JPH03141366A - 電子写真感光体およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は電子写真感光体およびその製造方法に関し、
より詳細には、ポリビニルアセタールを成膜材料として
含有する層を備えた電子写真感光体とその製造方法に関
するものである。
より詳細には、ポリビニルアセタールを成膜材料として
含有する層を備えた電子写真感光体とその製造方法に関
するものである。
〈従来の技術〉
いわゆるカールソンプロセスを利用した、複写機等の画
像形成装置に用いられる電子写真感光体としては、近時
、成膜材料としての樹脂中に電荷発生材料や電荷輸送材
料等の機能材料を含有した、単層或いは複層の感光層を
備えたものが、材料の選択幅が広く、且つ、機能設計の
自由度が大きく、しかも、生産性に優れる等の利点を有
するため、増加しつつある。また、上記感光層を備えた
電子写真感光体においては、感光層の耐摩耗性を高める
ため、必要に応じて、感光層上に、成膜材料としての樹
脂を含む表面保護層を積層することも行われている。
像形成装置に用いられる電子写真感光体としては、近時
、成膜材料としての樹脂中に電荷発生材料や電荷輸送材
料等の機能材料を含有した、単層或いは複層の感光層を
備えたものが、材料の選択幅が広く、且つ、機能設計の
自由度が大きく、しかも、生産性に優れる等の利点を有
するため、増加しつつある。また、上記感光層を備えた
電子写真感光体においては、感光層の耐摩耗性を高める
ため、必要に応じて、感光層上に、成膜材料としての樹
脂を含む表面保護層を積層することも行われている。
上記感光層や表面保護層において、成膜材料として使用
される樹脂としては、種々のものが挙げられるが、中で
も、ポリビニルアセタールが、機能材料等の成分の分散
性に優れると共に、塗布液の保存安定性に優れるため好
適に使用される。
される樹脂としては、種々のものが挙げられるが、中で
も、ポリビニルアセタールが、機能材料等の成分の分散
性に優れると共に、塗布液の保存安定性に優れるため好
適に使用される。
ところが、1記ポリビニルアセタールを使用した感光層
では、ポリビニルアセタール中に多量の水酸基が残存す
るため吸湿性が高く、耐環境性の点で問題がある他、上
記水酸基が、露光時に発生する電荷キャリア(正孔)の
トラップとして作用したり、或いは、上記水酸基が、層
中に含まれる酸と反応して−OH2+基を生じ、これが
空間電荷を生じて感光体のカウンター電位に影響を与え
るため、感光体の感度が低下するという問題がある。
では、ポリビニルアセタール中に多量の水酸基が残存す
るため吸湿性が高く、耐環境性の点で問題がある他、上
記水酸基が、露光時に発生する電荷キャリア(正孔)の
トラップとして作用したり、或いは、上記水酸基が、層
中に含まれる酸と反応して−OH2+基を生じ、これが
空間電荷を生じて感光体のカウンター電位に影響を与え
るため、感光体の感度が低下するという問題がある。
一方、ポリビニルアセタールを使用した表面保護層の場
合には、やはり、ポリビニルアセタール中に多量の水酸
基が残存するため吸湿性が高く、耐環境性の点で問題が
あり、吸湿によって層の強度が低下したり、表面保護層
を通過した湿気によって下層の感光層が劣化したりする
虞があるという問題がある。
合には、やはり、ポリビニルアセタール中に多量の水酸
基が残存するため吸湿性が高く、耐環境性の点で問題が
あり、吸湿によって層の強度が低下したり、表面保護層
を通過した湿気によって下層の感光層が劣化したりする
虞があるという問題がある。
また、上記のように多量の水酸基を含有するポリビニル
アセタールは、アルコール等の有機溶媒に対する溶解性
が高いので、例えば、積層型感光層の下側の層において
使用する時は、上側の層を積層する場合に、また、上記
積層型の感光層の上側の層や単層型の感光層において使
用する時は、その上に表面保護層を積層する場合に、表
面に各層相の塗布液を塗布すると、その塗布液中に含ま
れる有機溶媒によってポリビニルアセタールが著しく膨
潤、或いは溶解し、2つの層の界面が不明確になって、
感光体の感度特性等に悪影響を与えたり、特に、上に形
成される層が表面保護層である場合には、この表面保護
層の強度が低下したりするという問題もある。
アセタールは、アルコール等の有機溶媒に対する溶解性
が高いので、例えば、積層型感光層の下側の層において
使用する時は、上側の層を積層する場合に、また、上記
積層型の感光層の上側の層や単層型の感光層において使
用する時は、その上に表面保護層を積層する場合に、表
面に各層相の塗布液を塗布すると、その塗布液中に含ま
れる有機溶媒によってポリビニルアセタールが著しく膨
潤、或いは溶解し、2つの層の界面が不明確になって、
感光体の感度特性等に悪影響を与えたり、特に、上に形
成される層が表面保護層である場合には、この表面保護
層の強度が低下したりするという問題もある。
そこで、上記ポリビニルアセタールを含有する感光層や
表面保護層を形成するだめの塗布液中に、当該塗布液の
乾燥時に加水分解して、ポリビニルアセタール中の水酸
基と縮合反応するアセチルアセトン錯塩(金属アセチル
アセトネート)を配合することにより、形成された層中
に残存する水酸基量を低減する方法が提案された。
表面保護層を形成するだめの塗布液中に、当該塗布液の
乾燥時に加水分解して、ポリビニルアセタール中の水酸
基と縮合反応するアセチルアセトン錯塩(金属アセチル
アセトネート)を配合することにより、形成された層中
に残存する水酸基量を低減する方法が提案された。
〈発明が解決しようとする課題〉
上記アセチルアセトン錯塩は、通常、保存性等を考慮し
て粉末状等の固体状態で供給される。ところが、このア
セチルアセトン錯塩は、アルコール等の有機溶媒への溶
解性が悪いため、上記粉末状等の固体状態のアセチルア
セトン錯塩を塗布液中に均一に溶解させるのに長時間の
攪拌が必要で、塗布液の調製に手間がかかるという問題
がある。
て粉末状等の固体状態で供給される。ところが、このア
セチルアセトン錯塩は、アルコール等の有機溶媒への溶
解性が悪いため、上記粉末状等の固体状態のアセチルア
セトン錯塩を塗布液中に均一に溶解させるのに長時間の
攪拌が必要で、塗布液の調製に手間がかかるという問題
がある。
また、層中に残存する水酸基の量をより少なくするため
に、上記アセチルアセトン錯塩を塗布液中に多量に配合
した場合には、全量を塗布液中に溶解させることが困難
であるため、下記のような問題がある。
に、上記アセチルアセトン錯塩を塗布液中に多量に配合
した場合には、全量を塗布液中に溶解させることが困難
であるため、下記のような問題がある。
すなわち、未溶解状態のアセチルアセトン錯塩の粒子が
塗布液中に存在すると、塗布ムラを生じ品くなるたけで
なく、上記粒子が、形成された塗膜中に異物として残っ
たり、或いは、塗膜形成時に、上記粒子が塗布方向に沿
って塗膜上を移動することにより、塗膜に縦筋が生じた
りするため、きれいな層を形成できず、形成画像に欠陥
を生じるという問題がある。しかも、形成された層は、
アセチルアセトン錯塩が均一に分散されていないため、
水酸基の少ない部分と多い部分とを生じ、感光層の場合
には、感光特性や耐環境性等にムラを生じ、表面保護層
の場合には、耐環境性や層の強度等にムラを生じる虞も
ある。
塗布液中に存在すると、塗布ムラを生じ品くなるたけで
なく、上記粒子が、形成された塗膜中に異物として残っ
たり、或いは、塗膜形成時に、上記粒子が塗布方向に沿
って塗膜上を移動することにより、塗膜に縦筋が生じた
りするため、きれいな層を形成できず、形成画像に欠陥
を生じるという問題がある。しかも、形成された層は、
アセチルアセトン錯塩が均一に分散されていないため、
水酸基の少ない部分と多い部分とを生じ、感光層の場合
には、感光特性や耐環境性等にムラを生じ、表面保護層
の場合には、耐環境性や層の強度等にムラを生じる虞も
ある。
この発明は、以上の事情に鑑みてなされたものであって
、ポリビニルアセタールに起因する残存水酸基量を低減
するアセチルアセトン錯塩を、従来より多量、且つ均一
に、塗布液中に分散させることが可能で、層中に残存す
る水酸基量を、従来よりも一層低減することができると
共に、均一に低減することができ、しかも、従来よりも
製造に手間がかからない上、上記アセチルアセトン錯塩
が未溶解状態のまま塗布液中に残存することによって生
じる塗布ムラや異物等の問題を解決することができる電
子写真感光体とその製造方法を提供することを目的とし
ている。
、ポリビニルアセタールに起因する残存水酸基量を低減
するアセチルアセトン錯塩を、従来より多量、且つ均一
に、塗布液中に分散させることが可能で、層中に残存す
る水酸基量を、従来よりも一層低減することができると
共に、均一に低減することができ、しかも、従来よりも
製造に手間がかからない上、上記アセチルアセトン錯塩
が未溶解状態のまま塗布液中に残存することによって生
じる塗布ムラや異物等の問題を解決することができる電
子写真感光体とその製造方法を提供することを目的とし
ている。
く課題を解決するための手段および作用〉上記課題を解
決するため、本発明者らは、上記アセチルアセトン錯塩
を溶液状態で塗布液に配合することを検討した。しかし
、上記アセチルアセトン錯塩は、前述のように、通常使
用されている有機溶媒への溶解性が悪いため、有機溶媒
単独では均質な溶液を形成できないことが判明した。そ
こで、種々の混合溶媒を検討した結果、アルコール類に
少量の水を加えた混合溶媒を使用すれば、従来よりも多
量のアセチルアセトン錯塩を、従来より容易に溶解する
ことができ、均質な溶液を手間をかけずに製造し得るこ
とを見出し、この知見に基づいて、この発明を完成した
。したがって、この発明の電子写真感光体は、ポリビニ
ルアセタールを含有する層が、上記ポリビニルアセター
ルを含有すると共に、アセチルアセトン錯塩とアルコー
ルと水とからなる溶液を配合した塗布液の塗布、乾燥に
より形成されていることを特徴とし、この発明の電子写
真感光体の製造方法は、アセチルアセトン錯塩とアルコ
ールと水とからなる溶液を、ポリビニルアセタールを含
有する塗布液に配合した後、下地上に塗布し、乾燥させ
ることで、上記ポリビニルアセタールを含有する層を形
成することを特徴としている。
決するため、本発明者らは、上記アセチルアセトン錯塩
を溶液状態で塗布液に配合することを検討した。しかし
、上記アセチルアセトン錯塩は、前述のように、通常使
用されている有機溶媒への溶解性が悪いため、有機溶媒
単独では均質な溶液を形成できないことが判明した。そ
こで、種々の混合溶媒を検討した結果、アルコール類に
少量の水を加えた混合溶媒を使用すれば、従来よりも多
量のアセチルアセトン錯塩を、従来より容易に溶解する
ことができ、均質な溶液を手間をかけずに製造し得るこ
とを見出し、この知見に基づいて、この発明を完成した
。したがって、この発明の電子写真感光体は、ポリビニ
ルアセタールを含有する層が、上記ポリビニルアセター
ルを含有すると共に、アセチルアセトン錯塩とアルコー
ルと水とからなる溶液を配合した塗布液の塗布、乾燥に
より形成されていることを特徴とし、この発明の電子写
真感光体の製造方法は、アセチルアセトン錯塩とアルコ
ールと水とからなる溶液を、ポリビニルアセタールを含
有する塗布液に配合した後、下地上に塗布し、乾燥させ
ることで、上記ポリビニルアセタールを含有する層を形
成することを特徴としている。
以下に、この発明の詳細な説明する。
この発明の構成は、成膜材料としてポリビニルアセター
ルを含有する層(以下「特定層」という)を備えた、種
々のタイプの電子写真感光体に適用することができる。
ルを含有する層(以下「特定層」という)を備えた、種
々のタイプの電子写真感光体に適用することができる。
上記特定層としては、下記の各層が挙げられる。
■ 成膜材料としての樹脂中に電荷発生材料と電荷輸送
材料とを含有する単層型の有機感光層。
材料とを含有する単層型の有機感光層。
■ 成膜材料としての樹脂中に電荷発生材料を含有する
電荷発生層と、成膜材料としての樹脂中に電荷輸送材料
を含有する電荷輸送層とからなる積層型の有機感光層に
おける、少なくとも一方の層。
電荷発生層と、成膜材料としての樹脂中に電荷輸送材料
を含有する電荷輸送層とからなる積層型の有機感光層に
おける、少なくとも一方の層。
■ 半導体材料の薄膜からなる電荷発生層の上に、上記
■における電荷輸送層が積層された複合型の感光層にお
ける、当該電荷輸送層。
■における電荷輸送層が積層された複合型の感光層にお
ける、当該電荷輸送層。
■ 上記各タイプの感光層上に形成される表面保護層。
上記特定層中の残存水酸基量を低減するため、ポリビニ
ルアセタールを含有する塗布液中に配合されるアセチル
アセトン錯塩としては、アセチルアセトンと金属原子と
からなる、(モノ)アセチルアセトナト錯塩、ビスアセ
チルアセトナト錯塩、トリスアセチルアセトナト錯塩、
およびテトラキスアセチルアセトナト錯塩に属する、種
々のキレートを使用することができ、特に、下記−紋穴
(1)または(I)で表される錯塩が好適に使用される
。
ルアセタールを含有する塗布液中に配合されるアセチル
アセトン錯塩としては、アセチルアセトンと金属原子と
からなる、(モノ)アセチルアセトナト錯塩、ビスアセ
チルアセトナト錯塩、トリスアセチルアセトナト錯塩、
およびテトラキスアセチルアセトナト錯塩に属する、種
々のキレートを使用することができ、特に、下記−紋穴
(1)または(I)で表される錯塩が好適に使用される
。
[M(C5H70゜)n] ・−(1)[M
(CHO) R’m] ・・−(II)5 7
2 n−a+ (但し、上記式(I) (I[)中のMは3価または4
価の金属を表し、R1はアルキル基またはアルコキシ基
を表し、nはMが3価の場合3、Mが4価の場合4を表
し、mは2以下の整数を表す) なお、上記式中のMとしては、アルミニウムまたはジル
コニウムが好ましいものとして挙げられる。
(CHO) R’m] ・・−(II)5 7
2 n−a+ (但し、上記式(I) (I[)中のMは3価または4
価の金属を表し、R1はアルキル基またはアルコキシ基
を表し、nはMが3価の場合3、Mが4価の場合4を表
し、mは2以下の整数を表す) なお、上記式中のMとしては、アルミニウムまたはジル
コニウムが好ましいものとして挙げられる。
上記アセチルアセトン錯塩および水と共に、塗布液中に
配合される溶液を構成するアルコールとしては、例えば
エチルアルコール、メチルアルコール、イソプロピルア
ルコール、ブチルアルコール、β−オキシエチルメチル
エーテル(メチルセロソルブ)、β−オキシエチルエー
テル(エチルセロソルブ)、β−オキシエチルプロピル
エーテル(プロピルセロソルブ)、ブチル−β−オキシ
エチルエーテル(ブチルセロソルブ)等が挙げられ、中
でも、揮発性が低く、安全性の高いブチルアルコールや
ブチルセロソルブが好適に使用される。
配合される溶液を構成するアルコールとしては、例えば
エチルアルコール、メチルアルコール、イソプロピルア
ルコール、ブチルアルコール、β−オキシエチルメチル
エーテル(メチルセロソルブ)、β−オキシエチルエー
テル(エチルセロソルブ)、β−オキシエチルプロピル
エーテル(プロピルセロソルブ)、ブチル−β−オキシ
エチルエーテル(ブチルセロソルブ)等が挙げられ、中
でも、揮発性が低く、安全性の高いブチルアルコールや
ブチルセロソルブが好適に使用される。
上記アセチルアセトン錯塩、アルコールおよび水からな
る溶液における、アセチルアセトン錯塩の濃度は、この
発明では特に限定されないが、0.05〜0.5モル/
gの範囲内であることが好ましい。アセチルアセトン錯
塩の濃度が0.05モル/IIを下回った場合には、特
定層中に残存する水酸基の量を十分に低減させるために
、塗布液に多量の溶液を配合しなければならず、塗布液
の粘度が低下して、塗布性、成膜性が悪化するだけでな
く、塗膜の乾燥に長時間を要する等の問題が生じる虞が
ある。一方、アセチルアセトン錯塩の濃度が0.5モル
/1を超えた場合には、全量を溶解するために長時間を
要し、溶液の調製に手間がかかるだけでなく、塗布ムラ
を生じ品くなったり、形成された特定層にブツや縦筋等
が発生して形成画像に欠陥を生じたり、或いは、感光特
性や層の強度、耐環境性等の特性にムラを生じたりする
虞がある。
る溶液における、アセチルアセトン錯塩の濃度は、この
発明では特に限定されないが、0.05〜0.5モル/
gの範囲内であることが好ましい。アセチルアセトン錯
塩の濃度が0.05モル/IIを下回った場合には、特
定層中に残存する水酸基の量を十分に低減させるために
、塗布液に多量の溶液を配合しなければならず、塗布液
の粘度が低下して、塗布性、成膜性が悪化するだけでな
く、塗膜の乾燥に長時間を要する等の問題が生じる虞が
ある。一方、アセチルアセトン錯塩の濃度が0.5モル
/1を超えた場合には、全量を溶解するために長時間を
要し、溶液の調製に手間がかかるだけでなく、塗布ムラ
を生じ品くなったり、形成された特定層にブツや縦筋等
が発生して形成画像に欠陥を生じたり、或いは、感光特
性や層の強度、耐環境性等の特性にムラを生じたりする
虞がある。
一方、上記溶液中における水の濃度も、この発明では特
に限定されないが、1〜10モル/gの範囲内である必
要がある。水の濃度が1モル/gを下回ると、水の添加
効果が十分に得られず、アセチルアセトン錯塩の全量を
溶液中に溶解することが困難で、溶液の調製に手間がか
かるだけでなく、前述した塗布ムラや形成画像の欠陥を
生じたり、感光特性や層の強度、耐環境性等にムラを生
じたりする虞がある。一方、水の濃度が10モル/gを
超えると、アセチルアセトン錯塩が加水分解してしまい
、特定層中に残存する水酸基の量を十分に低減できなく
なり、また、顔料等を併用する場合に、その分散性が低
下する虞がある。
に限定されないが、1〜10モル/gの範囲内である必
要がある。水の濃度が1モル/gを下回ると、水の添加
効果が十分に得られず、アセチルアセトン錯塩の全量を
溶液中に溶解することが困難で、溶液の調製に手間がか
かるだけでなく、前述した塗布ムラや形成画像の欠陥を
生じたり、感光特性や層の強度、耐環境性等にムラを生
じたりする虞がある。一方、水の濃度が10モル/gを
超えると、アセチルアセトン錯塩が加水分解してしまい
、特定層中に残存する水酸基の量を十分に低減できなく
なり、また、顔料等を併用する場合に、その分散性が低
下する虞がある。
なお、上記溶液中におけるアセチルアセトン錯塩の濃度
と水の濃度との間には特別の比例関係は存在しないが、
アセチルアセトン錯塩の極性との関係から、安定な溶液
を維持するためには、アセチルアセトン錯塩を多量に含
有する溶液はど、水を多量に含有することが望ましい。
と水の濃度との間には特別の比例関係は存在しないが、
アセチルアセトン錯塩の極性との関係から、安定な溶液
を維持するためには、アセチルアセトン錯塩を多量に含
有する溶液はど、水を多量に含有することが望ましい。
上記溶液の、特定層用塗布液への配合割合は特に限定さ
れないが、塗布液中に含まれるポリビニルアセタールの
水酸基に対し、0.01〜2.0当量のアセチルアセト
ン錯塩が配合されるように、溶液の配合量を調整するこ
とが好ましい。ポリビニルアセタールの水酸基に対する
、アセチルアセトン錯塩の配合割合が0.01当量未満
では、アセチルアセトン錯塩の添加効果が十分に得られ
ず、層中に多量に水酸基が残留することになり、感度低
下や耐環境性の悪化、有機溶媒に対する耐性等を十分に
改善することができない虞がある。逆に、ポリビニルア
セタールの水酸基に対する、アセチルアセトン錯塩の配
合割合が2.0当量を超えると、上記各特性は向上する
が、繰り返し使用時における帯電特性の安定性が低下し
てしまう虞がある。
れないが、塗布液中に含まれるポリビニルアセタールの
水酸基に対し、0.01〜2.0当量のアセチルアセト
ン錯塩が配合されるように、溶液の配合量を調整するこ
とが好ましい。ポリビニルアセタールの水酸基に対する
、アセチルアセトン錯塩の配合割合が0.01当量未満
では、アセチルアセトン錯塩の添加効果が十分に得られ
ず、層中に多量に水酸基が残留することになり、感度低
下や耐環境性の悪化、有機溶媒に対する耐性等を十分に
改善することができない虞がある。逆に、ポリビニルア
セタールの水酸基に対する、アセチルアセトン錯塩の配
合割合が2.0当量を超えると、上記各特性は向上する
が、繰り返し使用時における帯電特性の安定性が低下し
てしまう虞がある。
上記溶液が配合される、特定層形成用の塗布液中に、成
膜材料として配合されるポリビニルアセタールは、ポリ
ビニルアルコールまたはポリ酢酸ビニルのアセタール化
により製造されるもので、通常、下記−紋穴圓に示すよ
うに、ビニルアセタール、酢酸ビニル、ビニルアルコー
ルの共重合体に相当する構造を有している。
膜材料として配合されるポリビニルアセタールは、ポリ
ビニルアルコールまたはポリ酢酸ビニルのアセタール化
により製造されるもので、通常、下記−紋穴圓に示すよ
うに、ビニルアセタール、酢酸ビニル、ビニルアルコー
ルの共重合体に相当する構造を有している。
(但し、上記式圓中R2は、水素原子、または炭素数1
〜3のアルキル基を表す) 上記式圓におけるx、y、zの比率、すなわちビニルア
セタール成分、酢酸ビニル成分、ビニルアルコール成分
の割合は、この発明では特に限定されないが、ポリビニ
ルアセタール中におけるビニルアルコール成分の割合が
13重量%以下であることか好ましい。なぜなら、ビニ
ルアルコール成分の割合が13重量%を超えると、アセ
チルアセトン錯塩による水酸基の低減後も、層中に多量
に水酸基が残留することになり、感度低下や耐環境性の
悪化、有機溶媒に対する耐性等を十分に改善することが
できないからである。
〜3のアルキル基を表す) 上記式圓におけるx、y、zの比率、すなわちビニルア
セタール成分、酢酸ビニル成分、ビニルアルコール成分
の割合は、この発明では特に限定されないが、ポリビニ
ルアセタール中におけるビニルアルコール成分の割合が
13重量%以下であることか好ましい。なぜなら、ビニ
ルアルコール成分の割合が13重量%を超えると、アセ
チルアセトン錯塩による水酸基の低減後も、層中に多量
に水酸基が残留することになり、感度低下や耐環境性の
悪化、有機溶媒に対する耐性等を十分に改善することが
できないからである。
上記ポリビニルアセタールとしては、ポリビニルホルマ
ール、ポリビニルアセトアセタール、ポリビニルブチラ
ールが例示され、特にポリビニルブチラールが、好まし
いものとして挙げられる。
ール、ポリビニルアセトアセタール、ポリビニルブチラ
ールが例示され、特にポリビニルブチラールが、好まし
いものとして挙げられる。
上記ポリビニルアセタールを溶解して塗布液を形成する
有機溶媒としては、例えば前記例示の各種アルコール類
の他、ジクロルメタン、四塩化炭素、クロロベンゼン等
のハロゲン化炭化水素;アセトン、メチルエチルケトン
、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケト
ン類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水
素、1゜4−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等の各種化合物
が挙げられるが、特に、アセチルアセトン錯塩のアルコ
ール溶液との相溶性に優れたアルコール類が好ましく使
用される。
有機溶媒としては、例えば前記例示の各種アルコール類
の他、ジクロルメタン、四塩化炭素、クロロベンゼン等
のハロゲン化炭化水素;アセトン、メチルエチルケトン
、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケト
ン類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水
素、1゜4−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等の各種化合物
が挙げられるが、特に、アセチルアセトン錯塩のアルコ
ール溶液との相溶性に優れたアルコール類が好ましく使
用される。
また、上記特定層には、当該特定層の物性に影響を与え
ない範囲で、特定層以外の有機の層にも使用される、従
来公知の、熱硬化性または熱可塑性の他の樹脂材料を併
用することもできる。
ない範囲で、特定層以外の有機の層にも使用される、従
来公知の、熱硬化性または熱可塑性の他の樹脂材料を併
用することもできる。
この発明の電子写真感光体およびその製造方法において
は、上記特定層を形成するための塗布液に配合される溶
液以外の点については、従来と同様に構成することがで
きる。
は、上記特定層を形成するための塗布液に配合される溶
液以外の点については、従来と同様に構成することがで
きる。
例えば、前記各タイプの感光層のうち、複合型感光層に
おいては、電荷発生層として、アモルファスカルコゲン
化物やアモルファスシリコン等の半導体材料からなる薄
膜が用いられる。上記半導体材料からなる薄膜状の電荷
発生層は、真空蒸着法、グロー放電分解法等の公知の薄
膜形成方法によって、導電性基材の表面に形成すること
ができる。
おいては、電荷発生層として、アモルファスカルコゲン
化物やアモルファスシリコン等の半導体材料からなる薄
膜が用いられる。上記半導体材料からなる薄膜状の電荷
発生層は、真空蒸着法、グロー放電分解法等の公知の薄
膜形成方法によって、導電性基材の表面に形成すること
ができる。
特定層が単層型の有機感光層や、積層型或いは複合型の
感光層のうちの電荷輸送層である場合に、特定層中に含
有される電荷輸送材料としては、例えばポリ−N−ビニ
ルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリアセナフチレ
ン等の高分子化合物、ジニトロアントラセン等のニトロ
化化合物、1゜1−ビス(4−ジエチルアミノフェニル
)−4゜4−シフ;ニル−1,3−ブタジェン等の共役
不飽和化合物、テトラシアノエチレン、フルオレノン系
化合物、フルオレン系化合物、無水コハク酸、無水マレ
イン酸、ジブロモ無水マレイン酸、トリフェニルメタン
系化合物、オキサジアゾール系化合物、スチリル系化合
物、カルバゾール系化合物、ピラゾリン系化合物、アミ
ン誘導体、ヒドラゾン系化合物、m−フェニレンジアミ
ン系化合物、インドール系化合物、オキサゾール系化合
物、イソオキサゾール系化合物、チアゾール系化合物、
チアジアゾール系化合物、イミダゾール系化合物、ピラ
ゾール系化合物、ピラゾリン系化合物、トリアゾール系
化合物、縮合多環族化合物等が挙げられる。なお、上記
電荷輸送材料の中でも、前記ポリ−N−ビニルカルバゾ
ール等の光導電性を有する高分子材料は、成膜材料とし
て、ポリビニルアセタールと併用することができる。
感光層のうちの電荷輸送層である場合に、特定層中に含
有される電荷輸送材料としては、例えばポリ−N−ビニ
ルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリアセナフチレ
ン等の高分子化合物、ジニトロアントラセン等のニトロ
化化合物、1゜1−ビス(4−ジエチルアミノフェニル
)−4゜4−シフ;ニル−1,3−ブタジェン等の共役
不飽和化合物、テトラシアノエチレン、フルオレノン系
化合物、フルオレン系化合物、無水コハク酸、無水マレ
イン酸、ジブロモ無水マレイン酸、トリフェニルメタン
系化合物、オキサジアゾール系化合物、スチリル系化合
物、カルバゾール系化合物、ピラゾリン系化合物、アミ
ン誘導体、ヒドラゾン系化合物、m−フェニレンジアミ
ン系化合物、インドール系化合物、オキサゾール系化合
物、イソオキサゾール系化合物、チアゾール系化合物、
チアジアゾール系化合物、イミダゾール系化合物、ピラ
ゾール系化合物、ピラゾリン系化合物、トリアゾール系
化合物、縮合多環族化合物等が挙げられる。なお、上記
電荷輸送材料の中でも、前記ポリ−N−ビニルカルバゾ
ール等の光導電性を有する高分子材料は、成膜材料とし
て、ポリビニルアセタールと併用することができる。
一方、特定層が単層型の有機感光層や、積層型の有機感
光層のうちの電荷発生層である場合に、特定層中に含有
される電荷発生材料としては、例えば前記半導体材料の
粉末、Zn0SCdS等のn−■族微結晶、ピリリウム
塩、アゾ系化合物、ビスアゾ系化合物、フタロシアニン
系化合物、アンサンスロン系化合物、インジゴ系化合物
、トリフェニルメタン系化合物、スレン系化合物、トル
イジン系化合物、ピラゾリン系化合物、キナクリドン系
化合物、ピロロビロール系化合物が挙げられる。
光層のうちの電荷発生層である場合に、特定層中に含有
される電荷発生材料としては、例えば前記半導体材料の
粉末、Zn0SCdS等のn−■族微結晶、ピリリウム
塩、アゾ系化合物、ビスアゾ系化合物、フタロシアニン
系化合物、アンサンスロン系化合物、インジゴ系化合物
、トリフェニルメタン系化合物、スレン系化合物、トル
イジン系化合物、ピラゾリン系化合物、キナクリドン系
化合物、ピロロビロール系化合物が挙げられる。
これらの電荷発生材料は、それぞれ単独で用いられる他
、複数種を併用することもできる。
、複数種を併用することもできる。
また、前記特定層が、感光層の上に積層される表面保護
層である場合には、当該表面保護層中に、前記ポリビニ
ルアセタール等の他に、必要に応じて、前述した他の樹
脂材料や、導電性付与材、ベンゾキノン系紫外線吸収剤
等の添加剤を適宜量含有させることができる。
層である場合には、当該表面保護層中に、前記ポリビニ
ルアセタール等の他に、必要に応じて、前述した他の樹
脂材料や、導電性付与材、ベンゾキノン系紫外線吸収剤
等の添加剤を適宜量含有させることができる。
前述した各タイプの感光層のうち、単層型の有機感光層
における、成膜材料としての樹脂100重量部に対する
電荷発生材料の含有量は、2〜20重量部の範囲内、特
に3〜15重量部の範囲内であることが好ましい。また
、上記樹脂100重量部に対する、電荷輸送材料の含有
量は、40〜200重量部の範囲内、特に50〜100
重量部の範囲内であることが好ましい。電荷発生材料の
含有量が2重量部未満、または、電荷輸送材料の含有量
が40重量部未満では、感光体の感度が不十分になった
り、残留電位が大きくなったりする虞がある。一方、電
荷発生材料の含有量が20重量部を超えた場合、または
、電荷輸送材料の含有量が200重量部を超えた場合に
は、感光体の耐摩耗性が不足する虞がある。
における、成膜材料としての樹脂100重量部に対する
電荷発生材料の含有量は、2〜20重量部の範囲内、特
に3〜15重量部の範囲内であることが好ましい。また
、上記樹脂100重量部に対する、電荷輸送材料の含有
量は、40〜200重量部の範囲内、特に50〜100
重量部の範囲内であることが好ましい。電荷発生材料の
含有量が2重量部未満、または、電荷輸送材料の含有量
が40重量部未満では、感光体の感度が不十分になった
り、残留電位が大きくなったりする虞がある。一方、電
荷発生材料の含有量が20重量部を超えた場合、または
、電荷輸送材料の含有量が200重量部を超えた場合に
は、感光体の耐摩耗性が不足する虞がある。
上記単層型の有機感光層の厚みは特に限定されないが、
従来の単層型の有機感光層と同程度、すなわち、10〜
50−1特に15〜2”lllの範囲内であることが好
ましい。
従来の単層型の有機感光層と同程度、すなわち、10〜
50−1特に15〜2”lllの範囲内であることが好
ましい。
積層型の有機感光層を構成する各層のうち、電荷発生層
における、成膜材料としての樹脂100重量部に対する
電荷発生材料の含有量は、5〜500重量部の範囲内、
特に10〜250重量部の範囲内であることが好ましい
。電荷発生材料の含有量が5重量部未満では、電荷発生
能が小さ過ぎ、500重量部を超えると、基材や隣設す
る他の層との密着性が低下する虞がある。
における、成膜材料としての樹脂100重量部に対する
電荷発生材料の含有量は、5〜500重量部の範囲内、
特に10〜250重量部の範囲内であることが好ましい
。電荷発生材料の含有量が5重量部未満では、電荷発生
能が小さ過ぎ、500重量部を超えると、基材や隣設す
る他の層との密着性が低下する虞がある。
上記電荷発生層の厚みは特に限定されないが、0.01
〜3μm1特に0. 1−〜2μmの範囲内であること
が好ましい。
〜3μm1特に0. 1−〜2μmの範囲内であること
が好ましい。
積層型の有機感光層または複合形感光層を構成する各層
のうち、電荷輸送層における、成膜材料としての樹脂1
00重量部に対する電荷輸送材料の含有量は、10〜5
00重量部の範囲内、特に25〜200重量部の範囲内
であることが好ましい。電荷輸送材料の含有量が10重
量部未満ては、電荷輸送能が十分でなく、500重量部
を超えると、電荷輸送層の機械的強度が低下する虞があ
る。
のうち、電荷輸送層における、成膜材料としての樹脂1
00重量部に対する電荷輸送材料の含有量は、10〜5
00重量部の範囲内、特に25〜200重量部の範囲内
であることが好ましい。電荷輸送材料の含有量が10重
量部未満ては、電荷輸送能が十分でなく、500重量部
を超えると、電荷輸送層の機械的強度が低下する虞があ
る。
上記電荷輸送層の厚みは特に限定されないが、2〜10
0塵、特に5〜30−の範囲内であることが好ましい。
0塵、特に5〜30−の範囲内であることが好ましい。
前記表面保護層の厚みは、0.1〜10μm1特に2〜
5μmの範囲内であることが好ましい。
5μmの範囲内であることが好ましい。
なお、前記各タイプの感光層や表面保護層等に、従来公
知の酸化防止剤を併用すると、酸化の影響を受けやすい
構造を持つ、電荷輸送材料等の機能成分の、酸化による
劣化を防止することができる。
知の酸化防止剤を併用すると、酸化の影響を受けやすい
構造を持つ、電荷輸送材料等の機能成分の、酸化による
劣化を防止することができる。
上記各タイプの感光層が表面に形成される導電性基材は
、電子写真感光体が組み込まれる画像形成装置の機構、
構造に対応して、シート状あるいはドラム状等、適宜の
形状に形成される。
、電子写真感光体が組み込まれる画像形成装置の機構、
構造に対応して、シート状あるいはドラム状等、適宜の
形状に形成される。
上記導電性基材は、全体を金属等の導電性材料で構成し
ても良く、また、基材自体は導電性を有さない構造材料
で形成して、その表面に導電性を付与しても良い。
ても良く、また、基材自体は導電性を有さない構造材料
で形成して、その表面に導電性を付与しても良い。
導電性基材の全体を導電性材料で構成する、前者の場合
に使用される導電性材料としては、例えばアルミニウム
、銅、錫、白金、金、銀、バナジウム、モリブデン、ク
ロム、カドミウム、チタン、ニッケル、パラジウム、イ
ンジウム、ステンレス鋼、真鍮等の金属単体が挙げられ
る。そして、上記金属材料の中でも、表面がアルマイト
処理されたアルミニウムが好ましく、特に、硫酸アルマ
イト法による陽極酸化を行い、酢酸ニッケルで封孔処理
したアルミニウムが好ましく用いられる。
に使用される導電性材料としては、例えばアルミニウム
、銅、錫、白金、金、銀、バナジウム、モリブデン、ク
ロム、カドミウム、チタン、ニッケル、パラジウム、イ
ンジウム、ステンレス鋼、真鍮等の金属単体が挙げられ
る。そして、上記金属材料の中でも、表面がアルマイト
処理されたアルミニウムが好ましく、特に、硫酸アルマ
イト法による陽極酸化を行い、酢酸ニッケルで封孔処理
したアルミニウムが好ましく用いられる。
一方、導電性を有さない構造材料からなる基材の表面に
導電性を付与する後者の場合には、合成樹脂製基材やガ
ラス基材の表面に、上記例示の金属や、ヨウ化アルミニ
ウム、酸化スズ、酸化インジウム等の導電性材料からな
る薄膜が、真空蒸着法、湿式めっき法等の公知の膜形成
方法によって形成された構造、上記合成樹脂製基材やガ
ラス基材の表面に上記金属材料等のフィルムがラミネー
トされた構造、または、上記合成樹脂製基材やガラス基
材の表面に、導電性を付与する物質が注入された構造等
を採用することができる。
導電性を付与する後者の場合には、合成樹脂製基材やガ
ラス基材の表面に、上記例示の金属や、ヨウ化アルミニ
ウム、酸化スズ、酸化インジウム等の導電性材料からな
る薄膜が、真空蒸着法、湿式めっき法等の公知の膜形成
方法によって形成された構造、上記合成樹脂製基材やガ
ラス基材の表面に上記金属材料等のフィルムがラミネー
トされた構造、または、上記合成樹脂製基材やガラス基
材の表面に、導電性を付与する物質が注入された構造等
を採用することができる。
なお、導電性基材は、必要に応じて、シランカップリン
グ剤やチタンカップリング剤等の表面処理剤で表面処理
を施し、感光層との密着性を高めても良い。
グ剤やチタンカップリング剤等の表面処理剤で表面処理
を施し、感光層との密着性を高めても良い。
以上で説明した感光層、表面保護層等の、樹脂を成膜材
料として含む層は、前述した各成分を含有する各層相の
塗布液を調整し、これら塗布液を、前述した層構成を形
成し得るように、各層毎に順次導電性基村上に塗布し、
乾燥または硬化させることで積層形成することができる
。また、上記塗布液を調整する際、分散性、塗工性等を
向上させるため、界面活性剤やレベリング剤等を併用し
ても良い。
料として含む層は、前述した各成分を含有する各層相の
塗布液を調整し、これら塗布液を、前述した層構成を形
成し得るように、各層毎に順次導電性基村上に塗布し、
乾燥または硬化させることで積層形成することができる
。また、上記塗布液を調整する際、分散性、塗工性等を
向上させるため、界面活性剤やレベリング剤等を併用し
ても良い。
また、上記塗布液は従来慣用の方法、例えばミキサー、
ボールミル、ペイントシェーカー、サンドミル、アトラ
イター、超音波分散機等を用いて調製することができる
。
ボールミル、ペイントシェーカー、サンドミル、アトラ
イター、超音波分散機等を用いて調製することができる
。
〈実施例〉
以下に、実施例に基づき、この発明をより詳細に説明す
る。
る。
実施例1〜5
成膜材料としてのボリアリレート(ユニチカ社製、商品
名U−100)10重量部、電荷輸送材料としての4−
(N、N−ジエチルアミノ)ベンズアルデヒドーN、
N−ジフェニルヒドラゾン10重量部および溶媒として
のジクロルメタン100重量部をホモミキサーで攪拌混
合して電荷輸送用塗布液を調製し、この塗布液を外径7
8龍×長さ340 mmのアルミニウム管上に塗布した
後、90℃で30分間加熱乾燥させて、膜厚的20μm
の電荷輸送層を形成した。
名U−100)10重量部、電荷輸送材料としての4−
(N、N−ジエチルアミノ)ベンズアルデヒドーN、
N−ジフェニルヒドラゾン10重量部および溶媒として
のジクロルメタン100重量部をホモミキサーで攪拌混
合して電荷輸送用塗布液を調製し、この塗布液を外径7
8龍×長さ340 mmのアルミニウム管上に塗布した
後、90℃で30分間加熱乾燥させて、膜厚的20μm
の電荷輸送層を形成した。
次に、0.2モル/gのテトラキスアセチルアセトナト
シルコニウム[ZY(C5H702)4コ(日本化学産
業社製)と、3.0モル/gの水とを含有するn−ブチ
ルアルコールの溶液を調製しtこ。
シルコニウム[ZY(C5H702)4コ(日本化学産
業社製)と、3.0モル/gの水とを含有するn−ブチ
ルアルコールの溶液を調製しtこ。
そして、電荷発生材料としての2.7−ジブロモアンサ
ンスロン(ICI社製)160重量部およびメタルフリ
ーフタロシアニン(BASF社製)40重量部、成膜材
料としてのポリビニルブチラール(電気化学工業社製、
商品名デンカブチラール#5000−A)100重量部
、並びに溶媒としてのn−ブチルアルコール2000重
量部を、上記ポリビニルブチラール中の水酸基に対する
、テトラキスアセチルアセトナトシルコニウムの当量が
次表に示す値となる量の前記溶液と共に、ボールミルで
2時間攪拌混合して、電荷発生層用の塗布液を調製し、
この塗布液を、上記電荷輸送層上に塗布し、110℃で
30分間加熱乾燥させて、膜厚的0. 5Inの電荷発
生層を形成した。
ンスロン(ICI社製)160重量部およびメタルフリ
ーフタロシアニン(BASF社製)40重量部、成膜材
料としてのポリビニルブチラール(電気化学工業社製、
商品名デンカブチラール#5000−A)100重量部
、並びに溶媒としてのn−ブチルアルコール2000重
量部を、上記ポリビニルブチラール中の水酸基に対する
、テトラキスアセチルアセトナトシルコニウムの当量が
次表に示す値となる量の前記溶液と共に、ボールミルで
2時間攪拌混合して、電荷発生層用の塗布液を調製し、
この塗布液を、上記電荷輸送層上に塗布し、110℃で
30分間加熱乾燥させて、膜厚的0. 5Inの電荷発
生層を形成した。
次に、シラン加水分解物溶液(東芝シリコーン社製、商
品名トスガード520、非揮発性固形分21重量%)に
、当該溶液中の非揮発性固形分に対して50重量%のア
ンチモンドープ酸化スズ微粉末(住友セメント社製、酸
化スズと酸化アンチモンとの固溶体粒子、アンチモンを
10重量%含有)を配合し、ボールミル中で150時間
攪拌混合して表面保護層用塗布液を調製し、この塗布液
を、上記電荷発生層上に塗布し、110℃で1時間加熱
硬化させて、膜厚的2.5μmの表面保護層を形成し、
積層形感光層を有するドラム型の電子写真感光体を作製
した。
品名トスガード520、非揮発性固形分21重量%)に
、当該溶液中の非揮発性固形分に対して50重量%のア
ンチモンドープ酸化スズ微粉末(住友セメント社製、酸
化スズと酸化アンチモンとの固溶体粒子、アンチモンを
10重量%含有)を配合し、ボールミル中で150時間
攪拌混合して表面保護層用塗布液を調製し、この塗布液
を、上記電荷発生層上に塗布し、110℃で1時間加熱
硬化させて、膜厚的2.5μmの表面保護層を形成し、
積層形感光層を有するドラム型の電子写真感光体を作製
した。
比較例1〜3
テトラキスアセチルアセトナトシルコニウムの溶液に代
えて、ポリビニルブチラール中の水酸基に対し、0.2
当量のテトラキスアセチルアセトナトシルコニウムの粉
末を配合し、次表に示す時間攪拌混合して電荷発生層用
の塗布液を調製したこと以外は、上記実施例1〜5と同
様にして、電子写真感光体を作製した。
えて、ポリビニルブチラール中の水酸基に対し、0.2
当量のテトラキスアセチルアセトナトシルコニウムの粉
末を配合し、次表に示す時間攪拌混合して電荷発生層用
の塗布液を調製したこと以外は、上記実施例1〜5と同
様にして、電子写真感光体を作製した。
比較例4〜6
ポリビニルブチラール中の水酸基に対し、1.0当量の
テトラキスアセチルアセトナトシルコニウムの粉末を配
合したこと以外は、上記比較例1〜3と同様にして、電
子写真感光体を作製した。
テトラキスアセチルアセトナトシルコニウムの粉末を配
合したこと以外は、上記比較例1〜3と同様にして、電
子写真感光体を作製した。
比較例7
電荷発生層用の塗布液に、テトラキスアセチルアセトナ
トシルコニウムの溶液を配合しなかったこと以外は、上
記実施例1〜5と同様にして、電子写真感光体を作製し
た。
トシルコニウムの溶液を配合しなかったこと以外は、上
記実施例1〜5と同様にして、電子写真感光体を作製し
た。
上記各実施例並びに比較例で作製した電子写真感光体に
ついて、下記の各試験を行った。
ついて、下記の各試験を行った。
上記各電子写真感光体を、静電複写試験装置(ジエンチ
ック社製、ジエンチックシン2730M型機)に装填し
、その表面を正に帯電させて、表面電位V、 s、p、
(V)を測定した。
ック社製、ジエンチックシン2730M型機)に装填し
、その表面を正に帯電させて、表面電位V、 s、p、
(V)を測定した。
半減露光量、残留電位測定
上記帯電状態の各電子写真感光体を、上記静電複写試験
装置の露光光源であるハロゲンランプを用いて、露光強
度0.92mW/cj、露光時間60m秒の条件で露光
し、前記表面電位V、S、p。
装置の露光光源であるハロゲンランプを用いて、露光強
度0.92mW/cj、露光時間60m秒の条件で露光
し、前記表面電位V、S、p。
が1/2になるのに要する時間を求め、半減露光ff1
E1/2(μJ /coりを算出した。
E1/2(μJ /coりを算出した。
また、上記露光開始時から0.4秒経過後の表面電位を
、残留電位Vr、p、(V)として測定した。
、残留電位Vr、p、(V)として測定した。
外観
表面保護層の外観を目視により観察した。
以上の結果を次表に示す。 (以下余白)上記表の
結果より、テトラキスアセチルアセトナトシルコニウム
の粉末を配合した比較例1〜6では、上記粉末の配合量
が0.2当量で、且つ攪拌時間が24時間である比較例
3のみ、良好な電荷発生層を形成できたが、その他の場
合には、テトラキスアセチルアセトナトシルコニウムを
塗布液中に完全に溶解することができず、塗膜に塗布ム
ラや異物、縦筋等が生じ、良好な電荷発生層を形成でき
なかった。また、上記塗布ムラ等が生じた各比較例は、
何れも、テトラキスアセチルアセトナトシルコニウムを
配合しなかった比較例7と共に、半減露光量が大きく、
残留電位が高い等、十分な感光特性が得られなかった。
結果より、テトラキスアセチルアセトナトシルコニウム
の粉末を配合した比較例1〜6では、上記粉末の配合量
が0.2当量で、且つ攪拌時間が24時間である比較例
3のみ、良好な電荷発生層を形成できたが、その他の場
合には、テトラキスアセチルアセトナトシルコニウムを
塗布液中に完全に溶解することができず、塗膜に塗布ム
ラや異物、縦筋等が生じ、良好な電荷発生層を形成でき
なかった。また、上記塗布ムラ等が生じた各比較例は、
何れも、テトラキスアセチルアセトナトシルコニウムを
配合しなかった比較例7と共に、半減露光量が大きく、
残留電位が高い等、十分な感光特性が得られなかった。
これに対し、実施例1〜5においては、テトラキスアセ
チルアセトナトシルコニウムを1.5当量まで配合して
も、僅か2時間攪拌しただけで、攪拌に24時間を要し
た比較例3と同程度の感光特性を有し、且つ外観が良好
な電荷発生層を形成できることが判明した。
チルアセトナトシルコニウムを1.5当量まで配合して
も、僅か2時間攪拌しただけで、攪拌に24時間を要し
た比較例3と同程度の感光特性を有し、且つ外観が良好
な電荷発生層を形成できることが判明した。
〈発明の効果〉
この発明の電子写真感光体およびその製造方法は、以上
のように構成されており、ポリビニルアセタールに起因
する残存水酸基量を低減するためのアセチルアセトン錯
塩を、アルコール及び水との溶液の状態で、上記ポリビ
ニルアセタールを含有する層を形成するための塗布液に
配合しているため、上記アセチルアセトン錯塩を、従来
よりも多量、且つ均一に配合することができ、層中に残
存する水酸基量を、ムラなく、しかも、従来よりも一層
低減することが可能となる。また、上記のように、アセ
チルアセトン錯塩は、塗布液中に配合されやすい溶液状
態になっているため、従来よりも製造に手間がかからな
い上、上記アセチルアセトン錯塩が、未溶解状態のまま
塗布液中に残存することによって生じる、塗布ムラや異
物等の問題を解決することができる。
のように構成されており、ポリビニルアセタールに起因
する残存水酸基量を低減するためのアセチルアセトン錯
塩を、アルコール及び水との溶液の状態で、上記ポリビ
ニルアセタールを含有する層を形成するための塗布液に
配合しているため、上記アセチルアセトン錯塩を、従来
よりも多量、且つ均一に配合することができ、層中に残
存する水酸基量を、ムラなく、しかも、従来よりも一層
低減することが可能となる。また、上記のように、アセ
チルアセトン錯塩は、塗布液中に配合されやすい溶液状
態になっているため、従来よりも製造に手間がかからな
い上、上記アセチルアセトン錯塩が、未溶解状態のまま
塗布液中に残存することによって生じる、塗布ムラや異
物等の問題を解決することができる。
手 続 補 正 書(自発)
平成1年12月6日
平成 1年特許願第280729号
電子写真感光体およびその製造方法
3、補正をする者
事件との関係
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ポリビニルアセタールを含有する層を備えた電子写
真感光体において、 上記層が、上記ポリビニルアセタールを含有すると共に
、アセチルアセトン錯塩とアルコールと水とからなる溶
液を配合した塗布液の塗布、乾燥により形成されている
ことを特徴とする電子写真感光体。 2、アセチルアセトン錯塩とアルコールと水とからなる
溶液を、ポリビニルアセタールを含有する塗布液に配合
した後、下地上に塗布し、乾燥させることで、上記ポリ
ビニルアセタールを含有する層を形成することを特徴と
する電子写真感光体。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1280729A JPH071401B2 (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | 電子写真感光体およびその製造方法 |
CA002028601A CA2028601C (en) | 1989-10-27 | 1990-10-25 | Electrophotographic photosensitive element and process of producing the same |
EP90120565A EP0424952B1 (en) | 1989-10-27 | 1990-10-26 | Electrophotographic photosensitive element and process of producing the same |
ES90120565T ES2091215T3 (es) | 1989-10-27 | 1990-10-26 | Elemento fotosensible electrofotografico y procedimiento para su produccion. |
DE69027833T DE69027833T2 (de) | 1989-10-27 | 1990-10-26 | Elektrophotographisches lichtempfindliches Element und Verfahren zu dessen Herstellung |
US07/604,238 US5135834A (en) | 1989-10-27 | 1990-10-29 | Electrophotographic polyvinyl acetal layer containing element and process of producing |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1280729A JPH071401B2 (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | 電子写真感光体およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03141366A true JPH03141366A (ja) | 1991-06-17 |
JPH071401B2 JPH071401B2 (ja) | 1995-01-11 |
Family
ID=17629133
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1280729A Expired - Lifetime JPH071401B2 (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | 電子写真感光体およびその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
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EP (1) | EP0424952B1 (ja) |
JP (1) | JPH071401B2 (ja) |
CA (1) | CA2028601C (ja) |
DE (1) | DE69027833T2 (ja) |
ES (1) | ES2091215T3 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5270141A (en) * | 1991-01-25 | 1993-12-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Image-holding member, and electrophotographic apparatus, apparatus unit, and facsimile machine employing the same |
EP0632337B1 (en) * | 1993-06-29 | 1996-09-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming method |
US5834147A (en) * | 1993-11-05 | 1998-11-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Photosensitive member for electrophotography |
US6207334B1 (en) * | 2000-05-12 | 2001-03-27 | Xerox Corporation | Photoreceptor with improved combination of overcoat layer and charge transport layer |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2106659B (en) * | 1981-07-28 | 1985-02-20 | Fuji Xerox Co Ltd | Electrophotographic photosensitive materials |
US4515882A (en) * | 1984-01-03 | 1985-05-07 | Xerox Corporation | Overcoated electrophotographic imaging system |
-
1989
- 1989-10-27 JP JP1280729A patent/JPH071401B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-10-25 CA CA002028601A patent/CA2028601C/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-10-26 ES ES90120565T patent/ES2091215T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-26 EP EP90120565A patent/EP0424952B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-26 DE DE69027833T patent/DE69027833T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-10-29 US US07/604,238 patent/US5135834A/en not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
DE69027833D1 (de) | 1996-08-22 |
EP0424952B1 (en) | 1996-07-17 |
CA2028601A1 (en) | 1991-04-28 |
EP0424952A2 (en) | 1991-05-02 |
EP0424952A3 (en) | 1992-06-24 |
CA2028601C (en) | 1994-11-15 |
ES2091215T3 (es) | 1996-11-01 |
JPH071401B2 (ja) | 1995-01-11 |
US5135834A (en) | 1992-08-04 |
DE69027833T2 (de) | 1996-12-19 |
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