・・・・・・アモルファス・シ
リコン、１５・・・・・・極表面層にシリコン・イオン
注入されたシリコン酸化膜を熱処理した後のシリコン酸
化膜、１６・・・・・・アモルファス・シリコンから結
晶化シタ多結晶シリコン 第２図 ２１・・・・・・シリコン基板、２２・・・・・・シリ
コン酸化膜、２３・・・・・・従来の多結晶シリコン、
２３Ａ・・・・・・２３の多結晶シリコン薄膜中に形成
したチャネル（’／−ス）、２３Ｂ・・・・・・２３の
多結晶シリコン薄膜中に形成したチャネル（ドレイン）
、２４・・・・・・シリコン酸化膜、２５・・・・・・
ゲート電極用多結晶シリコン、２６・・・・・・極表面
層にシリコン・イオン注入したシリコン酸化膜を熱処理
した後のシリコン酸化膜、２７・・・・・・シリコン・
イオン注入したアモルファス・シリコンから結晶化した
多結晶シリコン、２７Ａ・・・・・・２７の多結晶シリ
コン薄膜中に形成したチャネル（ソース）、２７Ｂ・・
・・・・２７の多結晶シリコン薄膜中に形成したチャネ
ル（ドレイン）、２８・・・・・・シリコン酸化膜、２
９・・・・・・ゲート電極用多結晶シリコン。 卒１個 寅１／１
Claims (6)
- （１）絶縁膜基板上にアモルファス・シリコンを堆積し
た後、該アモルファス・シリコンにエネルギーを与えて
結晶化させて、多結晶シリコン膜を形成する方法におい
て、前記アモルファス・シリコンを結晶化させる前の絶
縁膜基板極表面層がシリコン・リッチな組成をもつこと
を特徴とする多結晶シリコンの形成方法。 - （２）請求項１記載の絶縁膜基板の一部に単結晶シリコ
ン表面が露出している基板を用いることを特徴とする結
晶の形成方法。 - （３）請求項１記載の絶縁膜極表面のシリコンリッチ層
の形成は、絶縁膜形成時又はアモルファス・シリコン堆
積前、又はアモルファス・シリコン堆積後に行うことを
特徴とする結晶の形成方法。 - （４）請求項１記載の絶縁膜は、シリコン酸化膜又はシ
リコン窒化膜、又はシリコン酸化膜とシリコン窒化膜の
双方を用いることを特徴とする結晶の形成方法。 - （５）請求項１記載の絶縁膜極表面のシリコンリッチ層
の形成は、シリコンのイオン注入法又はシリコンのプラ
ズマドープ法又はシリコンのレーザ・ドープ法又は化学
気相成長法又は物理気相成長法のいづれか、又は各形成
法を組み合せて行う形成方法。 - （６）請求項１記載のアモルファス・シリコンの結晶化
は、７００℃以下の低温の熱処理による固相成長又はＸ
線や電子線を用いた固相成長による結晶の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34011789A JPH03200319A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | 多結晶シリコンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34011789A JPH03200319A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | 多結晶シリコンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03200319A true JPH03200319A (ja) | 1991-09-02 |
Family
ID=18333884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34011789A Pending JPH03200319A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | 多結晶シリコンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03200319A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5466617A (en) * | 1992-03-20 | 1995-11-14 | U.S. Philips Corporation | Manufacturing electronic devices comprising TFTs and MIMs |
| KR100267145B1 (ko) * | 1993-02-03 | 2000-10-16 | 야마자끼 순페이 | 박막트랜지스터 제작방법 |
| KR20120082800A (ko) * | 2010-07-26 | 2012-07-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
-
1989
- 1989-12-27 JP JP34011789A patent/JPH03200319A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5466617A (en) * | 1992-03-20 | 1995-11-14 | U.S. Philips Corporation | Manufacturing electronic devices comprising TFTs and MIMs |
| KR100267145B1 (ko) * | 1993-02-03 | 2000-10-16 | 야마자끼 순페이 | 박막트랜지스터 제작방법 |
| US6610142B1 (en) | 1993-02-03 | 2003-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for fabricating semiconductor and process for fabricating semiconductor device |
| KR20120082800A (ko) * | 2010-07-26 | 2012-07-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
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