JPH03170073A - Hall element current detecting device - Google Patents
Hall element current detecting deviceInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
A.産業上の利用分野
本発明は、ホール素子電流検出器の検出出力を増幅し、
電流検出信号として出力するホール素子電流検出装置に
係わり、特に温度変化に伴う電流検出信号の変動を補償
するものに関する。[Detailed Description of the Invention] A. Industrial Application Field The present invention amplifies the detection output of a Hall element current detector,
The present invention relates to a Hall element current detection device that outputs a current detection signal, and particularly to one that compensates for fluctuations in the current detection signal due to temperature changes.
B.発明の概要
本発明のホール素子電流検出装置は、ホール素子電流検
出器のバイアス電流入力端の電圧とオフセット基準電圧
との偏差を電圧変化検出回路で求め、この電圧変化検出
回路の出力に所定の補正係数を乗じ、その電圧を第2段
増幅回路の第2段オフセット基準電圧とすることにより
、電流検出信号を補正することとしている。B. Summary of the Invention The Hall element current detection device of the present invention uses a voltage change detection circuit to determine the deviation between the voltage at the bias current input terminal of the Hall element current detector and an offset reference voltage, and outputs a predetermined value to the output of the voltage change detection circuit. The current detection signal is corrected by multiplying it by a correction coefficient and using the resulting voltage as the second-stage offset reference voltage of the second-stage amplifier circuit.
そして、初期設定の際の温度下で電圧変化検出回路のオ
フセット基準電圧を設定すると共に、その温度と異なる
温度下で補正係数を設定することにより、直流オフセッ
トと同一の温度特性を有する第2段オフセット基準電圧
を生成し、これによって温度特性補償を可能とするもの
である。By setting the offset reference voltage of the voltage change detection circuit under the initial setting temperature and setting the correction coefficient under a temperature different from that temperature, the second stage has the same temperature characteristics as the DC offset. This generates an offset reference voltage, thereby making it possible to compensate for temperature characteristics.
C.従来の技術
一般に、電流を検出する磁気センサには、ホール素子電
流検出装置がある。C. 2. Description of the Related Art In general, magnetic sensors that detect current include a Hall element current detection device.
第3図は、ホール素子電流検出装置の構成を示す。この
検出装置は、ホール素子lおよびフエライトコア2から
なる磁気回路と、磁束密度測定回路3とからなる。フエ
ライトコア2の磁気ギャップにおける磁束密度を検出す
ることによって、対象となる電流を検出するものである
。FIG. 3 shows the configuration of the Hall element current detection device. This detection device consists of a magnetic circuit consisting of a Hall element 1 and a ferrite core 2, and a magnetic flux density measuring circuit 3. By detecting the magnetic flux density in the magnetic gap of the ferrite core 2, the target current is detected.
この電流検出装置では、ホール素子の温度特性などによ
り電流検出信号に直流オフセットが生じたり、ゲインが
変化したりする。In this current detection device, a DC offset occurs in the current detection signal or the gain changes due to the temperature characteristics of the Hall element.
たとえばインバータの電流制御回路において、このよう
に直流オフセットがある電流検出装置を使用した場合、
出力電流に直流電流成分が重畳されるため、出力周波数
のトルクリップルが生じることが知られている(電学論
D.107巻2号,昭62.183頁)。For example, when using a current detection device with a DC offset like this in an inverter's current control circuit,
It is known that a torque ripple in the output frequency occurs because a DC current component is superimposed on the output current (D. vol. 107, No. 2, p. 183, 1983).
このため、従来、インバータによるモータの制御におい
ては、モータ停止中の電流が流れていないときに電流検
出器の出力を読み、この結果に基づいてオフセットの調
整を行っている。For this reason, conventionally, when controlling a motor using an inverter, the output of a current detector is read when the motor is stopped and no current is flowing, and the offset is adjusted based on this result.
D.発明が解決しようとする課題
しかし、この手法では、温度変化に伴ってオフセットが
変動した場合、誤差が生ずるという問題点があった。D. Problems to be Solved by the Invention However, this method has a problem in that errors occur when the offset changes due to temperature changes.
電流検出装置のオフセ・ノトは、半導体に取り付けた端
子の機械的な位置のずれなどによって生ずるため、個々
のセンサによって温度特性が異なる。Offset notes in current detection devices are caused by mechanical misalignment of terminals attached to semiconductors, so the temperature characteristics vary depending on the individual sensor.
それゆえ、温度変化によるオフセットの変動を補償する
ことは、極めて困難であった。Therefore, it has been extremely difficult to compensate for variations in offset due to temperature changes.
本発明は、このような問題点に鑑み、容易かつ正確に温
度変化によるオフセットの変動を補償できるホール素子
電流検出装置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION In view of these problems, it is an object of the present invention to provide a Hall element current detection device that can easily and accurately compensate for offset fluctuations due to temperature changes.
E.課題を解決するための手段および作用ホール素子電
流検出器のバイアス電流入力端の電圧は、温度変化に伴
って変動する。これは、温度変化による定電流源からの
バイアス電流の変動や、ホール素子電流検出器の内部抵
抗の変動に起因する。E. SUMMARY OF THE INVENTION The voltage at the bias current input of a Hall element current detector varies with temperature changes. This is due to variations in the bias current from the constant current source due to temperature changes and variations in the internal resistance of the Hall element current detector.
本発明は、このバイアス電流入力端の電圧変化を検出し
、検出結果に基づいてオフセットを調整するものであり
、このための手段として、本発明に係るホール素子電流
検出装置は、次のものを備えている。The present invention detects this voltage change at the bias current input terminal and adjusts the offset based on the detection result. As a means for this purpose, the Hall element current detection device according to the present invention includes the following: We are prepared.
■ ホール素子電流検出器のバイアス電流入力端の電圧
を検出し、この検出値とオフセット基準電圧との偏差分
を積分して変化分電圧として出力する電圧変化検出回路
。■ A voltage change detection circuit that detects the voltage at the bias current input terminal of the Hall element current detector, integrates the deviation between this detected value and the offset reference voltage, and outputs it as a changed voltage.
■ 前記の温度下で被検出物が無電流の際に、この電圧
変化検出回路が無出力となるように、電圧変化検出回路
のオフセット基準電圧を設定するためのオフセット設定
部。(2) An offset setting section for setting the offset reference voltage of the voltage change detection circuit so that the voltage change detection circuit has no output when the object to be detected has no current at the above temperature.
■ 電圧変化検出回路の出力に所定の補正係数を乗じた
うえで、第2段増幅回路に対する第2段オフセット基準
電圧として出力する第2段オフセ,ト発生回路。(2) A second-stage offset generation circuit that multiplies the output of the voltage change detection circuit by a predetermined correction coefficient and then outputs the result as a second-stage offset reference voltage to the second-stage amplifier circuit.
■ 前記の温度と異なる温度下で被検出物が無電流の際
に、第2段増幅回路が無出力となるように、前記補正係
数を設定するための補正係数設定部。(2) A correction coefficient setting section for setting the correction coefficient so that the second stage amplifier circuit has no output when the detected object has no current at a temperature different from the above temperature.
この装置では、電圧変化検出回路により、バイアス電流
入力端の電圧とオフセット基準電圧との偏差をとること
によって、バイアス電流入力端の電圧変化を検出する。In this device, a voltage change detection circuit detects a voltage change at the bias current input end by taking the deviation between the voltage at the bias current input end and an offset reference voltage.
このオフセット基準電圧は、オフセノトFIi電圧設定
部により、初期設定の際の温度下で、つまり第1段オフ
セット基準電圧や第2段増幅回路のゲインの設定の際の
温度下で、被検出物が無電流の際に電圧変化検出回路が
無出力となるように調整される。これによって電圧変化
検出回路は、初期設定の際の温度を基準としてバイアス
電流入力端の電圧変化を検出できる。This offset reference voltage is determined by the offset FIi voltage setting section under the temperature at which the detected object is set at the initial setting, that is, at the temperature at which the first stage offset reference voltage and the gain of the second stage amplifier circuit are set. The voltage change detection circuit is adjusted so that there is no output when there is no current. Thereby, the voltage change detection circuit can detect a voltage change at the bias current input terminal with reference to the temperature at the time of initial setting.
この電圧変化検出回路の出力は、第2段増幅回路の第2
段オフセット基準電圧の発生に使用される。つまり、第
2段オフセット基準電圧発生部により、電圧変化検出回
路の出力に補正係数を乗じることにより第2段オフセッ
ト基準電圧が生成される。The output of this voltage change detection circuit is the second output of the second stage amplifier circuit.
Used to generate a stage offset reference voltage. That is, the second stage offset reference voltage generation section generates the second stage offset reference voltage by multiplying the output of the voltage change detection circuit by the correction coefficient.
ここで、補正係数の設定は、次のようにして行う。まず
、初斯設定の際は、第2段増幅回路は無出力である。恒
温槽を利用するなどして、初斯設定の際と異なる温度下
に装置をおけば、第2段増幅回路は直流オフセット分の
出力を生ずる。バイアス電流入力端の電圧は、この直流
オフセットに比例する。Here, the correction coefficients are set as follows. First, at the time of initial setting, the second stage amplifier circuit has no output. If the device is placed at a temperature different from the initial setting, for example by using a constant temperature bath, the second stage amplifier circuit will generate an output corresponding to the DC offset. The voltage at the bias current input terminal is proportional to this DC offset.
したがって、この状態で、第2段増幅回路が無出力とな
るように、補正係数を調整して第2段オフセット電圧を
設定すれば、任意の温度における直流オフセットを補償
することが可能となる。Therefore, in this state, by adjusting the correction coefficient and setting the second stage offset voltage so that the second stage amplifier circuit has no output, it becomes possible to compensate for the DC offset at any temperature.
F.実施例 以下、図面を用いて、本発明の実施例を説明する。F. Example Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図は、本発明の一実施例に係るホール素子電流検出
装置を示す。FIG. 1 shows a Hall element current detection device according to an embodiment of the present invention.
定電流回路4は、ホール素子2に供給するための定電流
を発生するものであり、ツェナーダイオードDと、抵抗
R.,R,と、トランジスタTrとからなる。The constant current circuit 4 generates a constant current to be supplied to the Hall element 2, and includes a Zener diode D and a resistor R. , R, and a transistor Tr.
第1段増幅回路5は、ホール素子2の出力を増幅するも
のであり、アンプOP,と、そのゲインを決定する抵抗
R,〜R,とからなる。The first stage amplifier circuit 5 amplifies the output of the Hall element 2, and includes an amplifier OP and resistors R, .about.R, which determine the gain thereof.
第1段オフセット設定回路6は、第1段増幅回路5のオ
フセット基準電圧VOF+を設定するものであり、両端
に電圧Eと電圧一Eが印加された可変抵抗VR,と抵抗
R.とからなる。可変抵抗VR,を調整することによっ
て、正負にわたる電圧を発生することができる。The first stage offset setting circuit 6 sets the offset reference voltage VOF+ of the first stage amplifier circuit 5, and includes a variable resistor VR to which voltages E and -E are applied to both ends, and a resistor R. It consists of By adjusting the variable resistor VR, it is possible to generate voltages ranging from positive to negative.
第2段増幅回路7は、第1段増幅回路5の出力を増幅す
るためのものであり、アンプOP,と可変抵抗VR,と
抵抗R7とからなり、可変抵抗VR,によりゲイン調整
を行えるようになっている。The second stage amplifier circuit 7 is for amplifying the output of the first stage amplifier circuit 5, and is composed of an amplifier OP, a variable resistor VR, and a resistor R7, and is configured to adjust the gain by the variable resistor VR. It has become.
第2段オフセット発生回路8は、ホール素子2の定電流
入力端の電圧VfNから第2段増幅回路7のオフセット
基準電圧■。F!を発生するためのものである。この回
路8は、アンプOP,、抵抗R s+R.およびコンデ
ンサC,からなるローパスフィルタ回路と、アンプOP
4およびコンデンサC!,C,からなる反転回路と、抵
抗R 1Gおよび可変抵抗VR,からなる抵抗回路とか
らなる。出力端子CPは、反転回路の出力電圧を外部に
出力するためのものである。The second stage offset generation circuit 8 generates an offset reference voltage (2) of the second stage amplifier circuit 7 from the voltage VfN at the constant current input terminal of the Hall element 2. F! It is intended to generate. This circuit 8 includes an amplifier OP, a resistor Rs+R. and a low-pass filter circuit consisting of a capacitor C, and an amplifier OP.
4 and capacitor C! , C, and a resistance circuit consisting of a resistor R1G and a variable resistor VR. The output terminal CP is for outputting the output voltage of the inverting circuit to the outside.
フィルタ9は出力短絡保護用のものであり、抵抗RIl
+Rl1とコンデンサC4とからなる。出力端子Oは、
フィルタ9を介して第2段増幅回路7の出力電圧を外部
に出力するためのものである。Filter 9 is for output short circuit protection, and resistor RIl
+Rl1 and a capacitor C4. The output terminal O is
This is for outputting the output voltage of the second stage amplifier circuit 7 to the outside via the filter 9.
次に、この装置の動作を説明する。Next, the operation of this device will be explained.
第2図は、ホール素子2のバイアス電圧■7の温度変化
を示す。FIG. 2 shows the change in bias voltage (7) of the Hall element 2 with temperature.
ホール素子2の内部抵抗の温度による変化率は、第2図
中(a)で示すように、たとえばGaAsホール素子の
場合、0.3%/℃程度である。第2図中(b)で示す
ように、定電流回路4の変化率が0.06%/”C程度
であるとすると、ホール素子2のバイアス電流入力端の
電圧vTの変化率は、第2図中(C)で示すように、0
.36%/℃程度となる。したがって電圧vTを検出す
れば、ホール素子2の温度を検出することができる。As shown in FIG. 2(a), the rate of change in internal resistance of the Hall element 2 due to temperature is, for example, about 0.3%/°C in the case of a GaAs Hall element. As shown in FIG. 2(b), if the rate of change of the constant current circuit 4 is approximately 0.06%/''C, the rate of change of the voltage vT at the bias current input terminal of the Hall element 2 is As shown in (C) in Figure 2, 0
.. It is about 36%/℃. Therefore, by detecting the voltage vT, the temperature of the Hall element 2 can be detected.
低温時に可変抵抗VR,を調整し、出力端子C?の電圧
VCPをOとする。これにより、電圧VCPは、調整時
の温度を基準とした温度の変化分を示すものとなる。When the temperature is low, adjust the variable resistor VR, and output terminal C? Assume that the voltage VCP is O. Thereby, the voltage VCP indicates the amount of change in temperature based on the temperature at the time of adjustment.
次に、ホール素子2を高温にすると、温度変化による直
流オフセットが出力端子Oに現れる。可変抵抗VR.を
調整して第2段オフセット基準電圧V。■を調整するこ
とにより、出力端子0の出力電圧V。lJ.rがOとな
るようにする。Next, when the Hall element 2 is heated to a high temperature, a DC offset appears at the output terminal O due to the temperature change. Variable resistance VR. Adjust the second stage offset reference voltage V. (2) By adjusting the output voltage V of output terminal 0. lJ. Let r be O.
このとき、直流オフセットの温度特性が正負のいずれで
あっても対処できるように、第2段オフセット基準電圧
V。■はーV。P<Vo■< V cp’) 範囲で調
整できるようになっている。At this time, the second stage offset reference voltage V is set so that the temperature characteristic of the DC offset is positive or negative. ■Ha-V. It can be adjusted within the range of P<Vo■<V cp').
このようにして調整された第2段オフセット基準電圧V
。■は、直流オフセットと同一の温度特性で変化するの
で、温度に拘わらず、直流オフセットを補償することが
可能となる。The second stage offset reference voltage V adjusted in this way
. (2) changes with the same temperature characteristics as the DC offset, so it is possible to compensate for the DC offset regardless of the temperature.
次に、この装置の調整手順を説明する。Next, the adjustment procedure for this device will be explained.
まず、フエライトコアI (第3図参照)を消磁し、約
30分放置して哨磁の際の発熱を逃し、CT部(フエラ
イトコア1およびホール素子2)を室温に戻す。次に、
CT部を磁性体の箱に入れ、地磁気などの影響を小さく
する。First, the ferrite core I (see FIG. 3) is demagnetized and left for about 30 minutes to release the heat generated during magnetic sentry, and the CT section (ferrite core 1 and Hall element 2) is returned to room temperature. next,
The CT section is placed in a magnetic box to reduce the effects of earth's magnetic field.
そして電源を投入した後、可変抵抗VR,を調整し、出
力端子CPの電圧vcpをOとする。さらに、可変抵抗
VR,を調整して第1段オフセット基準電圧Vor+を
設定し、出力端子Oの電圧V。urをOとする。After turning on the power, the variable resistor VR is adjusted to set the voltage vcp of the output terminal CP to O. Further, the variable resistor VR is adjusted to set the first stage offset reference voltage Vor+, and the voltage V at the output terminal O is set. Let ur be O.
次に、検出対象の電流を流したうえで、可変抵抗VR,
を調整してゲインを調整する。Next, after passing the current to be detected, variable resistor VR,
Adjust the gain.
この後、CT部を恒温槽に入れるなどして、高温に、た
とえば60゜C程度にする。そしてCT部を磁性体の箱
に入れ、消磁する。さらに、可変抵抗VR,を調整して
電圧V。UfをOにする。Thereafter, the CT section is placed in a constant temperature bath and brought to a high temperature, for example, about 60°C. Then, the CT section is placed in a magnetic box and demagnetized. Furthermore, the voltage V is obtained by adjusting the variable resistor VR. Set Uf to O.
そしてゲインを確認を行い、所定の精度が得られれば、
調整を終了する。Then, check the gain, and if the specified accuracy is obtained,
Finish the adjustment.
G,発明の効果
以上説明したように、本発明によれば、初期設定の際の
温度を基準として電圧変化検出回路のオフセット基準電
圧を設定し、上記の温度と異なる温度を基準として第2
段オフセット基準電圧発生部の補正係数を設定すること
により、直流オフセットと同一の温度特性を有する第2
段オフセット基準電圧を得ることができる。G. Effects of the Invention As explained above, according to the present invention, the offset reference voltage of the voltage change detection circuit is set based on the temperature at the time of initial setting, and the offset reference voltage of the voltage change detection circuit is set based on the temperature different from the above temperature.
By setting the correction coefficient of the stage offset reference voltage generator, the second stage offset reference voltage generator having the same temperature characteristics as the DC offset
A stage offset reference voltage can be obtained.
したがって温度の変化によらず、直流オフセットを補償
することができ、正確な電流検出が可能となる。Therefore, DC offset can be compensated for regardless of temperature changes, and accurate current detection becomes possible.
第1図は本発明の実施例を示す回路図、第2図はバイア
ス電流入力端の電圧の変化率を示す説明図、第3図はホ
ール素子電流検出装置の説明図である。
2・・・ホール素子、4・・・定電流回路、5・・・第
1段増幅回路、6・・・第1段オフセット設定回路、7
・・・第2段増幅回路、8・・・第2段オフセット発生
回路。
第2図
バイアス電流λカ濁の宣圧d文イじ
第3図
ホーjレ素子電流,検出茨置
1FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an explanatory diagram showing a rate of change in voltage at a bias current input terminal, and FIG. 3 is an explanatory diagram of a Hall element current detection device. 2... Hall element, 4... Constant current circuit, 5... First stage amplifier circuit, 6... First stage offset setting circuit, 7
. . . 2nd stage amplifier circuit, 8 . . . 2nd stage offset generation circuit. Figure 2: Bias current λ cloudy declaration pressure Figure 3: Hole element current, detection thorn placement 1
Claims (1)
出するホール素子電流検出器と、このホール素子電流検
出器の出力と第1のオフセット基準電圧との偏差分を増
幅して出力する第1段増幅回路と、ある温度下で被検出
物が無電流の際に、第1段増幅回路が無出力となるよう
に、第1段オフセット基準電圧を設定するための第1段
オフセット設定部と、第1段増幅回路の出力を増幅し、
電流検出信号として外部に出力する第2段増幅回路と、
前記の温度下における第2段増幅回路の出力第2段増幅
回路のゲインを設定するためのゲイン設定部とを備えた
装置において、 ホール素子電流検出器のバイアス電流入力端の電圧を検
出し、この検出値とオフセット基準電圧との偏差分を積
分して変化分電圧として出力する電圧変化検出回路と、 前記の温度下で被検出物が無電流の際に、この電圧変化
検出回路が無出力となるように、電圧変化検出回路のオ
フセット基準電圧を設定するためのオフセット設定部と
、 電圧変化検出回路の出力に所定の補正係数を乗じたうえ
で、第2段増幅回路に対する第2段オフセット基準電圧
として出力する第2段オフセット発生回路と、 前記の温度と異なる温度下で被検出物が無電流の際に、
第2段増幅回路が無出力となるように、前記補正係数を
設定するための補正係数設定部とを設けたことを特徴と
するホール素子電流検出装置。(1) A Hall element current detector that operates with a constant current biased and detects the current to be detected, and amplifies and outputs the deviation between the output of this Hall element current detector and a first offset reference voltage. First-stage offset setting for setting the first-stage offset reference voltage so that the first-stage amplifier circuit and the first-stage amplifier circuit have no output when the detected object has no current at a certain temperature. and amplify the output of the first stage amplifier circuit,
a second stage amplifier circuit that outputs the current detection signal to the outside;
In the device comprising a gain setting unit for setting the output gain of the second stage amplifier circuit under the above-mentioned temperature, detecting the voltage at the bias current input terminal of the Hall element current detector; There is a voltage change detection circuit that integrates the deviation between this detected value and the offset reference voltage and outputs it as a changed voltage, and when the detected object has no current at the above temperature, this voltage change detection circuit outputs no output. An offset setting section for setting the offset reference voltage of the voltage change detection circuit, and a second stage offset for the second stage amplifier circuit after multiplying the output of the voltage change detection circuit by a predetermined correction coefficient. A second stage offset generation circuit outputs as a reference voltage, and when the detected object has no current at a temperature different from the above temperature,
A Hall element current detection device comprising: a correction coefficient setting section for setting the correction coefficient so that the second stage amplifier circuit has no output.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP1309691A JPH03170073A (en) | 1989-11-29 | 1989-11-29 | Hall element current detecting device |
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JP1309691A JPH03170073A (en) | 1989-11-29 | 1989-11-29 | Hall element current detecting device |
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