JPH03155128A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH03155128A JPH03155128A JP29461289A JP29461289A JPH03155128A JP H03155128 A JPH03155128 A JP H03155128A JP 29461289 A JP29461289 A JP 29461289A JP 29461289 A JP29461289 A JP 29461289A JP H03155128 A JPH03155128 A JP H03155128A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- titanium
- substrate
- oxide film
- semiconductor device
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 13
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 claims description 13
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置において、Ｓｉ基板上に選択的に
、チタンシリサイドを形成する方法に関する。
、チタンシリサイドを形成する方法に関する。
従来の半導体装置及びその絶縁膜形成工程は、絶縁膜を
形成後、フォトエッチによって開孔部を設は選択的にＳ
ｉ基板を露出させ、全面にチタンを被着し、熱処理によ
って該Ｓｉ基板上に選択的にチタンシリサイドを形成し
ていたが、これでは絶縁膜の膜質が不十分であり該絶縁
膜上に未反応なＳｉが残っているため、本来不要な、絶
縁膜上にもチタンシリサイドが形成されてしまった。
形成後、フォトエッチによって開孔部を設は選択的にＳ
ｉ基板を露出させ、全面にチタンを被着し、熱処理によ
って該Ｓｉ基板上に選択的にチタンシリサイドを形成し
ていたが、これでは絶縁膜の膜質が不十分であり該絶縁
膜上に未反応なＳｉが残っているため、本来不要な、絶
縁膜上にもチタンシリサイドが形成されてしまった。
（第３図）
この事を従来の工程を追って説明すると、まずＳｉ基板
３０１にＣＶＤ （気相成長法）によって酸化膜（Ｓｉ
０２）３０２を全面に形成し、フォトエッチによって開
孔部を設は選択的にＳｉ基板を露出させる。
３０１にＣＶＤ （気相成長法）によって酸化膜（Ｓｉ
０２）３０２を全面に形成し、フォトエッチによって開
孔部を設は選択的にＳｉ基板を露出させる。
さらに、チタンを全面にスパッタし、熱処理によって、
該Ｓｉ基板上にチタンシリサイド３０３酸化膜上にＴｉ
Ｎ（窒化チタン）を形成し、エツチングによってＴｉＮ
（窒化チタン）を取り除く。
該Ｓｉ基板上にチタンシリサイド３０３酸化膜上にＴｉ
Ｎ（窒化チタン）を形成し、エツチングによってＴｉＮ
（窒化チタン）を取り除く。
以上が従来の工程である。
しかし、前述の従来技術では、酸化膜の膜質が不十分で
あり、本来不要な酸化膜上にも、チタンシリサイドが形
成されてしまうという課題点があった。
あり、本来不要な酸化膜上にも、チタンシリサイドが形
成されてしまうという課題点があった。
そこで本発明はこのような課題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、酸化膜形成後、該酸化膜を酸素
プラズマで酸化することによってより良質な酸化膜を提
供するところにある。
の目的とするところは、酸化膜形成後、該酸化膜を酸素
プラズマで酸化することによってより良質な酸化膜を提
供するところにある。
本発明の半導体装置は
ａ１半導体基板上に絶縁膜を形成する工程とｂ、該絶縁
膜を、酸素プラズマ処理する工程と０１該絶縁膜に、フ
ォトエッチによって開孔部を設け、選択的にＳｉ基板を
露出させる工程とｄ、該絶縁膜上と該開孔部上にチタン
を被着する工程と ｅ１該チタン層を、熱処理することによって該Ｓｉ基板
上に選択的にチタンシリサイドを形成する工程を含むこ
とを特徴とする。
膜を、酸素プラズマ処理する工程と０１該絶縁膜に、フ
ォトエッチによって開孔部を設け、選択的にＳｉ基板を
露出させる工程とｄ、該絶縁膜上と該開孔部上にチタン
を被着する工程と ｅ１該チタン層を、熱処理することによって該Ｓｉ基板
上に選択的にチタンシリサイドを形成する工程を含むこ
とを特徴とする。
〔作 用〕
本発明の上記の構成によれば、絶縁膜を形成した後、該
絶縁膜を酸素プラズマ処理で酸化することによって、よ
り膜質の安定した半導体装置を構成できる。
絶縁膜を酸素プラズマ処理で酸化することによって、よ
り膜質の安定した半導体装置を構成できる。
本発明の半導体装置は、第１図に示される構造をしてい
る。
る。
１０１はＳｉ基板、１０２は絶縁膜の二酸化ケイ素（Ｓ
１０２） 、１０３はチタンシリサイドである。
１０２） 、１０３はチタンシリサイドである。
以下詳細は工程を追いながら説明していく。
（第２図（ａ）〜（ｆ））
まず、ＳＬ基板２０１の表面全体に絶縁膜としてＣＶＤ
（気相成長法）によって酸化膜（二酸化ケイ素）２０
２を２００Ａ形成する。（第２図（ａ）） 次いで、該酸化膜を酸素プラズマ処理２０３で酸化する
。（第２図（ｂ））このとき、酸素プラズマ処理は、酸
素の流量１１００５ＣＣＯ，２５ｔｏｒｒ ＲＦ：２
５０Ｗ １００℃ ３０秒の条件下で行なう。
（気相成長法）によって酸化膜（二酸化ケイ素）２０
２を２００Ａ形成する。（第２図（ａ）） 次いで、該酸化膜を酸素プラズマ処理２０３で酸化する
。（第２図（ｂ））このとき、酸素プラズマ処理は、酸
素の流量１１００５ＣＣＯ，２５ｔｏｒｒ ＲＦ：２
５０Ｗ １００℃ ３０秒の条件下で行なう。
こうして形成された、該酸化膜をフォトエッチによって
開孔部を設け、選択的にＳｉ基板を露出させる。（第２
図（Ｃ）） 続いて、アルゴン雰囲気中でスパッタリングを行ない、
全面にチタン膜２０４を得る。このとき、基板温度は３
００℃とし、膜厚６００へのチタン層を得る。（第２図
（ｄ）） 次に、該チタン層を窒素雰囲気中で８００℃、３０秒の
条件下で熱処理を行なうことによってＳｉ基板上のチタ
ン膜はチタンシリサイド２０５になり、このとき酸化膜
上のチタン膜はＴｉＮ （窒化チタン）２０６が形成さ
れる。（第２図（ｅ））さらに、アンモニアと過酸化水
素の混合液によって酸化膜上のＴｉＮ（窒化チタン）を
エツチングする。（第２図（ｆ）） 上述の工程を経て、できあがった本発明半導体装置は、
従来の半導体装置に比べると、酸化膜を形成した後、該
酸化膜を、酸素プラズマ処理により、酸化膜上未反応な
Ｓｔを酸化することができ、該酸化膜の膜質が安定する
ため、チタンシリサイドを形成する工程において、本来
不要な、酸化膜上にチタンシリサイドが形成されてしま
うことを防止することができ、Ｓｉ基板上のみにチタン
シリサイドを形成できる。
開孔部を設け、選択的にＳｉ基板を露出させる。（第２
図（Ｃ）） 続いて、アルゴン雰囲気中でスパッタリングを行ない、
全面にチタン膜２０４を得る。このとき、基板温度は３
００℃とし、膜厚６００へのチタン層を得る。（第２図
（ｄ）） 次に、該チタン層を窒素雰囲気中で８００℃、３０秒の
条件下で熱処理を行なうことによってＳｉ基板上のチタ
ン膜はチタンシリサイド２０５になり、このとき酸化膜
上のチタン膜はＴｉＮ （窒化チタン）２０６が形成さ
れる。（第２図（ｅ））さらに、アンモニアと過酸化水
素の混合液によって酸化膜上のＴｉＮ（窒化チタン）を
エツチングする。（第２図（ｆ）） 上述の工程を経て、できあがった本発明半導体装置は、
従来の半導体装置に比べると、酸化膜を形成した後、該
酸化膜を、酸素プラズマ処理により、酸化膜上未反応な
Ｓｔを酸化することができ、該酸化膜の膜質が安定する
ため、チタンシリサイドを形成する工程において、本来
不要な、酸化膜上にチタンシリサイドが形成されてしま
うことを防止することができ、Ｓｉ基板上のみにチタン
シリサイドを形成できる。
以上述べた、本発明によれば、従来の酸化膜に比べて、
該酸化膜を酸素プラズマ処理することによって、該酸化
膜の膜質を安定させ、本来不要な酸化膜上にチタンシリ
サイドが形成されてしまうことを防止することができ、
より信頼性のすぐれた半導体装置を提供できる。
該酸化膜を酸素プラズマ処理することによって、該酸化
膜の膜質を安定させ、本来不要な酸化膜上にチタンシリ
サイドが形成されてしまうことを防止することができ、
より信頼性のすぐれた半導体装置を提供できる。
第１図は、本発明の半導体装置を示す、主要断面図。
第２図（ａ）〜（ｆ）は、本発明の半導体装置の製造工
程の断面図。 第３図は、従来の半導体装置の断面図。 １０１．２０１． １０２．２０２． ２０３・ Φ −・ 中 ２０４ φ Φ 中 ・ ・ １０３．２０５． ２０６ ・ ・ ・ ・ ・ ３０１・Ｓｔ基板 ３０２・二酸化ケイ素 ・・・・酸素プラズマ ・・・・チタン ３０３・チタンシリサイド ・・・・窒化チタン 以上
程の断面図。 第３図は、従来の半導体装置の断面図。 １０１．２０１． １０２．２０２． ２０３・ Φ −・ 中 ２０４ φ Φ 中 ・ ・ １０３．２０５． ２０６ ・ ・ ・ ・ ・ ３０１・Ｓｔ基板 ３０２・二酸化ケイ素 ・・・・酸素プラズマ ・・・・チタン ３０３・チタンシリサイド ・・・・窒化チタン 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ａ）、半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、ｂ）、
該絶縁膜を、酸素プラズマ処理する工程と、 ｃ）、該絶縁膜に、フォトエッチによって開孔部を設け
、選択的にＳｉ基板を露出させる工程と、ｄ）、該絶縁
膜上と該開孔部上にチタンを被着する工程と、 ｅ）、該チタン層を、熱処理することによって該Ｓｉ基
板上に選択的にチタンシリサイドを形成する工程を含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29461289A JP2906489B2 (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29461289A JP2906489B2 (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03155128A true JPH03155128A (ja) | 1991-07-03 |
| JP2906489B2 JP2906489B2 (ja) | 1999-06-21 |
Family
ID=17810013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29461289A Expired - Lifetime JP2906489B2 (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2906489B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100391992B1 (ko) * | 2000-12-08 | 2003-07-22 | 삼성전자주식회사 | 저유전율 층간절연막을 가지는 반도체 장치 형성 방법 |
| KR100670744B1 (ko) * | 2000-06-30 | 2007-01-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 실리사이드막 형성 방법 |
| US8344378B2 (en) | 2009-06-26 | 2013-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor and method for manufacturing the same |
-
1989
- 1989-11-13 JP JP29461289A patent/JP2906489B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100670744B1 (ko) * | 2000-06-30 | 2007-01-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 실리사이드막 형성 방법 |
| KR100391992B1 (ko) * | 2000-12-08 | 2003-07-22 | 삼성전자주식회사 | 저유전율 층간절연막을 가지는 반도체 장치 형성 방법 |
| US8344378B2 (en) | 2009-06-26 | 2013-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor and method for manufacturing the same |
| US8956934B2 (en) | 2009-06-26 | 2015-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2906489B2 (ja) | 1999-06-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3584129B2 (ja) | 半導体素子のキャパシタ製造方法 | |
| JPH01251611A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0563011B2 (ja) | ||
| JPH03155128A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2982254B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2906491B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6029222B2 (ja) | 固体電子装置の製造方法 | |
| JPH02177427A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3032244B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04320029A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62293728A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03155129A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3111516B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS62291146A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6068655A (ja) | Ｍｏｓ型トランジスタの製造方法 | |
| JP2555754B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS62104078A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPH0799178A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH041497B2 (ja) | ||
| JPH0682641B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPH05308057A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0232537A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0637037A (ja) | メタルプラグの形成方法 | |
| JP3024232B2 (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPH05308068A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080402 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090402 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090402 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100402 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100402 Year of fee payment: 11 |