JPH03186247A - 脈波検出装置 - Google Patents
脈波検出装置Info
- Publication number
- JPH03186247A JPH03186247A JP32684489A JP32684489A JPH03186247A JP H03186247 A JPH03186247 A JP H03186247A JP 32684489 A JP32684489 A JP 32684489A JP 32684489 A JP32684489 A JP 32684489A JP H03186247 A JPH03186247 A JP H03186247A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- semiconductor substrate
- pulse wave
- face
- living body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 210000001367 artery Anatomy 0.000 claims abstract description 15
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 22
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 7
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 7
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 abstract description 5
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 abstract description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036772 blood pressure Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000000707 wrist Anatomy 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Pulse, Heart Rate, Blood Pressure Or Blood Flow (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、生体の動脈内の圧脈波を、その生体の皮膚上
から動脈に向かって圧力検出素子を押圧することにより
検出する脈波検出装置に関するものである。
から動脈に向かって圧力検出素子を押圧することにより
検出する脈波検出装置に関するものである。
従来の技術
生体の動脈内の圧脈波を、その生体の皮膚上から動脈に
向かって圧力検出素子を押圧することにより検出する脈
波検出装置の一種に、圧力検出素子が形成された半導体
基板の一面を生体の皮膚に押圧する形成のものがある。
向かって圧力検出素子を押圧することにより検出する脈
波検出装置の一種に、圧力検出素子が形成された半導体
基板の一面を生体の皮膚に押圧する形成のものがある。
たとえば、実開平1−43905号に記載された脈波検
出装置がそれである。
出装置がそれである。
発明が解決すべき課題
ところで、上記従来の脈波検出装置によれば、検出対象
からの圧力が伝播されたときに歪が生じるように半導体
基板の一部に薄肉部が形成され、この薄肉部に形成され
た半導体歪ゲージにより圧力が電気信号に変換され、圧
力信号として出力されるようになっている。しかし、半
導体基板の一面に形成された圧力検出素子を生体の皮膚
に押圧した状態で圧力検出が継続される際において、圧
力に変動がないのにも拘わらず、時として圧力信号波形
のオフセットが急変したり或いは外来光に感応して圧力
信号が変動する不都合があった。
からの圧力が伝播されたときに歪が生じるように半導体
基板の一部に薄肉部が形成され、この薄肉部に形成され
た半導体歪ゲージにより圧力が電気信号に変換され、圧
力信号として出力されるようになっている。しかし、半
導体基板の一面に形成された圧力検出素子を生体の皮膚
に押圧した状態で圧力検出が継続される際において、圧
力に変動がないのにも拘わらず、時として圧力信号波形
のオフセットが急変したり或いは外来光に感応して圧力
信号が変動する不都合があった。
本発明は以上の事情を背景として為されたものであり、
その目的とするところは、脈波検出中において圧力信号
波形の急変のない脈波検出装置を提供することにある。
その目的とするところは、脈波検出中において圧力信号
波形の急変のない脈波検出装置を提供することにある。
課題を解決するための手段
かかる目的を遠戚するため、本発明者等は種々検討を行
うとともに確認試験を重ねた結果、生体に発生する静電
気が圧力信号に影響することを見出した。本発明はかか
る知見に基づいて為されたものである。
うとともに確認試験を重ねた結果、生体に発生する静電
気が圧力信号に影響することを見出した。本発明はかか
る知見に基づいて為されたものである。
すなわち、本発明の要旨とするところは、感圧素子が一
面に形成された半導体基板を備え、その半導体基板の一
面を生体の皮膚に押圧することにより、その皮膚下に位
置する動脈から発生する圧脈波を検出する脈波検出装置
において、導電性材料から成るシールド層を前記半導体
基板の一面に設けたことにある。
面に形成された半導体基板を備え、その半導体基板の一
面を生体の皮膚に押圧することにより、その皮膚下に位
置する動脈から発生する圧脈波を検出する脈波検出装置
において、導電性材料から成るシールド層を前記半導体
基板の一面に設けたことにある。
作用および発明の効果
このようにすれば、感圧素子が形成されている半導体基
板の一面に導電性材料から威るシールド層が設けられる
ので、半導体基板の押圧面が静電シールドされる。この
ため、生体に生じる静電気の影響を受は難くなって、圧
力信号のオフセットが急変したり或いは外来光に感応し
て圧力信号が変動することが解消される。
板の一面に導電性材料から威るシールド層が設けられる
ので、半導体基板の押圧面が静電シールドされる。この
ため、生体に生じる静電気の影響を受は難くなって、圧
力信号のオフセットが急変したり或いは外来光に感応し
て圧力信号が変動することが解消される。
実施例
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて詳細に説明す
る。
る。
第2図は、本発明の一実施例である脈波検出装置を示す
断面図である。ハウジング10は、樹脂製であって全体
として容器状を威し、長手方向の側面の基本形状が三日
月状に形成されているとともに、底壁の幅方向中間部が
長手方向に沿って所定形状に突き出した形状とされてい
る。このようなハウジング10は、その開口端がたとえ
ば手首などの生体の一部においてその表面12に対向す
る状態で装着バンド14により着脱可能に取り付けられ
るようになっている。
断面図である。ハウジング10は、樹脂製であって全体
として容器状を威し、長手方向の側面の基本形状が三日
月状に形成されているとともに、底壁の幅方向中間部が
長手方向に沿って所定形状に突き出した形状とされてい
る。このようなハウジング10は、その開口端がたとえ
ば手首などの生体の一部においてその表面12に対向す
る状態で装着バンド14により着脱可能に取り付けられ
るようになっている。
減速ギアユニット22をハウジング10に固定するため
に、断面り字形の樹脂製の支持プレート24がねじ部材
23により減速ギアユニット22に固定されており、そ
の−面から突き出す一対のブラケット26(一方のみ図
示)がねじ部材25によりハウジング10の相対向する
側壁18に固着されている。減速ギアユニット22は、
第1歯車30と噛み合う第2歯車32と、第2歯車32
と同軸に固定された第3歯車34と、第3歯車34と噛
み合う第4歯車36と、第4歯車36と同軸に固定され
た第5歯車38と、第5歯車38と噛み合う状態で駆動
モータ40の出力軸42に固定された第6歯車44とを
金属製の枠部材28内にそれぞれ回転可能に備えている
。上記第1歯車30は、枠部材28に嵌め着けられた樹
脂製の軸受46を貫通した送りねじ48の一端部に固定
されている。これにより、送りねじ48と駆動モータ4
0とが作動的に連結され、駆動モータ40により送りね
じ48が回転駆動されるようになっている。なお、上記
駆動モータ40は、枠部材28に固定されている。
に、断面り字形の樹脂製の支持プレート24がねじ部材
23により減速ギアユニット22に固定されており、そ
の−面から突き出す一対のブラケット26(一方のみ図
示)がねじ部材25によりハウジング10の相対向する
側壁18に固着されている。減速ギアユニット22は、
第1歯車30と噛み合う第2歯車32と、第2歯車32
と同軸に固定された第3歯車34と、第3歯車34と噛
み合う第4歯車36と、第4歯車36と同軸に固定され
た第5歯車38と、第5歯車38と噛み合う状態で駆動
モータ40の出力軸42に固定された第6歯車44とを
金属製の枠部材28内にそれぞれ回転可能に備えている
。上記第1歯車30は、枠部材28に嵌め着けられた樹
脂製の軸受46を貫通した送りねじ48の一端部に固定
されている。これにより、送りねじ48と駆動モータ4
0とが作動的に連結され、駆動モータ40により送りね
じ48が回転駆動されるようになっている。なお、上記
駆動モータ40は、枠部材28に固定されている。
ハウジング10の端部には、偏心軸受50を嵌め着ける
ための穴52が形成されており、前記送りねじ48の他
端部はその偏心軸受50により支持されている。これに
より送りねじ48は、回転可能な状態でハウジング10
の幅方向中央に位置させられている。この偏心軸受50
の回転位置が変更されることにより、偏心穴58に嵌合
された送りねじ48の他端部が第2図中上下および左右
方向に変位させられるようになっている。
ための穴52が形成されており、前記送りねじ48の他
端部はその偏心軸受50により支持されている。これに
より送りねじ48は、回転可能な状態でハウジング10
の幅方向中央に位置させられている。この偏心軸受50
の回転位置が変更されることにより、偏心穴58に嵌合
された送りねじ48の他端部が第2図中上下および左右
方向に変位させられるようになっている。
押圧装置66番よ、送りねじ48に螺合された螺合部材
68およびその螺合部材68の下側にダイヤフラム70
を介して固定された角筒状部材72とから構成されてい
る。そして、ダイアフラム70の中央部には、脈波セン
サ74が固定されている。上記螺合部材68とダイアフ
ラム70とによって圧力室76が形成されるので、この
圧力室76に図示しない圧力調節装置から所定の圧力が
供給されると、上記脈波センサ74が圧力室76の圧力
に応じた押圧力で生体の表面12に向かって押圧される
ようになっている。脈波センサ74の押圧面78には、
後述のように、半導体歪抵抗や感圧ダイオード等の複数
の圧力検出素子が配列された半導体基板が設けられてお
り、駆動モータ40により駆動されることにより脈波セ
ンサ74が動脈80の真上に位置させられるとともに、
動脈80の壁の一部が平坦になるように押圧された状態
で、動脈80から心拍に同期して発生する圧脈波が検出
されるようになっている。
68およびその螺合部材68の下側にダイヤフラム70
を介して固定された角筒状部材72とから構成されてい
る。そして、ダイアフラム70の中央部には、脈波セン
サ74が固定されている。上記螺合部材68とダイアフ
ラム70とによって圧力室76が形成されるので、この
圧力室76に図示しない圧力調節装置から所定の圧力が
供給されると、上記脈波センサ74が圧力室76の圧力
に応じた押圧力で生体の表面12に向かって押圧される
ようになっている。脈波センサ74の押圧面78には、
後述のように、半導体歪抵抗や感圧ダイオード等の複数
の圧力検出素子が配列された半導体基板が設けられてお
り、駆動モータ40により駆動されることにより脈波セ
ンサ74が動脈80の真上に位置させられるとともに、
動脈80の壁の一部が平坦になるように押圧された状態
で、動脈80から心拍に同期して発生する圧脈波が検出
されるようになっている。
上記脈波センサ74は、第1図に詳しく示すように、導
体が積層配線され且つ裏面に増幅用IC82およびマル
チプレクサ用IC84などが固着されてケース部材86
の開口に嵌め着けられたセラミック基板88と、セラ果
ツク或いは樹脂などの電気的絶縁材料から構成され且つ
スルーホールなどによって表裏に配線されてセラミック
基板88に重ねた状態でケース部材86の開口に嵌め着
けられた支持プレート90と、その支持プレート90の
中央部に固着されることにより支持されているセンサ本
体92とを備えている。このセンサ本体92は、第3図
の斜視図にも示すように、比較的剛性の高い材料から構
成されているバックアツプ板96と、このバックアツプ
板96の表面に接着された半導体基板98とから構成さ
れている。
体が積層配線され且つ裏面に増幅用IC82およびマル
チプレクサ用IC84などが固着されてケース部材86
の開口に嵌め着けられたセラミック基板88と、セラ果
ツク或いは樹脂などの電気的絶縁材料から構成され且つ
スルーホールなどによって表裏に配線されてセラミック
基板88に重ねた状態でケース部材86の開口に嵌め着
けられた支持プレート90と、その支持プレート90の
中央部に固着されることにより支持されているセンサ本
体92とを備えている。このセンサ本体92は、第3図
の斜視図にも示すように、比較的剛性の高い材料から構
成されているバックアツプ板96と、このバックアツプ
板96の表面に接着された半導体基板98とから構成さ
れている。
上記バックアツプ板96と半導体基板9日とは、エポキ
シ樹脂或いはシリコンゴムなどにより好適に接着される
。上記バックアツプ板96は、石英ガラス製或いは半導
体基板98と同じ半導体製の厚内板などが用いられる。
シ樹脂或いはシリコンゴムなどにより好適に接着される
。上記バックアツプ板96は、石英ガラス製或いは半導
体基板98と同じ半導体製の厚内板などが用いられる。
なお、熱膨張差の影響を除去するためには、半導体基板
98と同じ半導体製のバックアツプ板96の上にシリコ
ンゴムを用いて半導体基板98を接着するのが最も好ま
しい組み合わせである。
98と同じ半導体製のバックアツプ板96の上にシリコ
ンゴムを用いて半導体基板98を接着するのが最も好ま
しい組み合わせである。
本実施例では、半導体基板98はシリコン単結晶板であ
り、第3図に示すように、その中央部には、接触圧を検
知するための複数の感圧素子100が一方向に沿って配
列されている。本実施例の脈波検出装置は、上記感圧素
子100が動脈80の真上に位置し且つそれらの配列方
向が動脈80と直交する姿勢で、脈波センサ74が押圧
されるようになっている。500μm乃至1500um
の厚みとされることにより剛性が高められているバック
アツプ板96には、支持プレート90およびセラもツク
基板88の中央穴を通して半導体基板98の裏面(非押
圧側の面)に大気圧を導くための貫通穴102が設けら
れている。半導体基板98は、3005クロン程度の厚
みを備えており、その裏面に長手状の凹陥部が形成され
ることにより、厚みが数乃至十数ξクロンの薄肉部10
6が形成されている。第4図に示すように、上記薄肉部
106には、半導体基板98の厚みよりも低い高さを備
え且つ上記長手状の凹陥部を横断する突条108が一定
の間隔で複数本形成され、上記薄肉部106の突条10
8の間に位置する部分において前記感圧素子100が複
数設けられているのである。
り、第3図に示すように、その中央部には、接触圧を検
知するための複数の感圧素子100が一方向に沿って配
列されている。本実施例の脈波検出装置は、上記感圧素
子100が動脈80の真上に位置し且つそれらの配列方
向が動脈80と直交する姿勢で、脈波センサ74が押圧
されるようになっている。500μm乃至1500um
の厚みとされることにより剛性が高められているバック
アツプ板96には、支持プレート90およびセラもツク
基板88の中央穴を通して半導体基板98の裏面(非押
圧側の面)に大気圧を導くための貫通穴102が設けら
れている。半導体基板98は、3005クロン程度の厚
みを備えており、その裏面に長手状の凹陥部が形成され
ることにより、厚みが数乃至十数ξクロンの薄肉部10
6が形成されている。第4図に示すように、上記薄肉部
106には、半導体基板98の厚みよりも低い高さを備
え且つ上記長手状の凹陥部を横断する突条108が一定
の間隔で複数本形成され、上記薄肉部106の突条10
8の間に位置する部分において前記感圧素子100が複
数設けられているのである。
上記突条10Bの高さは、クロストークを防止するため
に適宜決定される。
に適宜決定される。
第4図は、半導体基板98の押圧面を正面から見た図で
あり、上記突条108の間の薄肉部106に配設されて
いる感圧素子100の構成を示している。図においては
1つの感圧素子100についての配置および接続構造が
示されている。4つの歪抵抗素子110a、110b、
110c、110dは、たとえば所定の不純物の拡散或
いは注入などの良く知られた半導体製造手法を用いて形
成されている。また、上記4つの歪抵抗素子11Oa、
110b、110C1110dの電橋を構成するための
導体112a、112b、112c、112dも、所定
の不純物の拡散或いは注入などの良く知られた半導体製
造手法を用いて形成されている。上記歪抵抗素子110
a、110b、110c、110dおよび導体112a
、112b、112c、112dにより構成された電橋
は、それが配設されている薄肉部106に加えられた歪
に対応した電気信号を発生するので、1つの感圧素子1
00を構成しているのである。なお、上記歪抵抗素子1
10a、110b、110c、110dおよび導体11
2a、、112b、112c。
あり、上記突条108の間の薄肉部106に配設されて
いる感圧素子100の構成を示している。図においては
1つの感圧素子100についての配置および接続構造が
示されている。4つの歪抵抗素子110a、110b、
110c、110dは、たとえば所定の不純物の拡散或
いは注入などの良く知られた半導体製造手法を用いて形
成されている。また、上記4つの歪抵抗素子11Oa、
110b、110C1110dの電橋を構成するための
導体112a、112b、112c、112dも、所定
の不純物の拡散或いは注入などの良く知られた半導体製
造手法を用いて形成されている。上記歪抵抗素子110
a、110b、110c、110dおよび導体112a
、112b、112c、112dにより構成された電橋
は、それが配設されている薄肉部106に加えられた歪
に対応した電気信号を発生するので、1つの感圧素子1
00を構成しているのである。なお、上記歪抵抗素子1
10a、110b、110c、110dおよび導体11
2a、、112b、112c。
112dは、半導体基板98の不純物濃度を局所的に高
めることにより構成されているので、通常は目視できな
い。
めることにより構成されているので、通常は目視できな
い。
第1図に戻って、前記増幅用IC82およびマルチプレ
クサ用IC84とセラミック基板88との間、セラミッ
ク基板88と支持プレート90との間、および半導体基
板98と支持プレー)90との間は、ボンディングワイ
ヤ114によって相互に接続されている。そして、上記
半導体基板98の上には、エポキシ樹脂やシリコン樹脂
などにより構威された絶縁保護層116がコーティング
されることにより、ボンディングワイヤ114の接続部
分が保護されている。また、その絶縁保護層116の上
には、導電性シリコンゴムから成るシールド層11Bが
全面的にコーティングされることにより、前記感圧素子
100が静電シールドされている。このシールド層11
Bは、接地されているケース部材86と銅箔120を介
して接続されることにより接地電位とされているのであ
る。
クサ用IC84とセラミック基板88との間、セラミッ
ク基板88と支持プレート90との間、および半導体基
板98と支持プレー)90との間は、ボンディングワイ
ヤ114によって相互に接続されている。そして、上記
半導体基板98の上には、エポキシ樹脂やシリコン樹脂
などにより構威された絶縁保護層116がコーティング
されることにより、ボンディングワイヤ114の接続部
分が保護されている。また、その絶縁保護層116の上
には、導電性シリコンゴムから成るシールド層11Bが
全面的にコーティングされることにより、前記感圧素子
100が静電シールドされている。このシールド層11
Bは、接地されているケース部材86と銅箔120を介
して接続されることにより接地電位とされているのであ
る。
上記シールド層11Bは、たとえば20Ω/ cm ”
程度のシート抵抗値を備えたものである。また、絶縁保
護層116およびシールド層118の厚みは半導体基板
9日上において200μ以下であるので、圧力検出に支
障が出ないようになっている。
程度のシート抵抗値を備えたものである。また、絶縁保
護層116およびシールド層118の厚みは半導体基板
9日上において200μ以下であるので、圧力検出に支
障が出ないようになっている。
以上のように構威さ、れた脈波検出装置が生体の動脈8
0上に装着され、図示しない起動操作釦が操作されると
、図示しない制御回路が押圧装置66を制御して、動脈
80に平坦部が形成される程度にか脈波センサ74を押
圧させ且つその状態を維持する。そして、この状態で動
脈80から発生する圧脈波が感圧素子100により検出
されるとともに、図示しない測定回路において、最適位
置に位置する感圧素子100から出力される圧力信号に
基づいて動脈80内の血圧が決定されるのである。
0上に装着され、図示しない起動操作釦が操作されると
、図示しない制御回路が押圧装置66を制御して、動脈
80に平坦部が形成される程度にか脈波センサ74を押
圧させ且つその状態を維持する。そして、この状態で動
脈80から発生する圧脈波が感圧素子100により検出
されるとともに、図示しない測定回路において、最適位
置に位置する感圧素子100から出力される圧力信号に
基づいて動脈80内の血圧が決定されるのである。
本実施例においては、前述のように、半導体基板98が
シールド層118によって静電シールドされているので
、生体の表面12に押圧されている状態において、生体
の静電気が発生しても、圧力信号波形に急激なオフセッ
ト変化が発生したり或いは外来光に感応して圧力信号が
変動することが好適に防止される。シールド層118が
設けられていない状態において、静電気が加えられると
、何故に圧力信号のオフセット変化や光感応現象が発生
するかは、MOSFETと類似の効果であろうと推定さ
れるが、正確には不明である。しかし、本発明者等の実
験によれば、シールド層118が設けられていない従来
の構造の脈波センサに対して、−20kVの静電気を5
0mm1隔した電極から付与することにより、生体の表
面12に押圧されていたときと同様の圧力信号波形のオ
フセット変化および光感応現象を再現できた。そして、
前述の実施例のようにシールド層118が設けられてい
る脈波センサ74に対して同様の実験をしたところ、上
記圧力信号波形のオフセット変化および光感応現象は見
られなかったのである。
シールド層118によって静電シールドされているので
、生体の表面12に押圧されている状態において、生体
の静電気が発生しても、圧力信号波形に急激なオフセッ
ト変化が発生したり或いは外来光に感応して圧力信号が
変動することが好適に防止される。シールド層118が
設けられていない状態において、静電気が加えられると
、何故に圧力信号のオフセット変化や光感応現象が発生
するかは、MOSFETと類似の効果であろうと推定さ
れるが、正確には不明である。しかし、本発明者等の実
験によれば、シールド層118が設けられていない従来
の構造の脈波センサに対して、−20kVの静電気を5
0mm1隔した電極から付与することにより、生体の表
面12に押圧されていたときと同様の圧力信号波形のオ
フセット変化および光感応現象を再現できた。そして、
前述の実施例のようにシールド層118が設けられてい
る脈波センサ74に対して同様の実験をしたところ、上
記圧力信号波形のオフセット変化および光感応現象は見
られなかったのである。
以上、本発明の一実施例を図面に基づいて説明したが、
本発明はその他の態様においても適用される。
本発明はその他の態様においても適用される。
たとえば、前述の実施例においては、導電性シリコンゴ
ムにより成るシールド層118によって半導体基板98
の押圧面側が静電シールドされていたが、前記銅箔12
0に電気的に接続されて金属薄膜や導電性プラスチック
シートが前記絶縁層glJiil16の表面或いは内部
に固着されていてもよいのである。上記金属薄膜や導電
性プラスチックシートの材質、硬さ、厚みは、圧力検出
に支障がないように決定される。
ムにより成るシールド層118によって半導体基板98
の押圧面側が静電シールドされていたが、前記銅箔12
0に電気的に接続されて金属薄膜や導電性プラスチック
シートが前記絶縁層glJiil16の表面或いは内部
に固着されていてもよいのである。上記金属薄膜や導電
性プラスチックシートの材質、硬さ、厚みは、圧力検出
に支障がないように決定される。
また、半導体基板98自体の押圧面に、チタン、クロム
などの導電性薄膜を2酸化シリコンや窒化膜のような絶
縁層を介して形成し、その導電性薄膜を接地電位とする
ことにより、静電シールドが行われてもよいのである。
などの導電性薄膜を2酸化シリコンや窒化膜のような絶
縁層を介して形成し、その導電性薄膜を接地電位とする
ことにより、静電シールドが行われてもよいのである。
この場合には、半導体基板98の押圧面全体ではなく、
ボンディングワイヤ114をボンディングするためのパ
ッドを除いて導電性薄膜が形成される必要があるが、少
なくとも前記感圧素子100が覆われるように形成され
ればよいのである。上記導電性薄膜の材質、厚みも、圧
力検出に支障がないように決定される。
ボンディングワイヤ114をボンディングするためのパ
ッドを除いて導電性薄膜が形成される必要があるが、少
なくとも前記感圧素子100が覆われるように形成され
ればよいのである。上記導電性薄膜の材質、厚みも、圧
力検出に支障がないように決定される。
なお、上述したのはあくまでも本発明の一実施例であり
、本発明はその目的を逸脱しない範囲で種々変更が加え
られ得るものである。
、本発明はその目的を逸脱しない範囲で種々変更が加え
られ得るものである。
第1図は、第2図の脈波センサを詳しく示す断面図であ
る。第2図は、本発明の一実施例の脈波検出装置を示す
縦断面を示す図である。第3図は、第2図の脈波センサ
に含まれるセンサ本体を示す斜視図である。第4図は、
第3図の半導体基板の−面に設けられる感圧素子の構造
を説明する図である。 8 :半導体基板 00 :感圧素子 118:シールド層
る。第2図は、本発明の一実施例の脈波検出装置を示す
縦断面を示す図である。第3図は、第2図の脈波センサ
に含まれるセンサ本体を示す斜視図である。第4図は、
第3図の半導体基板の−面に設けられる感圧素子の構造
を説明する図である。 8 :半導体基板 00 :感圧素子 118:シールド層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 感圧素子が一面に形成された半導体基板を備え、該半導
体基板の一面を生体の皮膚に押圧することにより、該皮
膚下に位置する動脈から発生する圧脈波を検出する脈波
検出装置において、 導電性材料から成るシールド層を前記半導体基板の一面
に設けたことを特徴とする脈波検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32684489A JPH03186247A (ja) | 1989-12-16 | 1989-12-16 | 脈波検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32684489A JPH03186247A (ja) | 1989-12-16 | 1989-12-16 | 脈波検出装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03186247A true JPH03186247A (ja) | 1991-08-14 |
Family
ID=18192346
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32684489A Pending JPH03186247A (ja) | 1989-12-16 | 1989-12-16 | 脈波検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03186247A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0649629A3 (en) * | 1993-10-26 | 1997-07-23 | Colin Corp | Pulse wave sensor. |
JP2010535574A (ja) * | 2007-08-07 | 2010-11-25 | カウンシル オブ サイエンティフィック アンド インダストリアル リサーチ | 動脈のナンディパルス波形の定量的検出に有用な非侵襲装置「ナンディ・トラジーニ」 |
WO2017187710A1 (ja) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 太陽誘電株式会社 | 振動波形センサ及び脈波検出装置 |
CN107920755A (zh) * | 2015-08-24 | 2018-04-17 | 欧姆龙健康医疗事业株式会社 | 脉搏波测定装置 |
EP3320835A4 (en) * | 2015-08-24 | 2019-02-27 | Omron Healthcare Co., Ltd. | PULSE PRESSURE WAVE SENSOR, AND DEVICE FOR MEASURING BIOLOGICAL INFORMATION |
-
1989
- 1989-12-16 JP JP32684489A patent/JPH03186247A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0649629A3 (en) * | 1993-10-26 | 1997-07-23 | Colin Corp | Pulse wave sensor. |
JP2010535574A (ja) * | 2007-08-07 | 2010-11-25 | カウンシル オブ サイエンティフィック アンド インダストリアル リサーチ | 動脈のナンディパルス波形の定量的検出に有用な非侵襲装置「ナンディ・トラジーニ」 |
CN107920755A (zh) * | 2015-08-24 | 2018-04-17 | 欧姆龙健康医疗事业株式会社 | 脉搏波测定装置 |
EP3320835A4 (en) * | 2015-08-24 | 2019-02-27 | Omron Healthcare Co., Ltd. | PULSE PRESSURE WAVE SENSOR, AND DEVICE FOR MEASURING BIOLOGICAL INFORMATION |
EP3320834A4 (en) * | 2015-08-24 | 2019-03-27 | Omron Healthcare Co., Ltd. | PULSE WAVE MEASURING DEVICE |
CN107920755B (zh) * | 2015-08-24 | 2021-08-31 | 欧姆龙健康医疗事业株式会社 | 脉搏波测定装置 |
US11344207B2 (en) | 2015-08-24 | 2022-05-31 | Omron Healthcare Co., Ltd. | Pressure pulse wave sensor and biological information measurement device |
WO2017187710A1 (ja) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 太陽誘電株式会社 | 振動波形センサ及び脈波検出装置 |
US11395600B2 (en) | 2016-04-28 | 2022-07-26 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Vibration waveform sensor and pulse wave detection device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
USRE32180E (en) | Composite sheets constituting electromechanical transducers and transducers equipped with such sheets | |
JP2798764B2 (ja) | 半導体圧脈波センサ | |
JP3342129B2 (ja) | 圧脈波センサ | |
EP1107696B1 (en) | Thin film piezoelectric polymer sensor | |
JP3039934B2 (ja) | 圧脈波検出装置 | |
US5179956A (en) | Contact pressure sensor | |
US6937736B2 (en) | Acoustic sensor using curved piezoelectric film | |
US4503705A (en) | Flexible force sensor | |
US6491642B1 (en) | Pyro/piezo sensor | |
US6254545B1 (en) | Pyro/piezo sensor | |
JPH0583854B2 (ja) | ||
CA2482043A1 (en) | Piezoelectric vibration sensor | |
JPH03186247A (ja) | 脈波検出装置 | |
JP2863281B2 (ja) | 接触圧センサ | |
JPH0349733A (ja) | 圧脈波検出装置 | |
JP2524518B2 (ja) | 加速度センサ | |
JPS61259174A (ja) | 力学量センサ | |
JP3064354B2 (ja) | 接触圧センサ | |
JPS5813319Y2 (ja) | 感圧センサ− | |
WO2017033667A1 (ja) | 脈波測定装置 | |
JPH0754277B2 (ja) | 圧電型圧力分布センサ | |
JP3212166B2 (ja) | 計量装置のロードセル | |
JPH02309224A (ja) | 圧電型圧力分布センサ | |
JPH071210B2 (ja) | 圧電型圧力分布センサ | |
JP3079966B2 (ja) | 加速度センサ |